付 平,鞏 莉,鄭華山
(北京航天光華電子技術(shù)有限公司,北京 100039)
隨著車載動(dòng)中通技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)天饋系統(tǒng)的要求越來越高。為了保證天線系統(tǒng)的指標(biāo),有時(shí)需要通過波導(dǎo)匹配負(fù)載來吸收掉系統(tǒng)中的反射波或交叉極化信號(hào)。波導(dǎo)匹配負(fù)載通常為一段終端短路的波導(dǎo),里面沿電場(chǎng)方向放置一塊楔形吸收體,吸收體的材料可以用羥基鐵和聚苯乙烯的混合物做成[1-2],吸收性能的大小主要是由材料的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的虛部決定的[3-4]。為了設(shè)計(jì)出滿足指標(biāo)和尺寸要求的波導(dǎo)匹配負(fù)載,最有效的方法是運(yùn)用三維電磁仿真軟件進(jìn)行建模仿真,例如HFSS,CST,F(xiàn)eko等,但首先需要獲知材料的電磁參數(shù)。通常材料的電磁參數(shù)測(cè)試技術(shù)分為網(wǎng)絡(luò)參數(shù)法和諧振腔法兩大類[5],網(wǎng)絡(luò)參數(shù)法又分為時(shí)域法[6]、傳輸/反射法、多狀態(tài)法[7]和自由空間法[8]等,其中由Niclson,Ross,Weir等人提出的傳輸/反射法[9]因?yàn)榫哂袑掝l帶、操作簡(jiǎn)單且精度較高等特點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。然而,對(duì)于吸波材料,尤其是吸收性能較強(qiáng)的材料,在較高頻段上進(jìn)入樣品的電磁波有可能因?yàn)樗p較快而使得傳輸系數(shù)S21非常小,甚至接近于0,大大影響了測(cè)試精度;如果將樣品做得很薄,又很難將其裝卡進(jìn)波導(dǎo)管中固定不動(dòng)并保持與波導(dǎo)軸線垂直的狀態(tài),給操作帶來了很大的麻煩。
本文給出一種利用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試吸波材料電磁參數(shù)的方法。在較低頻段時(shí)沿用了傳輸/反射法的基本思路,但在反演計(jì)算公式上做了較大簡(jiǎn)化,在較高頻段時(shí)若樣品不方便裝卡,則可采用另一種反射法的思路。這種方法也可用在實(shí)驗(yàn)室資源條件有限,矢網(wǎng)只能進(jìn)行單端口校準(zhǔn)的情況。文章最后給出了此次實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。
吸波材料電磁參數(shù)的測(cè)試原理如圖1所示,準(zhǔn)備一根損耗很小的標(biāo)準(zhǔn)接口矩形直波導(dǎo)和截面尺寸與矩形波導(dǎo)完全一樣的待測(cè)材料樣品塊,用卡尺準(zhǔn)確測(cè)量并記錄直波導(dǎo)的長(zhǎng)度Lt,設(shè)待測(cè)材料樣品塊的尺寸為a×b×L2,L2的取值應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定,可以準(zhǔn)備幾塊不同厚度的樣品,測(cè)試時(shí)將它們一一塞進(jìn)波導(dǎo)后觀察插損的變化情況,選取插損有明顯降低但不至于太低的那塊,例如-3~-10 dB的范圍內(nèi)。將選好的樣品塞進(jìn)直波導(dǎo),用卡尺大致測(cè)量出塞進(jìn)的深度L1。
圖1 吸波材料電磁參數(shù)的測(cè)試原理
將2個(gè)波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換接頭連接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的線纜后從兩波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換的波導(dǎo)口面(如圖1(a)中參考面C和D)進(jìn)行校準(zhǔn),然后將其連接已塞入材料樣品的直波導(dǎo)兩端,矢網(wǎng)保存S參數(shù)測(cè)試結(jié)果——S11,S12,S21,S22的幅度和相位信息,就可以計(jì)算出要求的ε'(ω),ε' '(ω),μ'(ω),μ' '(ω)了。推導(dǎo)過程如下:
(1)
則參考面A-B之間的二端口網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)矩陣為:
(2)
(3)
于是可以列出方程組:
(4)
如果測(cè)試頻段較高,而材料的吸波性能比較強(qiáng),樣品放入波導(dǎo)后測(cè)出的傳輸系數(shù)S21很小,而如果將樣品加工得很薄,又很難將其裝進(jìn)波導(dǎo)中且使其保持和波導(dǎo)軸線完全垂直;另一方面,有的實(shí)驗(yàn)室資源條件欠缺,無法對(duì)矢網(wǎng)進(jìn)行二端口校準(zhǔn)或者二端口校準(zhǔn)精度不夠,但可以進(jìn)行單端口精確校準(zhǔn)的情況下,可以考慮反射測(cè)試方法,原理如下:
在一根短路波導(dǎo)底部塞入一片厚度為L(zhǎng)q的吸波材料,如圖2所示。
圖2 反射法測(cè)量材料的電磁參數(shù)
(5)
再在短路波導(dǎo)底部塞入一片厚度為L(zhǎng)p的吸波材料,同理,
(6)
(7)
解方程求出參數(shù)x,然后求出剩余的參數(shù)。通常此方程需要用數(shù)值的方法解出。
所謂校準(zhǔn)就是測(cè)量一組已知器件,根據(jù)測(cè)試結(jié)果和已知器件的特性比較,列出方程求解未知項(xiàng),為后續(xù)的測(cè)量提供修正[14-15]。上述的測(cè)試過程中需要將校準(zhǔn)面定為所用波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換的波導(dǎo)口面,例如本文中采用BJ140的轉(zhuǎn)換接頭,即需要配備BJ140規(guī)格的波導(dǎo)校準(zhǔn)箱[16-17],否則測(cè)試結(jié)果中將包含夾具(即波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換)的影響,通常表現(xiàn)為頻率響應(yīng)曲線上引入較大的抖動(dòng)波紋[18]。然而實(shí)際應(yīng)用中很難實(shí)現(xiàn)配置全部頻段的波導(dǎo)校準(zhǔn)件,如果實(shí)驗(yàn)室正好不具備所需波導(dǎo)校準(zhǔn)件,也不需要另行購(gòu)買,可以用以下替代方法進(jìn)行校準(zhǔn)。
(8)
圖3 二端口網(wǎng)絡(luò)的一端接某一負(fù)載
四個(gè)未知數(shù)。
圖1中,如果僅能對(duì)矢網(wǎng)線纜的同軸端面進(jìn)行校準(zhǔn),則可在完成S參數(shù)的測(cè)試后,將S矩陣轉(zhuǎn)換成歸一化A矩陣,然后左右各乘以所用波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換的A矩陣的逆,即得到C-D參考面間的A矩陣,再轉(zhuǎn)換成S矩陣,即為式(1)中的SC-D。
按照上述傳輸/反射法測(cè)得的某吸波材料在Ku頻段上的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率如圖4和圖5所示。
圖4 吸波材料Ku頻段的介電常數(shù)
圖5 吸波材料Ku頻段的磁導(dǎo)率
按照上述反射法測(cè)得的某吸波材料在Ka頻段的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率如圖6和圖7所示。
圖6 吸波材料Ka頻段的介電常數(shù)
圖7 吸波材料Ka頻段的磁導(dǎo)率
將測(cè)得的材料參數(shù)代入仿真軟件進(jìn)行波導(dǎo)吸收負(fù)載的優(yōu)化設(shè)計(jì)并完成加工和測(cè)試,結(jié)果如圖8和圖9所示,可以看出在各自的設(shè)計(jì)頻段內(nèi)(分別為14~14. 5 GHz和29~30 GHz)波導(dǎo)吸收負(fù)載的駐波測(cè)試結(jié)果都小于1. 1,且和仿真值吻合良好。
圖8 Ku頻段波導(dǎo)負(fù)載仿真和測(cè)試駐波
圖9 Ka頻段波導(dǎo)負(fù)載仿真和測(cè)試駐波
本文給出了一種吸波材料電磁參數(shù)的測(cè)試方法,并針對(duì)此方法在頻率較高、吸波材料吸收效果較強(qiáng)的情況下測(cè)試?yán)щy的問題提出了一種可選方案。這種方案還可應(yīng)用于由于實(shí)驗(yàn)室條件限制無法對(duì)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行二端口校準(zhǔn)或者二端口的校準(zhǔn)精度不夠高,但可進(jìn)行單端口精確校準(zhǔn)的情形。
另外,由于測(cè)試過程要求從波導(dǎo)端面進(jìn)行校準(zhǔn),如果實(shí)驗(yàn)室不具備波導(dǎo)校準(zhǔn)箱也不需要另行購(gòu)買,本文給出了一種替代的校準(zhǔn)方案,這種方案已經(jīng)過多次測(cè)試驗(yàn)證,可有效去除波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換接頭及其他測(cè)試工裝的影響。