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    脈沖電源對(duì)電沉積復(fù)合鍍層的影響

    2016-09-07 04:38:59裝甲兵工程學(xué)院再制造技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室北京00072裝甲兵工程學(xué)院表面工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室北京00072
    電鍍與精飾 2016年6期
    關(guān)鍵詞:脈沖電流硬質(zhì)鍍層

    王 猛,譚 俊,2,吳 迪(.裝甲兵工程學(xué)院再制造技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京00072;2.裝甲兵工程學(xué)院表面工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京00072)

    脈沖電源對(duì)電沉積復(fù)合鍍層的影響

    王猛1,譚俊1,2,吳迪1
    (1.裝甲兵工程學(xué)院再制造技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100072;2.裝甲兵工程學(xué)院表面工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100072)

    隨著脈沖電源開(kāi)始取代直流電源應(yīng)用到電沉積領(lǐng)域中,研究發(fā)現(xiàn)脈沖電源與復(fù)合電沉積的結(jié)合,使所制備的復(fù)合鍍層組織結(jié)構(gòu)得以改善,性能也明顯提高。在脈沖復(fù)合電沉積中,脈沖占空比和脈沖峰值電流密度是兩個(gè)重要的技術(shù)參數(shù),對(duì)脈沖占空比和脈沖峰值電流密度對(duì)電沉積復(fù)合鍍層的影響進(jìn)行了分析和總結(jié),為脈沖復(fù)合電沉積的研究和應(yīng)用提供借鑒和參考。

    脈沖電源;電沉積;復(fù)合鍍層

    引言

    隨著工業(yè)的發(fā)展,對(duì)材料性能的要求不斷提高,單一的金屬鍍層和多相合金鍍層逐步為復(fù)合鍍層所替代,復(fù)合電沉積技術(shù)有效地解決了單金屬或合金的某些性能問(wèn)題,如不耐腐蝕、硬度低等[1-2]。但直流復(fù)合電沉積所制備的復(fù)合鍍層依然存在著表面粗糙、硬質(zhì)顆粒含量低等問(wèn)題。研究人員希望解決這些問(wèn)題,進(jìn)一步提升復(fù)合鍍層性能,延長(zhǎng)其使用壽命,并滿足某些特殊領(lǐng)域的需要。對(duì)復(fù)合電沉積的研究表明[3],提高復(fù)合鍍層性能主要有兩種方式,一種是改變工藝,包括復(fù)合鍍液的配方、添加劑的種類及用量、鍍液pH及溫度等;另一種則是對(duì)操作規(guī)范進(jìn)行調(diào)整,例如電極的相對(duì)位置、攪拌方式以及沉積電流的波形等。利用脈沖電流取代直流電流應(yīng)用于電沉積技術(shù)制備復(fù)合鍍層由此受到高度重視并加以深入研究,得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

    1 脈沖電源對(duì)電沉積過(guò)程的影響

    采用脈沖電源就是通過(guò)改變電流波形進(jìn)而影響電沉積過(guò)程,最終對(duì)鍍層的組織形貌及性能產(chǎn)生影響的工藝方法。脈沖電沉積技術(shù)已經(jīng)較為成熟,被廣泛的應(yīng)用于制備單金屬鍍層、多層膜以及復(fù)合鍍層。由于脈沖電沉積的沉積速率和電流效率均較高[4-5],因而金屬主鹽以及硬質(zhì)顆粒的用量均可減少,而脈沖復(fù)合電沉積較直流復(fù)合電沉積所制備的鍍層性能更為優(yōu)異,使用壽命更為長(zhǎng)久,這些優(yōu)勢(shì)為資源的節(jié)約提供了可能。

    脈沖電沉積相比于直流電沉積具有更為復(fù)雜的電參量,諸如脈沖的導(dǎo)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、峰值電流、脈沖間歇、脈沖周期及占空比等。相比于直流電源所輸出的直線波形,脈沖電源的輸出波形可以是方形、鋸齒形和正弦形等[6]。脈沖電沉積的原理與直流電沉積同中有異,它也是依據(jù)電化學(xué)的基本原理,在電極表面發(fā)生還原反應(yīng),金屬離子變成金屬單質(zhì)沉積在陰極工件表面,但由于脈沖電流會(huì)對(duì)液相傳質(zhì)過(guò)程產(chǎn)生影響而使電沉積的過(guò)程更為復(fù)雜。脈沖的張弛對(duì)陰極表面的活化極化和濃差極化產(chǎn)生重大影響,影響陰極表面的傳質(zhì)過(guò)程和沉積效率。在脈沖電沉積過(guò)程中,陰極表面會(huì)形成雙擴(kuò)散層,靠近陰極表面的稱為脈沖擴(kuò)散層,外層則稱為穩(wěn)定擴(kuò)散層。研究發(fā)現(xiàn),兩個(gè)擴(kuò)散層的厚度與直流條件下同等電流密度時(shí)的擴(kuò)散層厚度相等。當(dāng)電沉積進(jìn)行時(shí),在一個(gè)周期內(nèi),電流的導(dǎo)通使陰極表面極化增強(qiáng),金屬離子得到充分沉積;而當(dāng)電流斷開(kāi)時(shí),沉積過(guò)程停止,陰極表面的金屬離子得到補(bǔ)充,恢復(fù)到初始濃度,消除了濃差極化,進(jìn)而提高傳質(zhì)效率[7-9]。在單金屬鍍層制備過(guò)程中,研究人員發(fā)現(xiàn)脈沖電源的加載可以使單金屬鍍層表面更加平整光亮,組織更加細(xì)密,內(nèi)部缺陷明顯減少,鍍層的機(jī)械性能顯著提高[10-12];在多層膜的制備領(lǐng)域,利用脈沖電源可制備出納米級(jí)多層金屬膜。研究表明,此類多層金屬膜可通過(guò)調(diào)控脈沖電源的電參量對(duì)單層膜厚度進(jìn)行控制,并且各單層間界面清晰,周期重復(fù)性較好,多層膜鍍層的性能也得到較大程度的改善[13-15];在合金沉積制備方面,脈沖電源的加載有效的細(xì)化了金屬晶粒,增加了合金的致密性,合金的性能明顯得到提升,并且可通過(guò)脈沖電參數(shù)的調(diào)節(jié)對(duì)合金成分進(jìn)行控制[16-20];將脈沖電源應(yīng)用到復(fù)合電沉積領(lǐng)域之中也起到了較為明顯的作用,脈沖間歇第二相固體粒子在陰極表面的補(bǔ)充為提高復(fù)合鍍層顆粒復(fù)合量提供了可能,而復(fù)合量的提高會(huì)對(duì)復(fù)合鍍層的整體性能產(chǎn)生重大影響。同時(shí),脈沖電源還使所制備的復(fù)合鍍層更加平整致密,顆粒分布也更加均勻[21]。

    2 脈沖電源對(duì)復(fù)合電沉積鍍層的影響

    2.1脈沖電源對(duì)復(fù)合鍍層組織形貌的影響

    眾多研究表明[22-23],脈沖電沉積所制備的復(fù)合鍍層較直流法具有晶粒更加細(xì)小,表面更加致密平整,并且表面微裂紋更少,孔隙率更低的特點(diǎn)。研究人員認(rèn)為,這可能是由于脈沖的張弛起到了增加陰極極化、降低陰極表面的濃差極化的作用,使金屬離子在沉積過(guò)程中所需要的形核功降低,因而增大了金屬的形核幾率,有效的抑制了晶粒的長(zhǎng)大,使晶粒更加細(xì)小,堆積更加致密。同時(shí),由于脈沖的導(dǎo)通與關(guān)斷或換向的交替,有利于未被牢固捕獲的硬質(zhì)顆粒在陰極表面的脫附,避免了由于其在陰極表面停留、堆積而引起的妨礙后續(xù)基質(zhì)金屬沉積的問(wèn)題。馬明碩等[22]分別在直流和脈沖兩種條件下制備了單金屬Ni鍍層和Ni-SiC復(fù)合鍍層,鍍層表面形貌如圖1所示。由圖1可以看出,脈沖電流下制備的單金屬鍍層與復(fù)合鍍層均比直流條件下制備的鍍層平整細(xì)密,晶粒更加細(xì)小均勻。

    圖1 鍍層表面形貌

    在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn),雖然脈沖電沉積相比直流電沉積對(duì)復(fù)合鍍層的組織形貌具有一定的改善作用,但不同脈沖電參數(shù)下這種改善作用具有較大的差別。普遍認(rèn)為脈沖的峰值電流密度以及脈沖的占空比是影響脈沖復(fù)合電沉積的兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù),并且這兩個(gè)參數(shù)并不是孤立的,而是發(fā)生密切的相互作用[25-26]。研究發(fā)現(xiàn)[6],隨著脈沖峰值電流密度的增加,復(fù)合鍍層的形貌明顯改善,但當(dāng)電流密度過(guò)大時(shí),表面形貌呈惡化趨勢(shì),如圖2所示[21]。隨著峰值電流密度的增大,Ni-ZrO2復(fù)合鍍層的表面粗糙度先降低后升高。這是因?yàn)樵陔娏髅芏忍幱谳^小階段時(shí),隨著峰值電流密度的增加,復(fù)合鍍液中基質(zhì)金屬離子所受到的電場(chǎng)力加強(qiáng),同時(shí)陰極表面對(duì)硬質(zhì)顆粒的吸附作用加強(qiáng),二者共沉積量上升,同時(shí)由于硬質(zhì)顆粒的嵌入,陰極表面的有效面積減小,導(dǎo)致陰極極化增強(qiáng),晶粒細(xì)化。但當(dāng)峰值電流密度達(dá)到一定程度并進(jìn)一步增加時(shí),陰極較強(qiáng)的過(guò)電位使共沉積過(guò)程中發(fā)生在陰極表面的析氫過(guò)程更加強(qiáng)烈,析出的氫氣量上升,造成復(fù)合鍍層內(nèi)部及表面出現(xiàn)較多的缺陷,表面的粗糙度上升。

    圖2 不同峰值電流密度對(duì)Ni-Z rO2復(fù)合鍍層表面粗糙度的影響

    此外,正向脈沖占空比對(duì)復(fù)合鍍層的表面形貌也具有較大的影響,且隨其不斷的升高,復(fù)合鍍層表面形貌呈粗糙的趨勢(shì)。占空比主要由兩個(gè)參數(shù)控制,即Ton和Toff或-Ton,正向脈沖占空比小,則意味著正向?qū)〞r(shí)間短,間歇或反向時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng),在間歇階段,陰極表面發(fā)生共沉積后所消耗的粒子可以得到補(bǔ)充,減弱了陰極表面的濃差極化,有利于晶核的形成,并抑制其生長(zhǎng)[27-28]。研究顯示,在這一階段可利用噴射的液流將堆積在陰極表面的硬質(zhì)顆粒沖回鍍液,為后續(xù)過(guò)程創(chuàng)造良好的環(huán)境。若在這一階段為反向脈沖,不僅可以發(fā)生粒子的補(bǔ)充以及對(duì)陰極表面的清理,也可以通過(guò)反向電壓發(fā)生共沉積的逆過(guò)程,將陰極表面包覆不牢固或突出的顆粒、晶粒等脫離,對(duì)陰極表面具有整平作用。但需注意,采用脈沖電沉積,針對(duì)不同的復(fù)合體系,對(duì)占空比的要求不盡相同,因此尚需在實(shí)驗(yàn)中加以分析確定。

    2.2脈沖電源對(duì)顆粒復(fù)合量的影響

    脈沖電沉積的原理雖然與直流電沉積相同,但其沉積過(guò)程,尤其是顆粒的復(fù)合過(guò)程卻與直流電沉積存在著一定的差別。它不僅是直流電沉積狀態(tài)下,硬質(zhì)顆粒在陰極表面短暫停留,從而被沉積的基質(zhì)金屬捕獲、包覆的過(guò)程,同時(shí)還存在脈沖間歇金屬停止沉積以及對(duì)顆粒的包覆、甚至反向脈沖發(fā)生的電沉積的逆過(guò)程而導(dǎo)致的金屬溶解和顆粒脫附的過(guò)程[6]。大量實(shí)驗(yàn)表明,脈沖電沉積過(guò)程中顆粒的復(fù)合受到脈沖電參數(shù)的影響。脈沖電流密度對(duì)顆粒復(fù)合量的影響與直流電流密度基本一致,當(dāng)電流密度過(guò)小時(shí),基質(zhì)金屬的沉積量不能滿足捕獲硬質(zhì)顆粒的需求,使硬質(zhì)顆粒被鍍液沖離陰極表面,不能完成有效的復(fù)合。但過(guò)大的電流密度,又意味著基質(zhì)金屬會(huì)以較快的速率沉積,而此時(shí)硬質(zhì)顆粒隨噴射的鍍液被源源不斷地輸送到陰極表面,造成基質(zhì)金屬離子不牢固的沉積在顆粒之間,共沉積的鍍層不能穩(wěn)定生長(zhǎng),同樣影響顆粒復(fù)合量的提高[29-31]。

    對(duì)于脈沖占空比的增加,鍍層中顆粒的含量逐漸下降,如圖3所示[23]。這是因?yàn)?,脈沖占空比的增加使基質(zhì)金屬的沉積速率降低,延長(zhǎng)了其包裹、掩埋硬質(zhì)顆粒的時(shí)間,使顆粒嵌入鍍層的難度增大,從而降低了顆粒的復(fù)合量。

    圖3 不同占空比下(Ni-W-P)-SiC復(fù)合鍍層的SiC復(fù)合量

    此外,當(dāng)脈沖的占空比一致時(shí),脈沖工作時(shí)間也對(duì)顆粒復(fù)合量有直接的影響,脈沖工作時(shí)間短,金屬的沉積量不足以使顆粒牢固鑲嵌到鍍層中,而較長(zhǎng)的工作時(shí)間則會(huì)導(dǎo)致金屬沉積量明顯升高,顆粒的共沉積量則相對(duì)減少,鍍層中顆粒復(fù)合量降低。并且過(guò)長(zhǎng)的脈沖工作時(shí)間也可能導(dǎo)致共沉積層不穩(wěn)定的結(jié)果[32]。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,有研究人員發(fā)現(xiàn)[33-34],適當(dāng)?shù)丶虞d反向脈沖對(duì)復(fù)合鍍層中顆粒含量具有一定的影響。首先,反向脈沖的加載使基質(zhì)金屬溶解,同時(shí),反向脈沖可以有效減少鍍層表面的毛刺,使復(fù)合鍍層更為平整均勻。對(duì)反向脈沖的作用也可以通過(guò)峰值脈沖電流、占空比以及工作時(shí)間三個(gè)參數(shù)加以分析。反向脈沖的加載過(guò)程是基質(zhì)金屬溶解的過(guò)程,金屬的溶解會(huì)造成硬質(zhì)顆粒的剝離,顆粒的剝離速率與基質(zhì)金屬的溶解速率的相對(duì)大小控制著復(fù)合鍍層最終的顆粒含量。因此,可通過(guò)調(diào)整反向脈沖的電參數(shù)提高陽(yáng)極的基質(zhì)金屬溶解速率來(lái)達(dá)到提高顆粒復(fù)合量的目的。與此同時(shí),反向脈沖對(duì)鍍層表面的整平作用不利于顆粒的停留,限制了顆粒的復(fù)合,應(yīng)對(duì)此加以控制。

    2.3脈沖電源對(duì)復(fù)合鍍層性能的影響

    大量研究表明,與直流復(fù)合電沉積相比,脈沖復(fù)合電沉積所制備的鍍層具有內(nèi)應(yīng)力低、硬度高、耐磨性和耐蝕性好的特點(diǎn),同時(shí)還表現(xiàn)出較好的抗高溫氧化性能。鍍層的內(nèi)應(yīng)力的產(chǎn)生主要有兩個(gè)方面的原因:一方面,在共沉積過(guò)程中,一部分能量以熱能的形式被儲(chǔ)存于鍍層之中。另一方面,由于固體顆粒的嵌入或析氫反應(yīng)導(dǎo)致晶粒歪曲,晶格發(fā)生畸變而使內(nèi)應(yīng)力上升。脈沖電流的加載,可使共沉積過(guò)程中的復(fù)合鍍層在脈沖間歇時(shí)段釋放存在的內(nèi)應(yīng)力,而反向電流則會(huì)使陰極表面由于析氫反應(yīng)所產(chǎn)生的氫氣氧化,進(jìn)而減弱由于析氫過(guò)程所產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力。脈沖電流還具有細(xì)化基質(zhì)金屬晶粒的作用,使晶粒與晶粒間、晶粒與硬質(zhì)顆粒間更加致密,減少晶格畸變的產(chǎn)生,降低內(nèi)應(yīng)力[35-36]。圖4為直流和脈沖兩種條件所制備Ni-SiC復(fù)合鍍層不同SiC顆粒含量下鍍層的宏觀殘余應(yīng)力??梢钥闯?,隨著鍍層中顆粒復(fù)合量的增加,復(fù)合鍍層宏觀殘余應(yīng)力隨之上升,但脈沖電流下鍍層應(yīng)力低于直流條件所制備鍍層[22]。

    圖4 直流與脈沖鍍層SiC粒子對(duì)宏觀殘余應(yīng)力的影響

    復(fù)合鍍層的硬度、耐磨性、耐蝕性以及抗高溫氧化性能都與鍍層的顆粒復(fù)合量、鍍層的致密度和均勻度等有關(guān)[37-41]。而根據(jù)上文中所述,脈沖的張弛作用可以起到細(xì)化晶粒、降低內(nèi)應(yīng)力的作用,有效的提高了復(fù)合鍍層的致密度和均勻度,同時(shí),脈沖電流還可以起到提高鍍層中顆粒復(fù)合量的作用,鍍層的這些變化都使其性能得到明顯的提升。圖5所示為直流與脈沖兩種條件下,Ni-SiC復(fù)合鍍層不同顆粒含量對(duì)硬度、摩擦系數(shù)及磨損率的影響。由圖5可以看出,隨著顆粒含量的增加,復(fù)合鍍層的硬度增大,摩擦系數(shù)降低,耐磨性增強(qiáng),同時(shí),脈沖條件下所制備的復(fù)合鍍層的硬度和耐磨性較直流條件更為優(yōu)異。

    圖5 直流與脈沖鍍層顆粒對(duì)硬度、摩擦系數(shù)及磨損率的影響

    合適的脈沖電參數(shù)可以提高沉積速率,使復(fù)合鍍層的厚度提高,有助于鍍層耐蝕性能的加強(qiáng)[38-40]。圖6為在直流電流與脈沖電流條件下制備的不同復(fù)合鍍層的腐蝕速率比較??梢钥闯?,不同復(fù)合鍍層的耐蝕性存在一定差異,而相同鍍層脈沖電流所制備試樣的耐蝕性均好于直流電流所制備試樣,脈沖電流提高了復(fù)合鍍層的耐蝕性能。

    圖6 直流與脈沖所制備不同復(fù)合鍍層的腐蝕速率對(duì)比

    為進(jìn)一步提高復(fù)合鍍層的性能,滿足某些領(lǐng)域的特殊需要,研究人員在單金屬/硬質(zhì)顆粒復(fù)合鍍層的基礎(chǔ)上,不斷的嘗試制備合金/硬質(zhì)顆粒復(fù)合鍍層,并取得了重大的突破。應(yīng)用于復(fù)合鍍層中的合金既有金屬與金屬組成的合金,也有金屬同非金屬的組合。研究表明[36],以合金作為基體,與硬質(zhì)顆粒復(fù)合而成的鍍層具有更為優(yōu)異的性能,但在共沉積過(guò)程中卻存在著諸多的問(wèn)題。除與單金屬?gòu)?fù)合鍍層的共沉積過(guò)程中所面臨的鍍層的致密性、均勻性、內(nèi)應(yīng)力及顆粒復(fù)合量等問(wèn)題,最為主要的是合金基體中各成分的含量以及分布。研究發(fā)現(xiàn),采用脈沖共沉積的方式所制備的金屬與金屬合金鍍層,比直流法所制備的鍍層,成分分布更加均勻,并且可通過(guò)脈沖的峰值電流控制各單金屬的含量。而金屬與非金屬的合金由于多數(shù)無(wú)機(jī)非金屬由主鹽中沉積出來(lái)需要更為復(fù)雜的環(huán)境和更加苛刻的條件,并且沉積速率較慢,沉積量較少,因而制備所需要的合金基體難度較大,但在共沉積過(guò)程中可通過(guò)加載脈沖電流,控制脈沖電參數(shù),降低金屬的沉積量,可以實(shí)現(xiàn)增加非金屬相對(duì)含量的目的。

    3 結(jié)語(yǔ)及展望

    隨著復(fù)合電沉積面臨的技術(shù)難題被逐漸地攻克,其應(yīng)用越來(lái)越廣泛,利用這一方法制備了多種具有特殊功能的復(fù)合鍍層,通過(guò)添加某些具有特定功能的添加劑來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)合鍍層性能的進(jìn)一步提升[42-46],例如整平劑、光亮劑等。也有研究人員在共沉積過(guò)程中加載超聲波技術(shù)[47-52],來(lái)提高復(fù)合鍍層的平整性。將脈沖電流取代直流電流應(yīng)用到電沉積制備復(fù)合鍍層的領(lǐng)域,可使所制備的復(fù)合鍍層組織形貌得到改善、性能得到提高。但脈沖電源復(fù)雜的電參數(shù)使得該技術(shù)的推廣和應(yīng)用受到限制,其各參數(shù)對(duì)復(fù)合電沉積的影響機(jī)理以及各電參數(shù)間的交互影響仍在研究之中。不難發(fā)現(xiàn),脈沖電流在電沉積過(guò)程中應(yīng)用相比直流電流具有顯著作用和突出優(yōu)勢(shì),因而應(yīng)將電沉積過(guò)程與脈沖參數(shù)結(jié)合起來(lái)進(jìn)行全面深入分析,若通過(guò)調(diào)整脈沖電參數(shù)調(diào)制出合適的脈沖電源來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)合電沉積鍍層組織結(jié)構(gòu)的完善和性能的優(yōu)化,不僅可以簡(jiǎn)化共沉積過(guò)程,還可以節(jié)約資源,為復(fù)合鍍層的制備和應(yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

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    Influences of Pulse Power Supply on Composite Coating Prepared by Electrodeposition

    WANG Meng1,TAN Jun1,2,WU Di1(1.Science and Technology on Remanufacturing Laboratory,Academy of Armored Force Engineering,Beijing 100072,China;2.Key Laboratory for Surface Engineering,Academy of Armored Force Engineering,Beijing 100072,China)

    As the pulse power supply began to replace DC power supply in the field of electrodeposition gradually,it was found that the combination of pulse power supply and composite electrodeposition could improve the organization structure of composite coating,and the coating performances were also improved obviously.In the pulse composite electrodeposition,the pulse duty ratio and pulse peak current density were the two important technical parameters.In this paper,the influences of pulse duty ratio and pulse peak current density on the pulse electroposition composite coating were analyzed and summarized,thereby,better reference was provided to the research and application of the pulse composite electrodeposition.

    pulse power;electrodeposition;composite coating

    TQ153.2

    A

    10.3969/j.issn.1001-3849.2016.06.005

    2015-12-17

    2016-02-17

    武器裝備預(yù)研基金項(xiàng)目(9140C850202100C85)

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