程 芳,黃美東,王麗格,杜 姍,唐曉紅,劉春偉
(天津師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院,天津300387)
氧化鈦薄膜堅(jiān)硬、抗化學(xué)腐蝕,在整個(gè)可見(jiàn)和近紅外光譜區(qū)都是透明的,具有很高的折射率[1],同時(shí),氧化鈦薄膜具有優(yōu)良的介電、壓電、氣敏和光催化性能,在微電子、光學(xué)、傳感器和光催化等方面應(yīng)用廣泛.氧化鈦薄膜優(yōu)異的性能和良好的應(yīng)用前景使其成為目前的研究焦點(diǎn),其中研究制備氧化鈦薄膜的工藝具有重要的現(xiàn)實(shí)意義[2-5].制備氧化鈦薄膜的方法很多,有包括電子束蒸發(fā)、活化反應(yīng)蒸發(fā)、離子束技術(shù)、離化團(tuán)束(Ionized Cluster Beam,ICB)技術(shù)和直流(交流)反應(yīng)磁控濺射技術(shù)在內(nèi)的物理氣相沉積法,還有化學(xué)氣相沉積法和溶膠-凝膠(sol-gel)法等,其中反應(yīng)磁控濺射金屬Ti靶的方法成膜效率高,可以制備出具有較高折射率的高質(zhì)量氧化鈦薄膜,而且磁控濺射工藝較為穩(wěn)定、易于控制[6-8],因此,本研究采用磁控濺射法制備氧化鈦薄膜.
薄膜樣品在FJL560CI2型超高真空磁控濺射系統(tǒng)上采用RF反應(yīng)磁控濺射法制備獲得.濺射靶材為直徑50.9 mm、厚度5 mm的高純度(99.99%)金屬鈦靶,以K9雙面拋光玻璃作為基底.鍍膜時(shí)基底在上,靶材在下,可防止污染物玷污基底.鍍膜前,將光學(xué)玻璃片浸泡在丙酮中,用超聲波振蕩10 min,再用無(wú)水乙醇清洗.光學(xué)玻璃基底裝在可繞中心軸旋轉(zhuǎn)的襯底架上.每次濺射前,都要預(yù)先在純Ar氣體中放電約5 min,當(dāng)觀(guān)察到靶表面輝光放電的顏色由粉紅色變?yōu)樗{(lán)白色或者放電電壓迅速下降到某一穩(wěn)定值時(shí),表明氧化物已除去.之后,便可通入氧氣進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積薄膜樣品.濺射前的本底真空為4×10-4Pa,濺射氣體為氬氣(99.999%),反應(yīng)氣體為氧氣(99.999%),氬氣流量為80 cm3/min,氧氣流量為4 cm3/min,工作氣壓為0.2 Pa,濺射偏壓為100 V,濺射時(shí)間為3 h.
利用Rigaku D/max 2500 v/pc型X線(xiàn)衍射儀對(duì)薄膜的晶態(tài)結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試[9-10],測(cè)定光源為Cu Kα射線(xiàn),掃描范圍為 10°~80°,步長(zhǎng)為 0.02°,管電壓為 40 kV,管電流為100mA.采用美國(guó)J.A.Woollam公司生產(chǎn)的M-2000DI型橢偏儀[11-12]測(cè)量不同入射角下薄膜的光學(xué)常數(shù),該橢偏儀所得橢偏參數(shù)φ和Δ的精度優(yōu)于0.015°,測(cè)量的波長(zhǎng)范圍為250~1 700 nm,光線(xiàn)入射角分別為55°、60°和65°,采用儀器自帶的Wvase32軟件獲得薄膜的折射率n、消光系數(shù)k和厚度d數(shù)據(jù).利用Origin軟件對(duì)所得數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,得到折射率n和消光系數(shù)k隨波長(zhǎng)變化的關(guān)系曲線(xiàn).利用WGD-8A型組合式多功能光柵光譜儀測(cè)量薄膜的透射率T,測(cè)試的波長(zhǎng)范圍為200~800 nm,波長(zhǎng)分辨率為0.2 nm,并將測(cè)試結(jié)果與由傳輸矩陣法獲得的理論計(jì)算結(jié)果進(jìn)行比較.
圖1為樣品的X線(xiàn)衍射結(jié)果,衍射圖譜中僅呈現(xiàn)了一個(gè)寬大的主峰,其寬度達(dá)到20°,該峰應(yīng)該是基底玻璃的無(wú)序結(jié)構(gòu)對(duì)X線(xiàn)彌散衍射產(chǎn)生的結(jié)果.除此之外,X線(xiàn)圖譜基本看不出其他衍射峰,這說(shuō)明鍍制的薄膜呈非晶態(tài),這是因?yàn)闉R射離子能量低,且薄膜沉積過(guò)程中基底沒(méi)有加熱,導(dǎo)致成膜粒子能量太低不足以形成晶態(tài)膜.由于薄膜呈非晶態(tài),所以由XRD衍射結(jié)果無(wú)法確定薄膜的物相和成分,但在沉積過(guò)程中,由于只有氬氣和氧氣通入沉積腔室,在真空等離子體環(huán)境中,形成的化合物應(yīng)為鈦的氧化物.因此,可將該膜稱(chēng)為T(mén)iOx.
圖1 薄膜樣品的X線(xiàn)衍射圖譜Fig.1 XRD pattern of the film sample
圖 2是入射角分別為 55°、65°和 75°時(shí),由橢圓偏振譜儀測(cè)得的TiOx薄膜橢偏參數(shù)φ和Δ隨波長(zhǎng)λ變化的情況.
圖2 不同入射角θ情況下,TiOx薄膜橢偏參數(shù)φ和Δ隨波長(zhǎng)λ變化的曲線(xiàn)Fig.2 Dependence of the parameters φ and Δ on wavelength at different incidence angles
將由橢偏儀獲得的橢偏參數(shù)φ和Δ設(shè)為擬合參數(shù),由橢偏儀自帶的Wvase32軟件可以得到薄膜厚度d、折射率n和消光系數(shù)k隨波長(zhǎng)λ的變化關(guān)系,其中n和k隨λ的變化關(guān)系如圖3所示.
圖3 利用橢偏法計(jì)算得到的薄膜n和k隨波長(zhǎng)的變化曲線(xiàn)Fig.3 Calculated n and k changing with wavelength by ellipsometer measurement
由圖3可以看出,TiOx薄膜的折射率在300~600 nm范圍內(nèi)迅速減少,隨后隨著波長(zhǎng)的增加而緩慢減小,并保持在2.15左右,屬于正常色散.TiOx薄膜消光系數(shù)隨波長(zhǎng)的變化情況具有相同的趨勢(shì),在300~400 nm范圍內(nèi)直線(xiàn)下降,由0.8迅速減小到接近0.03,即對(duì)光的吸收迅速減弱,然后隨著波長(zhǎng)的增加基本保持不變,這說(shuō)明在波長(zhǎng)λ大于400 nm的可見(jiàn)光與紅外光波段,TiOx薄膜具有很好的透射性能.
基于最小二乘法,利用Origin軟件對(duì)圖3中的折射率n和消光系數(shù)k進(jìn)行數(shù)值擬合[13-14],從而得到TiOx薄膜折射率n和消光系數(shù)k的色散關(guān)系,即:
將數(shù)值擬合結(jié)果與測(cè)試所得折射率n和消光系數(shù)k隨波長(zhǎng)的變化關(guān)系(圖3)進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如圖4所示.由圖4可以看出,二者在所研究的光波范圍內(nèi)吻合,說(shuō)明表達(dá)薄膜色散關(guān)系的式(1)和式(2)可靠.
圖4 測(cè)試與擬合得到的折射率n和消光系數(shù)k隨波長(zhǎng)變化關(guān)系曲線(xiàn)的對(duì)比Fig.4 Comparison of tested and fitted curves for refractive index and extinction coefficient changing with wavelength
在式(1)、式(2)和由橢偏儀獲得的薄膜厚度d=146.4 nm的基礎(chǔ)上,利用傳輸矩陣法可以對(duì)TiOx薄膜的透射率進(jìn)行理論計(jì)算[15].傳輸矩陣法的實(shí)質(zhì)是把電磁場(chǎng)在實(shí)空間的格點(diǎn)位置展開(kāi),利用傳輸矩陣來(lái)反映電磁場(chǎng)空間的變化關(guān)系.設(shè)光沿z軸方向傳播,電磁場(chǎng)在xOy平面的分量分別記為Ex、Ey、Hx和Hy.
式(3)中:k0=2π/λ0,Δ 為傳輸矩陣,具體表達(dá)式可參考文獻(xiàn)[15]。
當(dāng)光在均勻介質(zhì)中向前傳播h距離(即從z=z到z=z+h的位置)時(shí),由式(3)可得
由式(4)可知光傳播h距離前后的電磁場(chǎng)變化,進(jìn)而可以計(jì)算光的透射率等性質(zhì)。
將理論計(jì)算結(jié)果與由WGD-8A型組合式多功能光柵光譜儀直接獲得的TiOx薄膜透射譜進(jìn)行比較,如圖5所示.由圖5可以看出,TiOx薄膜的透射率測(cè)量結(jié)果和理論計(jì)算結(jié)果在350~800 nm范圍內(nèi)吻合,且由濺射法獲得的TiOx薄膜在可見(jiàn)光波段透射率大于70%,具有較高的透射率,說(shuō)明薄膜是透明的,與此波段消光系數(shù)較小相吻合.
圖5 實(shí)驗(yàn)測(cè)試與理論計(jì)算的透射譜Fig.5 Comparison of the simulated transmittance spectrum with the measured one
(1)采用磁控濺射方法獲得TiOx薄膜樣品,X線(xiàn)衍射結(jié)果表明鍍制的TiOx薄膜呈非晶態(tài).
(2)薄膜的折射率在 300~600 nm范圍內(nèi)迅速減少,然后隨著波長(zhǎng)的增加而緩慢減小,其折射率保持在2.15左右.薄膜的消光系數(shù)與折射率具有相似的趨勢(shì),在300~400 nm范圍內(nèi)直線(xiàn)下降,從0.8迅速減小到接近0.03,然后隨著波長(zhǎng)的增加基本保持不變.
(3)通過(guò)橢圓偏振譜儀對(duì)TiOx薄膜的折射率n和消光系數(shù)k進(jìn)行分析,確定制備所得的TiOx薄膜為透明膜,并獲得了該TiOx薄膜的光學(xué)性能參數(shù),為光子晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了基礎(chǔ)依據(jù).
(4)理論計(jì)算的透射譜與實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果一致.
[1]EINAGA Y,GU Z Z,HAYAMI S,et al.Reversible photo induced switching of magnetic properties at room temperature of iron oxide particles in self-assembled films containing azobenzene[J].Thin Solid Films,2000,374(1):109—113.
[2]WU P F,BHAMIDIPATI M,COLES M,et al.Biological nano-ceramic materials for holographic data storage[J].Chem Phys Lett,2004,400(4/5/6):506—510.
[3]李小甫,余海湖,姜德生.光波導(dǎo)用TiO2/SiO2復(fù)合薄膜的制備及其性能研究[J].光電子技術(shù)與信息,2003,16(2):20—25.
[4]孫奉玉,吳鳴,李文釗.TiO2表面光學(xué)特性與光催化活性的關(guān)系[J].催化學(xué)報(bào),1998,19(2):121—124.
[5]王武育,王溪晶,楊太禮.TiO2薄膜的光電性能及應(yīng)用[J].稀有金屬,2008,32(6):781—788.
[6]楊軍,明海,王沛,等.光學(xué)薄膜在光通訊中的應(yīng)用[J].光電子技術(shù)與信息,2003,16(3):10—14.
[7]孫大可,曹立新,常素玲.一維納米材料的制備、性質(zhì)及應(yīng)用[J].稀有金屬,2006,30(1):88—94.
[8]田民波,劉德令.薄膜制備技術(shù)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,1991:137—401.
[9]謝清連,黃國(guó)華,潘吟松,等.XRD在薄膜結(jié)構(gòu)分析中常見(jiàn)問(wèn)題的研究[J].廣西物理,2010,31(1):15—18.
[10]周元俊,謝自力,張榮,等.薄膜材料研究中的XRD技術(shù)[J].微納電子技術(shù),2009,46(2):15—16.
[11]包學(xué)誠(chéng).橢偏儀的結(jié)構(gòu)原理與發(fā)展[J].現(xiàn)代科學(xué)儀器,1999(3):58—61.
[12]楊修文,王明秋,王金偉.橢偏法測(cè)定TiO2薄膜的光學(xué)常數(shù)[J].鄖陽(yáng)師范高等專(zhuān)科學(xué)校學(xué)報(bào),2011(6):73—75.
[13]WOOLLAN J A,MCGAHAN W A,JOHS B.Spectroscopic ellipsometery studies of indium in oxide and other flat panel display multiplayer materials[J].Thin Solid Films,l994,241(1/2):44—46.
[14]SYNOWICKI R A.Spectroscopic ellipsometry characterization of indiumtinoxidefilmmicrostructureandoptical constants[J].Thin Solid Films,l998,313/314:394—397.
[15]ABDULHALIM I.Analytic propagation matrix method for linear optics of arbitrary biaxial layered media[J].Journal of Optics A:Pure and Applied Optics,1999,1(5):646—653.