局部氧化隔離技術(shù)的仿真

摘要：利用半導(dǎo)體工藝仿真工具Silvaco TCAD對局部氧化隔離技術(shù)進(jìn)行了仿真，程序分為三部分：（1）進(jìn)行器件仿真;（2）繪制IV曲線;（3）提取結(jié)電壓。

關(guān)鍵詞：器件仿真;隔離技術(shù);結(jié)電壓

集成電路發(fā)展的是不斷發(fā)展用新技術(shù)解決隨著器件不斷縮小所帶來的各種各樣問題。當(dāng)其特征線寬縮小到0.25微米以下乃至進(jìn)入納米階段后，傳統(tǒng)的本征氧化隔離技術(shù)已不能適應(yīng)器件電氣特性及小尺寸的要求，成為影響器件性能的制約因素。所謂的“隔離”是指利用介質(zhì)材料或反向PN結(jié)等技術(shù)隔離集成電路的有源區(qū)器件，從而達(dá)到消除寄生晶體管，降低工作電容和抑制閂鎖效應(yīng)的目的。

一、局部氧化隔離工藝介紹

局部氧化隔離工藝是在晶片的表面沉積一層氮化硅，利用光刻刻蝕技術(shù)在硅基板上的氮化硅上開出氧化窗口，利用氮化硅的掩膜作用在大約1000e的高溫下對沒有氮化硅覆蓋的場區(qū)進(jìn)行氧化。氧化后氧化層表面將高出硅基版表面。氧化生長時，橫向的氧化生長將向器件的有源區(qū)延伸，形成所謂的“鳥嘴”現(xiàn)象，“鳥嘴”的出現(xiàn)，不但占據(jù)了一定有源區(qū)面積，且在極小尺寸下，使得漏電流的問題越來越突出，極大地影響了器件的性能。

二、仿真過程

程序分為三部分：第一部分：進(jìn)行器件仿真。?通過擴散氧化的方法生長一層氧化物;?在N型和P型摻雜區(qū)域間，利用沉積和刻蝕形成N型和P型摻雜區(qū)域之間的氧化隔離;?定義電極。第二部分：繪制IV曲線。第三部分：提取結(jié)電壓。輸出結(jié)果。

三、結(jié)論

用Silvaco TCAD軟件對局部氧化隔離技術(shù)進(jìn)行了仿真，仿真過程和結(jié)果能夠幫助了解隔離的原理以及隔離技術(shù)在集成電路制造工藝中的重要作用。

參考文獻(xiàn)：

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