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      電噴霧萃取電離和電噴霧電離所獲一價正離子內(nèi)能差異的比較研究

      2018-12-10 08:03:24張小平鐘達財劉建川熊劍亮陳煥文
      質(zhì)譜學報 2018年6期
      關(guān)鍵詞:離子源內(nèi)能羅丹明

      張小平,鐘達財,劉建川,熊劍亮,陳煥文

      (1.東華理工大學,江西省質(zhì)譜科學與儀器重點實驗室,江西 南昌 330013;2.北京大學藥學院,北京 100191)

      電噴霧電離質(zhì)譜(ESI-MS)技術(shù)與電噴霧萃取電離質(zhì)譜(EESI-MS)技術(shù)都可用于小分子、多肽、蛋白質(zhì)、核酸等的檢測,在化學、生物、藥學、醫(yī)學、環(huán)境等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用[1-5]。ESI與EESI均屬于軟電離技術(shù),二者的工作原理與分析性能既有區(qū)別也有聯(lián)系。在ESI中,高壓電場直接施加在流過較窄毛細管(內(nèi)徑100 μm)的分析樣品溶液中,待測物直接暴露在高強電場(如,3 kV/m)中,經(jīng)過較長時間(如,10 s)作用后流出毛細管,并在電場及輔助氣作用下發(fā)生電離和霧化,產(chǎn)生的帶電液滴經(jīng)去溶等過程形成離子供后續(xù)質(zhì)譜檢測[6-8]。EESI與ESI顯著不同,樣品(一般都含有復雜基體)在電中性(即無電場作用)的條件下被氣動霧化,形成微小液滴后再與由ESI產(chǎn)生的試劑液滴(甲醇-水)在敞開的大體積(約200 mL)空間中交叉、碰撞、融合,伴隨著敞開環(huán)境中的液-液微萃取過程(約50 ms),在三維空間內(nèi)完成能荷傳遞作用,形成目標分子離子[3,5]。值得注意的是,EESI過程中,待測物分子或離子始終沒有與強電場直接接觸,而是通過沐浴在由ESI產(chǎn)生的帶電液滴組成的“電荷雨”中獲得電荷,繼而經(jīng)去溶等過程形成離子供后續(xù)的質(zhì)譜檢測。顯然,在相同的實驗條件下,EESI過程傳遞給目標離子的能量比ESI低。研究表明,EESI能夠保持蛋白質(zhì)的構(gòu)象和生物活性[9],而ESI條件下的蛋白經(jīng)過電離的影響喪失了大部分生物活性[4]。這表明EESI比ESI更溫和,且EESI與ESI在性能方面(提供給母離子的內(nèi)能等)存在顯著差異,但二者之間的具體內(nèi)能差異尚不清楚。迄今為止,未見采用質(zhì)譜儀對這兩種離子源所產(chǎn)生的離子內(nèi)能差異進行測定的方法報道。因此,有必要建立ESI與EESI內(nèi)能差異的測量方法。

      離子自生成后即處于激發(fā)態(tài),具有一定的內(nèi)能,碎片離子形成與否[10]、母離子不同的碎裂方式[11]均由母離子的內(nèi)能大小決定。離子最初的內(nèi)能來自離子源,不同類型的離子源賦予同一種離子的能量不同,導致生成離子的內(nèi)能存在差異。比如,電子轟擊電離源具有的能量高達70 eV,直接作用在樣品分子上會產(chǎn)生具有高內(nèi)能的自由基陽離子,剩余的能量進一步使其裂解產(chǎn)生碎片離子。采用溫和的軟電離源,產(chǎn)生的碎片離子較少,但可通過改變離子源的參數(shù)來誘導產(chǎn)生碎片離子。近年來,有文獻報道離子源中離子內(nèi)能的測定方法,比如溫度計離子法[12]、去卷積法[13]、離子生存率法[14-15]等。溫度計離子法可用來估算儲存在母離子中的內(nèi)能分布,主要用于在熱力學方面表征離子的連續(xù)碎裂過程。去卷積法是一種確定離子內(nèi)部能量的方法。離子生存率法是將分子的碎裂程度與內(nèi)能相關(guān)聯(lián),主要應(yīng)用在軟電離中,該方法基于兩個假設(shè),即具有相同自由度的離子其內(nèi)能分布相似,離子的內(nèi)能在低于離子本身的解離閾值時不會發(fā)生碎裂[11]。然而,這些方法大多采用源內(nèi)碰撞誘導解離(CID)技術(shù),通過調(diào)節(jié)離子傳輸過程中的加速電壓(錐孔電壓)來計算離子內(nèi)能的分布。采用源內(nèi)CID技術(shù)的不足之處在于缺少母離子的選擇富集過程,電離過程中產(chǎn)生的所有離子都會被碰撞活化,而且由于源內(nèi)CID的能量比CID的能量要低些,導致碎裂的時間尺度延長,直接的碎裂解離速率小,因此,易發(fā)生重排反應(yīng),最終測定的平均內(nèi)能值往往比高能量CID技術(shù)測定的平均內(nèi)能值更低[11]。同時,離子生存率法沒有考慮動力學位移[15],通常需要獲得比臨界能更高的內(nèi)能才能得到碎片離子,采用該方法測定的平均內(nèi)能分布值往往比實際值偏小[11]。而CID技術(shù)可以對母離子進行選擇、活化等,避免了其他離子的干擾。因此,該技術(shù)適用于分析不同離子源的內(nèi)能差異。

      本工作擬采用EESI-MS和ESI-MS對羅丹明B的裂解行為差異進行比較研究,通過考察不同碰撞能量對裂解行為的影響,建立EESI和ESI兩種離子源一價正離子內(nèi)能差異的測定方法,并對EESI和ESI的內(nèi)能差異進行定量測定,希望為理解不同離子源產(chǎn)生離子的質(zhì)譜行為提供參考依據(jù)。

      1 實驗部分

      1.1 主要儀器與試劑

      EESI和ESI離子源:均由本實驗室自行研制搭建;LTQ-XL線性離子阱質(zhì)譜儀:配有Xcalibur型數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),美國Finnigan公司產(chǎn)品;N2、Ar:純度>99.999%,均為江西國騰氣體有限公司產(chǎn)品;羅丹明B:百靈威(上海)公司產(chǎn)品。

      1.2 質(zhì)譜條件

      EESI-MS/MS:線性離子阱質(zhì)譜(LTQ-MS),正離子檢測模式,質(zhì)量掃描范圍m/z50~600。EESI使用的萃取劑為水,萃取劑和樣品溶液的流速均為1 μL/min;噴霧電壓4.0 kV;噴霧氣壓1.0 MPa(N2,純度>99.999%);兩噴霧通道之間的角度β為60°,兩噴霧口間距b為2 mm;噴霧口至質(zhì)譜口的距離a為10 mm,角度α為150°;毛細管溫度150 ℃;毛細管錐孔電壓10 V;透鏡電壓30 V。整個質(zhì)譜儀真空系統(tǒng)主要由三級差分抽氣真空組成:前級真空度172.9 Pa,二級真空度0.133 Pa,離子阱(三級)真空度為1.33×10-3Pa。在進行串聯(lián)質(zhì)譜分析時,離子的最大進入時間為300 ms;母離子的隔離窗口寬度設(shè)定為m/z1.0;活化值Q為0.25;碰撞活化時間為30 ms;離子的冷卻時間為6 ms;碰撞氣體為氬氣(純度>99.999%);碰撞能量為0%~100%。其他參數(shù)由LTQ-Tune軟件系統(tǒng)自動優(yōu)化,使m/z443離子(質(zhì)子化羅丹明B)的信號強度達到最佳。

      ESI-MS/MS:線性離子阱質(zhì)譜(LTQ-MS),正離子檢測模式,質(zhì)量掃描范圍m/z50~600。ESI使用的溶劑為水;樣品溶液流速為1 μL/min;其他參數(shù)同EESI-MS/MS方法。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 測定EESI與ESI內(nèi)能差異的基本原理

      樣品溶液電離后形成離子,在毛細管傳輸作用下進入離子阱。從離子源引入離子阱時,離子一般具有較大的動能,這些高能量的離子必須與碰撞氣體分子發(fā)生碰撞,實現(xiàn)離子動能的碰撞轉(zhuǎn)移(冷卻),從而被束縛在離子阱的中心[16]。在串聯(lián)質(zhì)譜分析過程中,被電場加速的高能離子必須與碰撞氣體分子發(fā)生碰撞才可以將離子的動能轉(zhuǎn)化為離子內(nèi)部的能量,高內(nèi)能的離子進一步發(fā)生化學鍵的斷裂生成碎片離子。因此,離子的內(nèi)能來源主要包括離子化過程的能量、離子傳輸過程的能量和離子阱中的碰撞能量3部分。

      ESI源的噴針一般設(shè)置在高電壓,而離子入口設(shè)置在低電壓。即在ESI過程中,樣品溶液會在高電場下被加速,形成獲得動能的離子,這些高動能的離子與周圍的氣體分子發(fā)生碰撞,將動能轉(zhuǎn)化為內(nèi)能。而在EESI中,目標離子產(chǎn)生后進入的加速電場比ESI中的加速電場弱,所以其動能和轉(zhuǎn)化的內(nèi)能較小。ESI與EESI產(chǎn)生的離子進入毛細管后,由于不存在加速電場,它們將與毛細管中處于“室溫”下的中性氣體發(fā)生碰撞。碰撞過程中,離子的內(nèi)能會增加,同時高能量的離子會將能量傳遞給中性氣體分子,如果碰撞足夠,最后離子會被“碰撞冷卻”至室溫。

      理論上,同一物質(zhì)(保持濃度、溶劑等參數(shù)不變)在相同的傳輸條件下或相同的碰撞能量下獲得的能量相同。那么,如果保持傳輸條件與碰撞條件一致,離子化過程的能量差異即為離子所獲得的內(nèi)能差異。離子內(nèi)能變化直接體現(xiàn)為離子豐度行為的差異。為了測定兩種離子源的內(nèi)能差異,實驗研究了串聯(lián)質(zhì)譜中不同碰撞能量條件下兩種離子源時羅丹明B的質(zhì)譜裂解行為差異??筛鶕?jù)下面的計算方法快速地測定兩種離子源的內(nèi)能差異。

      現(xiàn)定義Eion為母離子獲得的總內(nèi)能,Esou為離子源給母離子提供的內(nèi)能,Etran為樣品電離后母離子在離子傳輸過程中獲得的內(nèi)能,Ecol為母離子在CID過程中獲得的能量,可得到式(1)。

      Eion=Esou+Etran+Ecol

      (1)

      如果碰撞能量和傳輸過程的條件均保持一致,改變不同的電離源,則母離子在不同離子源中獲得的總內(nèi)能不同,它們之間的內(nèi)能差異即為兩個離子源給母離子提供內(nèi)能的差異,列于式(2)。

      (2)

      (3)

      結(jié)合式(2)和式(3)可得到式(4)。

      (4)

      廠商提供的碰撞能量與歸一化碰撞能量之間的換算關(guān)系列于式(5)。

      Eion=(settling NCE)×(isolation center)×

      (charge factor)÷(500m/z)

      (5)

      其中,settling NCE為CE的設(shè)置值;isolation center為母離子的質(zhì)荷比;charge factor為電荷因子,如果帶單電荷,則取值為1。假設(shè)母離子為m/z500,那么當NCE設(shè)置值為20時,對應(yīng)的能量是20×500/500×1=20 eV。

      結(jié)合式(4)、(5)可得到式(6)。

      ΔEion=(NCE2-NCE1)×(isolation center)×

      (charge factor)÷500

      (6)

      2.2 羅丹明B的EESI-MS和ESI-MS分析

      本實驗分別搭建EESI-MS和ESI-MS裝置平臺,通過調(diào)控CID能量,對羅丹明B進行串聯(lián)質(zhì)譜分析。當碰撞能量為30%時,母離子m/z443主要丟失C2H4、C2H6和CO2中性分子,分別產(chǎn)生m/z415、m/z413和m/z399碎片離子。羅丹明B的EESI-MS2圖和ESI-MS2圖示于圖1。對比圖1a、1b可以發(fā)現(xiàn),兩種方法獲得的碎片離子是一致的,但在ESI-MS中,碎片離子的相對豐度明顯較EESI-MS中高,說明采用ESI對羅丹明B進行電離,準分子離子峰m/z443碎裂得更徹底,從而證明了EESI是一種比ESI更“軟”的電離方式[17]。保持離子化條件和離子傳輸條件一致,僅改變離子阱中的碰撞能量,碎片離子峰強度會產(chǎn)生明顯差異[18]。Shevchenko等[19]分別采用高能碰撞解離(HCD)和CID模式對磷脂類物質(zhì)的裂解行為進行研究,發(fā)現(xiàn)在離子阱中HCD模式下比CID模式下產(chǎn)生的碎片離子豐度更強,這是由于HCD具有更高的能量,可進一步促使母離子裂解形成豐度更高的碎片離子。而在本實驗中,采用ESI和EESI兩種不同的電離方式,使離子傳輸條件與離子阱碰撞條件保持一致,得到的碎片離子豐度差異明顯。兩者譜圖的差異是由于EESI與ESI傳遞給目標分子的內(nèi)能存在差異。

      注:a.EESI-MS2圖;b.ESI-MS2圖圖1 碰撞能量為30%,羅丹明B的串聯(lián)質(zhì)譜圖Fig.1 Tandem MS spectra of rhodamine B at the normalized collision energy of 30%

      2.3 EESI與ESI傳遞給母離子內(nèi)能差異的比較

      在串聯(lián)質(zhì)譜中,增大碰撞能量能夠加大母離子的碎裂程度。為了比較EESI與ESI之間能量的差異,在不同碰撞能量條件下對羅丹明B進行串聯(lián)質(zhì)譜實驗,其母離子和碎片離子的峰強度與碰撞能量之間的關(guān)系示于圖2a??梢钥闯?,EESI-MS2與ESI-MS2中母離子與對應(yīng)碎片離子隨能量的變化趨勢基本一致,但變化的幅度(斜率)、對應(yīng)碎片離子的豐度行為差異較大。隨著碰撞能量的升高,碎片離子的豐度逐漸增加,當碰撞能量過高時(>30%),碎片離子無法在阱中穩(wěn)定存在,導致碎片離子強度開始降低。通過擬合各曲線,得到ESI-MS2中碰撞能量在20%~40%之間時,母離子m/z443變化的斜率值(即對應(yīng)能量增加的靈敏度)約為3 512;碰撞能量在20%~30%之間時,碎片離子m/z413變化的斜率值約為3 255,交點處的質(zhì)譜圖示于圖1a。兩者的斜率值相差不大,說明m/z443下降的斜率主要是生成m/z413。在EESI-MS2中,碰撞能量在15%~35%之間時,母離子m/z443變化的斜率值約為1 514;碰撞能量在15%~30%之間時,碎片離子m/z413變化的斜率值約為73,即m/z443下降的斜率較少部分是用來產(chǎn)生m/z413的。

      母離子經(jīng)過碰撞活化后,會發(fā)生分子內(nèi)振動能量重新分布的現(xiàn)象,而且能量重排優(yōu)于斷裂反應(yīng)。如果只考慮單鍵,則振動激發(fā)引起的斷裂總是發(fā)生在能量最低的化學鍵,這使基于振動激發(fā)模型下的各種技術(shù)所產(chǎn)生碎片的形式僅依賴于母離子吸收能量的多少,而與能量接收方式無關(guān)[20]。這表明在相同實驗條件下,在ESI-MS中有更多的能量作用在母離子上,驅(qū)使母離子碎裂形成更高強度的碎片離子。而引起這種現(xiàn)象的根源在于ESI與EESI離子源之間的內(nèi)能存在一定的差異,這種差異直接表現(xiàn)在碎片離子的豐度變化上。

      碎片離子與母離子峰強度比值同碰撞能量之間的關(guān)系示于圖2b??梢钥闯?,在EESI-MS2與ESI-MS2中,碎片離子與母離子峰強度比值隨能量的變化趨勢基本一致。在低碰撞能量(20%~30%)條件下,碎片離子與母離子峰強度比值緩慢上升;在高碰撞能量(30%~45%)條件下,碎片離子與母離子峰強度比值呈指數(shù)上升,母離子基本完全裂解,碎片離子強度快速升高。這是由于高碰撞能量使分子瞬間活化,加速了碎裂速率;而且在高能量碰撞條件下,離子運動劇烈,碎片離子無法在阱中穩(wěn)定存在,導致部分離子排至阱外,或者繼續(xù)分解成更小的碎片離子等,使其對ESI和EESI離子源內(nèi)能差異的影響減弱。因此,高碰撞能量條件并不適用于計算離子源的內(nèi)能差異。

      注:a.m/z 413、m/z 415和m/z 443的強度與碰撞能量的關(guān)系;b.子離子與母離子強度的比值與碰撞能量的關(guān)系圖2 在ESI-MS2和EESI-MS2條件下,離子強度的變化與碰撞能量的關(guān)系圖Fig.2 Variation of ion intensities as a function of collision energy by ESI-MS2 and EESI-MS2

      以碎片離子m/z413為例,采用2.1節(jié)方法計算兩種離子源的內(nèi)能差異。低碰撞能量(1%~21%)條件下,ESI-MS2和EESI-MS2中碎片離子m/z413絕對強度的變化趨勢示于圖3。在ESI-MS2中,當碰撞能量為1%時,碎片離子m/z413的強度為1,隨著碰撞能量持續(xù)增大,m/z413的強度緩慢增加,當能量為13%時出現(xiàn)拐點,隨后m/z413的強度呈指數(shù)快速增加,示于圖3a。這可能是由于羅丹明B分子中的共軛體系很大,且具有剛性平面結(jié)構(gòu),低碰撞能量過程中傳遞給羅丹明B分子的能量大部分用于降低分子共軛體系的能量,小部分用來解離形成碎片,當碰撞能量增大到一定值(遠大于分子的鍵解離能)時,碎片離子的強度顯著增加,此時的能量主要用于形成碎片離子。在EESI-MS2中,當碰撞能量小于14%時,羅丹明B分子未被活化,碎片離子m/z413的強度均為0,要使碎片離子m/z413的峰強度達到1,碰撞能量至少為14%,即使ESI-MS2和EESI-MS2中碎片離子m/z413的強度相同(均為1),兩者串聯(lián)質(zhì)譜中的碰撞能量之差為13%。結(jié)合2.1節(jié)的計算式可知,13%的碰撞能量即為兩種離子源的內(nèi)能差。由式(6)可計算出兩種離子源的內(nèi)能差值為11.5 eV。

      注:a.ESI-MS2;b.EESI-MS2圖3 m/z 413的強度與碰撞能量從1%~21%變化的關(guān)系圖Fig.3 Variation of m/z 413 intensities as a function of collision energy of 1%-21%

      2.4 方法的適用性

      為了提高該方法測量的準確性,選擇其他碎片離子(如m/z415、m/z399等)來測定內(nèi)能差異。在ESI-MS2中,當碰撞能量為1%時,碎片離子m/z415的強度為0.4;在EESI-MS2中,要使碎片離子m/z415的峰強度達到0.4,碰撞能量至少為14%,即兩種離子源的內(nèi)能差為13%的碰撞能量。由式(6)計算兩種電離源內(nèi)能差值為11.5 eV。采用該方法對碎片離子m/z399的強度變化進行計算,得到的結(jié)果與上述一致,由此驗證了該方法計算內(nèi)能差異的可靠性。

      3 結(jié)論

      本研究采用質(zhì)譜中離子豐度行為差異對EESI和ESI兩種軟電離技術(shù)的內(nèi)能差異進行實驗測定,其測定值為11.5 eV。該方法原理簡單、操作簡便、無需繁雜的計算過程,不僅可為不同離子源內(nèi)能差異的比較提供參考依據(jù),也可為深刻理解不同離子源產(chǎn)生離子的質(zhì)譜行為提供參考。

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