劉 斌, 王亞玲, 儲(chǔ) 波, 段漢一, 李 楊, 王慧奇, 胡勝亮, 張興宏
(1. 中北大學(xué)能源動(dòng)力工程學(xué)院,太原 030051;2. 浙江大學(xué)高分子科學(xué)與工程學(xué)系,高分子合成與功能構(gòu)造教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,杭州 310027)
熒光粉轉(zhuǎn)化型白光發(fā)光二極管(LEDs)因制備簡(jiǎn)單、能耗低、成本低廉而受到學(xué)術(shù)界和工業(yè)界研究人員的廣泛關(guān)注[1-4]。其實(shí)現(xiàn)方式主要包括以下5種方法:(1)紫外芯片激發(fā)紅綠藍(lán)(RGB)熒光粉[5,6],該方法所得白光LEDs可覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光光譜,具有高顯色指數(shù)(color rendering index, CRI)和低相關(guān)色溫(correlated color temperature, CCT),但3種熒光粉之間經(jīng)常會(huì)存在共振能量轉(zhuǎn)移以及重吸收現(xiàn)象,以致熒光粉比例調(diào)配過(guò)程較為繁瑣;(2)紫外芯片激發(fā)白色熒光粉[7,8],該方法簡(jiǎn)單方便,但直接制備可發(fā)射白光的固態(tài)熒光粉較為困難;(3)藍(lán)光芯片激發(fā)綠色和紅色混合熒光粉[9],該方法中藍(lán)光芯片的發(fā)射光未被熒光粉全部吸收,從而構(gòu)成了RGB發(fā)光,同樣具有RGB熒光粉的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),只是綠色和紅色混合熒光粉的比例調(diào)節(jié)更為便捷;(4)藍(lán)光或者紫外芯片激發(fā)具有激發(fā)依賴(lài)性的熒光粉,利用該單一熒光粉自身的重吸收制備白光LEDs[10,11],該方法制備簡(jiǎn)單,但其發(fā)射光譜受熒光粉含量等因素影響較大;(5)藍(lán)光芯片激發(fā)黃色熒光粉[12,13],藍(lán)光芯片較紫外芯片的價(jià)格更為低廉,且黃色熒光粉種類(lèi)繁多、無(wú)重吸收現(xiàn)象,制備過(guò)程較為簡(jiǎn)單,穩(wěn)定性好,目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。雖然藍(lán)光和黃光混合也可實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射[14],但該類(lèi)白光LEDs由于缺少長(zhǎng)波長(zhǎng)組分,導(dǎo)致CRI較低,CCT偏高,常常適用于戶(hù)外照明。通常,發(fā)射曲線(xiàn)的光譜分布決定LEDs光源的顯色性,進(jìn)而直接影響人眼觀(guān)察物體的顏色。作為顯色性的評(píng)價(jià)指標(biāo)和衡量光源顏色特性的重要參數(shù),CRI的大小直接影響LEDs光源的品質(zhì)。因此,利用藍(lán)光芯片激發(fā)黃色熒光粉制備具有高CRI的白光LEDs具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
目前,白光LEDs用黃色熒光材料主要包括無(wú)機(jī)稀土熒光粉[15-17]、有機(jī)聚合物熒光粉[12,13,18]和碳點(diǎn)類(lèi)熒光粉[19-21]等。有機(jī)聚合物熒光粉良好的溶解性、加工性以及成膜性有利于其工業(yè)化應(yīng)用。此外,大多數(shù)無(wú)機(jī)稀土熒光粉以及碳點(diǎn)類(lèi)熒光粉在實(shí)際應(yīng)用中均需要將其鏈接在成膜性較好的聚合物基體中[22]。因此,設(shè)計(jì)一種直接固態(tài)發(fā)光的聚合物熒光粉具有重要的研究意義。
熒光素(Fluorescein,F(xiàn)lu)是一種具有高熒光量子產(chǎn)率(quantum yield, QY)的傳統(tǒng)黃光有機(jī)物,為消除聚集誘導(dǎo)猝滅(Aggregation-caused quenching, ACQ)效應(yīng)并實(shí)現(xiàn)其固態(tài)發(fā)光,研究者們通過(guò)化學(xué)的方法將其鏈接到聚合物基體中,得到固體黃色熒光粉。Lee課題組[23]將熒光素共聚到聚酯鏈中,制得具有高QY的黃色固態(tài)聚合物熒光粉,并結(jié)合460 nm藍(lán)色芯片得到色坐標(biāo)為(0.281, 0.357)的白光LEDs;之后,通過(guò)物理方法將所得熒光素鈉鹽直接分散到環(huán)氧樹(shù)脂中制得白光LEDs[24],但均未報(bào)道CRI值。Chadeyron課題組[25]利用熒光素?fù)诫s二氧化硅得到二氧化硅納米粒子,同樣實(shí)現(xiàn)熒光素的鏈接,制得了白光LEDs,但其CRI最高僅有59,未能滿(mǎn)足基本商業(yè)需求(CRI>70)。
近年來(lái),本課題組利用熒光素作為引發(fā)劑,利用原子轉(zhuǎn)移自由基聚合(ATRP)的方法制得不同結(jié)構(gòu)的聚丙烯酸酯類(lèi)黃色熒光粉,當(dāng)聚丙烯酸酯側(cè)鏈為五元環(huán)狀碳酸酯時(shí),可得到CRI為82的純白光LEDs[12]。本文采用甲基丙烯酸縮水甘油酯(GMA)作為單體,通過(guò)ATRP法將熒光素引入到聚甲基丙烯酸縮水甘油酯(PGMA)中,制備可溶解易加工的固態(tài)熒光粉——熒光素基PGMA(Flu-PGMA),并將其作為單一基質(zhì)固態(tài)熒光粉應(yīng)用于白光LEDs。進(jìn)一步考察了其他側(cè)基結(jié)構(gòu)對(duì)LEDs發(fā)光性能的影響,當(dāng)側(cè)基為環(huán)氧基團(tuán)時(shí),所制白光LEDs具有更大的CRI值,而且可在低電壓下工作,色坐標(biāo)同樣接近純白光。通過(guò)調(diào)控驅(qū)動(dòng)電壓獲得了不同CRI和CCT的白光,拓寬了白光LEDs的應(yīng)用領(lǐng)域。
熒光素、1,1,4,7,7-五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)、溴化亞銅(CuBr)、干燥的二甲基亞砜(DMSO)、GMA:分析純,百靈威科技有限公司,GMA使用前過(guò)堿性氧化鋁柱去除阻聚劑;2-溴代異丁酰溴:分析純,Sigma-Aldrich公司;三乙胺(Et3N)、4-二甲氨基吡啶(DMAP):分析純,阿拉丁試劑(上海)有限公司;四氫呋喃(THF)、二氯甲烷、甲醇、N,N-二甲基甲酰胺(DMF):分析純,國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司,THF使用前蒸餾;InGaN藍(lán)光芯片(λ=460 nm;1.0 W):光華士科技有限公司。
凝膠滲透色譜(GPC)儀(美國(guó)安捷倫公司PL-GPC 220型):以單分布聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)為標(biāo)樣,含0.05 mol/L LiBr的DMF為淋洗液(1.0 mL/min),60 ℃下測(cè)定聚合物的數(shù)均分子量(Mn)及其分布,樣品質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.3%。
傅里葉變換紅外(FT-IR)光譜儀(德國(guó)Bruker公司TENSOR 27型):通過(guò)KBr壓片法進(jìn)行測(cè)試。
差示掃描量熱(DSC)儀(美國(guó)TA公司DSC-Q 200型):樣品在N2氛圍下從室溫以10 ℃/min的速率升溫,循環(huán)2次,第1次用來(lái)消除熱歷史,第2次分析數(shù)據(jù)測(cè)定聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
熱重分析(TGA)儀(美國(guó)Perkin-Elmer公司Pyris 1型):樣品在N2氛圍下從室溫以10 ℃/min的速率升溫到800 ℃,以質(zhì)量減少5%時(shí)的溫度記為熱分解溫度(Td,5%)。
紫外-可見(jiàn)分光(UV-Vis)光譜儀(美國(guó)Varian公司cary 100 Scan型):掃描范圍為200~800 nm,掃描速率為600 nm/min,間隔為1 nm。
穩(wěn)態(tài)熒光光譜儀(法國(guó)Horiba公司FluoroMax-4型):激發(fā)光源為氙燈,采用QM40-LS型配備有積分球的熒光發(fā)射(PL)光譜儀對(duì)樣品的絕對(duì)熒光量子產(chǎn)率進(jìn)行測(cè)定。
瞬態(tài)熒光光譜儀(英國(guó)Edinburgh FLS980型):測(cè)試聚合物的熒光壽命,激發(fā)波長(zhǎng)為405 nm。
電源(泰克Keithley 2 400):程序控制電壓和電流驅(qū)動(dòng)LEDs器件。
光譜光度計(jì)(美國(guó)Photo Research公司PR655 Spectra Scan型):對(duì)LEDs器件的發(fā)射光譜、色坐標(biāo)、CRI和CCT等參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。
在N2氛圍下,將2.0 g熒光素、73.0 mg催化劑DMAP、2.98 mL縛酸劑Et3N和100 mL超干THF依次加入到經(jīng)真空烘烤并充N(xiāo)2處理的圓底燒瓶中,先在室溫下攪拌5 min使其完全溶解,再在0 ℃冰水浴中攪拌10 min。將溶解有2.66 mL 2-溴代異丁酰溴的30 mL超干THF逐滴加入到圓底燒瓶中,且滴加時(shí)間不少于30 min,滴加完畢后撤去冰浴,在室溫下反應(yīng)24 h得到粗產(chǎn)物。旋蒸除掉THF并用二氯甲烷溶解粗產(chǎn)物,依次用飽和NaHCO3水溶液(4次)、稀鹽酸(2次)、飽和NaCl溶液(2次)洗滌,再用無(wú)水MgSO4干燥過(guò)夜,過(guò)濾后旋干濾液,利用甲醇-二氯甲烷混合溶劑(體積比為1∶20)作為洗脫液過(guò)硅膠柱進(jìn)行提純,旋干置于真空烘箱中烘至恒重,獲得熒光素引發(fā)劑。其中,用于合成Flu-PGMA的引發(fā)劑是利用熒光素雙端酚羥基和2-溴代異丁酰溴高的反應(yīng)活性[12],采用DMAP作為催化劑,Et3N作為縛酸劑,在常溫下反應(yīng)過(guò)夜使酚羥基完全反應(yīng),產(chǎn)生的溴化銨鹽大部分可過(guò)濾除去,但部分殘留的鹽以及三乙胺可采用飽和NaHCO3溶液洗滌與柱色譜提純相結(jié)合的方法去除。
參照文獻(xiàn)[26],將5.0 mg熒光素引發(fā)劑、3.4 mg CuBr、2.5 mL超干DMSO、2.5 mL GMA依次加入到10 mL干燥的Schlenk瓶中,室溫?cái)嚢? min,使引發(fā)劑和原料充分溶解,使用液氮將Schlenk瓶中的溶液進(jìn)行3次凍融-抽真空-融化循環(huán)以除去溶液中的氧氣。最后1次融化之前,在通N2的條件下用微量注射器向Schlenk瓶中加入6.0 μL PMDETA配體,密封反應(yīng)瓶后重新抽排3次。負(fù)壓解凍之后迅速將N2充入Schlenk瓶中,50 ℃下反應(yīng)2 h,向Schlenk瓶中加入3 mL DMSO淬滅反應(yīng),將反應(yīng)液過(guò)硅膠柱以除去銅鹽,所得溶液在冰甲醇中沉淀得到白色粉末,過(guò)濾后將固體粉末轉(zhuǎn)移到真空干燥箱中烘干,直至恒重,制得Flu-PGMA粉末,其合成路線(xiàn)如圖1所示。
圖1 Flu-PGMA的合成路線(xiàn)圖Fig. 1 Synthetic route of Flu-PGMA
將0.5 mL Flu-PGMA的DMF溶液(Flu-PGMA的質(zhì)量濃度為50 mg/mL)滴加在光學(xué)透鏡中,置于80 ℃鼓風(fēng)干燥箱中烘10 h以除去DMF溶劑。將帶有Flu-PGMA的光學(xué)透鏡封裝在460 nm的InGaN藍(lán)光芯片上,制備得到LEDs器件。
Flu-PGMA的化學(xué)結(jié)構(gòu)表征如圖2所示。由于GMA具有較高的反應(yīng)活性,故采用在50 ℃的低溫下反應(yīng)2 h,通過(guò)觀(guān)察反應(yīng)產(chǎn)物黏度控制聚合物的Mn,最終制得Mn為2.64×104,分子量分布為1.5的Flu-PGMA(圖2(a)),較高的Mn增強(qiáng)了其成膜性。此外,F(xiàn)lu-PGMA在二甲基甲酰胺、二氧六環(huán)、二甲基亞砜等溶劑中呈現(xiàn)出良好的溶解性,因此具有優(yōu)異的溶液加工性能。Flu-PGMA的FT-IR譜圖如圖2(b)所示,3 000~2 840 cm-1處對(duì)應(yīng)甲基和亞甲基的C―H伸縮振動(dòng)峰,1 725 cm-1處為C=O的伸縮振動(dòng)峰,1 461、1 400 cm-1處分別為亞甲基和甲基的剪式擺動(dòng)和不對(duì)稱(chēng)變形峰,1 145 cm-1處為C―O―C的伸縮振動(dòng)峰,904 cm-1處為環(huán)氧基團(tuán)的特征伸縮振動(dòng)峰,表明在聚合過(guò)程中未發(fā)生環(huán)氧基團(tuán)的開(kāi)環(huán)反應(yīng),由于Flu-PGMA的Mn太大,導(dǎo)致熒光素單元相對(duì)含量較低,難以通過(guò)FT-IR觀(guān)察到。
圖2 Flu-PGMA的(a)GPC曲線(xiàn)、(b)FT-IR譜圖、(c)DSC曲線(xiàn)、(d)TGA曲線(xiàn)和(e)Flu-PGMA固態(tài)膜的UV-Vis及透過(guò)率圖(膜厚:0.71 mm)Fig. 2 (a)GPC curve, (b)FT-IR spectrum, (c)DSC curve, (d)TGA curve and (e)UV-Vis and transmittance spectra of solid Flu-PGMA(thickness: 0.71 mm)
圖2(c、d)是Flu-PGMA的DSC和TGA曲線(xiàn)。如圖2(c)所示,F(xiàn)lu-PGMA的Tg為79.8 ℃,在室溫下處于玻璃態(tài),DSC曲線(xiàn)中無(wú)結(jié)晶峰出現(xiàn),表明其屬于無(wú)定型聚合物。圖2(d)表明Flu-PGMA的熱分解溫度高達(dá)280 ℃,證明Flu-PGMA具有優(yōu)異的耐高溫性能,滿(mǎn)足其作為熒光粉的基本要求。
圖2(e)為固態(tài)Flu-PGMA膜的紫外-可見(jiàn)分光光譜圖和透過(guò)率圖,當(dāng)膜厚為0.71 mm時(shí),其可見(jiàn)光透過(guò)率介于64%~68%,透光性相對(duì)良好,具有作為單一基質(zhì)熒光粉的條件。
Flu-PGMA的熒光來(lái)源于熒光素這一發(fā)光中心,但是其發(fā)光行為會(huì)受到PGMA的影響,之前研究表明熒光素位于Flu-PGMA的中央,其最佳發(fā)射波長(zhǎng)和熒光壽命等均受聚丙烯酸酯種類(lèi)影響較大[12],為此本文研究了Flu-PGMA的熒光行為。
圖3(a)為固態(tài)PGMA、熒光素、熒光素引發(fā)劑以及Flu-PGMA在460 nm激發(fā)光下的穩(wěn)態(tài)熒光光譜圖,從圖中可以明顯看出,固態(tài)PGMA、熒光素和熒光素引發(fā)劑無(wú)熒光發(fā)射或者發(fā)光很弱,但Flu-PGMA呈現(xiàn)出強(qiáng)固態(tài)熒光發(fā)射行為,其絕對(duì)熒光QY為14.27%,高于之前報(bào)道的用于制備純白光LEDs所用側(cè)鏈為五元環(huán)狀碳酸酯的熒光粉[12],表明熒光素通過(guò)ATRP法鏈接在PGMA中央可有效避免其ACQ效應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)固態(tài)發(fā)射。同時(shí),F(xiàn)lu-PGMA在365 nm紫外光照射下法鏈接的黃色熒光照片(圖3(b))進(jìn)一步證實(shí)了這一結(jié)果。
為了深入研究Flu-PGMA的熒光性質(zhì),測(cè)試了不同激發(fā)光波長(zhǎng)下的穩(wěn)態(tài)熒光發(fā)射光譜(圖3(c)),結(jié)果表明隨著激發(fā)光波長(zhǎng)的增加,最佳發(fā)射峰均位于550 nm,屬于黃光發(fā)射,具有明顯的激發(fā)獨(dú)立性。在460 nm激發(fā)光下的熒光發(fā)射光譜半峰寬為60 nm,具有良好的黃光單色性。
為了研究PGMA對(duì)熒光素發(fā)光性能的影響,測(cè)試了Flu-PGMA的熒光壽命(圖3(d)),熒光衰減曲線(xiàn)符合雙指數(shù)衰減模型,根據(jù)擬合公式計(jì)算得到平均熒光壽命為4.55 ns,低于熒光素在乙醇中的熒光壽命(5.2 ns)[27],表明激發(fā)態(tài)熒光素向PGMA發(fā)生部分能量轉(zhuǎn)移,加快了激發(fā)態(tài)回到基態(tài)的過(guò)程,導(dǎo)致熒光壽命降低。
由于Flu-PGMA具有優(yōu)良的熒光性質(zhì)、較好的耐熱性、可加工性和成膜性等優(yōu)點(diǎn),將其作為單一基質(zhì)黃色熒光粉,在460 nm InGaN藍(lán)光芯片的激發(fā)下,未被Flu-PGMA完全吸收,而透過(guò)光學(xué)透鏡的藍(lán)光與部分被Flu-PGMA吸收后發(fā)射的黃光混合可實(shí)現(xiàn)白光LEDs的制備(圖4(a))。
圖4(b)和圖4(c)分別為Flu-PGMA作為熒光粉所得白光LEDs器件的發(fā)射光譜和色坐標(biāo)圖。如圖4(b)所示,在460 nm InGaN藍(lán)光芯片的激發(fā)下,F(xiàn)lu-PGMA發(fā)射出黃色熒光,其發(fā)射峰位于556 nm,與圖3(c)中熒光光譜所測(cè)結(jié)果基本一致。由于Flu-PGMA為透明狀態(tài),且部分芯片發(fā)射的藍(lán)光沒(méi)有被反射或者吸收,因此與Flu-PGMA發(fā)出的黃光一起發(fā)射出來(lái),黃光和藍(lán)光混合后呈現(xiàn)出白光,這也是大多數(shù)工業(yè)上生產(chǎn)白光LEDs的主要方法。
圖4 (a)利用Flu-PGMA結(jié)合460 nm藍(lán)光芯片制備白光LEDs的示意圖;(b)基于Flu-PGMA所制備的白光LEDs在不同工作電壓下的發(fā)射光譜(460 nm藍(lán)光芯片)及其(c)色坐標(biāo)圖(插圖是白光LEDs在未通電壓和在2.4 V電壓下的照片)Fig. 4 (a)Schematic diagram of white LEDs fabricated by Flu-PGMA combined with a 460 nm blue chip; (b)Electroluminescence spectra(460 nm blue chip) and (c) color coordinates of Flu-PGMA-based white LEDs under different working voltages (Insert are digital photos of the white LEDs at unswitched voltage and at 2.4 V)
通過(guò)調(diào)控驅(qū)動(dòng)電壓研究器件的發(fā)光性能,當(dāng)電壓從2.4 V逐漸增大到2.8 V時(shí),位于460 nm的芯片峰和556 nm的Flu-PGMA熒光峰都逐漸增強(qiáng),色坐標(biāo)均位于白光區(qū)域(圖4(c)),即在此電壓范圍內(nèi)均可實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射。圖4(c)中的插圖是當(dāng)電壓為2.4 V時(shí),白光LEDs的光學(xué)照片,呈現(xiàn)明亮的白光發(fā)射。當(dāng)電壓為2.4 V和2.5 V時(shí),其色坐標(biāo)分別位于(0.337, 0.344)和(0.329, 0.343),接近于色坐標(biāo)為(0.333, 0.333)的純白光,CRI均為81。一般商業(yè)化白光LEDs要求CRI不低于70,而目前報(bào)道的多數(shù)黃色熒光粉結(jié)合藍(lán)色芯片的CRI均保持在70左右[28,29]。當(dāng)電壓繼續(xù)增大到2.7 V時(shí),CRI高達(dá)84,比之前本課題組報(bào)道的CRI為82的純白光LEDs還要高[12],說(shuō)明本文所得LEDs器件具有良好的商業(yè)化應(yīng)用潛質(zhì)。
CCT是區(qū)分白光冷暖的一個(gè)重要參數(shù),決定著白光LEDs的應(yīng)用場(chǎng)合。當(dāng)電壓為2.4 V時(shí),CCT為5304 K,介于冷暖光的分界線(xiàn)附近(5 000 K),接近于自然光,隨著電壓的增加,其CCT逐漸增大,最高可達(dá)23980 K,屬于冷白光。這是由于隨著電壓增大,芯片藍(lán)光峰和Flu-PGMA熒光峰雖然均增大,但是增幅不同,藍(lán)光峰強(qiáng)度增加更快,因此整體的CCT逐漸增大,而且其色坐標(biāo)盡管均位于白光區(qū)域,但是朝著藍(lán)光區(qū)域逐漸靠近(圖4(c))。
(1)采用熒光素為發(fā)光基元,采用ATRP法將其鏈接到PGMA中,制備得到固態(tài)熒光QY為14.27%的黃光Flu-PGMA。
(2)Flu-PGMA熱穩(wěn)定性良好,具備作為固態(tài)熒光粉的基本條件。
(3)將Flu-PGMA作為單一基質(zhì)固態(tài)熒光粉,與460 nm InGaN藍(lán)光芯片相結(jié)合,通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電壓制得一系列白光LEDs,最佳CRI可達(dá)84,是一種理想的黃色有機(jī)聚合物熒光粉。