
圖4 單邊切口梁法測試斷裂韌性示意圖
2 高爐冶金礦渣特性研究
2.1 高爐渣的產(chǎn)生及預(yù)處理
在高爐冶煉生鐵的過程中會(huì)產(chǎn)生許多副產(chǎn)品,高爐渣作為被排除的一種廢渣,它是由礦石中的一些無法煉進(jìn)生鐵中的雜質(zhì)、灰分和助熔劑所形成的易熔物質(zhì)。采用水淬粒化工藝對(duì)高爐渣進(jìn)行冷卻處理,90%以上的高爐渣被處理成粒狀水渣,其中玻璃質(zhì)含量高達(dá)95%,具有良好的潛在活性。如圖5所示,在1 400~1 600 ℃的爐溫下,鐵礦石中的鋁礬土、脈石與助熔劑高溫下進(jìn)行反應(yīng),生成易熔的鈣鋁酸鹽,其反應(yīng)方程式如下:
CaCO3=CaO+CO2↑
(5)
3CaO+Al2O3=Ca3Al2O6
(6)
3CaO+SiO2=CaSiO3
(7)

圖5 煉鐵高爐及爐內(nèi)化學(xué)變化過程示意圖
由于未經(jīng)處理的高爐冶金礦渣粒徑很大,使用前一般會(huì)對(duì)其進(jìn)行一定預(yù)處理。高爐渣的活性與冶煉條件、冷卻條件以及鐵礦石和造渣原料的化學(xué)成分等密切相關(guān)。本文所研究的高爐渣產(chǎn)自河南某鋼鐵公司,其粒度分布見表3,高爐渣顆粒分布在0.1~5 mm之間,大多數(shù)顆粒粒徑為1~2 mm。為進(jìn)一步探究高爐渣的特性,利用高能球磨機(jī)對(duì)高爐渣進(jìn)行球磨處理,球磨30 min后將其置于干燥箱中至恒重,過200目篩后妥善放置以備使用。圖6是高爐渣原料和球磨處理30 min后高爐渣的微觀形貌,由圖可知,高爐渣為灰白色,粒度為2~10 μm。

表3 篩分法測得的高爐渣粒度分布

圖6 高爐渣原料和球磨處理高爐渣的SEM圖
2.2 化學(xué)組成及物相組成
高爐渣的化學(xué)組成因產(chǎn)地不同而存在差異,取決于礦石質(zhì)量、助熔劑成分、焦炭量以及冶煉生鐵的種類,大體上含有Al2O3、SiO2、CaO等化合物。通過XRF分析,高爐渣的化學(xué)組成如表4所示,主要為CaO、SiO2、Al2O3、MgO等硅酸鹽成分,并含有少量的Fe2O3、TiO2和ZrO2等晶核劑。

表4 高爐渣的化學(xué)組成 /%
通過XRD分析高爐渣粉體的物相組成如圖7所示。從圖中可以看出,在25°~40°范圍存在非晶態(tài)“饅頭峰”,表明高爐渣為無定形玻璃態(tài)。

圖7 高爐渣的XRD圖譜
2.3 差熱分析及析晶特性
高爐渣差熱分析結(jié)果如圖8所示。從圖中775 ℃處的吸熱峰可知,玻璃體中的晶核劑(TiO2、Fe2O3)在775 ℃吸熱形核;無定形玻璃態(tài)的高爐渣在812~ 855 ℃發(fā)生析晶,整個(gè)析晶過程伴隨熱量放出,形成放熱峰。

圖8 高爐渣的DSC曲線
將球磨粉碎后的高爐渣壓片成型,在馬弗爐中855 ℃熱處理1 h,對(duì)高爐渣進(jìn)行析晶處理,圖9為高爐渣在855 ℃保溫1 h晶化處理后的XRD曲線,從圖中可以看出,晶化處理后高爐渣的主晶相是以Ca2Al2SiO7為基礎(chǔ)的固溶體,在掃描電鏡下的微觀形貌中可觀察到1 μm左右的微晶(如圖10所示)。

圖9 熱處理后高爐渣的XRD圖譜

圖10 晶化處理后高爐渣的SEM圖
圖11為高爐渣析晶過程的示意圖。從圖(a)可以看出,室溫下高爐渣顆粒間存在一定空隙;在溫度升高至核化溫度的過程中(圖b),玻璃顆粒逐漸軟化,黏度降低,玻璃相形成晶核并發(fā)生核化;當(dāng)達(dá)到晶化溫度時(shí)(圖c),晶粒長大并逐漸形成玻璃晶界;圖(d)為燒結(jié)過程結(jié)束,在玻璃體中形成的晶粒均勻分布的微晶玻璃。

圖11 高爐渣析晶過程示意圖
3 結(jié)果與討論
3.1 以納米TiC為增強(qiáng)相制備ZTA陶瓷
圖12為Al2O3(含15%納米Al2O3)和ZrO2的質(zhì)量比為73,分別添加0%、2%、4%、6%和8%(均為質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)的納米TiC,1 650 ℃下燒結(jié)30 min,所得樣品相對(duì)密度與顯氣孔率隨TiC含量的變化。由圖可知,TiC含量為0~6%時(shí),材料的相對(duì)密度在99%以上,當(dāng)TiC含量為8%時(shí),相對(duì)密度開始降低;材料的顯氣孔率在TiC含量為6%時(shí)出現(xiàn)最大值,為0.4%。這是由于納米TiC的含量較少時(shí),與納米ZrO2均勻地分散到基體中以填充孔隙,而且納米Al2O3顆粒具有較大的表面能也將促進(jìn)燒結(jié),使得復(fù)合陶瓷致密化程度高、孔隙率低。隨著納米TiC含量逐漸升高,由于其具有較大的表面活性而難以分散,易發(fā)生團(tuán)聚,使納米顆粒失去了原有的納米尺寸效應(yīng),影響了坯體的密度,且在燒結(jié)過程中團(tuán)聚體中產(chǎn)生的氣體難以排出,形成閉氣孔,影響ZTA陶瓷的致密化。

圖12 TiC含量對(duì)ZTA陶瓷相對(duì)密度和顯氣孔率的影響

圖13 TiC含量對(duì)ZTA陶瓷抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性的影響
圖13是在1 650 ℃燒結(jié)30 min時(shí)ZTA陶瓷的抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性隨納米TiC含量的變化。從圖中可以看出,隨著納米TiC含量的增加,復(fù)合陶瓷的抗彎強(qiáng)度逐漸減小,當(dāng)TiC含量為2%時(shí),抗彎強(qiáng)度為615 MPa;由圖可知,隨著納米TiC含量的逐漸增加,陶瓷的斷裂韌性逐漸降低,未添加納米TiC樣品的斷裂韌性為5.15 MPa·m1/2,納米TiC含量為2%時(shí),斷裂韌性明顯提高,可達(dá)5.58 MPa·m1/2。
圖14為不同TiC含量的ZTA陶瓷經(jīng)1 650 ℃燒結(jié)后斷面的微觀形貌。從圖(a)中可以看出,向ZTA體系中添加2%的納米TiC,晶粒大小均勻,組織結(jié)構(gòu)致密,陶瓷的斷裂方式為沿晶斷裂和穿晶斷裂同時(shí)存在。由于在燒結(jié)過程中,在燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力的作用下,細(xì)小的納米Al2O3、ZrO2和TiC顆粒充填在基體的孔隙中,孔隙率降低,晶粒間結(jié)合更為緊密。如圖(b)所示,當(dāng)TiC含量增加到4%時(shí),納米顆粒已經(jīng)開始出現(xiàn)團(tuán)聚的現(xiàn)象,團(tuán)聚體與Al2O3之間存在空隙,這是由于TiC和ZrO2顆粒細(xì)小,具有較大表面能,在高溫下極易燒結(jié)成大粒徑的團(tuán)聚體,納米TiC和ZrO2團(tuán)聚的大顆粒和Al2O3晶粒之間會(huì)形成一定的晶界阻隔,在Al2O3基體內(nèi)形成大量的微裂紋和氣孔缺陷。如圖(c)所示,當(dāng)納米TiC含量為6%時(shí),由于納米TiC和ZrO2顆粒填充Al2O3基體空隙效果明顯,復(fù)合陶瓷的相對(duì)密度逐漸增加;然而在納米TiC含量為8%時(shí),納米TiC含量達(dá)到臨界值,填充效果減弱,過多的納米顆粒形成團(tuán)聚影響陶瓷致密,造成相對(duì)密度降低。從圖(d)中還可以看出大顆粒的Al2O3堆垛,基體中形成大量的缺陷和燒結(jié)過程中未及時(shí)排出的氣體形成的閉氣孔,影響了ZTA陶瓷的力學(xué)性能,上述結(jié)果分析和復(fù)合陶瓷的物理性能與力學(xué)性能數(shù)據(jù)相符。

圖14 不同TiC含量的ZTA陶瓷斷面SEM圖
添加納米TiC粉體能顯著改善ZTA陶瓷的力學(xué)性能,由于納米TiC顆粒能抑制Al2O3、ZrO2晶粒生長,使組織結(jié)構(gòu)均勻穩(wěn)定且致密,極大程度降低基體的閉氣孔和缺陷數(shù)量,此外,硬質(zhì)相對(duì)晶界的釘扎作用,以及陶瓷內(nèi)部晶粒的細(xì)化,使基體中產(chǎn)生大量的微裂紋和次晶界,增加晶界體積比,并增強(qiáng)晶界結(jié)合強(qiáng)度,致使裂紋擴(kuò)展過程中沿晶內(nèi)擴(kuò)展形成穿晶斷裂,有利于提高復(fù)合陶瓷的常溫和高溫力學(xué)性能。
3.2 高爐冶金礦渣對(duì)ZTA陶瓷性能的影響
通過對(duì)高爐冶金礦渣的特性分析可知,由于在形成過程中的急速降溫,造成其為一種玻璃態(tài)物質(zhì),具有較高的能態(tài),并含有大量的陶瓷傳統(tǒng)燒結(jié)助劑成分,如CaO、SiO2、Al2O3、MgO等。通過對(duì)其差熱分析及析晶特性研究可知,高爐渣原料經(jīng)高溫煅燒,可得到大量的Ca2Al2SiO7晶相,Ca2Al2SiO7具有良好的物理性能和力學(xué)性能。因此,高爐冶金礦渣在ZTA陶瓷燒結(jié)過程中的作用,具有很大的研究意義。
為了研究高爐渣在ZTA陶瓷燒結(jié)中的作用,在上述配方的基礎(chǔ)上,設(shè)定高爐渣的添加量(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)為0%、2%、4%、6%、8%五個(gè)組分,各組配方原料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(見表5)。燒結(jié)溫度為1550 ℃,燒結(jié)時(shí)間為30 min,燒結(jié)壓力為30 MPa,燒結(jié)后通過水冷降溫至200 ℃,并隨爐冷卻到室溫。最后對(duì)ZTA陶瓷的物理性能、力學(xué)性能和顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析表征。

表5 各原料的質(zhì)量分?jǐn)?shù) /%

圖15 不同高爐渣添加量的ZTA陶瓷相對(duì)密度和顯氣孔率
圖15為高爐渣添加量對(duì)ZTA陶瓷相對(duì)密度和顯氣孔率的影響。從圖中可知,隨著高爐渣添加量的升高,ZTA陶瓷的相對(duì)密度在99.5%上下波動(dòng)且變化不大;顯氣孔率先減小后增大,當(dāng)高爐渣添加量為6%時(shí),陶瓷的顯氣孔率低至0.1%,致密度達(dá)到99.5%。說明高爐渣起到了助熔作用,添加適量的高爐渣可以降低ZTA陶瓷的顯氣孔率。由于納米Al2O3和ZrO2均勻分布于基體的孔隙中,高溫?zé)Y(jié)的微晶玻璃相,使原本充填性好的陶瓷基體更加致密,有利于ZTA陶瓷力學(xué)性能的提升。
不同高爐渣添加量的ZTA陶瓷經(jīng)1 550 ℃燒結(jié)的抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性變化曲線如圖16所示。從圖中可以看出,未添加高爐渣的ZTA陶瓷的抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性分別為565 MPa和5.28 MPa·m1/2,當(dāng)高爐渣添加量為4%,復(fù)合陶瓷的抗彎強(qiáng)度達(dá)到650 MPa,斷裂韌性達(dá)到6.03 MPa·m1/2,分別提高了15%和14.2%。

圖16 不同高爐渣添加量的ZTA陶瓷抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性

圖17 不同高爐渣添加量的ZTA陶瓷的SEM圖
為了研究不同高爐渣添加量對(duì)ZTA陶瓷燒結(jié)的影響,進(jìn)一步分析了ZTA陶瓷的微觀結(jié)構(gòu),不同高爐渣添加量的復(fù)合材料斷面形貌如圖17所示。從圖(a)中可以看出,2%高爐渣的添加不會(huì)顯著改變ZTA陶瓷的顯微結(jié)構(gòu),Al2O3棒狀晶粒的形成幾乎無法顯現(xiàn)。如圖(b)進(jìn)一步添加高爐渣(4%)可以顯著呈現(xiàn)棒狀生長的Al2O3晶粒,這與其他文獻(xiàn)報(bào)道的結(jié)果相一致[16-18]。高爐渣在燒結(jié)過程中形成微晶玻璃,在Al2O3晶界的偏析,通過增加晶界處Al3+和O2-之間的離子鍵來抑制晶界擴(kuò)散系數(shù)。因此,高爐渣添加量越大,晶粒越細(xì),除ZrO2晶粒尺寸減小外,Al2O3與ZrO2之間的界面也越強(qiáng)。盡管ZrO2和Al2O3晶粒分布均勻,但仍不能避免細(xì)小的團(tuán)聚。進(jìn)一步添加高爐渣(6%)顯著改變了ZTA陶瓷的微觀結(jié)構(gòu),足夠多的Al2O3晶粒發(fā)生棒狀生長,包裹在團(tuán)聚體周圍,相互聯(lián)鎖,從而降低致密性,因此,在微觀結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)更多具有更大尺寸的孔隙如圖(c)所示。隨著高爐渣含量的升高(8%),1 550 ℃燒結(jié)并經(jīng)過析晶處理析出的Ca2Al2SiO7微晶相也相應(yīng)增多(圖18),ZrO2晶粒在ZTA基體中的團(tuán)聚程度增加,結(jié)合圖(d),此時(shí)ZrO2顆粒長大嚴(yán)重,超出臨界尺寸,增韌效果較弱,材料內(nèi)部缺陷增多,所以材料的抗彎強(qiáng)度及斷裂韌性下降嚴(yán)重。

圖18 不同高爐渣添加量的ZTA陶瓷的物相圖譜

圖19 Al2O3晶粒棒狀生長模型
將高爐渣添加到ZTA陶瓷基體中,隨著燒結(jié)溫度升高,晶粒和晶界之間的活性增加,高爐渣在Al2O3晶界之間生成液相,削弱了Al2O3晶粒之間的結(jié)合作用,為Al2O3晶粒的自由生長提供了強(qiáng)有力的條件。因此,Al2O3晶粒以各向異性方式自由生長,如果生長動(dòng)力足夠,就會(huì)長成棒狀晶體。
4 結(jié)論
(1)添加15%納米α-Al2O3和2%納米TiC,1 650 ℃燒結(jié)30 min制備的ZTA陶瓷,相對(duì)密度為99.5%,顯氣孔率為0.2%,ZTA陶瓷的抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性分別為615 MPa和5.58 MPa·m1/2。
(2)當(dāng)ZTA復(fù)合材料中添加4%的高爐渣,1 550 ℃燒結(jié)30 min,低溫下力學(xué)性能得到明顯提升,抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性分別為650 MPa和6.03 MPa·m1/2,比相同溫度下未添加高爐渣時(shí)分別提高了15%和14.2%,燒結(jié)溫度降低了50 ℃以上。
(3)高爐渣在燒結(jié)過程中,在Al2O3晶粒界面間產(chǎn)生的液相促進(jìn)Al2O3晶粒的自由生長,驅(qū)動(dòng)力足夠大會(huì)生長為棒狀晶,在受力過程中棒晶的拔出和裂紋的偏轉(zhuǎn)有利于ZTA陶瓷力學(xué)性能的提升。