何錦華,符義兵,梁 超,劉 凱,滕曉明
(江蘇博睿光電有限公司,江蘇 南京 241000)
白光LED作為一種高效、節(jié)能的綠色環(huán)保型光源,已廣泛應(yīng)用于室外照明、液晶背光、儀表指示等多個(gè)領(lǐng)域。目前,市場(chǎng)上主流的熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED(pc-LED)主要是以GaN藍(lán)光芯片激發(fā)發(fā)射黃光的YAG熒光粉獲得白光。雖然該類LED具有較高的發(fā)光效率,但其在顯色指數(shù)(Ra)指標(biāo)上的不足,阻礙了其在普通照明領(lǐng)域(Ra>80)的應(yīng)用和推廣[1-2]。近年來(lái),隨著硅基氮化物紅色熒光粉的推出,GaN藍(lán)光芯片搭配YAG黃綠色熒光粉((Lu,Y)3(Al,Ga)5O12∶Ce3+)和氮化物紅色熒光粉的白光LED顯色指數(shù)可以達(dá)到80以上,滿足了白光LED進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的基本要求[3-6]。硅基氮化物紅色熒光粉有Sr2Si5N8∶Eu2+和(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+兩種結(jié)構(gòu)形式,(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉在熱猝滅及物化穩(wěn)定性方面較Sr2Si5N8∶Eu2+紅色熒光粉更加優(yōu)異[7-9],已經(jīng)成為高性能高顯色白光LED的優(yōu)選紅色熒光粉。但是相對(duì)于制備工藝已非常成熟且性能也很穩(wěn)定的鋁酸鹽黃綠色熒光粉,(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉在熱性能和長(zhǎng)期使用性能等方面還有一定差距,導(dǎo)致二者配合制成的白光LED在點(diǎn)亮一段時(shí)間后,光衰和色標(biāo)漂移較大,影響了白光LED的品質(zhì)。
本文在(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉的基礎(chǔ)上,微量摻入了堿土金屬離子和稀土金屬離子,研究它們對(duì)(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉發(fā)光性能和熱穩(wěn)定性能的影響,并將制備的紅色熒光粉制成LED器件,通過LED老化數(shù)據(jù)對(duì)比測(cè)試微量元素?fù)诫s對(duì)紅色熒光粉長(zhǎng)期使用性能的改善。
(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+和Li+-Dy3+、Li+-Ho3+摻雜的(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+樣品通過高溫固相法制備。按化學(xué)計(jì)量比準(zhǔn)確稱量Sr3N2、Ca3N2、AlN、Si3N4、LiF、EuN、DyF3以及HoF3等高純?cè)?,Li+、Dy3+(Ho3+)的摻雜摩爾分?jǐn)?shù)都為0.1%。在Ar2氣氛保護(hù)的手套箱中將上述原料混和均勻后放入鉬坩堝中,之后將坩堝加蓋放入N2(98%)+H2(2%)保護(hù)的高溫碳管爐中,于1 600℃保溫20 h,將出爐后的粉塊粉碎、洗滌并過篩,即得紅色熒光粉樣品。
熒光粉的X射線衍射圖譜采用XRD-6000型X射線衍射儀測(cè)試,熒光粉的激發(fā)、發(fā)射光譜以及熱猝滅曲線使用杭州遠(yuǎn)方EX-1000光譜和熱猝滅測(cè)試儀測(cè)量,SEM圖像使用KYKY-EM3200型掃描電鏡觀測(cè),WLED封裝及老化采用中為WLED封裝-老化測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試。樣品的粒徑分布采用歐美克POP-6型激光粒度儀測(cè)量,樣品的中心粒徑(D50)為11~12μm,粒度分布系數(shù)(D90-D10)/D50<1.2。
無(wú)摻雜、Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜(Sr0.9,Ca0.1)-AlSiN3∶Eu2+的XRD圖譜如圖1所示。沒有進(jìn)行摻雜的樣品雖然主相是(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+,但在27°以及52°左右有兩處雜峰,通過比對(duì)PDF標(biāo)準(zhǔn)卡片得知,它們可能來(lái)自AlN3或Sr2Si5N8雜相,由于很微弱,所以雜相含量較少。在Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜樣品的XRD圖譜中,并沒有上述雜峰出現(xiàn),說明合成的Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜的紅粉樣品為(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+純相。純相的獲得可能是因?yàn)槲覀冊(cè)诤铣蛇@兩種樣品時(shí)添加的是LiF和DyF3(HoF3),氟化物原料的加入可以起到助熔劑的作用,使得合成的樣品結(jié)晶性能更好、物相也更為純凈。
圖1 無(wú)摻雜、Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+的XRD圖。Fig.1 XRD patterns of undoped,Li+-Dy3+and Li+-Ho3+doped(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+.
3種樣品的掃描電鏡圖(SEM)如圖2所示,可以看出,Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜樣品的顆粒分布較沒有摻雜樣品更加均勻,顆粒表面也更加光滑,說明Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜樣品的顆粒結(jié)晶性更好,這也驗(yàn)證了XRD的測(cè)試結(jié)果。
圖2 無(wú)摻雜(a)、Li+-Dy3+(b)及Li+-Ho3+(c)摻雜紅粉樣品的SEM圖。Fig.2 SEM images of undoped(a),Li+-Dy3+doped(b)and Li+-Ho3+doped(c)red phosphors.
圖3 無(wú)摻雜、Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜紅粉樣品的激發(fā)(a)和發(fā)射(b)光譜。Fig.3 Excitation(a)and emission(b)spectra of undoped,Li+-Dy3+doped and Li+-Ho3+doped red phosphors.
圖3為3種樣品的激發(fā)和發(fā)射光譜。如激發(fā)光譜可見,Li+-Dy3+摻雜的紅粉在440 nm附近的激發(fā)強(qiáng)度略有上升,除此以外,3種樣品在450~570 nm波段區(qū)域內(nèi)的激發(fā)峰幾乎完全重合,說明Li+-Dy3+及Li+-Ho3+的微量摻雜沒有明顯改變(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉的激發(fā)光譜。從3種樣品的發(fā)射光譜可以看出,3個(gè)樣品的發(fā)射峰中心都位于630 nm,色坐標(biāo)也基本一致,說明摻雜沒有明顯改變(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉的發(fā)射波長(zhǎng)和發(fā)光強(qiáng)度。圖4是無(wú)摻雜、Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉的發(fā)光強(qiáng)度隨加熱溫度變化的曲線(熱猝滅曲線)。在測(cè)試中,我們將裝樣品的托盤加熱到指定溫度并保持5 min后測(cè)試其發(fā)射光譜,然后對(duì)發(fā)射光譜進(jìn)行積分,取發(fā)射光譜覆蓋的積分面積作為樣品在該溫度下的發(fā)光強(qiáng)度。如圖可見,沒有摻雜的(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉樣品加熱到180℃后的發(fā)射強(qiáng)度為室溫下的81%,而Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜樣品加熱到180℃后的發(fā)射強(qiáng)度分別為室溫下的90%和88%。作為對(duì)比,我們同時(shí)列出了進(jìn)口商業(yè)紅粉(發(fā)射峰波長(zhǎng)630 nm,色坐標(biāo):x=0.650,y=0.343)的熱猝滅曲線,該紅粉樣品加熱到180℃后的發(fā)射強(qiáng)度為室溫下的84%??梢钥闯?,經(jīng)過Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜后,紅粉的熱猝滅效應(yīng)明顯改善,并優(yōu)于進(jìn)口紅粉樣品。
在(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉中,Eu2+主要替代的是Sr2+的格位,因?yàn)槎呔哂邢嘟碾x子半徑,但也會(huì)有部分Eu2+替代Ca2+的格位,而Eu2+的離子半徑(0.117 nm)大于Ca2+(0.099 nm),如果Eu2+取代了Ca2+的格位將會(huì)造成一定的晶格畸變,同時(shí)導(dǎo)致離子間的結(jié)合力減弱。而摻雜少量的Dy3+(離子半徑0.091 nm)或Ho3+(離子半徑0.091 nm)則有利于平衡Eu2+取代Ca2+造成的晶格畸變,增強(qiáng)離子間的結(jié)合力。同時(shí)摻雜少量的Li+(離子半徑0.068 nm),目的是補(bǔ)償Dy3+(Ho3+)取代Ca2+而引起的電荷不平衡,從而使得(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉的晶格結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定,紅粉的熱猝滅性能也更好。
圖4 無(wú)摻雜、Li+-Ho3+、Li+-Dy3+摻雜紅粉樣品以及進(jìn)口紅粉的熱猝滅曲線。Fig.4 Thermal quenching graphs of undoped,Li-Ho doped,Li-Dy doped samples,and the imported red phosphor,respectively.
在工作時(shí),GaN芯片和熒光粉處于一定的環(huán)境溫度中,功率越大則環(huán)境溫度就越高。特別對(duì)于現(xiàn)在應(yīng)用越來(lái)越廣泛的板上芯片封裝(Chip on board,COB)形式,在散熱不佳的情況下,芯片和熒光粉所處的環(huán)境溫度可能高達(dá)100℃以上。在如此高的溫度下,熒光粉的熱猝滅效應(yīng)好壞將直接影響白光LED的出光效率。我們將上述4種熒光粉采用COB形式封裝,完成后測(cè)試LED的瞬時(shí)光通量以及熱平衡1 min后的光通量,結(jié)果如表1所示。Li+-Ho3+、Li+-Dy3+摻雜的紅粉樣品在點(diǎn)亮熱平衡1 min后的光通量明顯高于無(wú)摻雜紅粉,并達(dá)到或高于進(jìn)口紅粉樣品,該結(jié)果和熱猝滅結(jié)果一致,說明紅粉的熱猝滅性能對(duì)白光LED的發(fā)光效率以及熱穩(wěn)定性都產(chǎn)生了重要的影響,熱猝滅效果好的紅粉可以封裝成更高品質(zhì)的LED器件。
白光LED燈具雖然具有較長(zhǎng)的使用壽命(最高可達(dá)50 000~100 000 h),但白光LED在使用過程中也會(huì)逐漸老化,表現(xiàn)為L(zhǎng)ED的光通量隨著使用時(shí)間的延長(zhǎng)而不斷衰減,同時(shí)伴隨著色坐標(biāo)不斷偏離初始值,最終較大的光衰減和色漂移導(dǎo)致LED的亮度和發(fā)光顏色變化明顯,降低了LED的品質(zhì)和使用壽命。由于GaN芯片制備技術(shù)的不斷進(jìn)步,由GaN芯片的發(fā)光衰減和色漂移導(dǎo)致的白光LED老化效應(yīng)近年來(lái)已得到了很大的改善,所以白光LED的老化性能在很大程度上取決于熒光粉的長(zhǎng)期使用性能。
我們將無(wú)摻雜(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉、Li+-Ho3+摻雜紅粉、Li+-Dy3+摻雜紅粉以及進(jìn)口紅粉進(jìn)行了COB形式LED封裝,封裝后點(diǎn)亮一個(gè)月并于不同時(shí)期測(cè)試LED的光通量及色坐標(biāo)變化,通過比較LED的老化效果來(lái)表征紅粉的長(zhǎng)期使用性能。封裝所用支架形式為8W-COB,芯片波段為455~457.5 nm,LED色坐標(biāo)為(0.520,0.290)。每種紅粉封裝5組LED,測(cè)試結(jié)果取5組LED的平均值。LED點(diǎn)亮老化時(shí)置于溫度80℃、濕度80%的密閉環(huán)境中。所得結(jié)果如表2所示。從表中數(shù)據(jù)可以看出,Li+-Dy3+摻雜的(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉封裝的LED在老化一個(gè)月后具有最佳的光通維持率,較無(wú)摻雜紅粉封裝的LED提高了6%,同時(shí)色坐標(biāo)漂移也最小,優(yōu)于進(jìn)口紅粉。Li+-Ho3+摻雜的(Sr0.9,Ca0.1)AlSiN3∶Eu2+紅粉封裝的LED老化效果較無(wú)摻雜紅粉封裝的LED也提高明顯,基本和進(jìn)口紅粉相當(dāng)。上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Li+-Dy3+、Li+-Ho3+等堿土金屬-稀土金屬離子對(duì)(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉的光衰性能有較明顯的提高,同時(shí)也顯著減小了制燈后長(zhǎng)時(shí)點(diǎn)亮的色漂移。
表2 不同紅粉封裝成的LEDs的老化測(cè)試結(jié)果Table 2 Aging test results of LEDs packaged with different red phosphors
在(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉的基礎(chǔ)上,微量摻入了堿土金屬Li+離子和稀土金屬離子Dy3+、Ho3+,研究了它們對(duì)(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉發(fā)光性能和長(zhǎng)時(shí)使用性能的影響。由于在合成紅粉時(shí)使用了LiF和DyF3(HoF3),氟化物原料的加入充當(dāng)了助熔劑的作用,使得合成的紅粉樣品具有良好的結(jié)晶性,物相也更為純凈。通過Li+-Dy3+以及Li+-Ho3+的摻雜,(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉的熱猝滅性能得到較大的改善,表現(xiàn)在封裝成COB-LED并點(diǎn)亮熱平衡后,LED的光通量較無(wú)摻雜樣品封裝的LED有明顯的提高。Li+-Dy3+及Li+-Ho3+摻雜的(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉在封裝成LED并老化一個(gè)月后,LED光衰和色坐標(biāo)漂移較無(wú)摻雜樣品封裝的LED具有更優(yōu)異的表現(xiàn),達(dá)到并超過了進(jìn)口紅粉樣品。上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果說明Li+-Dy3+、Li+-Ho3+等堿土金屬-稀土金屬離子對(duì)(Sr,Ca)-AlSiN3∶Eu2+紅色熒光粉的熱猝滅性能和光衰性能有較明顯的提高,同時(shí)也顯著減小了制成LED后長(zhǎng)時(shí)點(diǎn)亮的色漂移。
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