遲 霄,張曉波,劉 麗,何 越,王連元
(超硬材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,吉林大學(xué)物理學(xué)院,吉林長(zhǎng)春 130012)
基于微電子系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的氣體傳感器由于采用了傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制作技術(shù)[1]。在這種新型的氣體傳感器中,微熱板的設(shè)計(jì)是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié),微熱板在傳感器中起到加熱敏感膜使其達(dá)到最佳工作溫度的作用[4-6]。在微熱板的設(shè)計(jì)中,應(yīng)使其溫度場(chǎng)分布盡量均勻,否則會(huì)降低器件的敏感特性和選擇性[7]。微熱板的結(jié)構(gòu)、材料及尺寸參數(shù)的設(shè)置對(duì)氣體傳感器的靈敏度等指標(biāo)有著重要影響[3,8]。
ANSYS中的Multiphysics模塊可分析各種結(jié)構(gòu)的溫度分布[9-10]。文中通過有限元分析的方法,設(shè)計(jì)了一種新型的具有3個(gè)引腳的微熱板結(jié)構(gòu),并模擬出新型微熱板的溫度分布。
新型微熱板結(jié)構(gòu)如圖1所示,微熱板具有三引腳電極結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)降低了微熱板的制作難度。微熱板的平面尺寸為1.0 mm × 1.5 mm.Si襯底是由(100)晶向的單晶硅經(jīng)各向異性腐蝕而成,在Si襯底上生長(zhǎng)前后兩層SiO2,前SiO2層既是絕緣層,也是隔熱層。后SiO2層能起到防止熱量散失的作用[11]。圖1中加熱電極上的箭頭表示加熱電流的方向。加熱電極寬度為50 μm.測(cè)量電極的寬度和間距分別為20 μm和500 μm.
圖1 新型微熱板的結(jié)構(gòu)示意圖
2.1基底結(jié)構(gòu)的優(yōu)化
微熱板中基底由不同材料構(gòu)成,分別為前SiO2層、中間Si層、后SiO2層,它們厚度的改變對(duì)傳感器的溫度分布有著重要的影響[11]。為了方便起見,用E、G、B分別表示微熱板基底中前SiO2層、中間Si層、后SiO2層的厚度。當(dāng)功耗為50 mW時(shí),對(duì)E100G100B100、E50G200B50、E50G150B100時(shí)微熱板的溫度分布進(jìn)行了模擬,結(jié)果如圖2所示。從圖2可以看出,E50G150B100時(shí)微熱板中心能獲得較均勻的溫度分布。所以新型微熱板基底中前SiO2層、中間Si層、后SiO2層的厚度分別設(shè)定為50 μm、150μm、100 μm.
圖2 新型微熱板的基底中各種材料為不同厚度時(shí)的溫度分布
2.2測(cè)量電極結(jié)構(gòu)的優(yōu)化
在微熱板的設(shè)計(jì)中,不僅基底的改變會(huì)影響溫度場(chǎng)的改變,測(cè)量電極的結(jié)構(gòu)變化也會(huì)對(duì)溫度分布產(chǎn)生影響。為了分析測(cè)量電極的結(jié)構(gòu)對(duì)微熱板中心溫度的影響,利用有限元分析工具ANSYS分別模擬了測(cè)量電極為2個(gè)叉指、一個(gè)叉指和不放叉指時(shí)微熱板的溫度分布,如圖3所示。從圖3中可以看出,當(dāng)測(cè)量電極不放叉指的時(shí)候,微熱板的中心溫度最高,測(cè)量電極不放叉指的結(jié)構(gòu)不僅能降低微熱板制作的難度,節(jié)省了制作原料,而且微熱板的中心溫度也得到了提高。優(yōu)化后的微熱板測(cè)量電極不放叉指,結(jié)構(gòu)既簡(jiǎn)單,又能提高傳感器的性能。
(a)測(cè)量電極為兩個(gè)叉指時(shí)的溫度分布
(b)測(cè)量電極為一個(gè)叉指時(shí)的溫度分布
(c)測(cè)量電極不放叉指時(shí)的溫度分布
文中設(shè)計(jì)了一種新型氣體傳感器的微熱板結(jié)構(gòu),通過有限元分析軟件模擬了基底中不同材料厚度的變化對(duì)微熱板溫度分布的影響,確定了新型微熱板基底中前SiO2層、中間Si層、后SiO2層的厚度分別設(shè)定為50 μm、150 μm、100 μm時(shí),該微熱板的中心溫度分布最均勻。并對(duì)微熱板中測(cè)量電極的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),得到了無叉指的測(cè)量電極結(jié)構(gòu).這種新型的微熱板結(jié)構(gòu)使襯底中央大部分區(qū)域獲得了高而均勻的溫度分布,有助于提高傳感器的整體性能。
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