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      X射線熒光光譜法快速測定FeSiB非晶合金薄帶中硅、硼、鐵

      2015-04-18 03:17:01李艷萍馮圣雅李健靚
      中國無機分析化學(xué) 2015年4期
      關(guān)鍵詞:薄帶非晶光譜法

      王 瑤 李艷萍馮圣雅 李健靚

      (安泰科技股份有限公司,北京100081)

      X射線熒光光譜法快速測定FeSiB非晶合金薄帶中硅、硼、鐵

      王 瑤 李艷萍*馮圣雅 李健靚

      (安泰科技股份有限公司,北京100081)

      提出了以自制的標(biāo)準(zhǔn)樣品,采用單點法繪制校準(zhǔn)曲線,利用X射線熒光光譜儀測定FeSiB非晶薄帶樣品中硅、硼和鐵的含量。對于4個FeSiB非晶合金薄帶樣品中硅、硼和鐵進(jìn)行了10次測定,其分析結(jié)果的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差分別為0.4%~0.5%、1.3%~4.2%和0.2%~0.4%。方法的分析結(jié)果與火花源原子發(fā)射光譜法、化學(xué)重量法和電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)法的測定值吻合較好。方法快速、簡便,薄帶樣品無需制樣,適用于FeSiB非晶合金薄帶的快速成分分析。

      X射線熒光光譜法(XRF);FeSiB非晶合金薄帶;FeSiB合金;單點法

      0 前言

      噴制FeSiB非晶合金薄帶是FeSiB非晶合金生產(chǎn)過程的最后一道工序。為了保證FeSiB非晶合金帶材的質(zhì)量和性能,快速準(zhǔn)確地測定FeSiB非晶合金薄帶中硅、硼和鐵的含量具有重要意義。

      采用化學(xué)分析法(CAM)和電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-AES)測定FeSiB非晶合金薄帶中硅、硼和鐵的含量,分析過程繁雜,分析時間太長,不能滿足快速、簡便的要求?;鸹ㄔ丛影l(fā)射光譜法(SSAES)配合FeSiB非晶合金的冶煉工藝過程,已被用于快速、準(zhǔn)確地分析熔融的FeSiB合金中各種合金元素成分的含量。然而,因為FeSiB非晶合金薄帶的厚度僅幾十微米,采用火花源原子發(fā)射光譜法在火花激發(fā)過程中會擊穿FeSiB非晶合金薄帶,從而使分析工作無法正常進(jìn)行。X射線熒光光譜法(XRF)具有制樣簡便、分析速度快、含量范圍寬、分析精度好、準(zhǔn)確度高等優(yōu)點,已廣泛應(yīng)用于鋼鐵、有色金屬、地礦、環(huán)境等各個領(lǐng)域[1-9]。本文以自制的FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品,采用單點法繪制校準(zhǔn)曲線,建立了X射線熒光光譜法測定FeSiB非晶合金薄帶中硅、硼和鐵含量的方法。

      1 實驗部分

      1.1 儀器和工作條件

      S4Pioneer X射線熒光光譜儀(德國布魯克公司):端窗Rh靶X射線光管;樣品盒面罩孔徑Φ18mm,其它測定條件見表1。

      表1 分析元素測量條件Table 1 Measuring conditions of analytical elements

      1.2 樣品

      FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品;FeSiB合金塊狀分析樣品;FeSiB非晶合金薄帶分析樣品(包括No.090512、No.090513、No.071219-5、No.090131-1、No.090203-4、No.090203-6)。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 分析樣品的分取及其處理方法

      FeSiB合金塊狀樣品是在噴制FeSiB非晶合金薄帶之前,用石墨取樣模從熔煉的FeSiB合金中取出的。樣品表面處理方法:在圓盤式磨樣機上用46#Al2O3砂紙打磨塊狀樣品分析表面。樣品的分析表面應(yīng)平整、光滑、無孔洞、砂眼等缺陷。該塊狀樣品用于火花源原子發(fā)射光譜法測定。

      FeSiB非晶合金薄帶樣品是從噴制成的FeSiB非晶合金薄帶上取出的。樣品表面處理方法:在FeSiB非晶合金薄帶上用剪刀剪取面積為25mm× 25mm薄片作為分析樣品,用無水乙醇擦拭分析樣品的表面。樣品的分析表面應(yīng)平整、光滑,無孔洞、劃痕等缺陷。該薄帶樣品用于X射線熒光光譜法測定。

      2.2 FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品的制作

      因FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品來源于FeSiB非晶合金薄帶生產(chǎn)樣,所以兩者的材質(zhì)相同而且元素含量基本上一致或相近。

      FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品的制作方法:從噴制的長條FeSiB非晶合金薄帶上用剪刀剪取寬100mm,長500mm的FeSiB非晶合金薄帶作為制作FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品的原材料。該薄帶應(yīng)厚薄均勻,其分析表面應(yīng)平整、光滑、無孔洞、劃痕等缺陷。在該薄帶上用剪刀剪取數(shù)個面積為25mm×25mm薄片作為FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品。與此同時,在該薄帶上分取分析樣品,將其表面用無水乙醇擦拭并切成碎屑(約重10g),采用化學(xué)分析法測定其中的硅、硼和鐵的含量作為上述標(biāo)準(zhǔn)樣品的硅、硼和鐵的標(biāo)準(zhǔn)值。

      2.3 校準(zhǔn)曲線的繪制

      采用2.2的方法自制FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品,使用前用無水乙醇擦拭其表面,在X射線熒光光譜儀上用單點法制作硅、硼和鐵的校準(zhǔn)曲線,見圖1。

      2.4 精密度實驗

      用本方法對No.071219-5、No.090131-1、No.090203-4和No.090203-6FeSiB非晶合金薄帶樣品中硅、硼和鐵分別進(jìn)行了10次測定并做了統(tǒng)計,其結(jié)果見表2。從表2可以看出(1)硅、硼和鐵測定結(jié)果的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD)分別為0.4%~0.5%、1.3%~4.2%和0.2%~0.4%。(2)采用本方法測定FeSiB非晶合金薄帶樣品結(jié)果穩(wěn)定,數(shù)據(jù)偏差均在允許范圍內(nèi)。硼的分析結(jié)果相對標(biāo)準(zhǔn)偏差較硅和鐵的分析結(jié)果相對標(biāo)準(zhǔn)偏差大,這是由于硼是原子序數(shù)小于11的輕元素,硼的熒光產(chǎn)額比較低,所以用X射線熒光光譜儀測定硼本身就存在一定難度,相比而言硼的分析結(jié)果相對標(biāo)準(zhǔn)偏差會稍大一些。

      圖1 Si(a),B(b)和Fe(c)的校準(zhǔn)曲線Figure 1 Calibration curves for Si(a),B(b)and Fe(c).

      表2 FeSiB非晶合金薄帶樣品分析結(jié)果Table 2 Analytical results for FeSiB amorphous alloy film samples(n=10)/%

      2.5 方法對比

      根據(jù)2.1敘述的分析樣品的分取方法,在同一爐號冶煉FeSiB合金的生產(chǎn)過程中,(1)在噴帶前,用石墨取樣模從熔煉的FeSiB合金中取出FeSiB合金塊狀樣品,用磨樣機研磨其分析表面后,送火花源原子發(fā)射光譜儀進(jìn)行測定;(2)在噴制成的FeSiB非晶合金薄帶上取出FeSiB非晶合金薄帶樣品,剪取面積為25mm×25mm薄片,用無水乙醇擦拭其分析表面后,送X射線熒光光譜儀進(jìn)行測定;(3)同時在同一FeSiB非晶合金薄帶樣品上分取分析樣品,用無水乙醇擦拭其表面并切成碎屑后,送化學(xué)重量法測定硅,電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(ICPAES)測定硼。其分析結(jié)果見表3和表4。

      表3 No.090513FeSiB非晶合金薄帶和FeSiB合金分析結(jié)果比較Table 3 Comparison of analytical results for No.090513FeSiB alloy block and FeSiB amorphous alloy film with different analysis methods /%

      表4 No.090512FeSiB非晶合金薄帶和FeSiB合金分析結(jié)果比較Table 4 Comparison of analytical results for No.090512FeSiB alloy block and FeSiB amorphous alloy film with different analysis methods /%

      由表3、表4可見,方法的測定值與化學(xué)分析法和火花源原子發(fā)射光譜法的測定值一致。

      3 結(jié)語

      采用自制的FeSiB非晶合金薄帶標(biāo)準(zhǔn)樣品,在X射線熒光光譜儀上用單點法制作硅、硼和鐵的校準(zhǔn)曲線,通過實驗選擇最佳的分析條件,從而建立了X射線熒光光譜法快速測定FeSiB非晶合金薄帶中硅、硼和鐵的分析方法。本方法與用化學(xué)分析法和ICP-AES法測定FeSiB非晶合金薄帶中硅、硼和鐵相比,大大縮短了分析時間和降低了分析成本,同時圓滿地解決了用火花源原子發(fā)射光譜法無法進(jìn)行測定的問題。

      本方法已用于FeSiB非晶合金生產(chǎn)過程中FeSiB非晶合金薄帶中硅、硼和鐵含量的快速測定。

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      Rapid Determination of Silicon,Boron and Iron in FeSiB Amorphous Alloy Film by X-ray Fluorescence Spectrometry

      WANG Yao,LI Yanping,F(xiàn)ENG Shengya,LI Jianliang
      (AdvancedTechnology&MaterialsCo.,Ltd.,Beijing100081,China)

      With self-made standard samples and single point method for drawing calibration curves,a method for the determination of silicon,boron and iron in FeSiB amorphous alloy film by X-ray fluorescence spectrometry was proposed.Under the optimum analytical conditions,the contents of silicon,boron and iron in four FeSiB amorphous alloy film samples were determined.The relative standard deviations(RSDs,n=10)for silicon,boron and iron were 0.4%~0.5%,1.3%~4.2%and 0.2%~0.4%,respectively.The analytical results obtained by the proposed method were in good accordance with those obtained by spark source atomic emission spectormetry,chemical gravimetric method and ICP-AES.The method is rapid,simple without film sample preparation.Therefore,it can be used for the component analysis in FeSiB amorphous alloy film samples.

      X-ray fluorescence spectrometry(XRF);FeSiB amorphous alloy film;single point method;FeSiB alloy

      O657.34;TH744.15

      A

      2095-1035(2015)04-0056-04

      2015-06-02

      2015-09-06

      北京市科委技術(shù)研究項目(2012HW06H-PT)資助

      王瑤,女,工程師,主要從事金屬材料化學(xué)分析研究。E-mail:wangyao@atmcn.com

      *通信作者:李艷萍,女,高級工程師。E-mail:liyanping@atmcn.com

      10.3969/j.issn.2095-1035.2015.04.013

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