Vishay Siliconix推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40 V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE）宣布，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40 V N溝道TrenchFET功率MOSFET——SQM200N04-1m1L。該器件特別針對“重型”汽車應(yīng)用，是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級的7腳D2PAK封裝的首款功率MOSFET。通過高密度TrenchFET技術(shù)，器件在10 V和4.5 V下實現(xiàn)了1.1 mΩ和1.3 mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，將傳導(dǎo)損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續(xù)漏極電流達(dá)200 A，幫助工程師設(shè)計出更具魯棒性的產(chǎn)品，為關(guān)鍵的安全應(yīng)用提供額外的安全余量。

今天發(fā)布的SQM200N04-1m1L適用于電動轉(zhuǎn)向助力等高功率車用電機驅(qū)動應(yīng)用。器件采用了專門設(shè)計，在生產(chǎn)過程中進行了100%的測試，可承受100 A和500 mJ的單個雪崩脈沖。器件具有0.4℃/W的低熱阻（結(jié)至外殼），工作溫度范圍-55～+175℃。

SQM200N04-1m1L符合RoHS，通過100%的Rg和UIS測試。器件豐富和擴展了通過AEC-Q101認(rèn)證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列。