科技期刊國際化視野下英文摘要分析
——以 Journal of Sem iconductors為例

■周 強(qiáng) 侯集體 張立春

1）魯東大學(xué)外國語學(xué)院，山東省煙臺(tái)市芝罘區(qū)紅旗中路186號(hào) 264025

2）魯東大學(xué)校報(bào)編輯部，山東省煙臺(tái)市芝罘區(qū)紅旗中路186號(hào) 264025

3）魯東大學(xué)物理與光電工程學(xué)院，山東省煙臺(tái)市芝罘區(qū)紅旗中路186號(hào) 264025

4）中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 100083

1 引言

工程索引（EI）創(chuàng)辦于1884年，是目前科技界公認(rèn)的三大檢索工具之一。為了維護(hù)EI數(shù)據(jù)庫的權(quán)威性并將其打造成世界上最知名的“工程科技信息”數(shù)據(jù)庫，EI不斷改進(jìn)遴選規(guī)則。自2014年開始，EI檢索目錄由原來的一年一更新變?yōu)閯?dòng)態(tài)更新，幾乎每個(gè)月都要?jiǎng)h除部分出版文獻(xiàn)質(zhì)量低、與EI收錄標(biāo)準(zhǔn)差距大的期刊，并補(bǔ)充增加一些新期刊作為數(shù)據(jù)源。截止到2016年2月，30種中國科技期刊被 EI取消收錄，這其中包括 Journal of Semiconductors、Chinese Journal of Electronics等國內(nèi)工程領(lǐng)域核心英文科技期刊［1］。

EI收錄評(píng)定制度嚴(yán)格、科學(xué)。文章的學(xué)術(shù)水平和創(chuàng)新性是決定出版刊物是否入選的首要條件。為此，EI數(shù)據(jù)庫規(guī)定了兩個(gè)基本遴選標(biāo)準(zhǔn)，即最低標(biāo)準(zhǔn)（minimum criteria）和數(shù)量質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（quantitative and qualitative selection criteria）［2］。 其中，最低標(biāo)準(zhǔn)用來評(píng)定出版物是否合格，而數(shù)量質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)用來定期審核出版物。然而，即使評(píng)估審查的出版物滿足上述標(biāo)準(zhǔn)，最終也不一定能入選。EI還考量一些其他因素（Engineering Publications&Content： A Checklist for Successful Inclusion），共 13條［2］。綜觀EI數(shù)據(jù)庫遴選標(biāo)準(zhǔn)，英文摘要（English abstract）在上述三項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)中均被提及。特別是Engineering Publications&Content在第2條中明確指出，“工程出版物中所有的工程類研究文章必須有英文標(biāo)題及英文摘要，但文章全文的語言不限：a）需提供信息詳實(shí)而非只是表述性的摘要；b）摘要需清晰明了”［2］。EI屬于文摘性的數(shù)據(jù)庫，一般只收錄摘要、題目和關(guān)鍵詞，而不收錄全文。因此，作為EI遴選標(biāo)準(zhǔn)的一項(xiàng)重要指標(biāo)，英文摘要的學(xué)術(shù)及表述質(zhì)量直接關(guān)系到論文是否能進(jìn)入EI收錄［3-4］。然而，由于專業(yè)、教育背景和知識(shí)結(jié)構(gòu)等因素的限制，中國科技期刊編輯、出版的英文摘要可能有悖于EI評(píng)審專家和論文讀者的表述習(xí)慣，這在一定程度上會(huì)影響讀者的理解，進(jìn)而影響到EI的收錄評(píng)定結(jié)果。英文摘要是否準(zhǔn)確、規(guī)范直接影響到國內(nèi)期刊在國外數(shù)據(jù)庫的收錄率和索引率，影響到國內(nèi)期刊的國際傳播效果［5］。

作為學(xué)術(shù)論文的重要組成部分，英文摘要已經(jīng)引起了國內(nèi)外眾多學(xué)者的關(guān)注。許多中外學(xué)者對(duì)其展開了跨學(xué)科、跨語言的多維研究，成果豐碩。有的學(xué)者關(guān)注如何撰寫高效、規(guī)范的摘要，對(duì)其進(jìn)行詳盡的描述［6-12］；有些學(xué)者關(guān)注某一語類的摘要特點(diǎn)，運(yùn)用對(duì)比分析的方法，分析國內(nèi)外英文摘要所呈現(xiàn)的不同特點(diǎn)，如體育類［13］、醫(yī)學(xué)類［14］、航空航天類［15］、交通類［16］、農(nóng)業(yè)類［17］、光學(xué)類［5］等等。盡管不同學(xué)科、專業(yè)對(duì)于論文摘要的撰寫標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范要求不盡相同，但在某些方面已達(dá)成共識(shí)，如（1）英文摘要應(yīng)表述準(zhǔn)確、條理清晰，通常包含引言、方法、結(jié)果、結(jié)論四個(gè)部分；（2）提倡使用第一人稱撰寫摘要；（3）盡量用主動(dòng)語態(tài)代替被動(dòng)語態(tài)；（4）用過去時(shí)態(tài)敘述作者工作，用現(xiàn)在時(shí)態(tài)敘述作者所得到的結(jié)論等［18-21］。學(xué)界的研究結(jié)果對(duì)于國內(nèi)作者撰寫論文摘要提供了有益指導(dǎo)，有利于他們提高英文摘要質(zhì)量。然而，前人的研究主要集中在摘要所存在問題的發(fā)現(xiàn)與描述，對(duì)于問題產(chǎn)生的原因與改進(jìn)措施鮮有提及。因此，本文從30種EI取消收錄的中國科技期刊中選取Journal of Semiconductors，從語步結(jié)構(gòu)、第一人稱代詞we、語態(tài)、時(shí)態(tài)、拼寫及語法錯(cuò)誤五個(gè)方面，統(tǒng)計(jì)分析該期刊2015年期間發(fā)表的337篇論文英文摘要，如實(shí)呈現(xiàn)該期刊英文摘要的寫作狀況，分析論文摘要規(guī)范性問題產(chǎn)生的原因并提出相應(yīng)的改進(jìn)措施，旨在科技期刊國際化視野下，從英文摘要撰寫這一角度，為 Journal of Semiconductors等國內(nèi)期刊重返EI數(shù)據(jù)庫，提高該類期刊的國際競(jìng)爭(zhēng)力提供一定參考。

2 語料來源和研究方法

本文從EI取消收錄的30種中國科技期刊名單中選取Journal of Semiconductors。該期刊由中國電子學(xué)會(huì)和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦，涵蓋物理和信息兩個(gè)學(xué)科，主要報(bào)道半導(dǎo)體物理學(xué)、半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和相關(guān)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進(jìn)展，是國內(nèi)工程領(lǐng)域內(nèi)為數(shù)不多的全英文期刊，也是國內(nèi)科技核心期刊中較早進(jìn)入EI數(shù)據(jù)庫的國際化期刊。被 EI取消收錄以后，Journal of Semiconductors編輯部痛定思痛，出臺(tái)了系列整改措施。因此，本文選取該期刊為研究對(duì)象，以期在英文表述方面為其重返EI數(shù)據(jù)庫提供相關(guān)建議。為保證研究結(jié)果的客觀、準(zhǔn)確，所選摘要來源于2015年1月至12月期間發(fā)表的所有論文，共計(jì)337篇。從語步結(jié)構(gòu)、人稱代詞、語態(tài)、時(shí)態(tài)、拼寫及語法錯(cuò)誤五個(gè)方面考察語料，將其與EI收錄標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行對(duì)比，分析摘要是否符合規(guī)范。

3 結(jié)果與討論

3.1 語步結(jié)構(gòu)

統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)（見表1），在Journal of Semiconductors的337篇摘要中，摘要字?jǐn)?shù)多于150字的有106篇（31.45%），字?jǐn)?shù)少于100字的有47篇（13.95%）。誠然，EI收錄標(biāo)準(zhǔn)并未對(duì)摘要字?jǐn)?shù)有明確的限制，只要求簡(jiǎn)潔、精煉地將作者的研究意義、方法、條件、主要結(jié)論表述清楚。然而，許多學(xué)者，如于建平［18］、馬健［20］、金丹等［21］認(rèn)為，摘要字?jǐn)?shù)為 100-150比較適合EI檢索。摘要字?jǐn)?shù)過多容易導(dǎo)致語步結(jié)構(gòu)重復(fù)，重點(diǎn)不夠突出；字?jǐn)?shù)過少會(huì)影響語步結(jié)構(gòu)的完整性，導(dǎo)致信息量不足。

表1 Journal of Semiconductors每期文章數(shù)及英文摘要字?jǐn)?shù)統(tǒng)計(jì)

以長(zhǎng)度300字與46字的兩篇論文摘要為例，對(duì)其進(jìn)行語步分析，用 M 1、M 2、M 3、M 4、M 5 進(jìn)行標(biāo)注，查看其語步是否符合EI收錄要求。因?yàn)樗占恼撐恼饕菍?shí)證性學(xué)術(shù)論文摘要，采用Santos提出的五語步模式：背景語步（M 1）通過回顧研究背景或者主題，指出前期研究不足，激發(fā)讀者對(duì)現(xiàn)有研究產(chǎn)生興趣；引言語步（M 2）通過描述研究重點(diǎn)或者闡明研究目的，介紹現(xiàn)有研究；方法語步（M 3）描述相關(guān)研究設(shè)計(jì)；結(jié)果語步（M 4）主要陳述研究發(fā)現(xiàn)；結(jié)論語步（M 5）通過總結(jié)或者指明應(yīng)用前景，點(diǎn)明研究的重要性［8］。

例1 To strengthen the device performance w ith the pattern wafer by enhancing the Cu polishing rate and improve the surface roughnessw ith the Cu lines，a new weakly alkaline chelating agent w ith a barrier slurry is developed to meet the process demand of the advanced barrier chemical mechanical planarization（CMP） ［M 2］.This new chelating agent has a stronger chelating ability and a lower pH value than the previous generation-FA/O I chelating agent researched before［M 1］.W ithoutan unstable oxidant agent added in the polishing slurry，it is difficult to enhance the copper polishing rate during the barrier CMP［M 1］.The stronger chelating ability of the new chelating agent could increase the copper polishing rate along w ith controlling the Cu/Ta/TEOS removal rate selectivity to meet the requirements of the IC fabrication process［M 1］.Thus it has solved the problem of excessive roughness due to the lower polishing rate，avoiding reducing the device performance w ith the pattern wafer［M 1］.The new chelating agentw ith its lower pH value could make it possible to protect the low-k dielectric under the barrier layer from structurally breaking ［M 2］.The CMP experiment was performed on the 12 inch M IT 854 pattern wafers w ith the barrier slurry containing the new weakly alkaline chelating agent［M 3］.By the DOE optimization，the results indicate that as the new chelating agent concentration in the slurry was up to 2.5 m L/L，the copper polishing rate is about 31.082 nm/min ［M 4］.Meanwhile， the wafer surface has a rather low roughness value of 0.693 nm（10 ×10μm），the correction ability w ith the above slurry is adapted to the next generation barrier CMP and the k value of the low-k dielectric seems to have no k-shift［M 4］.All the results presented show that the new weakly alkaline chelating agent w ith its superior performance can be used for the advanced barrier CMP［M 5］.

例2 We investigate the quantum-mechanical effects on the electrical properties of the double-gate junction-less field effect transistors［M 2］.The quantum-mechanical effect，or carrier energyquantization effects on the threshold voltage，of DGJLFET are analytically modeled and incorporated in the Duarte et al.model and then verified by TCAD simulation ［M 3］.

上述兩個(gè)例子可以看出，例 1（［M 2］［M 1］［M 1］［M 1］［M 1］［M 2］［M 3］［M 4］［M 4］［M 5］）雖然包含了5個(gè)語步，結(jié)構(gòu)完整，卻出現(xiàn)了語步重復(fù)結(jié)構(gòu)，M 1出現(xiàn)了4次，導(dǎo)致背景信息過多，重點(diǎn)不夠突出。在摘要語步結(jié)構(gòu)中，背景語步（M 1）不是必選語步，應(yīng)盡量減少甚至不要介紹背景信息，研究背景應(yīng)該在文章引言部分進(jìn)行闡述，力求摘要簡(jiǎn)練，只包含新信息，重點(diǎn)介紹論文“目的”（M 2）、主要研究“過程”及所采用的“方法”（M 3），由此得到的主要“結(jié)果”和得出的重要“結(jié)論”（M 4）。如有可能，還應(yīng)盡量提一句論文結(jié)果和結(jié)論的應(yīng)用范圍和應(yīng)用情況（M 5）［5，20］。 例 2（［M 2］［M 3］）僅包含了引言與方法兩個(gè)語步，但對(duì)于EI專家與讀者至關(guān)重要的結(jié)果與結(jié)論（M 4）卻未提及。從語步結(jié)構(gòu)這一角度來看，這兩篇摘要不符合EI收錄標(biāo)準(zhǔn)。

3.2 第一人稱代詞

表2 Journal of Semiconductors英文摘要第一人稱代詞we的使用情況

統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)（見表2），在337篇摘要中，國內(nèi)作者共撰寫256篇，國外作者共撰寫75篇，國內(nèi)外作者共同撰寫了6篇。我們對(duì)國內(nèi)外作者撰寫的摘要中出現(xiàn)的第一人稱代詞（we）進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)，結(jié)果顯示：在第一人稱代詞使用方面存在著顯著的差異。we在78篇文章中共出現(xiàn)了103次，其中國外作者撰寫的摘要為37篇（49.33%），國內(nèi)作者撰寫的摘要為39篇（15.23%）。這一研究結(jié)果表明中國作者在撰寫英文摘要時(shí)第一人稱代詞（we）使用嚴(yán)重不足，與在其他專業(yè)領(lǐng)域展開的中外對(duì)比研究結(jié)果相一致，如生物學(xué)［22-23］、通信類［24］、航天類［15］、光學(xué)類［5］。其實(shí)，20世紀(jì)70年代以后，國際期刊開始倡導(dǎo)使用第一人稱進(jìn)行寫作［15］，使用第一人稱代詞 we和conclude、suggest、argue、show這樣的主動(dòng)動(dòng)詞搭配在科學(xué)界是正常的、得體的，既可用于論文開頭，描述如何發(fā)現(xiàn)了問題，又可用于論文結(jié)尾，描述如何解決了問題［25］。EI的寫作要求中也多次提倡使用第一人稱we，以拉近作者和讀者之間的距離，使他們更容易產(chǎn)生共鳴，使表達(dá)更加簡(jiǎn)潔清晰，文章更具可讀性［5］。

3.3 語態(tài)

語態(tài)部分統(tǒng)計(jì)了337篇摘要中，在字?jǐn)?shù)方面適合EI檢索要求的184篇摘要，共計(jì)1389句，其中主動(dòng)語態(tài) 761句（54.79%），被動(dòng)語態(tài) 628句（45.21%）。這一結(jié)果表明，科研工作者依賴被動(dòng)語態(tài)，其思維意識(shí)仍局限在被動(dòng)語態(tài)是學(xué)術(shù)語體的顯著特征之一，以突顯出其客觀、公正的科研態(tài)度。然而，被動(dòng)語態(tài)泛濫，不符合學(xué)術(shù)界所要求的簡(jiǎn)潔明了的寫作風(fēng)格，影響摘要的可讀性，更不能體現(xiàn)作者的主動(dòng)參與意識(shí)。

在628句被動(dòng)語句中，其中有303句（48.25%）描述研究設(shè)計(jì)與步驟（M 3），172句（27.39%）表述研究結(jié)果與發(fā)現(xiàn)（M 4），120句（19.11%）介紹現(xiàn)有研究（M 2），21 句（3.34%）展望研究前景（M 5），12句（1.91%）回顧研究背景（M 1）。統(tǒng)計(jì)表明，M 3明顯高于其他語步，M 1、M 5語步最少。這一研究結(jié)論也與先前的研究結(jié)果相一致［5，26］。

表3 Journal of Sem iconductors英文摘要主動(dòng)語態(tài)與被動(dòng)語態(tài)的使用情況

3.4 時(shí)態(tài)

時(shí)態(tài)部分的語料與語態(tài)部分的語料一致，僅統(tǒng)計(jì)字?jǐn)?shù)100～150的摘要。統(tǒng)計(jì)結(jié)果發(fā)現(xiàn)：184篇摘要運(yùn)用了四種時(shí)態(tài)：一般現(xiàn)在時(shí)、一般過去時(shí)、現(xiàn)在完成時(shí)與一般將來時(shí)。一般現(xiàn)在時(shí)1097句（78.98%），一般過去時(shí)210句（15.12%），現(xiàn)在完成時(shí)73句（5.26%），一般將來時(shí)9句（0.65%）。其中，整篇摘要全部采用一般現(xiàn)在時(shí)的共計(jì)79篇，1篇摘要通篇采用一般過去時(shí)。由此可見，該期刊摘要的撰寫過于依賴一般現(xiàn)在時(shí)，而忽略了EI關(guān)于時(shí)態(tài)的收錄要求，即用過去時(shí)態(tài)敘述作者工作，用現(xiàn)在時(shí)態(tài)敘述作者所得到的結(jié)論。作者應(yīng)根據(jù)表達(dá)內(nèi)容的需要，靈活選用不同時(shí)態(tài)，以達(dá)到更準(zhǔn)確的表達(dá)效果。

表4 Journal of Semiconductors英文摘要時(shí)態(tài)分布情況

除了過度使用一般現(xiàn)在時(shí)之外，筆者在分析語料時(shí)還發(fā)現(xiàn)了時(shí)態(tài)運(yùn)用不夠恰當(dāng)這一問題。如主句使用過去時(shí)態(tài)，而從句卻運(yùn)用現(xiàn)在時(shí)態(tài)。在英語復(fù)合句中，主句中動(dòng)詞為過去時(shí)，從句中的動(dòng)詞就常要受到影響，需用過去時(shí)態(tài)，除非從句表述的是客觀真理、諺語、格言，無論主句是何種時(shí)態(tài)，從句都可使用一般現(xiàn)在時(shí)［27］。

例3 Results revealed that the interface treatment significantly enhances the photovoltaic performance of the cell.

例4 Itwas found that the optimum thickness of the GaN buffer layer on the NPSS is15 nm，which is thinner than that on m icro-patterned sapphire substrates（MPSS）.

例5 An interesting phenomenon was observed for GaN film grown on NPSS：GaN mainly grows on the trench regions and little grows on the sidewalls of the patterns at the initial grow th stage，which is dramatically different from GaN grown on MPSS.

上述三個(gè)例子都用于表述研究結(jié)果或者發(fā)現(xiàn)（M 4），從句運(yùn)用一般現(xiàn)在時(shí)，會(huì)給讀者留下作者過于主觀的印象。因?yàn)槟骋粏为?dú)的科學(xué)實(shí)驗(yàn)只能提供科學(xué)事實(shí)，而由事實(shí)上升到客觀真理，卻還需要經(jīng)過相當(dāng)復(fù)雜、繁瑣的認(rèn)知和實(shí)踐過程。

3.5 拼寫及語法錯(cuò)誤

在分析語料過程中，筆者還發(fā)現(xiàn)該期刊的英文摘要在拼寫、語法等方面存在錯(cuò)誤。這些問題的存在也會(huì)影響摘要的質(zhì)量和規(guī)范程度。

（1）單詞拼寫、重復(fù)及漏詞錯(cuò)誤。如，第1期中，…… implies a good route to discuses the density of……，discuss的拼寫。第3期中，The impedances and capacitance sensitivities of the of the samples deposited under high gravity condition are 6.1 times and 1.6 times higher than the films deposited under low gravity condition.…… of the of the samples……中 of the的重復(fù)。第 11期中，The results suggest that the radiation induced damage of sub-100 nm MOS devices caused by heavy ion irradiation should be paid attention.be paid attention to sth.屬于固定搭配，漏掉了介詞to。

（2）主句缺少主語與謂語動(dòng)詞。如，第3期中，Since junctionless tunnel FET is an alternative substitute device for ultra scaled deep-subm icron CMOS technology，having very good device characteristics such as an improved subthreshold slope（＜60 mV/decade at 300 K）and very small static leakage currents.

（3）時(shí)態(tài)混亂。如，第 4期中，An interesting phenomenon was observed for GaN film grown on NPSS：GaN mainly grows on the trench regions and little grows on the sidewalls of the patterns at the initial grow th stage，which is dramatically different from GaN grown on MPSS.除了時(shí)態(tài)混亂以外，還違反了簡(jiǎn)單句中只可以有一個(gè)謂語動(dòng)詞的原則。第7期中，This paper extracts power performances of different devicemodels from differentquiescent biases of pulsed current-voltage（I-V） measurements and compared them in order to determine themost suitable devicemodel for CW and pulse RFmicrowave power amplifier design.and屬于并列連詞，連接的兩個(gè)動(dòng)詞應(yīng)使用同一時(shí)態(tài)。

（4）缺少連接詞。如，第6期中，Measurements indicate that these techniques are effective，the SRAM can operate at800 kHz and consume 1.94μW at its lowest voltage（320 mV）.that從句中缺少連接詞。第8期中，This kind of half-metal property means a selectivity for the two different electrons，it can be applied to spintronics devices.兩句之間缺少連接詞。An LNA for rejecting image signal，an inductorcapacitor（LC） tankis used in series w ith source of input-stage transistor of the RFm ixer，……。 兩個(gè)名詞短語缺少連接詞，應(yīng)該為As an LNA for rejecting image signal……。第 10期中，Meanwhile，the machining process of this high-efficiency cooling mini-channel heat-skin structure is simple and the cost is relatively low，it also has advantages in terms of high durability and long lifetime.缺少連接詞。

由此可見，Journal of Semiconductors在2015年1月-12月期間發(fā)表的論文英文摘要規(guī)范度不夠，在一定程度上會(huì)影響到論文摘要的總體質(zhì)量，必須引起學(xué)界重視。

3.6 討論

上述問題存在的主要原因在于：第一，作者受母語寫作習(xí)慣與英文表達(dá)水平的限制，無法靈活運(yùn)用嵌入式、復(fù)合句、連接詞、修飾語等合并、融合語步信息，同時(shí)也未意識(shí)到國際學(xué)術(shù)界近幾十年來推崇簡(jiǎn)潔明了的寫作風(fēng)格，導(dǎo)致語步結(jié)構(gòu)重復(fù)，重點(diǎn)不夠突出；第二，由于文化與教育背景差異，作者和編審們深受傳統(tǒng)學(xué)術(shù)語篇文體特征的影響，即盡量避免使用第一人稱代詞和主動(dòng)語態(tài)，以凸顯其科學(xué)性和客觀性，減少主觀性。中國許多科技期刊在摘要寫作方面也都有此要求，造成了摘要第一人稱代詞使用不足，被動(dòng)語態(tài)運(yùn)用過多等問題，一定程度上影響摘要的可讀性。

上述問題需要多方面的關(guān)注與合作才能得以解決。首先，期刊編輯部需要轉(zhuǎn)變思想觀念，及時(shí)關(guān)注國際學(xué)術(shù)語體特征的變化，跟上國際期刊發(fā)展的新動(dòng)態(tài)，其所發(fā)布的寫作要求應(yīng)符合國際學(xué)界規(guī)范，以期在摘要表達(dá)方面更快、更好地與國際接軌；其次，作者不僅需要加強(qiáng)語法知識(shí)的學(xué)習(xí)，使摘要表達(dá)語法上正確，更需摒棄中文表達(dá)習(xí)慣與思維模式，使其英文表達(dá)符合EI專家與讀者的表述習(xí)慣。

4 結(jié)語

誠然，一種期刊最終能否被EI收錄取決于多種因素，如論文的學(xué)術(shù)價(jià)值、研究結(jié)果的創(chuàng)新性、規(guī)范程度等等。但是英文摘要如果不符合EI專家和讀者的表述習(xí)慣，那么，其評(píng)估結(jié)果、轉(zhuǎn)引率等在一定程度上會(huì)受到影響。本文在科技期刊國際化背景下，從英文摘要的撰寫及其規(guī)范這一角度出發(fā)，對(duì)Journal of Semiconductors的英文摘要進(jìn)行分析，希望能對(duì)編輯部的編審工作和論文作者有一定的啟示，為提升我國科技期刊國際影響力，提高我國在國際科技期刊領(lǐng)域的話語權(quán)盡微薄之力。

［1］2016年2月份已經(jīng)被 EI踢出的中文期刊名單［EB/OL］.［2016-03-01］.http：//www.scimao.com/read/2862298.

［2］EICompendex內(nèi)容要求和選擇標(biāo)準(zhǔn)［EB/OL］.［2016-03-02］.http：//www.scimao.com/read/2866029.

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