李強(qiáng) 王燾
摘要: 考慮靜態(tài)、球?qū)ΨQ的情況 , 對等離子體包圍的黑洞外部解進(jìn)行了細(xì)致研究.在給出基本方程之后 , 分別求出了在gttgrr =? 1和 p =0 兩種近似條件下對應(yīng)的解析解. 與精確數(shù)值解進(jìn)行了比較 , 發(fā)現(xiàn)前一種近似條件下的解析解更接近精確數(shù)值解.這為在等離子體包圍的情況下計算黑洞擾動的似正規(guī)模 , 以及研究黑洞陰影和光子環(huán)提供了依據(jù).
關(guān)鍵詞:黑洞解;? 廣義相對論;? 黑洞陰影
中圖分類號: O412.1??? 文獻(xiàn)標(biāo)志碼: A??? DOI: 10.3969/j.issn.1000-5641.2022.02.013
Spherically symmetric solutions for a black hole surrounded by plasma
LI Qiang,? WANG Tao
(School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai? 200241, China)
Abstract: In this paper, the exterior solution for a spherically symmetric black hole surrounded by plasma is studied in detail. After deriving the fundamental governing equations, the analytic solutions under two approximate? conditions,? gttgrr =? 1 and p =0 ,? are? investigated. Comparing? the? two? results? with? the accurate numerical solution, we find that the former approximation offers superior accuracy. This provides a basis for studying the quasinormal modes of perturbations as well as the shadow and ring when the black hole is surrounded by plasma.
Keywords: black hole solutions;? general relativity;? shadow of black hole
0? 引言
在研究許多物理問題的時候 , 如計算黑洞擾動的似正規(guī)模時、研究黑洞陰影和光子環(huán)時 , 都需要先知道度規(guī)的解析表達(dá)式.在真空中 , 球?qū)ΨQ的黑洞可以用史瓦西解來描述.在非真空的情況下 , 如黑洞周圍有暗物質(zhì)時 , 史瓦西解則只能描述黑洞的內(nèi)部 , 不能精確地描述黑洞的外部.這是因?yàn)?, 黑洞外部的暗物質(zhì)改變了黑洞外部的引力場 , 從而改變了黑洞外部的度規(guī). 近些年來 , 關(guān)于暗物質(zhì)包圍的黑洞解的研究已經(jīng)取得了較大的進(jìn)展[1-2] , 這些解的具體形式都取決于暗物質(zhì)的密度分布和狀態(tài)方程.
黑洞在形成和生長的過程中 , 吸積盤中會留下大量的等離子體 , 所以天體物理中的黑洞絕大多數(shù)都是被等離子體包圍的.由于等離子體的密度分布不同于暗物質(zhì)的密度分布 , 可以推斷 , 相應(yīng)的外部解也不相同.目前 , 關(guān)于等離子體包圍的黑洞解還未見相關(guān)研究的報道.本文考慮靜態(tài)并且球?qū)ΨQ的情況 , 采用解析和數(shù)值兩種手段 , 求出等離子體包圍的黑洞外部解.在實(shí)際應(yīng)用中 , 這種解可以近似地描述具有幾何厚光學(xué)薄的熱盤[3]、旋轉(zhuǎn)較慢的黑洞的外部時空.
本文后續(xù)內(nèi)容安排:第 1章列出靜態(tài)球?qū)ΨQ度規(guī)應(yīng)滿足的引力場方程 , 并將它們整理成便于求解的形式;第 2章給出等離子體的密度分布 , 并求出一部分度規(guī)分量的解析表達(dá)式;第 3章采用兩種不同的近似條件 , 求出剩余度規(guī)分量的解析表達(dá)式 , 然后用數(shù)值方法得出精確解的函數(shù)圖像;第 4章是討論與展望.
為了使表述簡明 , 本文約定光速c =1 , 黑洞內(nèi)部由質(zhì)量為 M 的史瓦西解來描述 , 對應(yīng)的視界半徑記為rg = 2GM , 其中 G 為萬有引力常數(shù).
1? 一般方程
本文考慮質(zhì)量為 M 的黑洞外部分布有密度為ρ(r)、壓強(qiáng)為p (r)的等離子體 , 并假設(shè)等離子體是靜態(tài)的、球?qū)ΨQ分布的理想流體.那么 , 黑洞外部的度規(guī)也是靜態(tài)的、球?qū)ΨQ的 , 它的一般形式可以由線元
來描述.式 (1)中r ? rg .該度規(guī)包含2個未知函數(shù)α(r)和β(r) , 它們必須滿足引力場方程(為使方程的數(shù)學(xué)表達(dá)式簡潔 , a(r)、b(r)用 a、b 表示, 下同)
在以上4 個方程中 , 方程(2)只包含1 個未知函數(shù)β(r) , 并且是一階微分方程. 可將它直接積分 , 從而得到
其中, m (r)的表達(dá)式為
將式(5)代入式(3)、式(4), 聯(lián)立消去p , 可以得到α(r)滿足的方程 , 具體為(為使數(shù)學(xué)表達(dá)式簡潔 , 用 m 表示 m(r), 下同)
?α +(?rα)2+ 3Gm ?4πGr3ρ? r?rα+ 3Gm ?4πGr3ρ= 0.?? (7)
原則上 , 只要知道密度函數(shù)ρ(r) , 就能根據(jù)式(6)計算出m (r) , 然后再分別求解出式(5)的β(r)
和式(7)的α(r). 當(dāng)然 , 其結(jié)果往往無法用解析函數(shù)表達(dá)出來.
2? 等離子體包圍的黑洞
在黑洞外部r ? rg , 取等離子體密度函數(shù)為[4]
其中 , γ= 是一個無量綱常數(shù) , 它正比于黑洞質(zhì)量吸積率M_A , 后者不依賴于r .本文考慮靜態(tài)近似的情況 , 即忽略M_A 隨時間t 的緩慢變化. 將式(8)代入式(6), 積分后得
再將式(9)這個結(jié)果代入式(5), 得到度規(guī)分量grr = e2 的表達(dá)式
與之對應(yīng)有兩個視界 , 由 →0給出:一個是黑洞視界r = rg ;另一個是宇宙視界
對于式(8)給出的密度函數(shù) , 式(5)是可積的 , 所以β(r)有解析表達(dá)式;但是式(7)卻沒有解析解 , 即α (r)沒有解析表達(dá)式. 為了得到實(shí)用的解析解 , 可以不要求式(7)嚴(yán)格成立 , 而是用某個近似條件代替它 , 從而得到α(r)的解析近似表達(dá)式. 本文將研究以下兩類近似條件.
1)許多球?qū)ΨQ黑洞解都滿足gttgrr = ?1 , 即α+ β= 0. 在給定密度函數(shù)ρ(r)后 , 文獻(xiàn)[1,5]利用這一條件得到了暗物質(zhì)包圍的黑洞解.在 3.1節(jié) , 本文將用α+ β= 0代替式(7), 給出相應(yīng)的α(r)的解析近似表達(dá)式.
2)將式(5)代入式(3), 可以得到α(r)的另一個表達(dá)式
它不僅與密度 ρ(r)有關(guān) , 還依賴于壓強(qiáng) p (r). 在已知密度函數(shù)ρ (r)的情況下 , 如果不要求式 (7)嚴(yán)格成立 , 而是根據(jù)實(shí)際情況寫出一個合理的狀態(tài)方程或者壓強(qiáng)函數(shù) p (r) , 就有希望將式(12)積分 , 得到α(r)的解析近似表達(dá)式.例如 , 對于低溫等離子體[4] ,? ?1 , 可以取p (r)= 0進(jìn)行解析計算.這是3.2節(jié)將要研究的內(nèi)容.
為了精確地比較這兩個解析近似解 , 先定義一個新的函數(shù)
然后利用式(2)和式(7), 推導(dǎo)出σ滿足的方程
將式(2)、式(3)兩式求和 , 可以得到狀態(tài)方程參數(shù)w =? 的表達(dá)式
在3.3節(jié) , 將求出式 (14)的精確數(shù)值解 , 并以 σ和 w 為標(biāo)準(zhǔn)來評估兩個解析近似解的優(yōu)劣 .
3? 兩類解析近似解及對比
3.1? σ= 0近似下的解析解
如果不要求式(7)嚴(yán)格成立 , 而是用近似條件σ= 0代替它 , 即α+ β= 0時 , 可以發(fā)現(xiàn) e2? = e ?2 .因此, 可以借助式(10)直接寫出α的表達(dá)式
將條件σ= 0代入式(15), 還可以得到這種情況下的狀態(tài)方程參數(shù)w =? 1. 它們的取值分別對應(yīng)圖1(a)和圖1(b)里的點(diǎn)劃線.
在黑洞外部 , 該解的形式與文獻(xiàn)[6]中w =? 情況下的解相同.雖然兩者具有相同形式的引力場 , 但它們是由不同的物質(zhì)場引起的:在文獻(xiàn)[6]中, 物質(zhì)場為暗能量;在本文中, 物質(zhì)場為等離子體.
3.2? p =0近似下的解析解
黑洞周圍的等離子體以質(zhì)子和電子為主 , 密度ρ(r)主要來自質(zhì)子的貢獻(xiàn). 如果質(zhì)子的溫度遠(yuǎn)低于電子的溫度[3] , 則w ?1 , 可以近似地取p =0 .將這一條件和式(9)代入式(12), 可以發(fā)現(xiàn) , 在兩個視界之間 , 即rg < r ? rc 的區(qū)域 , 有
超出宇宙視界的范圍 , 即r > rc 時 , 則有
有了α (r)和 β(r)的解析表達(dá)式以后 , 可以根據(jù)定義的式(13)直接求出σ (r)的表達(dá)式 , 其數(shù)值見圖1(a)中的虛線. 顯然 , 在這種情況下 , 狀態(tài)方程參數(shù)w =0 , 即圖 1(b)中的虛線.
3.3? 與精確數(shù)值解對比
最后, 借助計算機(jī) , 采用數(shù)值方法 , 分別計算σ和w 的精確解.為了便于處理 , 令
則式(14)可重新寫成一個數(shù)值上更易于處理的形式 , 為
通過式(20), 可以用數(shù)值方法先后計算出?uσ和σ , 再將?uσ代入式(15), 即可計算出 w 的數(shù)值. 計算結(jié)果見圖1(a)和圖1(b)里的實(shí)線.
從物理上講 , p =0近似也是很合理的.我們知道 , 氫原子的電離能為136 eV , 而電子的靜止能量為 0.511 MeV , 質(zhì)子的靜止能量為938 MeV .在研究的吸積盤內(nèi)部 , 氫原子完全電離成高溫電子和低溫質(zhì)子 , 即氫等離子體.其中電子是相對論性的 , 質(zhì)子是非相對論性的.所以等離子體的壓強(qiáng)主要由電子的動能產(chǎn)生, 密度主要來自質(zhì)子的靜止能量 , w ≈? ≈ 0.
圖1(a)給出了3 種不同求解方式下σ 的結(jié)果 , 其中 , 實(shí)線、點(diǎn)劃線和虛線依次對應(yīng)精確數(shù)值解、σ =0近似解、 p =0近似解.按照相同的約定 , 圖1(b)描出了3 種情況下對應(yīng)的w 值. 將2 種解析近似結(jié)果(分別用點(diǎn)劃線和虛線表示)與精確數(shù)值解的結(jié)果(實(shí)線)對比, 可以發(fā)現(xiàn) , σ= 0近似解與精確數(shù)值解更接近 , 而 p =0近似解則偏離較遠(yuǎn). 這里取γ= 0.1 , 對應(yīng)圖中曲線不連續(xù)處u ≈1 ?γ 為宇宙視界的位置;如果γ取值更小 , 則宇宙視界半徑更大 , 圖中曲線不連續(xù)點(diǎn)右移.
4? 討論與展望
通過對比圖1的結(jié)果 , 能夠很明顯地看出 , 與 p =0近似解析解相比 , σ= 0近似解析解更接近精確數(shù)值解的結(jié)果 , 即更符合真實(shí)情況 , 這也為我們在另一篇文章中所采用的度規(guī)形式提供了支持.
計算黑洞似正規(guī)模的方法很多 , 比較常用的方法有 Wentzel-Kramers-Brilloui (WKB)近似法、漸近迭代法等[7-8]. 在本文中 , 等離子體包圍的黑洞解對史瓦西解的偏離完全由γ 參數(shù)來描述. 因此可以推斷 , 黑洞視界外的物質(zhì)對振蕩模式的影響主要由γ值的大小決定 , 但二者之間的定量關(guān)系還值得進(jìn)一步研究.
本文只考慮了靜態(tài)分布的等離子體和靜態(tài)的黑洞外部解. 這對吸積率較?。处? 1)的黑洞是一個較好的近似.嚴(yán)格來說 , 如果考慮等離子體的引力效應(yīng) , 那么原來的史瓦西度規(guī)應(yīng)該變成與時間和空間都相關(guān)的函數(shù) , 理由如下:首先 , 由于吸積盤的存在 , 黑洞的質(zhì)量會隨著時間的推移逐漸增加;另外 , 即使不考慮吸積效應(yīng) , 由于來自中心黑洞的引力效應(yīng) , 等離子體也無法保持一個靜止的狀態(tài). 因此 , 考慮黑洞周圍被等離子體或暗物質(zhì)包圍 , 謀求含時引力場方程的解析近似解 , 是一個值得進(jìn)一步挑戰(zhàn)的問題.
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(責(zé)任編輯:李藝)