葛秋石,郭朝霞,于 建
(清華大學(xué)化工系,先進材料教育部重點實驗室,北京100084)
MXD6是一種半芳香族聚酰胺,由于分子鏈中引入了苯環(huán),相比于普通聚酰胺具有更高的強度、模量、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱變形溫度,以及非常優(yōu)異的阻透性能。對于MXD6導(dǎo)電復(fù)合材料的研究可以進一步拓展其應(yīng)用領(lǐng)域,使其優(yōu)異的性能在導(dǎo)電材料領(lǐng)域得到發(fā)揮。
關(guān)于聚酰胺/碳納米管導(dǎo)電復(fù)合材料的研究已有一些報 道[1-3]。 如 Heonjoo Ha 等[4]研 究 了 聚 碳 酸 酯(PC)、高密度聚乙烯(PE-HD)、聚酰胺(PA)等常見的聚合物基體與MWCNT共混的導(dǎo)電復(fù)合材料,發(fā)現(xiàn)PA與MWCNT的相容性相對較差,從而導(dǎo)致體系的逾滲值相對更高。Heonjoo等[5]還以PA6、PA11和PA12為例,探討了造成不同PA/MWCNT體系逾滲值差異的原因。研究發(fā)現(xiàn),MWCNT在PA6中的團聚非常多,而在PA12中分散效果明顯更好。這與重復(fù)單元中碳氫鏈的長度、基體黏度以及氫鍵密度都有著直接的關(guān)聯(lián)。
一直以來,探索提高復(fù)合材料導(dǎo)電性能的方法是學(xué)者們密切關(guān)注的研究課題,本課題組曾在該領(lǐng)域進行了不同的研究探討[6-8],如曾報道利用碳酸鈣等不同的惰性填料改善聚合物/MWCNT導(dǎo)電復(fù)合材料導(dǎo)電性能的方法[8],其機制在于利用惰性填料在體系中的占位和體積排除作用,提高導(dǎo)電填料在聚合物基體中的有效濃度[6]。而復(fù)合材料中不同填料之間的協(xié)同作用也一直為人們所關(guān)注,這種協(xié)同作用可以使得復(fù)合材料的力學(xué)性能、電學(xué)性能、熱性能等顯著提高。如Liu等[9]通過溶液混合的方法制備了環(huán)氧樹脂/MWCNT/黏土復(fù)合材料,發(fā)現(xiàn)加入黏土促進了MWCNT在基體中的分散,復(fù)合材料的力學(xué)和電學(xué)性能同時得到了提高。其作用機制是黏土與MWCNT之間存在著協(xié)同作用,MWCNT傾向于分布在黏土周圍,可以更加有效地形成導(dǎo)電通路,提高了復(fù)合材料的導(dǎo)電性能。Krishna等[10]在環(huán)氧樹脂/炭黑/黏土體系中同樣發(fā)現(xiàn)了炭黑和黏土之間的這種協(xié)同作用。Dang等[11]也發(fā)現(xiàn)向聚偏氟乙烯(PVDF)/MWCNT 體系中加入納米級別的鈦酸鋇(Ba TiO3)粒子可以使得MWCNT在體系中分散更加均一,從而使得體系獲得更好的電學(xué)性能。加入Ba TiO3后,MWCNTs同樣傾向于分布在Ba TiO3周圍,更好地構(gòu)成了通路。Konishi等[12]則首先在熔融共混方法制備的復(fù)合材料中發(fā)現(xiàn)了不同填料間的這種協(xié)同作用。他們在PA6/黏土/炭黑體系中發(fā)現(xiàn)了有機黏土和炭黑形成一個納米級的組合單元,改善了炭黑在基體中的分散狀態(tài),從而提高了體系的導(dǎo)電性能。
本研究針對各種聚酰胺樹脂基導(dǎo)電復(fù)合材料,從各個角度進行了一系列相關(guān)的研究工作,并采用熔融復(fù)合方法制備MXD6/MWCNT復(fù)合材料,研究有機蒙脫土(OMMT)對復(fù)合材料導(dǎo)電性能的影響及其提高復(fù)合材料導(dǎo)電性能的作用機制。
MXD6,Reny,數(shù)均相對分子質(zhì)量25000 g/mol,密度1.22 g/cm3,分子式如圖1所示,日本三菱瓦斯化學(xué)株式會社;
圖1 MXD6的分子結(jié)構(gòu)Fig.1 Molecular structure of MXD6
MWCNT,密度50~100 kg/m3,平均粒徑10 nm,長度小于10μm,清華大學(xué)化工系綠色反應(yīng)工程實驗室;
OMMT,NB901,浙江華特化工有限公司。
轉(zhuǎn)矩流變儀,RH-200A,哈普電器公司;
粉末壓片機,769YP-24B,天津市科器高新技術(shù)公司;
四探針電阻儀,KDY-1,廣州昆德科技公司;
高阻儀,ZC-36,上海儀表廠;
場發(fā)射掃描電鏡,JSM 7402;日本JEOL公司。
按配方稱量好MXD6粒料,置于塑料袋中,再加入稱量好的 MWCNT及OMMT,振蕩塑料袋至MWCNT均勻地黏附于MXD6粒料上。然后采用轉(zhuǎn)矩流變儀在260℃、60r/min條件下熔融混煉5 min,分別得到 MXD6/MWCNT復(fù)合材料或 MXD6/MWCNT/OMMT復(fù)合材料。
體積電阻率測量:采用粉末壓片機將樣品在270℃、8 MPa的條件下壓制5 min,制成不同尺寸的圓片,進行體積電阻率的測定。低阻樣品的直徑為30 mm,厚度為2.5 mm,使用四探針電阻儀測量其電阻;高阻樣品的直徑為75 mm,厚度為0.38 mm,使用高阻儀測量其電阻;
Molau實驗:取0.1 g試樣置于試管中,加入8 m L甲酸,靜置1周,用相機記錄過程中的相分離現(xiàn)象;
將復(fù)合材料在液氮中脆斷,用場發(fā)射掃描電鏡觀察斷面處導(dǎo)電填料在基體內(nèi)的分散狀況。
在圖2中,固定OMMT的添加量為3%。隨著MWCNT含量的增加,MXD6/MWCNT 和 MXD6/MWCNT/OMMT復(fù)合材料體積電阻率的變化趨勢表現(xiàn)出共同的規(guī)律,并可分為3個階段,即初始時體積電阻率變化不明顯,而后則在一定區(qū)域內(nèi)發(fā)生急劇的下降,但在MWCNT含量達到某一值后曲線的變化將再次趨緩。這說明兩種復(fù)合材料導(dǎo)電性能的變化傾向是完全符合一般導(dǎo)電復(fù)合材料逾滲規(guī)律的。
圖2 MWCNT含量對復(fù)合材料體積電阻率的影響Fig.2 Effect of contents of MWCNT on volumeresistivity of the composites
根據(jù)逾滲理論,體系電導(dǎo)率的數(shù)值與導(dǎo)電填料含量之間的變化關(guān)系滿足指數(shù)定律[13],如式(1)所示。
式中 σDC:復(fù)合材料的電導(dǎo)率
σ0:導(dǎo)電填料的電導(dǎo)率
P:導(dǎo)電填料的體積分數(shù)(或質(zhì)量分數(shù))
Pc:體系的逾滲閥值
t:臨界指數(shù),與導(dǎo)電填料的維數(shù)有關(guān)
采用Matlab軟件對圖2中曲線進行函數(shù)擬合,求得 MXD6/MWCNT 和 MXD6/MWCNT/OMMT 復(fù)合材料的逾滲值分別為1.9份和1.4份,表明添加OMMT使體系的逾滲值顯著降低了26%。
將MWCNT含量固定為2.5份,該含量對應(yīng)MXD6/MWCNT復(fù)合材料的曲線中第一個達到低阻區(qū)域的點,改變OMMT添加量分別為3%、5%和7%,進一步考察了OMMT添加量對復(fù)合材料導(dǎo)電性能的影響。由表1可知,雖然復(fù)合材料的體積電阻率將繼續(xù)下降約1個數(shù)量級,但相對于不添加OMMT的體系而言,OMMT含量增加所導(dǎo)致的導(dǎo)電性能的提高已不是很明顯。
進一步考察混煉順序?qū)τ趶?fù)合材料導(dǎo)電性能的影響,固定體系的組成比例為MXD6/OMMT/MWCNT=97/3/2,OMMT、MWCNT同時與 MXD6進行共混得到1#樣品,而先將 MXD6和OMMT共混,再與MWCNT共混得到2#樣品,MXD6先和MWCNT共混再與OMMT共混則得到3#樣品。由表2可以看出,當(dāng)OMMT和MWCNT同時共混時,所得復(fù)合材料的導(dǎo)電性能最佳,其體積電阻率僅為4.47×102Ω·cm。而先將OMMT或MWCNT與MXD6共混時,復(fù)合材料的體積電阻率相比于1#樣品分別提高了3個和7個數(shù)量級。這意味著,只有在OMMT和MWCNT同時共混時,OMMT才能有效改善MXD6/MWCNT復(fù)合材料的導(dǎo)電性能。
表1 OMMT含量對復(fù)合材料體積電阻率的影響Tab.1 Effect of content of OMMT on volumeresistivity of the composites
表2 熔融順序?qū)?MXD6/OMMT/MWCNT(97/3/2)復(fù)合材料體積電阻率的影響Tab.2 Effect of melting sequence on volumeresistivity of MXD6/OMMT/MWCNT(97/3/2)composite
以上事實表明,OMMT雖然其本身作為導(dǎo)電惰性的物質(zhì)不可能對MXD6導(dǎo)電性能產(chǎn)生直接貢獻,但OMMT將以某種方式通過與MWCNT之間的協(xié)同作用,使MXD6/MWCNT的導(dǎo)電性能得到大幅提高,而且其對體系導(dǎo)電性能提高的促進作用極其顯著。
從圖3可以看出,OMMT在2θ=4.4°處僅出現(xiàn)強的單峰,可根據(jù)布拉格方程算出其片層間距大約為2 nm。而在不添加MWCNT時,雖然MXD6/OMMT復(fù)合材料在2θ=2.5°和5.5°處出現(xiàn)多級衍射峰,但因衍射峰的強度很小,可以認為OMMT在MXD6中實現(xiàn)了較為良好的剝離。與之相比,在 MXD6/MWCNT/OMMT復(fù)合材料中,多級衍射峰的強度較大,且隨著OMMT含量的增加其衍射峰的強度有增大傾向,根據(jù)體系在2θ=2.5°處出現(xiàn)的對應(yīng)OMMT中(001)面的衍射峰計算,可知 MXD6/MWCNT/OMMT復(fù)合材料中OMMT的片層間距大約為3.6 nm左右,說明在 MWCNT存在條件下,OMMT已不能發(fā)生明顯剝離。同樣地,對于先將OMMT與MXD6共混的2#樣品而言,可以從圖3的衍射結(jié)果看出,OMMT在MXD6中主要是以剝離狀態(tài)分散,而對于先將MWCNT與MXD6共混的3#樣品而言,OMMT在MXD6中則主要以插層狀態(tài)分散。
圖3 復(fù)合材料的XRD譜圖Fig.3 XRD patterns for the composites
采用Molau實驗進一步驗證了OMMT在MXD6體系中的分散效果,如圖4所示。對于MXD6/OMMT復(fù)合材料,因OMMT傾向于剝離成單片或者層數(shù)較小的片層分散在MXD6基體中,即使在放置很長時間后也未出現(xiàn)明顯的分層和沉降。而在MXD6/OMMT復(fù)合材料中加入MWCNT后,發(fā)生了非常明顯的分相,其上層為MXD6溶于甲酸的透明溶液,下層為沉積下來的OMMT和MWCNT。
圖4 Molau實驗的結(jié)果Fig.4 Theresults of Molau experiment
XRD分析和Molau實驗的結(jié)果完全一致,均表明,單獨添加OMMT時,MXD6分子鏈可以較好地插入到OMMT的片層間,使OMMT的片層間距增大并接近完全剝離,而 MWCNT的存在將使OMMT在MXD6中的剝離程度逐漸降低,導(dǎo)致復(fù)合材料中的OMMT主要處于插層的狀態(tài)。因此在MXD6/MWCNT/OMMT復(fù)合材料中,大部分OMMT應(yīng)是以插層分散的形式存在于MXD6基體中的。
與PC、PE等常見的聚合物基體相比,一般認為PA與MWCNT的相容性很差,從而使PA/MWCNT復(fù)合材料的逾滲值變得更高[4]。對于MXD6雖然沒有直接的研究報道,但從本研究可以看出,MXD6和MWCNT之間的相容性也很差。
從圖5(a)可以看出,MXD6/MWCNT復(fù)合材料斷面上觀察到的MWCNT的團聚傾向非常明顯,不僅大部分處于團聚狀態(tài),而且有的團聚區(qū)域(圈線所示區(qū)域)甚至超過1μm,這種傾向無疑將使MWCNT構(gòu)建導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的效率大大降低。由圖5(b)可以看出,進一步加入3%的 OMMT后,MXD6/MWCNT/OMMT復(fù)合材料中MWCNT的分散狀態(tài)得到了顯著改善,大部分MWCNT傾向于分散在OMMT周圍(如箭頭所示),而不再出現(xiàn)明顯的團聚區(qū)域。
圖5 復(fù)合材料的SEM照片F(xiàn)ig.5 SEM micrographs for the composites
圖5中兩種復(fù)合材料MWCNT的添加量均為2份,但加入 OMMT后,體系的體積電阻率由1010Ω·cm降低到102Ω·cm,急劇降低了8個數(shù)量級。意味著添加OMMT使MXD6/MWCNT復(fù)合材料導(dǎo)電性能得到大幅提高的原因,應(yīng)與其通過對MWCNT在MXD6基體中分散狀態(tài)的改變,導(dǎo)致MWCNT構(gòu)建導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)效率提高的作用有關(guān)。
筆者曾從聚集態(tài)形態(tài)結(jié)構(gòu)、結(jié)晶與熔融行為等不同角度,進一步證明了OMMT對提高 MXD6/MWCNT復(fù)合材料導(dǎo)電性能的促進效果,主要與其加入所導(dǎo)致的對MWCNT分散狀態(tài)的改善作用有關(guān),而與其他作用無關(guān),因文章篇幅所限其相關(guān)考察結(jié)果在此省略。而關(guān)于OMMT通過改善MWCNT分散狀態(tài)而促進復(fù)合材料導(dǎo)電性能提高的機制,可用圖6所示模型描述,并可對此進行相關(guān)解釋如下。
圖6 OMMT促進MWCNT在MXD6中的分散機制Fig.6 Mechanism for dispersion of MWCNTin MXD6 modified by OMMT
首先,在物料預(yù)混及其在熔融前的混合過程中,MWCNT將被吸附于由多個OMMT粒子所形成的聚集體表面上,此時每個OMMT粒子基本保持著和其原生土粒相近的形態(tài)。當(dāng) MXD6熔融后,因其和MWCNT親和性較差不可能直接改變MWCNT的團聚狀態(tài),但隨著混煉過程的進行,由OMMT粒子構(gòu)成的聚集體將被分散成單個粒子,且該粒子在剪切力的作用下在不斷地切割熔融體的同時,也將不斷地使MWCNT重新分散在其更新的多層片層的表面上,相當(dāng)于使MWCNT達到了更好的分散形態(tài)。而MXD6分子本應(yīng)通過插層方式進入OMMT層間并使之剝離的作用,也將受到吸附在OMMT粒子表面上的MWCNT的阻礙,雖然不排除少數(shù)OMMT粒子可能發(fā)生不同程度的剝離,但大多數(shù)粒子最終只能處于中間的插層狀態(tài)。結(jié)果導(dǎo)致這些由MWCNT承載于OMMT粒子或片層表面的形式而形成的MWCNT/OMMT復(fù)合形態(tài),因其在空間上具有高次結(jié)構(gòu),將起到能增加MWCNT接觸概率的三維節(jié)點的作用,可極大改善導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)構(gòu)筑效率,使MXD6/MWCNT復(fù)合體系的導(dǎo)電性能得到顯著提高。
(1)在 MXD6/MWCNT復(fù)合材料中,大部分MWCNT傾向于處于團聚狀態(tài),而導(dǎo)致MWCNT構(gòu)建導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)效率的降低;
(2)OMMT作為惰性填料雖然不可能對MXD6導(dǎo)電性能產(chǎn)生直接的貢獻,但OMMT可在熔融混煉過程中,使MWCNT承載于OMMT粒子或片層表面上形成在空間上具有高次結(jié)構(gòu)的形態(tài),通過改善導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)構(gòu)筑效率,使MXD6/MWCNT復(fù)合材料的導(dǎo)電性能得到顯著提高。
[1]D Carponcin,E Dantras,G Ar idon,et al.Evolution of Dispersion of Carbon Nanotubesin Polyam ide 11 Matrix Composites as Determined by DC Conductivity[J].Compos Sci and Technol,2012,72:515-520.
[2]R Socher,B Krause,M T Müller,et al.Theinfluence of Matrix Viscosity on MWCNT Dispersion and Electrical Propertiesin Different Thermoplastic Nanocomposites[J].Polymer,2012,53:495-504.
[3]R Socher,B Krause,R Boldt,et al.Melt Mixed Nano Composites of PA12 with MWNTs:Influence of MWNT and Matrix Properties on Macrodispersion and Electrical Properties[J].Compos Sci and Technol,2011,71:306-314.
[4]Heonjoo Ha,Kiryong Ha,Sung Chu Kim.An Empirical Equation for Electricalresistivity of Thermoplastic Polymer/Multi-walled Carbon Nanotube Composites[J].Carbon,2010,48:1939-1944.
[5]Heonjoo Ha,Sung Chu Kim.Morphology and Properties of Polyam ide/Multi-walled Carbon Nanotube Composites[J].Macromolecularresearch,2010,18:660-667.
[6]Bao H D,Guo Z X,Yu J.Effect of Electricallyinert Particulate Filler on Electricalresistivity of Polymer/Multiwalled Carbon Nanotube Composites[J].Polymer,2008,49:3826-3831.
[7]Sun Y,Bao H D,Guo Z X,et al.Modeling of the Electrical Percolation of Mixed Carbon Fillersin Polymer-based Composites[J].Macromolecules,2009,42:459-463.
[8]Bao H D,Guo Z X,Yu J.Electricalresistivity,Crystallization,and Mechenical Properties of Polypropylene/Multi-walled Carbon Nanotube/Calcium Carbonate Composites Prepared by Melt Mixing[J].Chin J Polym Sci,2009,27(3):393-398.
[9]L Liu,Jaime C Grunlan.Clay Assisted Dispersion of Carbon Nanotubesin Conductive Epoxy Nanocomposites[J].Advanced Functional Materials,2007,17:2343-2348.
[10]K C Etika,L Liu,L A Hess,et al.Theinfluence of Synergistic Stabilization of Carbon Black and Clay on the Electrical and Mechanical Properties of Epoxy Compos-ites[J].Carbon,2009,47:3128-2136.
[11]Z M Dang,S H Yao,J K Yuan,et al.Tailored Dielectric Properties Based on Microstructure Changein Ba-TiO3-carbon Nanotube/Polyvinyl idene Fluor ide Threephase Nanocomposites[J].The Joural of Physical Chemistry C,2010,114:13204-13209.
[12]Y Konishi,M Cakmak.Nanoparticleinduced Network Self-assemblyin Polymer carbon Black Composites[J].Polymer,2006,47:5371-5391.
[13]Weber M,Kamal Mr.Estimation of the Volumeresistivity of Electrically Conductive Composites[J].Polymer Composites,1997,18:711-725.