陳棣湘,潘孟春,田武剛,周衛(wèi)紅,謝瑞芳
(國(guó)防科技大學(xué)智能科學(xué)學(xué)院,湖南 長(zhǎng)沙 410073)
發(fā)動(dòng)機(jī)葉片是飛機(jī)的關(guān)鍵部件,具有不規(guī)則的曲面結(jié)構(gòu),由于長(zhǎng)期工作在高溫、高壓、高速的條件下,疲勞裂紋造成突然斷裂而失效的現(xiàn)象時(shí)有發(fā)生,嚴(yán)重威脅飛機(jī)的飛行安全[1]。目前,無(wú)損檢測(cè)技術(shù)(如常規(guī)渦流、磁粉、滲透和射線等)因其技術(shù)上的局限性,難以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)中缺陷的定量檢測(cè)[2-6]。田貴云等[2-3]將脈沖渦流檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于工件中隱藏缺陷的檢測(cè),通過(guò)對(duì)脈沖渦流信號(hào)的頻譜分析和脈沖渦流成像,取得了良好效果,但在微缺陷的檢測(cè)分辨力方面仍有待進(jìn)一步提高。近年來(lái),很多學(xué)者嘗試將平面陣列式渦流傳感器應(yīng)用于復(fù)雜形狀部件的無(wú)損檢測(cè),在平面陣列式渦流傳感器的工作原理、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、柔性化制造和參數(shù)標(biāo)定等方面開(kāi)展了廣泛研究[4-6],極大推動(dòng)了該技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。但針對(duì)平面陣列式渦流傳感器的信號(hào)處理問(wèn)題,卻鮮有報(bào)道。事實(shí)上,由于微缺陷導(dǎo)致的渦流場(chǎng)擾動(dòng)很小,而平面渦流傳感器激勵(lì)線圈和檢測(cè)線圈的匝數(shù)由于受結(jié)構(gòu)的限制而非常有限,因此能夠獲取的感應(yīng)電壓信號(hào)及其變化量通常都很微弱,很容易被提離(傳感器與檢測(cè)對(duì)象之間的間隙)等干擾淹沒(méi)。因此,平面渦流傳感器的高精度信號(hào)檢測(cè)非常關(guān)鍵,直接影響檢測(cè)效果。本文針對(duì)飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)葉片缺陷定量檢測(cè)難度大、效果差、效率低的問(wèn)題,建立了一種基于柔性電磁傳感器的缺陷定量檢測(cè)方法。
電磁無(wú)損檢測(cè)技術(shù)具有傳感器響應(yīng)速度快、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),是對(duì)裝備關(guān)鍵部件微損傷進(jìn)行檢測(cè)的有效方法之一。但是,傳統(tǒng)的電磁無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)普遍存在傳感器一致性差、與被測(cè)對(duì)象貼合不好、檢測(cè)信號(hào)易受提離(傳感器與被測(cè)對(duì)象的間隙)等問(wèn)題,使其應(yīng)用受到了限制。采用平面陣列式柔性電磁傳感器可望解決這一問(wèn)題。
平面陣列式電磁傳感器的結(jié)構(gòu)如圖1所示。這種傳感器具有空間周期性結(jié)構(gòu),傳感器的初級(jí)繞組在激勵(lì)電流的作用下將產(chǎn)生空間周期性的電磁場(chǎng),在被測(cè)材料中產(chǎn)生空間周期性的渦流場(chǎng),并在其兩側(cè)的兩個(gè)次級(jí)繞組的端部感應(yīng)出極性相反的電壓;當(dāng)被測(cè)材料中存在缺陷時(shí),次級(jí)繞組中的感應(yīng)電壓就會(huì)發(fā)生變化,據(jù)此可以檢測(cè)出缺陷。圖中ID為流過(guò)初級(jí)繞組的激勵(lì)電流,VS1、VS2為次級(jí)繞組輸出的感應(yīng)電壓,H為磁場(chǎng)強(qiáng)度,λ為傳感器的空間波長(zhǎng),MUT為被測(cè)材料。該傳感器的繞組模式有利于提高激勵(lì)磁場(chǎng)的均勻性和傳感器的檢測(cè)靈敏度,并允許對(duì)多層介質(zhì)與初級(jí)繞組產(chǎn)生的周期性電磁場(chǎng)的相互作用進(jìn)行準(zhǔn)確建模,從而大大降低校準(zhǔn)要求[7-8]。
平面陣列式電磁傳感器由于采用單層線圈結(jié)構(gòu),可以方便地制作在柔性基底上,自動(dòng)適應(yīng)被測(cè)對(duì)象形狀的變化,極大增強(qiáng)使用的靈活性。這非常有利于檢測(cè)發(fā)動(dòng)機(jī)葉片這種不規(guī)則曲面結(jié)構(gòu)。
圖1 平面電磁傳感器陣列結(jié)構(gòu)示意圖
平面電磁傳感器的轉(zhuǎn)移阻抗Z定義為次級(jí)繞組輸出的感應(yīng)電壓VS與初級(jí)繞組的激勵(lì)電流ID之比,即:
當(dāng)激勵(lì)電流保持恒定時(shí),若被測(cè)材料中存在缺陷,次級(jí)繞組輸出的感應(yīng)電壓將會(huì)發(fā)生變化,導(dǎo)致傳感器的轉(zhuǎn)移阻抗也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化。因此,通過(guò)轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)量,就可以實(shí)現(xiàn)缺陷的檢測(cè)。
由于平面陣列式電磁傳感器的輸出信號(hào)很微弱,為提高測(cè)量精度,采用了數(shù)字鎖定檢測(cè)算法對(duì)其進(jìn)行測(cè)量。
假設(shè)激勵(lì)電流的幅度為1,初相位為0,頻率為fr,傳感器輸出的感應(yīng)電壓可用下式表示:
式中:A——幅度;
φ——初相位。
當(dāng)采樣頻率為信號(hào)頻率的N倍時(shí)(N>2),若連續(xù)采樣M點(diǎn),可得到采樣序列:
數(shù)字鎖定放大器中所需的正弦和余弦參考序列rs(k)和rc(k)可分別表示為
式(3)~式(5)中,k=0,1,2,…,M-1。
將正弦和余弦參考序列分別與采樣序列x(k)進(jìn)行數(shù)字相關(guān)運(yùn)算,可得:
因此,感應(yīng)電壓的幅度和初相位可分別根據(jù)下面兩式計(jì)算得到:
由于激勵(lì)電流的幅度為1,初相位為0,因此計(jì)算得到的A和φ也即傳感器轉(zhuǎn)移阻抗的幅度與相位[9]。
檢測(cè)系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)如圖2所示??梢钥闯?,檢測(cè)系統(tǒng)由傳感器、多路阻抗精密測(cè)量電路、微損傷定量檢測(cè)方法和信息處理平臺(tái)4大部分構(gòu)成。激勵(lì)信號(hào)由FPGA芯片控制DDS電路產(chǎn)生,經(jīng)功率放大后,在柔性陣列式電磁傳感器的初級(jí)繞組中產(chǎn)生激勵(lì)電流,從而在被測(cè)導(dǎo)電材料中產(chǎn)生渦流場(chǎng)。缺陷的存在會(huì)對(duì)渦流場(chǎng)的分布產(chǎn)生擾動(dòng),并導(dǎo)致傳感器次級(jí)繞組輸出的感應(yīng)電壓發(fā)生變化。陣列傳感器輸出的多路感應(yīng)電壓經(jīng)信號(hào)調(diào)理、通道控制和數(shù)據(jù)采集后,進(jìn)入數(shù)字鎖定放大器進(jìn)行處理 (數(shù)字鎖定檢測(cè)算法中所需的正弦和余弦參考序列由FPGA芯片產(chǎn)生),獲得檢測(cè)信號(hào)的幅度和相位信息,再根據(jù)確定幅度和相位的激勵(lì)電流就可以計(jì)算出傳感器的轉(zhuǎn)移阻抗,經(jīng)標(biāo)定后采用多變量非線性搜索和插值算法從測(cè)量網(wǎng)格(根據(jù)檢測(cè)模型事先建立的數(shù)據(jù)庫(kù),反映了轉(zhuǎn)移阻抗與材料屬性的對(duì)應(yīng)關(guān)系)中準(zhǔn)確獲取材料的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率等物理屬性[10],在此基礎(chǔ)上完成缺陷定量檢測(cè)、殘余應(yīng)力檢測(cè)和缺陷實(shí)時(shí)成像。信息處理平臺(tái)以ARM為核心,主要用于算法實(shí)現(xiàn)并完成檢測(cè)參數(shù)設(shè)置、檢測(cè)結(jié)果輸出等人機(jī)界面功能。
在激勵(lì)信號(hào)頻率為2 MHz的情況下,首先測(cè)量傳感器不與試塊接觸(位于空氣中)時(shí)8通道的轉(zhuǎn)移阻抗值。在5min內(nèi)通過(guò)連續(xù)測(cè)量得到了600組數(shù)據(jù),計(jì)算得到轉(zhuǎn)移阻抗幅度與相位的均值和標(biāo)準(zhǔn)差如表1所示。
保持傳感器工作頻率不變,固定傳感器使之緊貼鋁合金試塊,其中檢測(cè)通道1所對(duì)應(yīng)的檢測(cè)線圈處于長(zhǎng)1mm、寬0.1mm、深1mm槽形裂紋的正上方,其他檢測(cè)線圈下方無(wú)缺陷;測(cè)量傳感器各檢測(cè)通道的轉(zhuǎn)移阻抗值,并計(jì)算其均值與標(biāo)準(zhǔn)差,結(jié)果如表2所示。
從表1和表2的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以發(fā)現(xiàn),傳感器不與試塊接觸時(shí)轉(zhuǎn)移阻抗幅度測(cè)量的重復(fù)精度(標(biāo)準(zhǔn)差與均值之比)約為0.04%,相位測(cè)量的重復(fù)精度約為0.02%;傳感器緊貼試塊時(shí),由于電導(dǎo)率增大、提離減小,轉(zhuǎn)移阻抗幅度下降、相位減小。
圖2 檢測(cè)系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)
表1 傳感器不與試塊接觸時(shí)轉(zhuǎn)移阻抗的均值與標(biāo)準(zhǔn)差
表2 傳感器緊貼試塊時(shí)轉(zhuǎn)移阻抗的均值與標(biāo)準(zhǔn)差
表3 傳感器不與試塊接觸和傳感器緊貼試塊時(shí)阻抗比較表
將傳感器不與試塊接觸和緊貼試塊兩種情況下各通道的轉(zhuǎn)移阻抗幅度相除、相位相減,得到的幅度比例和相位差如表3所示。
從表3可以看出,當(dāng)傳感器緊貼試塊時(shí),由于缺陷處較無(wú)缺陷處電導(dǎo)率小、提離大,因此檢測(cè)通道1(對(duì)應(yīng)的檢測(cè)線圈位于缺陷上方)的轉(zhuǎn)移阻抗幅度和相位的變化量(表3第1列)都比其他通道要小,差別大于20%,據(jù)此就可以檢測(cè)出缺陷,并實(shí)現(xiàn)裂紋長(zhǎng)度的定量[11-12]。
平面陣列式柔性電磁傳感器具有一致性好、與被測(cè)對(duì)象緊密貼合等優(yōu)點(diǎn),可有效提高檢測(cè)精度,并抑制提離對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響。采用數(shù)字鎖定檢測(cè)算法,使傳感器轉(zhuǎn)移阻抗幅度測(cè)量的重復(fù)精度達(dá)到0.04%,相位測(cè)量的重復(fù)精度達(dá)到0.02%;搭建了精密阻抗測(cè)量系統(tǒng),通過(guò)對(duì)傳感器不同工作條件下轉(zhuǎn)移阻抗幅度變化比例和相位差的分析,可有效檢測(cè)出0.1mm寬度的微缺陷。
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