一種大面積單層及少層二硫化鉬薄膜的制備方法

專利申請?zhí)枺篊N201510288970.0

公開號：CN105272358A

申請日：2015.06.01

公開日：2016.01.27

申請人：湘潭大學(xué)

本發(fā)明公開了一種大面積單層及少層二硫化鉬薄膜的制備方法，其主要步驟為：1)將硫粉末和三氧化鉬粉末分別裝入兩個(gè)石英舟中，將襯底放置于盛有三氧化鉬粉末的石英舟上，正面朝下；(2)將盛有硫粉末和三氧化鉬粉末的兩個(gè)石英舟分別放置于一根石英試管的底端和管口處；(3) 將上述石英試管放置于管式爐中，試管底端和管口分別處于管式爐的邊緣區(qū)和中心區(qū)；(4)向管式爐中通入保護(hù)氣體氬氣或氮?dú)?，且保持常壓，直至?shí)驗(yàn)結(jié)束；(5)以一定的升溫速率升溫管式爐，使管式爐的邊緣區(qū)和中心區(qū)分別處于適當(dāng)溫度，并保持一段時(shí)間，硫粉末升華后與氣相三氧化鉬發(fā)生反應(yīng)，在襯底上生成大面積的單層及少層二硫化鉬薄膜；(6)冷卻管式爐至室溫，完成制備過程。本發(fā)明受氣流影響小，重復(fù)率高，且在常壓下即可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量大面積的單層及少層二硫化鉬薄膜的制備。