多孔結(jié)構(gòu)聚酰亞胺基介電材料研究進(jìn)展

楊煜培，莫?dú)J，熊林穎，張雅峰，趙國強(qiáng)，王恒鑫，黃婉芮，彭婭

(西華大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，成都 610039)

隨著科學(xué)技術(shù)的巨大進(jìn)步，人們正邁向信息化時代，因而微電子領(lǐng)域的發(fā)展尤為重要[1]。由于集成電子器件逐漸微小化，芯片上布線間距越來越小，兩相鄰的導(dǎo)線之間由于電容耦合和交叉干擾作用所造成的信號遲滯大幅度增加。故而開發(fā)出介電常數(shù)更低的絕緣材料的需求與日俱增[2-3]。但是除了介電常數(shù)這一參數(shù)外[4]，現(xiàn)代微電子工業(yè)中絕緣封裝材料還應(yīng)具有450℃以上的熱穩(wěn)定性，以保證高溫下對金屬化過程穩(wěn)定；同時還應(yīng)具有優(yōu)良的力學(xué)性能，以防止薄膜裂紋的產(chǎn)生和發(fā)展；另外還應(yīng)具有吸水率低、耐腐蝕性好、對各種基體(金屬、陶瓷等)粘合性好等綜合性能[5-6]。在眾多絕緣材料中聚酰亞胺(PI)是少數(shù)能滿足上述要求的材料之一。PI是一種以酰亞胺環(huán)為重復(fù)單元的特種工程塑料，在介電常數(shù)較低的同時兼具優(yōu)良的力學(xué)性能、耐熱性、耐腐蝕性、自熄性等綜合性能，基本能夠滿足微電子領(lǐng)域中絕緣材料的使用要求[7-9]。然而隨著器件中集成度的提高，現(xiàn)在大多數(shù)商品化的PI薄膜的介電常數(shù)已無法達(dá)到要求，如杜邦公司開發(fā)的Kapton薄膜在測試頻率為1 MHz下的介電常數(shù)為3.2～3.6[10]，故而開發(fā)出具有更低介電常數(shù)的PI材料成為了當(dāng)前材料科學(xué)領(lǐng)域中重要的課題之一。與具有低介電常數(shù)的物質(zhì)復(fù)合是降低材料介電常數(shù)的有效方法。其中空氣具有自然界最低的介電常數(shù)(約1.0)，當(dāng)PI與空氣形成兩相體系后會顯著降低介電常數(shù)值[11]。實施這一途徑主要是通過在材料引入納米孔洞或介孔結(jié)構(gòu)，其中孔洞的孔徑大小及分布是實施這一途徑的關(guān)鍵[12-14]。在近年研究中，研究者通過一系列方法制備了孔洞分布均勻、孔徑大小可控的多孔PI膜。

筆者分析了近年來國內(nèi)外在多孔PI絕緣材料方面的研究，綜述其制備方法，主要包括：引入不穩(wěn)定組分為成孔模板劑、引入多孔填料進(jìn)行復(fù)合、靜電紡絲工藝等，并對其優(yōu)勢與不足之處作出了評述，以及對未來微電子行業(yè)用PI材料的發(fā)展作出了展望。

1 引入不穩(wěn)定組分為成孔模板劑制備多孔PI

1．1 以聚酰胺酸(PAA)為基體引入

通過引入成孔模板劑來獲得多孔材料是由來已久的一種方法[15]，不穩(wěn)定組分是指在一定情況下如受熱易揮發(fā)或者分解轉(zhuǎn)化為氣體逸出的物質(zhì)。將不穩(wěn)定組分作為成孔模板劑引入到PI前體PAA基體中形成復(fù)合體系，之后通過一定手段除去該組分是常見的制孔方法。

(1)物理引入。

將易揮發(fā)(超臨界流體等)或者易分解(聚苯乙烯、聚乙二醇等)的物質(zhì)先與PAA混合攪拌，使其均勻分散在PAA中，然后在熱亞胺化階段中利用升溫除去該物質(zhì)以得到PI多孔膜。

李曉文等[16]利用超臨界二氧化碳發(fā)泡技術(shù)，在PAA合成中結(jié)合二氧化碳發(fā)泡技術(shù)成功制備了多孔PAA，然后經(jīng)加熱除去而得到多孔PI。通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察到薄膜內(nèi)部孔徑為微米級(約為2 μm)。在相同溫度下，隨著發(fā)泡時間增加，泡孔尺寸增大，而在一定溫度范圍內(nèi)，隨著發(fā)泡溫度上升，泡孔孔徑變小且孔徑分布均勻，孔隙率增加，薄膜密度下降，此時拉伸強(qiáng)度和拉伸彈性模量也隨之下降。當(dāng)密度為0.75 g/cm3時，薄膜介電常數(shù)降至2.21。

Ma Sude等[17]為降低PI介電常數(shù)，將聚苯乙烯納米球作為制孔劑引入到PAA薄膜中，然后通過熱分解脫除后得到多孔PI膜。由于聚苯乙烯的表面能較高，導(dǎo)致其在基體中分布不均，當(dāng)在薄膜中制孔劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%時，材料介電常數(shù)下降最為明顯，降至2.08，此時孔徑增大，可能與薄膜內(nèi)部孔洞坍塌有關(guān)。

Lv Pengxia等[18]將熱不穩(wěn)定聚乙二醇混合到PAA基體中然后加熱去除得到一系列不同孔隙率的多孔PI膜，研究了混入的聚乙二醇比例對材料綜合性能的影響。由于聚乙二醇少量熱分解產(chǎn)物在薄膜內(nèi)部起增塑作用，因此多孔PI的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)低于普通PI，隨著使用溫度升高，材料的模量起初會降低后由于交聯(lián)作用反而增加。隨著聚乙二醇質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加到20% (孔隙率增加到16.47%)，PI膜的介電常數(shù)下降了34.86%，吸水率無明顯變化。

(2)化學(xué)引入。

化學(xué)引入是指將受熱易分解的物質(zhì)(聚氧化丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚內(nèi)酯等)通過接枝等反應(yīng)引入到PAA分子主鏈或側(cè)鏈上，然后在熱亞胺化階段使其分解產(chǎn)生氣泡得到多孔PI。

Ju Junping等[19]將聚己內(nèi)酯(PCL)引入到含氟PAA (FPAA)中形成含有PCL嵌段的FPAA共聚物，再通過熱處理亞胺化并除去PLC嵌段以制備多孔PI膜。結(jié)果表明，隨著PCL的分解，在聚合物內(nèi)部能形成均勻孔洞。該法能有效降低材料介電常數(shù)，其從PI致密膜的2.82降至納米多孔PI膜的2.10，此時孔隙率為32%。

G. D. Fu等[20]將聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)通過熱引發(fā)接枝共聚在PAA側(cè)鏈上，然后經(jīng)由熱亞胺化的同時側(cè)鏈PMMA受熱分解形成納米空氣孔，制備的納米孔PI膜可保存完好的PI骨架，孔隙率為5%～20%，孔徑為5～15 nm。與其它納米孔PI膜相比孔更小，孔徑分布更均勻。對于孔隙率為20%左右的納米孔PI薄膜，介電常數(shù)接近2.1。

K. R. Cater等[21]以含氟單體為原料制備PAA基體材料，通過氨基官能化合成了帶氨基端的聚(環(huán)氧丙烷)低聚物并將其引入到PAA主鏈中形成三元嵌段共聚物，然后熱亞胺化除去氧化乙烯嵌段得到多孔PI膜。之后對其進(jìn)行測試表征，發(fā)現(xiàn)該類材料在光學(xué)測試法下介電常數(shù)為2.3，同時兼具良好的力學(xué)能和耐熱性。

1．2 以PI為基體引入

以PI為基底材料，采用易揮發(fā)或易刻蝕的材料作為模板劑，按照需求浸潤在基材中，然后通過化學(xué)或者物理方法除去PI基材中的模板劑以得到一系列孔隙結(jié)構(gòu)可調(diào)的多孔材料。

(1)微乳液滴模板法。

微乳液法是近年發(fā)展的制備有序空洞結(jié)構(gòu)的新穎方法，微乳液是指兩種或兩種以上互不相溶液體經(jīng)混合乳化后，分散液滴的直徑為5～100 nm的體系[22]。將液相微乳液滴在高濕度環(huán)境下均勻混合在PI溶液中，隨著有機(jī)溶劑和水完全揮發(fā)，最終可以形成有序蜂窩狀多孔結(jié)構(gòu)，且孔洞形貌可以由PI濃度、成膜溫度及環(huán)境濕度進(jìn)行調(diào)節(jié)。

王雪飛等[23]將雙十二烷基二甲基溴化銨(DDAB)溶解在二氯甲烷中，再與水混合制備出油包水微乳液，然后將其與PI混合并經(jīng)揮發(fā)得到多孔PI。SEM發(fā)現(xiàn)孔結(jié)構(gòu)在PI中以有序的蜂窩狀規(guī)整排列，并且由于孔結(jié)構(gòu)的存在，使得材料介電常數(shù)顯著降低，同時吸水率降低，并且在高溫下其多孔結(jié)構(gòu)不會坍縮，具有優(yōu)良的耐熱性。

Ma Yingyi等[24]以二氯硅烷、去離子水、PI溶液得到微乳液，利用水相微乳液作為孔形成的模板制備多孔PI膜，并系統(tǒng)研究了影響孔洞形成的工藝條件。該法設(shè)備簡單以及制孔均勻，可以準(zhǔn)確控制孔隙率。SEM和光學(xué)顯微鏡表明，PI膜中存在大量以蜂窩狀排列的均勻有序的納米孔，孔徑隨PI濃度增大和環(huán)境濕度降低而減小。通過調(diào)節(jié)工藝條件，在PI濃度為0.6 mol/mL，溫度35℃，濕度53%時，所得薄膜具有很低介電常數(shù)(2.38)。同時，所有薄膜的介電損耗都遠(yuǎn)低于純PI膜。

Xu Le等[25]以十二烷基苯磺酸(DBSA)為表面活性劑，環(huán)己烷為油相，將上述兩種物質(zhì)與PI溶液混合得到微乳液并進(jìn)一步制備出具有三明治結(jié)構(gòu)的多孔PI膜?？捉Y(jié)構(gòu)主要分布在薄膜兩側(cè)，且與單層薄膜相比(單層薄膜以孔結(jié)構(gòu)為主體)，該三明治結(jié)構(gòu)中的孔隙是以涂層形式涂覆在兩側(cè)且對稱性很好，因此反而會提高力學(xué)性能，同時兩側(cè)孔結(jié)構(gòu)的疏水性使得薄膜的耐水性提高，相同濕度下的介電損耗也更低。三層結(jié)構(gòu)的介電常數(shù)下降幅度更大，吸水率、拉伸強(qiáng)度、拉伸彈性模量均有提高。顯然，該研究不僅提供了一種制備新型多孔PI薄膜的新方法，改善了介電性能、耐水性和力學(xué)性能，也為其它功能材料的開發(fā)提供了思路。

(2)刻蝕模板法。

刻蝕模板法是指在形成含以無機(jī)納米粒子為成孔模板的PI薄膜后，通過酸堿等化學(xué)方法使納米粒子轉(zhuǎn)化為氣體逸出，從而除去內(nèi)部的無機(jī)粒子得到多孔膜，目前該方法以刻蝕二氧化硅(SiO2)為主。SiO2是一種酸性氧化物，常溫下為堅硬固體，其性質(zhì)穩(wěn)定，但容易在氫氟酸(HF)的作用下轉(zhuǎn)化為氣體物質(zhì)[26]，這就給與了刻蝕法的可能性。

賈紅娟等[27]采用原位聚合制備PI/納米SiO2復(fù)合薄膜，然后經(jīng)由HF刻蝕得到多孔PI膜。在SiO2引入較少(質(zhì)量分?jǐn)?shù)＜6%)時，孔徑分布均勻，介電常數(shù)降低的同時力學(xué)性能下降不明顯，但當(dāng)質(zhì)量分?jǐn)?shù)超過9%時，由于團(tuán)聚現(xiàn)象刻蝕后形成大孔結(jié)構(gòu)使薄膜力學(xué)性能下降明顯。

T. Yoo等[28]將SiO2與PAA均勻混合后經(jīng)熱亞胺化得到PI/SiO2復(fù)合膜，SiO2的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為5%，7.5%，10%，12.5%，然后用HF刻蝕SiO2以除去雜質(zhì)得到多孔結(jié)構(gòu)的PI泡沫。經(jīng)HF刻蝕后發(fā)現(xiàn)，樣品中孔徑的大小受SiO2含量影響，分布在100～400 nm。介電性能分析發(fā)現(xiàn)，在混合SiO2未經(jīng)刻蝕情況下，材料的介電常數(shù)逐漸增加，但經(jīng)HF刻蝕后，由于SiO2顆粒轉(zhuǎn)變?yōu)榧{米孔洞，隨SiO2含量增加材料的介電常數(shù)顯著下降，最低可達(dá)1.86。

Wang Qihua等[29]以SiO2微球作為模板劑，先與PI前驅(qū)體PAA均勻混合經(jīng)熱亞胺化制備PI/SiO2復(fù)合薄膜，然后經(jīng)HF刻蝕SiO2后得到一系列不同孔隙的多孔PI膜。研究了多孔PI薄膜的內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)及其與力學(xué)性能和介電性能的關(guān)系。結(jié)果表明，所制備的多孔膜具有表面有序、中間致密、底部互聯(lián)的多孔結(jié)構(gòu)，且孔徑直徑可調(diào)，其可由SiO2微球直徑所控制。在孔隙率為37%時可以將材料的介電常數(shù)從4.11降至2.57，下降幅度達(dá)37%，但此時力學(xué)性能下降。

引入不穩(wěn)定組分作為成孔模板來制備多孔PI是20世紀(jì)90年代就開始研究的一種經(jīng)典方法，此法由于在制備過程中操作簡單、無需使用復(fù)雜昂貴的設(shè)備受到了廣泛研究，可以根據(jù)選用模板劑的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)來控制成孔結(jié)構(gòu)、尺寸，同時其制備過程簡單易行，重現(xiàn)性好。但是也存在不可避免的缺點，在成孔階段時該組分揮發(fā)可能會引起環(huán)境污染，且容易造成這些組分的殘留，不能完全去除從而影響材料性能，同時在形成孔隙率越大的同時其材料內(nèi)部越容易形成彼此貫通的空隙結(jié)構(gòu)，使其易發(fā)生坍縮，造成力學(xué)性能受損，因此通過引入不穩(wěn)定組分再經(jīng)分解制備的多孔材料無法在保障熱力學(xué)性能的情況下形成高孔隙率。

2 引入多孔填料復(fù)合制備多孔PI

多孔填料是指具有多孔結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，主要包括多孔SiO2微球、沸石、分子篩、多孔聚倍半硅氧烷(POSS)等。通過將其與PI復(fù)合形成復(fù)合多孔材料后，填料可以在材料內(nèi)部充當(dāng)骨架支撐作用，使其在引入較高孔隙率后仍具有優(yōu)異的力學(xué)性能。

2．1 PI/無機(jī)多孔填料復(fù)合材料

無機(jī)多孔填料通常具有更高的強(qiáng)度，更耐高溫，但由于其表面僅有少量活性官能團(tuán)，為使其與基體材料分散均勻，常需要進(jìn)行表面改性以提高分散性[30]。無機(jī)多孔填料可以以超微粉的形式引入到基體中，或者以某種前驅(qū)體形式與PAA共混再轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的無機(jī)相。

Hong Zhou等[31]分別將不同含量的平均粒徑為20～50 nm氨基官能化的SiO2中空球(SHS)摻入到由均苯四甲酸二酐(PMDA)和ODA聚合成的PI中，研究表明，SHS納米粒子在PI膜中分散均勻，改性后分散性好。PI復(fù)合膜的介電常數(shù)從3.41降至2.09，但當(dāng)SHS的質(zhì)量分?jǐn)?shù)高于10%時，由于團(tuán)聚作用使材料介電常數(shù)開始增加。

S. S. Park等[32]分別將粒徑1.5 μm的具有封閉空隙的中空硅球(AHS)和胺改性中空硅球(PHS)與PI共混得到具有多孔結(jié)構(gòu)的有機(jī)/無機(jī)雜化材料。未經(jīng)改性的AHS在基體中團(tuán)聚嚴(yán)重，無法進(jìn)一步使用，而經(jīng)改性的PHS能均勻分散在基體中。研究表明，PI/PHS體系中，在加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)5% PHS后，材料介電常數(shù)降低至1.86，同時復(fù)合膜的吸水率也隨之降低。

S. Kurinchyselvan等[33]為了解決分子篩(MCW-41)粘結(jié)性差、不易粘合的特點，將3-氨丙基三甲氧基硅烷(3-APIMS)處理MCW-41得到氨基功能化的FMCW-41納米多孔填料，然后將其均勻分散在PAA溶液中，經(jīng)80～300℃熱亞胺得到PI/FMCW-41復(fù)合薄膜，透射電子顯微鏡顯示納米粒子在聚合物中以六邊形排列。添加FMCW-41的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為1%，3%，5%，7%，10%，在質(zhì)量分?jǐn)?shù)1%～7%中，隨孔隙率增加介電常數(shù)呈下降趨勢，F(xiàn)MCW-41改性PI的最佳質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%，在1 MHz下介電常數(shù)為2.21。但當(dāng)其超過7%時，由于PI基體中納米粒子團(tuán)聚作用介電常數(shù)反而增加。

2．2 PI/POSS復(fù)合材料

POSS是一種具有三維空間籠狀結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，其內(nèi)部有無機(jī)硅和氧骨架，兼具有機(jī)物與無機(jī)物的特性，且其分子表面含有大量的活性官能團(tuán)，可與各種有機(jī)官能團(tuán)進(jìn)行功能化反應(yīng)，因此較易與樹脂基體化學(xué)鍵進(jìn)行合成，形成均一的物質(zhì)[34]。相比于傳統(tǒng)有機(jī)/無機(jī)雜化材料，該類復(fù)合材料由于表面化學(xué)鍵合作用而使界面粘接性更強(qiáng)，因此力學(xué)性能不會受到太大影響，同時填料內(nèi)部一系列均勻的孔洞結(jié)構(gòu)可以明顯降低材料的介電常數(shù)。

Huang Chao等[35]采用喹啉作為催化劑在低溫下通過固化工藝合成出PI/POSS復(fù)合材料。該材料在未添加POSS時介電常數(shù)較高(為3.44)，拉伸強(qiáng)度可達(dá)148 MPa。而隨著POSS的引入，材料中由于存在納米空氣孔洞，使得其介電常數(shù)下降明顯，當(dāng)加入POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%時介電常數(shù)下降到2.60，此時力學(xué)性能有略微降低，但不影響復(fù)合材料的使用。

A. Wahab等[36]通過直接氫化硅烷反應(yīng)合成了表面具有8個羥基的POSS (POSS-OH)，并與PI復(fù)合得到PI/POSS-OH雜化膜。形貌分析表明，POSS納米顆粒在PI基體中分散均勻，說明兩者具有良好的相容性，隨著體系中POSS-OH質(zhì)量分?jǐn)?shù)從0%增加到10%，復(fù)合膜的介電常數(shù)從3.36降低至2.33，同時線膨脹速率和吸水率也更低。

H. Birtane等[37]成功制備了一系列以PI/[3-(2-氨基)氨基]丙基-庚異丁基取代POSS (NH2-POSS)的納米復(fù)合材料。研究了PI納米復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)、熱電學(xué)性能。通過SEM觀察發(fā)現(xiàn)大部分納米粒子在PI基體中分散均勻，結(jié)合緊密，但當(dāng)含量太高時，容易出現(xiàn)團(tuán)聚體。材料的水接觸角也隨NH2-POSS加入而略有增加，疏水性得到一定的改善。重要的是，材料介電常數(shù)起初隨NH2-POSS加入降低明顯，但當(dāng)其含量增多時，介電常數(shù)反而增加，這可能是由于NH2-POSS團(tuán)聚引起的，從而影響了電介質(zhì)的分布使介電常數(shù)增加，這與SEM結(jié)果相一致。

利用與多孔填料復(fù)合的方法可以在降低介電常數(shù)的同時盡可能保持其它綜合性能，此外更難能可貴的是，由于填料本身的疏水性，復(fù)合后還能進(jìn)一步降低材料吸水率，使其在高濕度的環(huán)境下仍然能具有優(yōu)異的介電性能。但是隨著多孔填料含量的增加，由于粒子表面缺少鄰近配位原子，能量不穩(wěn)定，故很容易團(tuán)聚在一起而增大相分離尺寸，使介電常數(shù)反而增加，同時力學(xué)性能也會下降。因此對多孔填料進(jìn)行表面改性以提高填料在基體間的分散性也是當(dāng)前低介電常數(shù)PI的重要研究課題之一。

3 靜電紡絲工藝制備多孔PI

近年來，研究者報道了一些新型制備多孔低介電常數(shù)PI的工藝(靜電紡絲)。這類方法制得的材料表面結(jié)構(gòu)不同于傳統(tǒng)方式，具有更大的比表面積，使得材料密度降低，因而材料介電常數(shù)下降。

靜電紡絲是一種能夠高效、簡便、快速地生成納米纖維的方法，將聚合物溶解在溶劑中，然后聚合物溶液在強(qiáng)電場中進(jìn)行噴射紡絲[38]，同時電紡過程中，隨著噴射流的高速震蕩，射流被迅速拉細(xì)，射流中的液相(溶解聚合物的溶劑)也迅速揮發(fā)去除后在纖維內(nèi)部或表面形成多孔結(jié)構(gòu)。

Liu Jieyu等[39]通過靜電紡絲技術(shù)制備了PAA纖維膠，經(jīng)過80，160，350℃熱亞胺化得到PI纖維膜。在相對濕度為50%，1 MHZ頻率下測量兩個不同厚度樣品的介電常數(shù)，分別為1.53和1.56，處于超低介電常數(shù)材料水平。

Chen Fei等[40]通過將氟化PI與靜電紡絲工藝相結(jié)合，成功制備了一批具有低吸水率和超低介電常數(shù)的PI纖維(介電常數(shù)僅為1.43)，由于強(qiáng)極性氟原子的引入，能夠減弱電荷的傳遞，因此該纖維介電常數(shù)低于單純電紡工藝制備的纖維。該研究預(yù)示了未來制備超低介電常數(shù)PI的一種新方法，即在電紡工藝的基礎(chǔ)上結(jié)合其它改性手段。

利用靜電紡絲技術(shù)制備多孔低介電常數(shù)PI材料是近年新興的一種方法，該法的優(yōu)勢在于成孔過程中不需要外加模板劑，憑借本身的溶劑快速揮發(fā)得到孔洞結(jié)構(gòu)，且所得到的材料介電常數(shù)較常規(guī)方法更低，已達(dá)到超低介電常數(shù)范圍，同時電紡過程簡單易行，孔隙結(jié)構(gòu)和分布能由電紡參數(shù)進(jìn)行調(diào)控。但是同上述的微乳液滴模板法相似，只能由PI溶液作為電紡基體使其實際應(yīng)用受到限制。

4 結(jié)語

眾多國內(nèi)外研究者在制備低介電常數(shù)PI材料上做出了巨大貢獻(xiàn)，為今后生產(chǎn)更高集成度的半導(dǎo)體器件奠定了基礎(chǔ)。通過在薄膜中引入孔洞結(jié)構(gòu)是降低其介電常數(shù)的有效途徑，但是該方法受到制孔難易程度、孔隙大小以及均勻性影響，使得不同孔隙結(jié)構(gòu)的薄膜性能相差甚大，基于此研究者利用引入不穩(wěn)定組分或與多孔填料復(fù)合等方法制得了一系列孔徑可調(diào)、孔隙均一的PI薄膜。通常在不考慮其它性能的情況下，薄膜的介電常數(shù)可以降低至2.2以下得到超低介電常數(shù)材料，但會對其它性能造成嚴(yán)重的不利影響。研究發(fā)現(xiàn)具有三明治結(jié)構(gòu)(多孔部分分布在兩側(cè))的多孔PI不受這一限制，反而在合適孔隙率下介電常數(shù)下降更為明顯，力學(xué)性能有所提高，這似乎為今后的研究提供了一種新方案。筆者認(rèn)為可聯(lián)合孔洞結(jié)構(gòu)和三明治結(jié)構(gòu)在不影響其它性能的情況下得到超低介電常數(shù)PI材料，使其能夠滿足微電子工業(yè)的應(yīng)用條件，然而這還需要眾多研究者的不懈努力，不斷推進(jìn)高性能低介電常數(shù)PI材料制備方法的研究進(jìn)度，并進(jìn)一步促進(jìn)微電子領(lǐng)域的發(fā)展，更好地服務(wù)于人們的生產(chǎn)和生活。