宗孟靜子, 吳 唯, 張雪薇, 劉 江
(華東理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,中德先進(jìn)材料聯(lián)合研究中心,上海 200237)
導(dǎo)電高分子復(fù)合材料(CPCs)是高分子復(fù)合材料研究中重要的領(lǐng)域之一,近幾十年對其研究很多[1]。由于大多數(shù)聚合物本身絕緣,因此導(dǎo)電填料被添加到各種聚合物中來制備CPCs,所以CPCs 不僅有良好的導(dǎo)電能力,同時(shí)還具有輕質(zhì)、高強(qiáng)度、便于加工和耐腐蝕的特點(diǎn),在汽車工業(yè)、能源、航空和電子電氣領(lǐng)域應(yīng)用廣泛[2-4]?,F(xiàn)階段常用的導(dǎo)電材料在高度拉伸作用時(shí)易斷裂,不易用作新型材料,因此柔性導(dǎo)體的研究備受關(guān)注[5-6]。柔性導(dǎo)體要求在拉伸時(shí)也能保持一定的電導(dǎo)率,并且盡量維持具有高延展性材料的韌性,使其可拉伸或彎曲程度較高。
熱塑性聚氨酯(TPU)彈性體主要可以分成聚酯型和聚醚型兩種,其分子結(jié)構(gòu)中包括低聚物多元醇軟段和二異氰酸酯-擴(kuò)鏈劑硬段[7]。玻璃狀或結(jié)晶鏈段(硬段)作為物理交聯(lián)鍵賦予材料硬度和強(qiáng)度;非晶態(tài)橡膠段(稱為軟段)賦予材料(超)彈性特性。由于TPU 的超彈特性和可調(diào)控的硬度和強(qiáng)度,使得TPU 在電子電氣領(lǐng)域中用作可拉伸應(yīng)變傳感器[8-11]、柔性導(dǎo)體、晶片等精密元件的防靜電外套,還可用作防爆產(chǎn)品的外殼及結(jié)構(gòu)件等[12]。
在導(dǎo)電材料的制備過程中,碳系填料由于其優(yōu)異的導(dǎo)電性能被廣泛應(yīng)用[13-14],但由于納米填料本身的特性、樹脂基體結(jié)合力的特性以及加工方式等的影響[15],填料容易在樹脂基體中出現(xiàn)分散較差、結(jié)合力不好等現(xiàn)象。為達(dá)到較好的導(dǎo)電性,需要較大的填料添加量,但可能會對材料的力學(xué)性能或其他性能帶來過多損傷。炭黑(CB)是烴類物質(zhì)經(jīng)氣相熱裂解或不完全燃燒的產(chǎn)物,由于具有微晶結(jié)構(gòu),碳原子的排列方式和石墨很相似,因此又被稱為準(zhǔn)石墨晶體。炭黑來源豐富,加工簡便易行,價(jià)格低廉并且性能穩(wěn)定,廣泛應(yīng)用于填充型導(dǎo)電復(fù)合材料領(lǐng)域[16-17]。炭黑表面有很多極性基團(tuán)如酚基、醌基、羧基等,而TPU 是一種高極性聚合物,內(nèi)部含有氨基甲酸酯基團(tuán)、醚鍵等極性基團(tuán),因此在理論上炭黑與TPU 材料相容性較好,這將有助于填料在基體內(nèi)部的分散和導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的形成,提高或盡量維持TPU 基體本身的力學(xué)性能如強(qiáng)度,韌性和延展性等,為制備CB/TPU復(fù)合材料提供實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
大多數(shù)研究聚焦于低的填料量時(shí)的CB 對CB/TPU材料力學(xué)性能的影響,沒有考慮CB 對材料導(dǎo)電功能性影響。文獻(xiàn)[18]采用機(jī)械攪拌蒸發(fā)溶液法,制備了不同含量CB 的CB/TPU 材料,發(fā)現(xiàn)添加量高的CB 改變了TPU 材料的黏彈性行為,但是材料的拉伸強(qiáng)度隨著CB 添加量的增加而不斷降低。掃描電子顯微鏡SEM 形貌分析表明在前驅(qū)體溶液中,很難打破具有高表面張力的CB 聚集體,難以保持顆粒之間的分離。文獻(xiàn)[19]利用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)作溶劑,采用溶液共混法制備了CB/TPU 材料,CB 含量的增加提高了材料的導(dǎo)熱性和抗腐蝕能力,但CB/TPU 材料的拉伸強(qiáng)度明顯下降,且沒有考察CB 對CB/TPU 材料的導(dǎo)電性能影響。文獻(xiàn)[7,16]采用熔融共混技術(shù)制備了碳納米顆粒增強(qiáng)的熱塑性聚氨酯彈性體,證明了CB 在低添加量時(shí)能增強(qiáng)TPU 的力學(xué)性能,合適的高剪切力作用有助于填料在TPU 基體中的分散,熔融共混和碳系填料的加入能夠賦予TPU 材料更多功能性,如可應(yīng)用在大形變傳感器中。李帥臻等[20]制備了乙炔炭黑、超導(dǎo)炭黑等碳系填料填充的TPU 材料,證明超導(dǎo)炭黑能讓TPU 材料獲得最好的導(dǎo)電性和電阻弛豫性,但采用的是先將碳系填料加入聚氨酯預(yù)聚體中,然后擴(kuò)鏈和硫化得到目標(biāo)產(chǎn)物的方法,且缺乏對材料其他性能如力學(xué)、介電和熱穩(wěn)定性等的研究。
基于以上研究現(xiàn)狀和問題,本文選用納米級別的CB 作為導(dǎo)電填料,采用熔融共混和模壓成型制備得到CB/TPU 復(fù)合材料;同時(shí)研究CB 含量對CB/TPU材料的導(dǎo)電性能、介電性能、力學(xué)性能和熱穩(wěn)定性等的影響,通過微觀形貌分析,研究CB 在TPU 中的分布及其相互作用機(jī)理。
聚醚型熱塑性聚氨酯WHT-1190:工業(yè)級,密度1.19 g/cm3,萬華化學(xué)集團(tuán)股份有限公司;炭黑VXC-72(CB):粉狀,比表面積254 m2/g,真密度為1.85 g/cm3,卡博特(中國)投資有限公司;抗氧劑AO1010:工業(yè)級,巴斯夫(中國)有限公司。
鼓風(fēng)干燥箱(DZF-6020 型),上海浦東榮豐科學(xué)儀器有限公司;轉(zhuǎn)矩流變儀(Polylab QC 型),德國哈克公司;平板硫化機(jī)(CJ80M2 型),震德塑料機(jī)械廠有限公司;高阻計(jì)(ZC-36 型),上海安標(biāo)有限公司;四探針測試儀(RTS-9 型),廣州四探針科技有限公司;寬頻介電譜儀(Concept 40 型),德國NOVOCONTROL公司;電子萬能試驗(yàn)機(jī)(E43.103 型),中國美特斯工業(yè)系統(tǒng)有限公司;掃描電子顯微鏡(S-3400 型和S-4800 型),日本日立公司;熱重分析儀(TGA,NETZSCH STA 409-PC 型),德國耐馳儀器制造有限公司。
用電子天平分別稱取一定質(zhì)量的TPU 和CB,置于鼓風(fēng)干燥箱中,在80 °C 下干燥8 h 備用。采用轉(zhuǎn)矩流變儀,利用熔融共混法制備CB/TPU 復(fù)合材料,溫度185 °C,轉(zhuǎn)速60 r/min。實(shí)驗(yàn)步驟:先加入一定量TPU 粒子于轉(zhuǎn)矩流變儀中,實(shí)驗(yàn)進(jìn)行到2.5 min時(shí),再分別加入2%,4%,6%,8%,10%,12%,14%,16%,18%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)的炭黑填料,共混時(shí)間為5.5 min;然后置于平板硫化機(jī)中先熱壓成型,溫度為190 °C,熱壓工藝為預(yù)熱5 min,排氣40 次,12 MPa恒壓5 min,隨后用冷平板硫化機(jī)進(jìn)行冷卻定型制得試樣以備測試。
電阻率測試:執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1410—2006,測試溫度為室溫,環(huán)境濕度60%。
介電測試:室溫條件下測定,頻率變化范圍為10?1~107Hz。
力學(xué)測試:拉伸性能測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1040,試驗(yàn)速率200 mm/min。
微觀形貌分析:S-3400 型掃描電子顯微鏡,測試前將拉伸斷裂樣品進(jìn)行噴金1 min 處理;S-4800 型掃描電子顯微鏡,測試前將模壓成型后的材料進(jìn)行液氮脆斷,取斷裂截面進(jìn)行1 min 噴金處理。
熱穩(wěn)定性分析:N2流率為40 mL/min,升溫速率10 °C/min,實(shí)驗(yàn)溫度25~750 °C。
圖1 示出了CB/TPU 復(fù)合材料的對數(shù)體積電阻率隨CB 添加量(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)變化的趨勢圖和導(dǎo)電通路理論模型。由圖可知,純TPU 屬于絕緣材料,其體積電阻率(ρv)高達(dá)1013Ω·cm。當(dāng)CB 添加量低于8%時(shí),隨著CB 添加量的增加,復(fù)合材料的體積電阻率變化不大但高于純TPU 材料。這主要是因?yàn)椋篊B添加量較少時(shí),導(dǎo)電通路尚未形成,CB 表面的有機(jī)基團(tuán)或油膜形成的絕緣層,增加了CB 粒子間的勢壘,導(dǎo)致CB/TPU 材料的體積電阻率較純TPU 材料有所上升。當(dāng)CB 添加量繼續(xù)增加,體積電阻率開始出現(xiàn)下降趨勢,在10%~14%范圍內(nèi),材料的體積電阻率發(fā)生了從1013~104Ω·cm 約9 個(gè)數(shù)量級的急劇下降,此時(shí)材料已屬于導(dǎo)電材料。隨著CB 添加量的進(jìn)一步的增加,體積電阻率下降趨勢緩和,電阻率維持在較低水平且變化不大。圖1(a)變化曲線是導(dǎo)電通路理論的體現(xiàn)[21]。
圖1 CB/TPU 的體積電阻率ρv 隨CB 質(zhì)量分?jǐn)?shù)變化關(guān)系(a)和導(dǎo)電通路理論模型圖(b)Fig. 1 Relationship between the volume resistivity and CB mass fraction (a) and conductive path model diagran (b)
圖1(b)示出了隨著填料量的增加,材料的電性能會依次呈現(xiàn)絕緣區(qū)、導(dǎo)電逾滲區(qū)和導(dǎo)電區(qū),分別對應(yīng)圖1 中的Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ區(qū)。CB/TPU 復(fù)合材料的電阻率與CB 顆粒之間的相互接近程度有關(guān)。當(dāng)CB 添加較少(w(CB)≤ 10%)時(shí),CB 顆粒在TPU 基體中分散性好,間隔距離較遠(yuǎn)相互難以接觸,此時(shí)材料電阻率較大;隨著CB 添加量的增加,CB 粒子之間雖未直接接觸但已靠近緊密,能夠發(fā)生電子隧道效應(yīng):電子在高電勢差下發(fā)生內(nèi)場發(fā)射,越過顆粒間的微小空隙形成電流通路,因此在CB 添加量達(dá)到10%時(shí),電阻率開始下降至約1013Ω·cm;隨著CB 添加量進(jìn)一步增加至14%,大量的CB 顆粒彼此之間相互接觸,形成了連續(xù)的導(dǎo)電通路,CB/TPU 復(fù)合材料電阻率急劇下降至104Ω·cm,出現(xiàn)了“逾滲現(xiàn)象”,此時(shí)對應(yīng)填料的含量變化,即逾滲閾值范圍為10%~14%;在逾滲閾值之上,盡管能進(jìn)一步增加CB 添加量,但是新的導(dǎo)電通路形成幾率很小,因此材料的電阻率變化不大。
圖2 示出了CB/TPU 復(fù)合材料在室溫下的介電常數(shù)、介電損耗和交變電流隨頻率的變化示意圖。在圖2(a)中,隨著CB 添加量的增加,復(fù)合材料的介電常數(shù)不斷升高。在低添加量時(shí),導(dǎo)電通路尚未形成,介電常數(shù)增加幅度較小;當(dāng)CB 添加量達(dá)到12%時(shí),部分導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)形成,介電常數(shù)提升明顯;當(dāng)CB 添加量達(dá)到16%時(shí),導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)已基本形成,介電常數(shù)大幅度提升。這一結(jié)果與2.1 節(jié)中的逾滲閾值分析相契合。另外,當(dāng)CB 添加量較大時(shí),CB/TPU 復(fù)合材料的介電常數(shù)出現(xiàn)低頻時(shí)介電常數(shù)較大,而高頻時(shí)介電常數(shù)變小的現(xiàn)象,這主要是因?yàn)轭l率較低時(shí),電子、原子極化和取向等都能與電場變化相匹配,整體取向程度較高時(shí),產(chǎn)生了較大的介電常數(shù);當(dāng)頻率升高后,只有電子極化還能與電場變化相匹配,而原子極化和取向未能及時(shí)變化,導(dǎo)致介電常數(shù)降低。
圖2 室溫下CB/TPU 的介電常數(shù)(a),介電損耗(b),交流電導(dǎo)率(c)隨頻率的變化關(guān)系Fig. 2 Relationship between the dielectric constant (a), dielectric loss (b) or AC conductivity (c) and frequency of CB/TPU
由圖2(b)可知,在相同的頻率下,當(dāng)CB 添加量較低(w(CB)≤8%)時(shí),材料的介電損耗相差不大,且維持在較低水平,介電損耗較??;但是當(dāng)CB 添加量增加至12%時(shí),導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)開始形成,介電損耗有了較大的提升,當(dāng)CB 添加量進(jìn)一步增加到16%時(shí),導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)基本形成,在高頻區(qū)域,材料的介電損耗進(jìn)一步上升。對于CB 填充的復(fù)合材料,低頻區(qū)介電損耗上升的主要原因是材料內(nèi)部的電流滲漏,而高頻區(qū)介電損耗的上升主要是由于偶極子取向極化滯后于電場頻率的變化。從圖2(c)中觀察到,隨著電場頻率的增加,不同CB 添加量的CB/TPU 復(fù)合材料的交流電導(dǎo)率都呈現(xiàn)出上升趨勢。在CB 添加量較低(w(CB)≤8%)時(shí),CB/TPU 復(fù)合材料的交流電導(dǎo)率隨著CB 添加量的提升有所增加,但相比于純TPU 材料增加不明顯;而增加CB 添加量至12%時(shí),導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)開始形成,交流電導(dǎo)率相比于純TPU 有了較大幅度的增長,當(dāng)CB 添加量進(jìn)一步增加到16%時(shí),導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)基本形成,交流電導(dǎo)率增加趨勢變緩。這說明對于CB 填充型導(dǎo)電材料來說,在滲透閾值區(qū)間內(nèi)會發(fā)生電性能和介電性能的急劇變化。
圖3(a)是CB/TPU 復(fù)合材料的應(yīng)力-應(yīng)變曲線。CB 填充的TPU 復(fù)合材料應(yīng)被視為由TPU 連續(xù)相和CB 顆粒分散相組成的復(fù)合材料。當(dāng)CB/TPU 復(fù)合材料被拉伸時(shí),外界載荷通過TPU 基體向CB 與TPU界面層傳遞;當(dāng)CB 添加量較低(w(CB)≤4%)時(shí),CB 顆粒在TPU 基體中高度分散,CB 粒子與TPU 形成更多的界面面積,增加了界面形變能,因此CB/TPU復(fù)合材料拉伸強(qiáng)度明顯提升;但隨著CB 添加量的逐漸增加(w(CB)≥8%),部分CB 顆粒開始以團(tuán)聚形式分布在TPU 基體中,由于CB 粒子間相互作用力較弱,外界載荷無法得到有效傳遞,使得CB/TPU 復(fù)合材料在拉伸過程中提前失效,最終導(dǎo)致其拉伸性能有所下降。
圖3(b)是CB/TPU 材料的拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長率隨不同CB 添加量的變化關(guān)系圖。由圖3(b)可知,隨著CB 添加量的不斷增多,CB/TPU 復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度整體上呈現(xiàn)先增大,后不斷減小的趨勢,當(dāng)CB 添加量達(dá)到4%時(shí),材料的拉伸強(qiáng)度達(dá)到最高值53.8 MPa,相比于純TPU 材料,材料的拉伸強(qiáng)度提高了16.0%;而Dong 等[19]用溶液法制備的CB/TPU 復(fù)合材料在CB 添加量不超過2%時(shí),拉伸強(qiáng)度低于純TPU。圖3(b)中CB/TPU 的斷裂伸長率的變化與拉伸強(qiáng)度變化趨勢一致,隨著CB 添加量的不斷增多,CB/TPU 復(fù)合材料的斷裂伸長率整體上呈現(xiàn)先增大,后不斷減小的趨勢,當(dāng)CB 添加量為4%時(shí)斷裂伸長率達(dá)到最大值1 066.7%,相比于純TPU 材料提高了10.8%。CB 在添加量不超過4%時(shí)對TPU 基體產(chǎn)生了類似補(bǔ)強(qiáng)橡膠[22]的增強(qiáng)作用。
圖3(c)是根據(jù)圖3(a)原始應(yīng)力-應(yīng)變曲線計(jì)算得出的拉伸模量圖。由圖可知,隨著CB 添加量的增加,CB/TPU 復(fù)合材料的拉伸模量不斷增加,在CB 添加量是16%時(shí),材料的拉伸模量比純TPU 增加了130%。CB 的加入能夠增加TPU 材料的模量,這主要是因?yàn)镃B 是剛性納米粒子,隨著CB 添加量的增加,越來越多的CB 剛性粒子能夠反抗外力作用發(fā)生的形變變化;另外,CB 的加入可能會導(dǎo)致TPU硬段發(fā)生結(jié)晶,從而導(dǎo)致其力學(xué)性能發(fā)生變化[2]。綜上所述,CB 填充TPU 的力學(xué)性能顯著提高,可以在不影響其力學(xué)性能的前提下增加導(dǎo)電性等多功能性質(zhì)。
圖4 是不同CB 添加量下的CB/TPU 復(fù)合材料的液氮脆斷截面掃描電鏡圖。圖4 中呈現(xiàn)的裂紋是由于TPU 是含有“橡膠態(tài)”的高彈性體,在液氮的低溫冷凍和外力脆斷作用下會產(chǎn)生隨機(jī)細(xì)小裂紋。由圖4(a)可知,純TPU 中不含任何填料,表面光滑平整。隨著CB 添加量從4%增加至16%,填料整體分散較均勻,尤其是當(dāng)CB 添加量不超過8%時(shí)(圖4(b)和4(c)),填料分布均勻,且較少團(tuán)聚,由圖4(d)能清晰地看見CB 粒子的一次結(jié)構(gòu),此時(shí)CB 之間距離較遠(yuǎn),相互接觸幾率小,導(dǎo)電通路難以形成。當(dāng)CB 添加量進(jìn)一步增加至12% 和16% 時(shí),CB 分布更密集,相互接觸機(jī)會大大增加,較小的CB 結(jié)構(gòu)單元融合形成支鏈結(jié)構(gòu)或簇,幫助形成導(dǎo)電通路(圖1(b)),但同時(shí)由于CB粒子是納米顆粒,表面含有酚基、醌基、羧基等活性基團(tuán),也會發(fā)生部分團(tuán)聚,從而對力學(xué)性能造成一定影響。
圖3 CB/TPU 的應(yīng)力-應(yīng)變曲線(a)以及CB/TPU 的力學(xué)性能(b)和拉伸健模量(c)隨CB 質(zhì)量分?jǐn)?shù)的變化關(guān)系Fig. 3 Representative stress-strain curves of CB/TPU(a), mechanical properties and (b) tensile modulus (c) of CB/TPU as a function of CB mass fraction
圖4 CB/TPU 的冷凍脆斷截面SEM 圖Fig. 4 SEM images of freeze-fractured surface of CB/TPU
圖5 是不同CB 添加量下的CB/TPU 復(fù)合材料的拉伸斷裂截面掃描電鏡圖。從圖中可知,純TPU的拉伸斷裂截面表面光滑平整。隨著CB 的加入,斷面開始出現(xiàn)“河流狀”形貌(圖5(b)和5(c)),同時(shí)伴隨著“拔絲”現(xiàn)象,這說明CB 粒子和TPU 之間存在較強(qiáng)的界面結(jié)合力,CB 表面能夠被TPU 浸潤,適合的CB 添加量能有效增強(qiáng)TPU 材料的力學(xué)性能。另外,當(dāng)納米CB 顆粒和TPU 相連接,通過界面層形成了三維網(wǎng)絡(luò),納米CB 顆粒作為連接點(diǎn),能均勻分散應(yīng)力,減少材料損傷。隨著CB 添加量的進(jìn)一步增加,如圖5(d)和圖5(e)所示,CB 顆粒開始出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象,材料的“河流狀”圖案出現(xiàn)密度變大,“拔絲”情況減少,并且裂紋變得高低錯(cuò)落更立體,裂紋的產(chǎn)生通常發(fā)生在CB 團(tuán)聚顆粒上,裂紋尖端的動能和應(yīng)變勢能能夠轉(zhuǎn)化為非連續(xù)邊界形變能,這樣的形貌特征反映CB 團(tuán)聚體可能會對材料帶來一定的力學(xué)損傷。而當(dāng)CB 添加量進(jìn)一步增大至16%時(shí)(圖5(f)),材料開始出現(xiàn)拉伸斷裂口變大的現(xiàn)象,但同時(shí)也出現(xiàn)了光滑的斷面,這說明過多的CB 在TPU 材料內(nèi)部分布不夠均勻,導(dǎo)致材料的力學(xué)性能下降。
圖5 CB/TPU 的拉伸斷面SEM 圖Fig. 5 SEM images of tensile broken section of CB/TPU
從圖6 可知,不同CB 添加量時(shí)CB/TPU 復(fù)合材料的熱重曲線隨溫度變化呈現(xiàn)相似趨勢。表1 示出了氮?dú)夥諊?00 °C 時(shí)CB/TPU 的熱重分析結(jié)果,其中,T5%是CB/TPU 質(zhì)量損失率為5%時(shí)的溫度,可視為材料的起始分解溫度;Tmax是最大質(zhì)量損失速率對應(yīng)溫度。由表1 可知97.70%是CB 在700 °C 時(shí)的殘?zhí)柯?。CB/TPU 復(fù)合材料的熱失重過程分為兩個(gè)階段:當(dāng)溫度≤370°C 時(shí),失重是TPU 硬段分解引起的;當(dāng)溫度在370 ~ 440 °C 時(shí),TPU 中的聚醚軟段發(fā)生熱分解引起失重。與純TPU 材料相比較,不同CB 添加量的CB/TPU 復(fù)合材料的初始分解溫度(T5%)有所升高,在CB 添加量為12%時(shí)達(dá)到最大,但上升幅度最大不超過7 °C。最大分解速度溫度變化與初始分解溫度相一致,CB 的加入對復(fù)合材料的最大分解速率溫度有所提高,在CB 添加量為12%時(shí)提高了6 °C,從這些數(shù)據(jù)可以看出CB 對材料的熱穩(wěn)定性有提高作用。CB/TPU 的熱重殘?zhí)柯室惨驗(yàn)镃B 的加入而降低,這主要是因?yàn)镃B 表面有一些含氧基團(tuán),其對TPU 的熱降解可能存在一定的催化和促進(jìn)作用。另外,CB12 組分的殘?zhí)柯矢哂赥PU 的殘?zhí)柯?,這與其他組的測試結(jié)果不一致,這有可能是因?yàn)楫?dāng)CB12 組分中CB 團(tuán)聚而分布不均、取樣原因?qū)е碌慕Y(jié)果偏差。
圖6 CB/TPU 質(zhì)量損失與質(zhì)量損失微分曲線Fig. 6 TGA thermograms of pure TPU and CB/TPU composites
表1 氮?dú)夥諊翪B/TPU 的熱重分析結(jié)果Table 1 TGA thermograms results of CB/TPU composites
(1)當(dāng)CB 添加量從10%增加到14%時(shí),CB/TPU復(fù)合材料的電阻率下降了9 個(gè)數(shù)量級,CB/TPU 材料的逾滲區(qū)在10%~14%。由微觀形貌和導(dǎo)電性分析可知,其對數(shù)電阻率隨CB 添加量的反S 曲線與導(dǎo)電通路理論高度一致;隨著CB 添加量的增加,材料的介電損耗、介電常數(shù)和交流電導(dǎo)率不斷上升。
(2)熔融共混提供的剪切力能夠使CB 聚集體達(dá)到良好的分散。液氮脆斷SEM 圖表明,在CB 添加量不超過8%時(shí),CB 粒子分散均勻,彼此距離較遠(yuǎn),當(dāng)CB 添加量進(jìn)一步增加至16%時(shí),CB 開始彼此靠近,導(dǎo)電通路形成。
(3)隨著CB 添加量的增加,CB/TPU 的拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長率呈現(xiàn)先上升后減小的趨勢,并在CB 添加量為4%時(shí),分別達(dá)到最大值53.8 MPa 和1 066.7%,而CB/TPU 的拉伸模量隨著CB 添加量增加而增大,在CB 添加量為16%時(shí),拉伸模量提高了130%;隨著CB 添加量的增加,CB/TPU 的拉伸斷裂微觀形貌由“河流狀”形貌逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)楦叩湾e(cuò)落的拉伸斷裂口。
(4)CB 的加入提高了TPU 的熱穩(wěn)定性。