本報(bào)訊日前，集邦咨詢旗下拓璞產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布報(bào)告，由于現(xiàn)行射頻前端器件制造商因手機(jī)通信器件的功能需求，逐漸以GaAs晶圓作為器件的制造材料，加上隨著5G建設(shè)逐步展開，射頻器件使用量較4G時(shí)代倍增，預(yù)料將帶動(dòng)GaAs射頻器件市場(chǎng)于2020年起進(jìn)入新一波成長(zhǎng)期。

拓璞產(chǎn)業(yè)研究院指出，由于射頻前端器件特性，包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等，在4G與5G時(shí)代有高度需求，傳統(tǒng)如HBT和CM08的si器件已無(wú)法滿足，廠商便逐漸將目光轉(zhuǎn)移至GaAs化合物半導(dǎo)體。

而GaAs化合物半導(dǎo)體憑借本身電子遷移率較si器件快速，且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性，因此特別適合應(yīng)用于無(wú)線通信中的高頻傳輸領(lǐng)域。

由于4G時(shí)代的手機(jī)通信頻率使用范圍已進(jìn)展至1.8GHz-2.7GHz，傳統(tǒng)3G的si射頻前端器件已不夠使用，加上5G通信市場(chǎng)正步入高速成長(zhǎng)期，其使用頻段也將更廣泛，包含3GHz-5GHz、20GHz-30GHz，因此無(wú)論是4G或5G通信應(yīng)用，現(xiàn)行射頻器件都將逐漸被GaAs取代。

若以目前市場(chǎng)發(fā)展來(lái)看，2018年下半年受到手機(jī)銷量下滑影響，沖擊GaAs通信器件IDM廠營(yíng)收，預(yù)估2019年，IDM廠的總營(yíng)收將下滑至58.35億美元，約下降8.9%。

然而，隨著5G通信持續(xù)發(fā)展，射頻前端器件使用數(shù)量將明顯提升，如功率放大器（PA）使用量，由3G時(shí)代的2顆、4G的5顆-7顆，提升至5G時(shí)代的16顆。將帶動(dòng)2020年整體營(yíng)收成長(zhǎng)，預(yù)估GaAs射頻前端器件總營(yíng)收將達(dá)64.92億美元，年增11.3%。

整體而言，隨著各國(guó)持續(xù)投入建設(shè)5G基站等基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)估在2022年將達(dá)到高峰，加上射頻前端器件使用數(shù)量較4G時(shí)代翻倍，將可望帶動(dòng)IDM大廠Sky-works（思佳訊）、Qowo（威訊）新一波營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能。