【摘要】本文對(duì)高抗振性石英晶體鐘振蕩器的研制作了詳細(xì)的介紹,包括參數(shù)、結(jié)構(gòu)和工藝等方面的設(shè)計(jì),并針對(duì)振蕩器寬頻率范圍的實(shí)現(xiàn)和高抗振性進(jìn)行了專門的課題研究。該項(xiàng)目產(chǎn)品的研制成功,將國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品的頻率拓寬到0.1MHz~350MHz,并且解決了高抗振性的問(wèn)題,對(duì)今后表貼類晶振的研制具有借鑒和幫助意義。
【關(guān)鍵詞】高抗振性;石英晶體鐘振蕩器;寬頻率范圍;頻率合成
隨著現(xiàn)代電子信息技術(shù)的迅速發(fā)展,電子裝備正向小型化、智能化、高精度、高可靠方向發(fā)展,作為軍用電子裝備關(guān)鍵元器件的片式石英晶體元器件是國(guó)防科研和武器裝備的基礎(chǔ)和核心。SMD片式的“高抗振性石英晶體鐘振蕩器”,具有無(wú)引線、體積小、分布參數(shù)小、老化率低、高抗沖擊振動(dòng)等顯著特點(diǎn)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于整機(jī)定位系統(tǒng)部分、陀螺電源設(shè)備、無(wú)線射頻接收發(fā)射系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)內(nèi)置頻率源等工程系統(tǒng)中,作為系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)頻率源、時(shí)間基準(zhǔn),在裝備中屬關(guān)鍵核心器件。因此,實(shí)施高抗振性石英晶體鐘振蕩器的科研項(xiàng)目,適應(yīng)了高新電子設(shè)備發(fā)展的需要。
1.產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)
本項(xiàng)目產(chǎn)品覆蓋頻率范圍為:
0.1MHz~350MHz,典型產(chǎn)品主要指標(biāo)見(jiàn)表1。
2.研制方案
2.1 總體思路
本項(xiàng)目高抗振性石英晶體鐘振蕩器的難點(diǎn)主要是高抗振性和寬頻率范圍的實(shí)現(xiàn)。實(shí)現(xiàn)晶振的高抗振性,必須對(duì)SMD晶片的設(shè)計(jì)、加工進(jìn)行深入的研究,解決好裝配問(wèn)題,還要設(shè)計(jì)出相應(yīng)的抗振性試驗(yàn)夾具。
實(shí)現(xiàn)寬頻的技術(shù)主要有兩種:一是制造高基頻的石英晶片,振蕩在泛音頻率上;二是采取頻率合成的方法。用高基頻晶片振蕩在泛音的方法比較困難,而且可靠性難以保證,投資也較大,因此我們采用頻率合成的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2.2 鐘振蕩器寬頻率范圍的實(shí)現(xiàn)[1]
在0.1MHz~10MHz采用PL611S-18芯片。此IC內(nèi)置一個(gè)5位的參考頻率分頻器R,一個(gè)8位的VCO頻率反饋環(huán)路分頻器M,一個(gè)14位的輸出分頻器P,輸出頻率CLK=FREF*M/(R*P)。晶體的輸入頻率為10~50MHz,輸出頻率為0.5KHz~125MHz。此IC可通過(guò)編程實(shí)現(xiàn)各種頻率的合成。內(nèi)部框圖如圖1所示。
在10MHz~30MHz采用CF5009AL1芯片,選擇基頻晶片提供參考頻率,經(jīng)芯片內(nèi)部集成了振振蕩電路和緩沖放大電路輸出需要的頻率。
在30MHz~50MHz采用CF5006AND芯片,選擇泛音晶片提供參考頻率,經(jīng)芯片內(nèi)部集成了振振蕩電路和緩沖放大電路輸出需要的頻率。
在50MHz~200MHz的頻率范圍內(nèi)采用的PLL602-00芯片,該IC可通過(guò)3個(gè)選頻因子控制腳(SEL)選擇合適倍頻因子,本項(xiàng)目倍頻因子選為8倍。內(nèi)部框圖如圖2所示。
在200MHz~350MHz的頻率范圍內(nèi)采用的PLL602-30芯片,此芯片內(nèi)置了晶體振蕩電路、參考分頻器、VCO分頻器、鑒相器、電荷泵、環(huán)路濾波器、VCO。晶體的輸入頻率范圍為12MHz~25MHz,輸出頻率范圍是750KHz~800MHz。該芯片可通過(guò)4個(gè)選頻因子控制腳(SE)選擇合適的分頻或倍頻因子,本項(xiàng)目倍頻因子選為16倍。內(nèi)部框圖如圖3所示。
2.3 鐘振蕩器高抗振性的實(shí)現(xiàn)[2~4]
2.3.1 選料
晶體材料選擇:Z料,Q值≥240萬(wàn),腐蝕隧道密度≤100條/cm2,包裹體為二類。
2.3.2 外形尺寸的設(shè)計(jì)
石英晶片的外形尺寸確定必須考慮避開(kāi)三種寄生耦合振動(dòng),對(duì)于厚度切變的小條形片,由于l>>t和w>>t的條件不能滿足,因此設(shè)計(jì)時(shí)要考慮長(zhǎng)度和寬度方向的影響,為此我們采用公式進(jìn)行規(guī)格的設(shè)計(jì)。
2.3.3 研磨技術(shù)
研磨是磨削精加工,對(duì)研磨盤平整度的要求很高,為了改善晶片表面粗糙度的一致性所以我們規(guī)定了嚴(yán)格的修盤制度,每個(gè)班固定修盤半個(gè)小時(shí),經(jīng)檢查合格后方可開(kāi)始研磨,用千分表檢查研磨盤的平面度。
另外,盡量采用細(xì)沙,同時(shí)還應(yīng)注意石英晶片輪廓尺寸的精度,防止破邊,造成應(yīng)力,影響石英諧振器的老化和抗振性。
2.3.4 清洗、腐蝕技術(shù)
清洗采用MVA-7040型超聲波清洗機(jī),保證每個(gè)白片至少在80℃的去離子水中超聲清洗7次。隨著超聲頻率的增加空化泡的數(shù)量呈線性增加,從而產(chǎn)生更多密集的沖擊波使其能進(jìn)入到更小的縫隙中,以保證晶片的潔凈度,同時(shí)空化泡變小,其釋放的能量相應(yīng)減少,這樣就有效地減小了對(duì)晶片表面的損傷。
腐蝕采用JR-FCAJR增強(qiáng)型腐蝕機(jī),該儀器溫度控制穩(wěn)定性為±2℃,開(kāi)機(jī)預(yù)熱30分鐘后腐蝕液溫度控制在50±2℃。腐蝕槽內(nèi)腐蝕液的容量大約為2000ml,由磁力攪拌器對(duì)腐蝕液進(jìn)行攪拌,實(shí)現(xiàn)腐蝕溶液的均勻性。另外在腐蝕擺臂上安裝一個(gè)擺動(dòng)電機(jī),它可以將腐蝕籃內(nèi)的晶片散開(kāi),保證腐蝕的均勻性。
2.3.5 鍍膜技術(shù)
采用美國(guó)SA5600無(wú)油鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜。SA5600無(wú)油鍍膜機(jī)具有氬離子轟擊及加溫鍍膜功能,這對(duì)消除晶片表面的雜質(zhì)及晶片與鍍膜材料的表面牢固起著至關(guān)重要的作用。
2.3.6 應(yīng)力消除技術(shù)
在鍍膜前后和微調(diào)后必須要進(jìn)行真空高溫退火,對(duì)烘烤時(shí)間和溫度進(jìn)行分析,以消除應(yīng)力,降低老化,我們鍍膜前白片退火溫度為420℃烘烤4h,鍍膜后180℃烘烤2h,微調(diào)后180℃烘烤1h。
2.3.7 振子安裝技術(shù)
通過(guò)對(duì)各種導(dǎo)電膠膠點(diǎn)的大小、位置等進(jìn)行的大量試驗(yàn)和深入研究。選擇彈性好、導(dǎo)電率高的XA-819A導(dǎo)電膠,通過(guò)試驗(yàn)找出抗振效果最好的安裝時(shí)選擇力敏感度最小的方向,提高晶振的抗振能力。經(jīng)過(guò)以往的經(jīng)驗(yàn)和多次試驗(yàn),我們采取六點(diǎn)點(diǎn)膠的方式。
通過(guò)采取以上的措施后,我們對(duì)每頻點(diǎn)各4只產(chǎn)品進(jìn)行摸底試驗(yàn),試驗(yàn)后無(wú)一只產(chǎn)品失效,證明我們的措施是成功的、有效的。
3.產(chǎn)品測(cè)試結(jié)果
8個(gè)代表頻點(diǎn)產(chǎn)品各加工了100只產(chǎn)品,對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行電性能測(cè)試,全部滿足指標(biāo)要求。下表是幾項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)的實(shí)測(cè)平均水平。
4.結(jié)束語(yǔ)
隨著電子整機(jī)的小型化、精密化,對(duì)石英晶體元器件的要求也在向小型化、貼片化和和高精密方向發(fā)展。而最近幾年更是發(fā)展迅速,尤其在小體積和頻率擴(kuò)展上。目前國(guó)外SMD晶振從十幾KHz~700MHz都可以生產(chǎn),而國(guó)內(nèi)目前的水平是從1MHz~150MHz左右。
本項(xiàng)目的研制成功將國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品的頻率拓寬到0.1MHz~350MHz,并且解決了高抗振性的問(wèn)題,對(duì)今后表貼類晶振的研制具有借鑒和幫助意義。
參考文獻(xiàn)
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作者簡(jiǎn)介:孫剛(1974-),男,遼寧遼陽(yáng)人,遼陽(yáng)鴻宇晶體有限公司工程師,研究方向:石英晶體振蕩器設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)。