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    納米碳化釩的制備及其表征分析*

    2018-09-12 09:59:52潘文平
    陶瓷 2018年9期
    關(guān)鍵詞:碳化粉末晶粒

    康 浩 潘文平

    (荔浦師范學(xué)校 廣西 桂林 546600)

    前言

    碳化釩是一種重要的釩合金添加劑,在釩鋼生產(chǎn)中表現(xiàn)出了其優(yōu)異的性能,并有著日趨重要的作用。對(duì)于納米碳化釩粉體制備的研究一直是材料科學(xué)工作者的研究重點(diǎn)之一,并將繼續(xù)會(huì)受到人們的重視。尤其是隨著納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,必將會(huì)給碳化釩材料的制備和性能的提高帶來(lái)新的變革和改進(jìn)。

    目前,在碳化釩粉末的制備方法中,存在著原料成本高、反應(yīng)溫度高(1 500~1 600 ℃),反應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)(4~6 h)、生產(chǎn)成本高、制備方法工藝繁瑣等缺點(diǎn),制備的碳化釩粉末粒度一般為2~5 μm,不能滿足碳化釩粉末在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用。碳化釩是非常有效的晶粒長(zhǎng)大抑制劑,但是合成碳化釩卻只能在很高的溫度和復(fù)雜的設(shè)備下完成,能耗很高,對(duì)環(huán)境也有一定的污染。如何利用較簡(jiǎn)單的設(shè)備和技術(shù),在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)大量制造性能優(yōu)良的碳化釩是研究工作的最終目標(biāo)。因此,為了節(jié)約能源,降低生產(chǎn)成本,細(xì)化粉末粒度,有必要探索一種低成本、工藝簡(jiǎn)單、操作方便的納米級(jí)碳化釩粉末的制備方法。

    本實(shí)驗(yàn)采用來(lái)源豐富、價(jià)格低廉的偏釩酸銨和納米碳黑為原料,在真空碳管爐中直接進(jìn)行碳化。具有碳化率高、能耗較低、工藝過(guò)程簡(jiǎn)單、反應(yīng)過(guò)程穩(wěn)定、制造成本低、制造過(guò)程中對(duì)環(huán)境無(wú)污染等特點(diǎn)。不僅減少了粉末中游離的碳含量,降低碳化溫度,節(jié)約了能源,而且進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化釩的用途,可以較好解決目前碳化釩制備上存在的一些問(wèn)題。能更好地滿足碳化釩粉末在特種鋼材、超細(xì)硬質(zhì)合金、高溫涂料等領(lǐng)域的應(yīng)用。

    針對(duì)以上情況,筆者主要研究?jī)?nèi)容包括以下幾個(gè)方面:

    1)反應(yīng)溫度對(duì)制備納米碳化釩粉末的影響。以一定配比,不同研究溫度對(duì)制備納米碳化釩粉末的影響,主要采用以下測(cè)試手段:①采用X射線衍射儀分析不同溫度下反應(yīng)產(chǎn)物的物相組成;②采用掃描電鏡分析不同溫度下反應(yīng)產(chǎn)物的微觀形貌。

    2)保溫時(shí)間對(duì)制備納米碳化釩粉末的影響。在同一溫度下,研究不同保溫時(shí)間對(duì)制備納米碳化釩粉末的影響,主要采用以下測(cè)試手段:①采用X射線衍射儀分析不同保溫時(shí)間下反應(yīng)產(chǎn)物的物相組成;②采用掃描電鏡分析不同保溫時(shí)間下反應(yīng)產(chǎn)物的微觀形貌。

    3)配碳量對(duì)制備納米碳化釩粉末的影響。在同一溫度下,研究不同配碳量對(duì)制備納米碳化釩粉末的影響,主要采用以下測(cè)試手段:①采用X射線衍射儀分析不同配碳量下反應(yīng)產(chǎn)物的物相組成;②采用掃描電鏡分析不同配碳量下反應(yīng)產(chǎn)物的微觀形貌。

    1 實(shí)驗(yàn)部分

    1.1 實(shí)驗(yàn)所用原料

    納米碳黑,攀枝花前進(jìn)化工廠生產(chǎn),粒度<50 nm,粉末分散性良好。偏釩酸銨,分析純,成都科龍化工試劑廠生產(chǎn)。

    1.2 實(shí)驗(yàn)所用儀器

    BMX-30R型真空熱壓燒結(jié)爐,上海博訊實(shí)業(yè)有限公司醫(yī)療設(shè)備廠;101-2BS電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱,天津市華北實(shí)驗(yàn)儀器有限公司。

    1.3 實(shí)驗(yàn)過(guò)程

    本實(shí)驗(yàn)是將偏釩酸銨粉末和納米碳黑溶于加熱去離子水中,配制混合液,然后將該混合液置于烘箱中,在一定條件下加熱、烘干,最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末,將前驅(qū)體粉末研碎后置于真空碳管爐中開(kāi)始加熱,于600 ℃保溫30~60 min,使之轉(zhuǎn)化為V2O3,然后直接升溫至碳化釩的轉(zhuǎn)化溫度,即可得到納米級(jí)碳化釩粉體。

    本實(shí)驗(yàn)是以偏釩酸銨和納米碳黑為原料來(lái)制備納米碳化釩粉體,主要基于以下反應(yīng)原理:在低溫下,偏釩酸銨(NH4VO3)發(fā)生分解生成V2O5,2NH3和H2O,然后隨著溫度的升高,碳逐漸將釩的高價(jià)氧化物還原成釩的低價(jià)氧化物,最終生成碳化釩,具體反應(yīng)過(guò)程如下:

    (1)

    (2)

    (3)

    (4)

    (5)

    將偏釩酸銨和納米碳黑先混合然后制成前驅(qū)體,具有以下優(yōu)點(diǎn):能夠使釩源和碳源充分混合,達(dá)到縮短反應(yīng)時(shí)間、降低反應(yīng)溫度的目的;免去了先將偏釩酸銨制成V2O5粉末再混合等工藝,操作方便。所以從理論上講是可行的。

    1.4 測(cè)試方法

    1.4.1 物相分析

    采用丹東方圓儀器公司生產(chǎn)的DX-1000型X射線多晶衍射儀對(duì)實(shí)驗(yàn)產(chǎn)物進(jìn)行物相分析,以確定產(chǎn)物的物相組成,并根據(jù)謝樂(lè)公式:D=Kλ/(Bcosθ)(其中:λ為0.154 nm,K取0. 9,B為衍射峰的半高寬)計(jì)算得到晶粒度。實(shí)驗(yàn)參數(shù)為:管壓40 kV,電流25 mA,CuKα,λ=0.154 60 nm,掃描速度為:0.06°/s,掃描范圍為:2θ=20°~90°。

    1.4.2 顯微分析

    采用JSM-5600LA型掃描電鏡觀察、分析粉體的形貌和顆粒粒徑。儀器分析電壓為:120~200 kV,點(diǎn)分辨率為:0.3 nm。

    2 結(jié)果與討論

    納米材料是指組成材料的晶?;蝾w粒的幾何尺寸在納米級(jí)尺度水平(1~100 nm),并具有特殊性能的材料。由于納米材料作為先進(jìn)的工程材料具有特殊的物理性能和機(jī)械性能,因此近幾年來(lái)備受關(guān)注[24]。目前,碳化釩已廣泛應(yīng)用于結(jié)構(gòu)鋼、工具鋼、管道鋼、鋼筋、普通工程以及鑄鐵中,由于制備的碳化釩粉體粒度一般為2~5 μm,所以不能滿足在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用,尤其是在特種鋼材、超細(xì)硬質(zhì)合金、高溫涂料等領(lǐng)域的應(yīng)用。所以,有必要制備納米級(jí)碳化釩粉體。本實(shí)驗(yàn)以原料來(lái)源廣泛的偏釩酸銨和納米碳黑為原料,采用真空碳熱還原法來(lái)制備納米碳化釩粉體,研究了不同工藝條件下對(duì)制備納米碳化釩粉體的影響。

    2.1 溫度對(duì)制備納米碳化釩粉體的影響

    2.1.1 XRD分析

    為了研究不同溫度對(duì)制備納米碳化釩的影響,在同一配碳量、同一保溫時(shí)間下進(jìn)行實(shí)驗(yàn),反應(yīng)產(chǎn)物的X射線衍射圖如圖1、圖2所示。

    (a)原料 (b)150 ℃ (c)300 ℃ (d)450 ℃ (e)600 ℃ (f)750 ℃

    由圖1可知,150 ℃時(shí)反應(yīng)產(chǎn)物中有V2O5生成(見(jiàn)圖1(b)),說(shuō)明NH4VO3開(kāi)始發(fā)生分解,主要發(fā)生如下的反應(yīng):

    隨著反應(yīng)溫度的升高,300 ℃時(shí)主要產(chǎn)物為VO2(見(jiàn)圖1(c)),說(shuō)明在150~300 ℃時(shí),生成的V2O5和納米碳黑發(fā)生反應(yīng),在300 ℃時(shí)全部轉(zhuǎn)化為VO2,反應(yīng)方程式如下:

    繼續(xù)升高溫度到450 ℃時(shí),衍射峰呈非晶狀,為V5O9和V4O7(見(jiàn)圖1(d))。

    在600 ℃和750 ℃溫度條件下的產(chǎn)物主要是V2O3,V2O3相為密排六方結(jié)構(gòu), 晶格常數(shù)為0.495 4 nm×0.495 4 nm×1.400 8 nm,并且隨著溫度的升高,非晶衍射峰(非晶碳)逐漸減少,衍射峰向左偏移(見(jiàn)圖1(e),圖1(f))。說(shuō)明在600~750 ℃范圍內(nèi),納米碳黑繼續(xù)和VO2發(fā)生氧化還原反應(yīng),將VO2還原為V2O3,反應(yīng)方程式如下:

    (a) 900 ℃ (b)1 000 ℃ (c)1 100 ℃ (d)1 200 ℃ (e)1 300 ℃

    由圖2可見(jiàn),在900 ℃時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主相為V2O3,并含有少量非晶碳(見(jiàn)圖2(a))。

    隨著溫度的升高,達(dá)1 000 ℃時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主要為V2O3,開(kāi)始有V4C3相生成,并含有少量的非晶碳(見(jiàn)圖2(b)),說(shuō)明在1 000 ℃時(shí)納米碳黑開(kāi)始將V2O3還原成V4C3,具體反應(yīng)方程式如下:

    V4C3為面心立方晶格, 晶格常數(shù)為0.416 nm×0.416nm×0.416 nm。顯然, 當(dāng)V2O3相轉(zhuǎn)變?yōu)閂4C3相時(shí), 晶體結(jié)構(gòu)由密排六方晶格轉(zhuǎn)變?yōu)槊嫘牧⒎骄Ц瘛?/p>

    1 100 ℃時(shí),發(fā)現(xiàn)主要衍射峰均為V8C7的衍射峰,不含有多余的碳(見(jiàn)圖2(c)),說(shuō)明在1 000~1 100 ℃溫度范圍內(nèi),除發(fā)生V2O3相轉(zhuǎn)變?yōu)閂4C3相外,C 原子向V4C3晶格擴(kuò)散, 進(jìn)行如下反應(yīng):

    V8C7為面心立方晶格結(jié)構(gòu), 其晶格常數(shù)為0.833 4 nm×0.833 4 nm×0.833 4 nm , 為V4C3晶格常數(shù)的2倍。在1 200 ℃時(shí),除V8C7的衍射峰外,還出現(xiàn)了VC和碳的衍射峰(見(jiàn)圖2(d))。在1 300 ℃時(shí),所制粉體的成分同1 200 ℃時(shí)相同,碳的衍射峰有所加強(qiáng),VC的衍射峰有所減弱(見(jiàn)圖2(e))。在1 200 ℃和1 300 ℃時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物中之所以除V8C7的衍射峰外,還出現(xiàn)了VC和碳的衍射峰,主要因?yàn)閇25]:V8C7中的V原子與C原子之間的結(jié)合鍵較弱,熱穩(wěn)定性不好,隨著溫度的升高,將導(dǎo)致部分V原子與C原子脫離V8C7的面心立方晶格結(jié)構(gòu),生成VC和游離碳,并且游離碳呈逐漸增加趨勢(shì),VC相逐漸減少。

    根據(jù)謝樂(lè)公式:D=Kλ/(Bcosθ) (其中:λ為0.154 nm,K取0.9,B為衍射峰的半高寬)計(jì)算得到不同反應(yīng)溫度時(shí)產(chǎn)物的晶粒度。隨著溫度的升高,晶粒度呈增大→減小→增大的變化趨勢(shì),在反應(yīng)溫度為1 100 ℃時(shí),晶粒度達(dá)到最小值32.6 nm。在900~1 000 ℃范圍內(nèi),晶粒度逐漸增大,由最初的40.6 nm增大到52.8 nm,結(jié)合XRD(見(jiàn)圖2)可知:在900 ℃時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主相為V2O3,并含有少量非晶碳;1 000 ℃時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主要為V2O3,開(kāi)始有V4C3相生成,并含有少量的非晶碳。說(shuō)明在900~1 000 ℃范圍內(nèi),V2O3相正在向V4C3相轉(zhuǎn)變,造成產(chǎn)物的晶粒度逐漸增大。

    在1 000~1 100 ℃范圍內(nèi),晶粒度明顯降低,由52.8 nm降低到32.6 nm,由XRD(見(jiàn)圖2)可知:在1 000 ℃時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主要為V2O3,開(kāi)始有V4C3相生成,并含有少量的非晶碳;在1 100 ℃時(shí),發(fā)現(xiàn)衍射峰均為V8C7的衍射峰,不含有多余的碳。說(shuō)明在1 000~1 100 ℃范圍內(nèi),發(fā)生了V2O3→V4C3→V8C7的相變過(guò)程,在1 100 ℃時(shí)已完全轉(zhuǎn)變?yōu)閂8C7相,所以晶粒度較小。

    在1 100~1 300 ℃范圍內(nèi),晶粒度逐漸增大,由最初的32.6 nm增大到55.5 nm,結(jié)合XRD(見(jiàn)圖2)可知:在1 100 ℃時(shí),發(fā)現(xiàn)衍射峰均為V8C7的衍射峰,不含有多余的碳;在1 200 ℃、1 300 ℃時(shí),除V8C7的衍射峰外,還出現(xiàn)了VC和碳的衍射峰。說(shuō)明在1 100~1 300 ℃范圍內(nèi),V8C7相正在向VC相轉(zhuǎn)變,造成晶粒度逐漸增大。

    2.1.2 SEM分析

    為了觀察不同溫度下反應(yīng)產(chǎn)物粒度、形貌的變化規(guī)律,對(duì)混合料在相同保溫時(shí)間(1 h)、不同溫度下的反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行了SEM觀察,如圖3所示。

    (a)900 ℃ (b)1 000 ℃ (c)1 100 ℃ (d)1 200 ℃ (e)1 300 ℃

    由圖3可見(jiàn),隨著溫度的升高,粉末的粒度呈先增大,再減小,再增大的趨勢(shì);粉末的形貌呈球形、類(lèi)球形→團(tuán)聚體→球形、類(lèi)球形→熔融狀的變化趨勢(shì),變化趨勢(shì)同晶粒度與反應(yīng)溫度之間的變化趨勢(shì)相一致。

    由圖3(a)可見(jiàn),900 ℃時(shí)反應(yīng)產(chǎn)物的顆粒呈球形或類(lèi)球形,粉末粒度較小,平均粒度在100 nm以下, 粉末粒徑分布較窄。由圖3(a)的XRD知,在該溫度下的產(chǎn)物主要為V2O3,反應(yīng)產(chǎn)物較單一,反應(yīng)溫度較低,所以該溫度下反應(yīng)產(chǎn)物的SEM形貌與其XRD圖相一致。

    隨著溫度的升高,到1 000 ℃時(shí)出現(xiàn)了如圖3(b)所示的微觀形貌:一部分粉末呈球形或類(lèi)球形,另一部分粉末顆粒界限不明顯,呈熔融狀的團(tuán)聚體分布。由圖2(b)可知,混合料在1 000 ℃時(shí)的主要反應(yīng)產(chǎn)物是V2O3和V8C7,并含有少量的游離碳,說(shuō)明該溫度是V2O3向V8C7轉(zhuǎn)化的中間階段,未轉(zhuǎn)化的V2O3保持原來(lái)的球形或類(lèi)球形形貌,已經(jīng)生成的V8C7也呈球形或類(lèi)球形分布,正在轉(zhuǎn)化的物質(zhì)則呈熔融狀的團(tuán)聚體分布。

    圖3(c)是混合料在1 100 ℃時(shí)的反應(yīng)產(chǎn)物,粉末顆粒的形貌較規(guī)則,呈球形或類(lèi)球形,粉末粒度較小,平均粒度小于100 nm, 粉末粒徑分布較窄。由該溫度下的XRD可知(見(jiàn)圖2(c)),該溫度下的主要產(chǎn)物為V8C7,產(chǎn)物較單一,說(shuō)明該溫度下能夠碳化完全,全部生成V8C7,所以在該溫度下反應(yīng)產(chǎn)物的粒徑分布較窄。

    繼續(xù)升高溫度,到1 200 ℃時(shí)(見(jiàn)圖3(d)),粉末粒徑長(zhǎng)大明顯,并出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象,顆粒界限不分明,說(shuō)明該溫度對(duì)于制備V8C7粉末偏高。由圖2(d)可知,1 200 ℃時(shí)的反應(yīng)產(chǎn)物是V8C7、游離碳和VC,說(shuō)明V8C7粉末已發(fā)生分解,導(dǎo)致游離碳和VC的生成,這與圖3(d)所示的形貌相一致。

    1 300 ℃時(shí),粉末呈熔融狀,顆粒與顆粒相互橋連(見(jiàn)圖3(e))。說(shuō)明該溫度對(duì)制備V8C7粉末明顯偏高,由該溫度下的XRD圖可知,該溫度下的反應(yīng)產(chǎn)物中含有較多的游離碳,說(shuō)明V8C7粉末分解脫碳現(xiàn)象較為嚴(yán)重,溫度過(guò)高。

    2.2 保溫時(shí)間對(duì)制備納米V8C7粉末的影響

    2.2.1 XRD分析

    圖4是同一配比在相同溫度、不同保溫時(shí)間下產(chǎn)物的X射線衍射圖。

    由圖4可見(jiàn):當(dāng)保溫時(shí)間為30 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主晶相為V8C7,有少量的V2O3生成(見(jiàn)圖4(a))。隨著保溫時(shí)間的延長(zhǎng),當(dāng)保溫時(shí)間為60 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物為單一的 V8C7相(見(jiàn)圖4(b)),說(shuō)明對(duì)于本實(shí)驗(yàn)在同一配比、相同溫度條件下,保溫時(shí)間為60 min時(shí)是該工藝的最佳值,反應(yīng)物可以完全碳化,生成單一的V8C7,不含其它雜質(zhì)相。

    繼續(xù)延長(zhǎng)保溫時(shí)間,當(dāng)保溫時(shí)間達(dá)到120 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物中有游離碳析出(見(jiàn)圖4(c))。由圖4可見(jiàn),隨著保溫時(shí)間的延長(zhǎng),晶粒度呈先減小再增大的變化趨勢(shì),當(dāng)保溫時(shí)間為60 min時(shí),晶粒度達(dá)到最小值為32.6 nm。

    (a)30 min (b)60 min (c)120 min

    圖4不同保溫時(shí)間下產(chǎn)物的X射線衍射圖

    在30~60 min保溫時(shí)間內(nèi),晶粒度逐漸減小。由圖4可知:當(dāng)保溫時(shí)間為30 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主相為V8C7,有少量的V2O3生成;當(dāng)保溫時(shí)間為60 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物為單一的 V8C7相。說(shuō)明在30~60 min保溫時(shí)間內(nèi),少量的V2O3相正在向V8C7相轉(zhuǎn)變,當(dāng)保溫時(shí)間為60 min時(shí),V2O3完全轉(zhuǎn)變?yōu)閂8C7相,所以晶粒度較小。

    在60~120 min保溫時(shí)間內(nèi),晶粒度逐漸增大。由圖4可知:當(dāng)保溫時(shí)間為60 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物為單一的 V8C7相;當(dāng)保溫時(shí)間達(dá)到120 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物中有游離碳析出。說(shuō)明在60~120 min保溫時(shí)間內(nèi),開(kāi)始有雜質(zhì)相生成,造成晶粒度變大。

    2.2.2 SEM分析

    圖5是同一配比在相同溫度、不同保溫時(shí)間下產(chǎn)物的掃描電鏡照片。

    由圖5(a)可見(jiàn),當(dāng)保溫時(shí)間為30 min時(shí),顆?;境是蛐位蝾?lèi)球形,有少量的團(tuán)聚現(xiàn)象。與保溫時(shí)間為60 min產(chǎn)物的形貌相比,顆粒的形貌偏大,結(jié)合該反應(yīng)產(chǎn)物的XRD(見(jiàn)圖4(a))可知,該條件下主要反應(yīng)產(chǎn)物為V8C7,并有少量的V2O3剩余,說(shuō)明該反應(yīng)還沒(méi)有進(jìn)行徹底,多余的V2O3正在向V8C7轉(zhuǎn)變,造成顆粒形貌偏大。

    由圖5(b)可見(jiàn),當(dāng)保溫時(shí)間為60 min時(shí),粉末顆粒的形貌較規(guī)則,呈球形或類(lèi)球形,粉末粒度較小,平均粒度小于100 nm, 粉末粒徑分布較窄。由該條件下的XRD(見(jiàn)圖4(b))可知,該溫度下的主要反應(yīng)產(chǎn)物為V8C7,產(chǎn)物較單一,說(shuō)明該溫度下能夠碳化完全,全部生成V8C7,所以該溫度下反應(yīng)產(chǎn)物的粒徑分布較窄,顆粒形貌較小。

    (a)30 min (b)60 min (c)120 min

    圖5不同保溫時(shí)間下產(chǎn)物的掃描電鏡照片

    隨著保溫時(shí)間的延長(zhǎng),當(dāng)保溫時(shí)間達(dá)到120 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物的形貌呈熔融狀,顆粒與顆粒之間相互橋連,并有少量細(xì)小顆粒生成,由該溫度下的XRD圖(圖4(c))可知,該溫度下的反應(yīng)產(chǎn)物中有游離碳生成,所以細(xì)小顆粒有可能是游離碳。說(shuō)明保溫120 min對(duì)制備V8C7粉末偏長(zhǎng),粉末顆粒呈熔融狀。

    所以,保溫時(shí)間過(guò)短或過(guò)長(zhǎng),都會(huì)造成反應(yīng)產(chǎn)物的形貌偏大。保溫時(shí)間過(guò)短,反應(yīng)不完全,正在發(fā)生相轉(zhuǎn)變,顆粒形貌偏大;反之,保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng),反應(yīng)產(chǎn)物呈熔融狀,顆粒之間相互橋連,并有游離碳析出。只有當(dāng)保溫時(shí)間達(dá)到或接近最佳值時(shí),反應(yīng)才能進(jìn)行徹底,顆粒的形貌較規(guī)則,且形貌細(xì)小。該變化規(guī)律同晶粒度與保溫時(shí)間之間的變化規(guī)律相一致。

    2.3 配碳量對(duì)制備納米碳化釩的影響

    (a)24% (b)26% (c)28% (d)30%

    圖6不同配碳量下產(chǎn)物的X射線衍射圖

    為了研究碳含量對(duì)納米碳化釩制備的影響,在同一溫度、同一保溫時(shí)間下,對(duì)不同的配碳量進(jìn)行了實(shí)驗(yàn),其X射線衍射結(jié)果圖如圖6所示。

    由圖6(a)可見(jiàn),碳含量在24%時(shí)反應(yīng)產(chǎn)物的主相為V8C7,并含有少量的V2O3。

    隨著碳含量的增加,V2O3相逐漸消失,衍射峰向左偏移(見(jiàn)圖6(b))。

    當(dāng)碳含量為28%時(shí),主相為V8C7,不含其它雜質(zhì)相,并且晶格常數(shù)最接近理論值(見(jiàn)圖6(c))。

    碳含量繼續(xù)增加,碳含量為30%時(shí),開(kāi)始有游離碳析出(見(jiàn)圖6(d))。

    3 結(jié)語(yǔ)

    1)以納米碳黑和偏釩酸銨為原料可在1 100 ℃時(shí)制備相成分單一的V8C7粉體。粉末顆粒的形貌較規(guī)則,粉末粒度較小,呈球形或類(lèi)球形,粉末顆粒的平均粒度小于100 nm,晶粒度為32.6 nm。

    2)在900 ℃時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物為V2O3;在1 000 ℃時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主要為V2O3,開(kāi)始有V8C7相生成,并含有少量的非晶碳;在1 100 ℃時(shí),發(fā)現(xiàn)主要衍射峰均為V8C7的衍射峰,不含有多余的碳;在1 200 ℃時(shí),除V8C7的衍射峰外,還出現(xiàn)了VC和碳的衍射峰;在1 300 ℃時(shí),碳的衍射峰有所加強(qiáng),VC的衍射峰有所減弱。

    3)隨著溫度的升高,粉末的粒度呈先增大、再減小、再增大的趨勢(shì);粉末的形貌呈球形、類(lèi)球形→團(tuán)聚體→球形、類(lèi)球形→熔融狀的變化趨勢(shì)。

    4)當(dāng)保溫時(shí)間為30 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物主相為V8C7,有少量的V2O3生成;隨著保溫時(shí)間的延長(zhǎng),當(dāng)保溫時(shí)間為60 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物為單一的 V8C7相;當(dāng)保溫時(shí)間繼續(xù)延長(zhǎng)達(dá)到120 min時(shí),反應(yīng)產(chǎn)物中有游離碳析出。

    5)保溫時(shí)間過(guò)短或過(guò)長(zhǎng),都會(huì)造成反應(yīng)產(chǎn)物的形貌偏大。保溫時(shí)間過(guò)短,反應(yīng)不完全,正在發(fā)生相轉(zhuǎn)變,顆粒形貌偏大;反之,保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng),反應(yīng)產(chǎn)物呈熔融狀,相互橋連,并有游離碳析出。只有當(dāng)保溫時(shí)間達(dá)到或接近最佳值(本實(shí)驗(yàn)為60 min)時(shí),反應(yīng)才能進(jìn)行徹底,顆粒的形貌較規(guī)則,且形貌細(xì)小。

    6)碳含量在24%時(shí)反應(yīng)產(chǎn)物的主相為V8C7,并含有少量的V2O3;隨著碳含量的增加,V2O3相逐漸消失,衍射峰向左偏移;當(dāng)碳含量為28%時(shí),主相為V8C7,不含其它雜質(zhì)相,并且晶格常數(shù)最接近理論值;碳含量繼續(xù)增加,當(dāng)碳含量為30%時(shí),開(kāi)始有游離碳析出。

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