高附加值產(chǎn)品助推信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展

電子信息材料是指在微電子、光電子技術(shù)和新型元器件基礎(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域中所用的材料，主要包括單晶硅為代表的半導(dǎo)體微電子材料；激光晶體為代表的光電子材料；介質(zhì)陶瓷和熱敏陶瓷為代表的電子陶瓷材料；釹鐵硼永磁材料為代表的磁性材料；光纖通信材料；磁存儲和光盤存儲為主的數(shù)據(jù)存儲材料；壓電晶體與薄膜材料；貯氫材料和鋰離子嵌入材料為代表的綠色電池材料等。這些基礎(chǔ)材料及其產(chǎn)品支撐著通信、計算機、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

近年來，電子信息材料總體發(fā)展趨勢向著大尺寸、高均勻性、高完整性，及薄膜化、多功能化和集成化方向發(fā)展。當(dāng)前的研究熱點和技術(shù)前沿包括柔性晶體管、光子晶體、SiC、GaN、ZnSe等寬帶半導(dǎo)體材料為代表的第三代半導(dǎo)體材料、有機顯示材料及各種納米電子材料等。

異惡唑-偶氮基-二酮類金屬偶氮螯合物

關(guān)鍵詞：金屬偶氮螯合物 偶氮基 異惡唑 藍(lán)光 生產(chǎn)工藝

項目簡介：該專利是一種異惡唑-偶氮基-二酮類金屬偶氮螯合物及其制備方法。該物質(zhì)是含有4，5-二取代異惡唑-偶氮基-β-二酮類金屬偶氮螯合物，其分子結(jié)構(gòu)通式中的N代表氮；R1和R2既可相同也可不同，分別代表氫、甲基、乙基、叔丁基等1～10個碳原子數(shù)的直鏈或支鏈烷基基團；R3和R4既可相同也可不同，分別代表甲基、乙基、叔丁基等1～4個碳原子數(shù)的直鏈或支鏈烷基基團，或多氟烷基，或取代的亞胺基苯基，或取代的苯基，或雜環(huán)基；M為金屬，如鎳、銅、錳、鋅、鈷等。該物質(zhì)可望用于藍(lán)光可錄光盤存儲材料。

高密度光盤存儲技術(shù)

關(guān)鍵詞：光盤 高密度存儲材料 金屬有機材料

項目簡介：“新型高密度存儲材料的技術(shù)的基礎(chǔ)研究”，通過了中科院組織的專家驗收。專家們對該項目所取得的具有創(chuàng)新性和突破性的研究成果給予了高度評價。高密度可錄DVD光盤(DVD-R)是在獲得2000年國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎可錄CD(CD-R)光盤多項技術(shù)的基礎(chǔ)上又取得的新發(fā)展。高密度DVD-R光盤7倍容量，相當(dāng)于2800張1.44MB軟磁盤?？蒲腥藛T成功地合成了用于DVD-R的新型金 屬有機材料，并用獨立自主開發(fā)的制盤工藝制成了性能達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)的DVD-R樣盤，在國內(nèi)是首創(chuàng)，為DVD-R產(chǎn)業(yè)化打下堅實基礎(chǔ)。

目前該項目繼早期發(fā)現(xiàn)酞菁的LB膜中存在著 一種熱致相變過程，用工藝簡單、快捷的旋涂膜技術(shù)取代復(fù)雜的LB膜技術(shù)，并觀察到可逆相變現(xiàn)象，實現(xiàn)了30多次寫、擦循環(huán)，開創(chuàng)了可擦重寫光盤的新途徑，屬國際領(lǐng)先水平。

該項研究所取得的成果大大提高了中國光存貯科學(xué)技術(shù)的研究和開發(fā)水平。

電腦防護屏

關(guān)鍵詞：玻璃 鍍膜 防輻射材料 屏蔽材料

項目簡介：采用簡單的熱蒸發(fā)工藝在浮法平板玻璃上蒸鍍金屬-介質(zhì)薄膜的電腦防護屏，在可見光區(qū)域的表面平均反射率低于4%，透射率為40%左右?？梢员苊怆姶挪▽θ梭w的輻射損傷，保護視力，具有良好的市場前景。生產(chǎn)設(shè)備以采用具有二次蒸發(fā)的1.5×2m2的熱蒸發(fā)幕墻玻璃鍍膜設(shè)備改造為宜。設(shè)備投資如購買舊設(shè)備改造，則總投資額約為40萬元左右，如購買新設(shè)備，約為80萬元左右。生產(chǎn)廠房面積約600平方米，電力200千瓦(平均功率低于100千瓦)，每面操作工人約10人。

該項目成本和利潤分析如下：產(chǎn)品：30×250cm2電腦防護屏玻璃；月產(chǎn)量：80片/爐×20爐/日×20日/月＝32000片；月產(chǎn)值：32000片×40元/片＝128萬元；年利潤約達(dá)500萬元左右。

光折變存儲材料及應(yīng)用

關(guān)鍵詞：雙摻鈮酸 多波長讀寫光存儲器 光存儲器 三維光存儲器

項目簡介：研制成功光折變?nèi)S光子海量存儲材料雙摻鈮酸鋰晶體及其(固定式)存儲器，發(fā)現(xiàn)了光散射光強閾值效應(yīng)、紫外光折變增強效應(yīng)等新效應(yīng)和機制，有效地用于三維光子存儲器的研制中，首次研制成功多波長讀寫的海量(固定式)光子存儲器，其信息存儲壽命超過20年，達(dá)到國際先進(jìn)水平。目前正與多方共同努力推動該項目向產(chǎn)業(yè)化方向快速發(fā)展，其中晶體生長的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展已有突破性進(jìn)展，可望在今年實現(xiàn)其產(chǎn)業(yè)化，三維光子存儲器也已與廠家簽訂聯(lián)合共同開發(fā)協(xié)議，可望在近幾年內(nèi)實現(xiàn)其產(chǎn)業(yè)化。因此，它將作為下一代的主流存儲設(shè)備，廣泛地用于航空航天業(yè)、股票和期貨、多媒體工作站、三維圖像處理技術(shù)、影視業(yè)等行業(yè)，應(yīng)用前景非常廣闊，市場容量巨大。

光存儲材料及應(yīng)用

關(guān)鍵詞：三維光存儲材料 鈮酸鋰晶體 非線性光學(xué)晶體 光存儲器

項目簡介：首次在國際上發(fā)現(xiàn)光折變光散射光強閾值效應(yīng)等新效應(yīng)，并以此為基礎(chǔ)，開發(fā)出高衍射效率、快光折變響應(yīng)、強抗光散射能力及雙摻鈮酸鋰晶體，研制成功三維全息光子存儲器原理樣機，同時，實現(xiàn)了計算機的接口。鑒定成果達(dá)到國際先進(jìn)水平，現(xiàn)已申報專利4項。

鐵電薄膜研制

關(guān)鍵詞：鐵電薄膜 鈦酸鋇

項目簡介：利用溶膠凝膠法在單晶硅片上，制備出了組織均勻致密的鈦酸鋇薄膜，通過原材料的優(yōu)化，使鈦酸鋇薄膜的形成溫度比目前常用的原料降低約200℃，不僅縮短了薄膜的制備周期，而且使基片的選擇范圍大大拓寬。本研究制備的薄膜厚度約為0.150μm，折射率為1.9，在10KHZ的測試頻率下，ε=40，tanδ=0.13。項目創(chuàng)新：利用二乙基己酸鋇代替醋酸鋇為原料，使薄膜的熱處理溫度明顯降低。

主控程序與電子態(tài)分析程序

關(guān)鍵詞：軟件系統(tǒng) 主控程序 微觀設(shè)計

項目簡介：該系統(tǒng)的主控程序采用C語言自行設(shè)計編寫，由用戶界面、數(shù)據(jù)輸入輸出、公共數(shù)據(jù)庫、計算和結(jié)構(gòu)三維顯示五個子模塊組成，其中結(jié)構(gòu)三維顯示模塊引用DTMM目標(biāo)模塊。電子態(tài)分析程序由從頭算，CNDO、EHMO計算程序三個子模塊組成。經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)算例驗核、程序運行準(zhǔn)確可靠。該軟件系統(tǒng)數(shù)據(jù)輸入手續(xù)簡單，安裝使用方便，可移植，亦可修改和擴充，是原子分子水平上進(jìn)行材料微觀結(jié)構(gòu)與性質(zhì)理論預(yù)測的有力工具。

變體材料及相關(guān)技術(shù)研究

關(guān)鍵詞：磁流變體材料 智能減速器 流體材料

項目簡介：該項目以解決汽車智能減振器項目研制中所急需的關(guān)鍵智能流體材料和研究該流變體的流變學(xué)規(guī)律。研制的磁流變體樣品在重慶大學(xué)智能減振器研制應(yīng)用中獲得初步理想效果，磁場下的阻尼力比值達(dá)到美國Lord公司減振器水平，且獲得理想的阻尼力-速度曲線；建立了較穩(wěn)定的小批量試制工藝和較為合理的性能評價方法。

氧敏感發(fā)光材料研究

關(guān)鍵詞：高靈敏度 氧敏感發(fā)光材料 熒光熄滅氧傳感器

項目簡介：該高靈敏度氧敏感發(fā)光材料由高靈敏度氧敏感發(fā)光物質(zhì)經(jīng)常規(guī)的固定化技術(shù)，固定在一定的無機或有機固體材料表面而獲得。其中，高靈敏度氧敏感發(fā)光物質(zhì)包括金屬釘絡(luò)合物、金屬鋨絡(luò)合物、金屬鉛絡(luò)合物、金屬鉑和鈀絡(luò)合物、金屬金絡(luò)合物、金屬錸絡(luò)合物、過渡金屬卟啉絡(luò)合物。一定的無機或有機固體材料是指硅膠、離子交換樹脂、難溶金屬氧化物、陶瓷材料、多孔硅、玻璃，以及可以吸附或鍵合這些物質(zhì)的有機或無機高聚物。

光纖傳感敏感材料生產(chǎn)及應(yīng)用

關(guān)鍵詞：敏感材料 光纖傳感器 光纖材料 精密組裝 顯微加工

項目簡介：光纖傳感技術(shù)是新一代傳感技術(shù)，是現(xiàn)代工業(yè)發(fā)展的重要技術(shù)基礎(chǔ)。隨著新材料和光電子技術(shù)的發(fā)展，促進(jìn)了光纖傳感技術(shù)成為當(dāng)代迅速發(fā)展的高新技術(shù)領(lǐng)域。光纖傳感新材料、光纖材料的精密加工及其元器件的制備新技術(shù)是實現(xiàn)光纖傳感器規(guī)?；a(chǎn)及應(yīng)用的核心關(guān)鍵技術(shù)，是世界各國科學(xué)工作者研究的難點和熱點。

光纖傳感技術(shù)是集材料、傳感、光電子、物理、化學(xué)、計算機等多學(xué)科、多種技術(shù)于一體的新技術(shù)。光纖傳感器是通過敏感材料、光纖元器件等所組成的光電系統(tǒng)進(jìn)行光學(xué)特性的傳感（非電學(xué)特性傳感），與傳統(tǒng)的電類傳感器相比，實現(xiàn)了調(diào)制、傳輸、檢測全過程的現(xiàn)場非電檢測。因此，它具有對電絕緣、本質(zhì)防爆、抗電磁干擾，高精度、高可靠、可遠(yuǎn)程測量等特點，可直接在易燃、易爆、高溫、高壓、腐蝕性氣氛、核輻射等等惡劣環(huán)境下安全操作使用。

該項目發(fā)揮本單位多學(xué)科和技術(shù)優(yōu)勢，經(jīng)大量的試驗研究，攻克了光纖傳感器規(guī)模化生產(chǎn)必需的光纖傳感探頭敏感材料制備技術(shù)、光纖傳感元件集成設(shè)計與光纖材料的顯微加工技術(shù)、專用光電子器件設(shè)計與制備技術(shù)以及精密組裝與質(zhì)量保障技術(shù)等一系列關(guān)鍵技術(shù)，掌握了一套擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)。建設(shè)了國內(nèi)能規(guī)?；a(chǎn)系列光纖傳感器的生產(chǎn)基地，已批量生產(chǎn)光纖溫度類傳感器、光纖光柵傳感器、光纖閥位回訊器、光纖液位類傳感器及專用光電子器件等系列產(chǎn)品。根據(jù)國家驗收鑒定評定，其關(guān)鍵技術(shù)的水平達(dá)到國際先進(jìn)水平。其產(chǎn)品已在全國16個省市、近十個行業(yè)的60余家大中型企業(yè)推廣應(yīng)用，武工大1999年以來創(chuàng)直接經(jīng)濟效益3500萬元以上，為企業(yè)直接節(jié)支億元以上，節(jié)匯125萬美元，并開始出口創(chuàng)匯。

該項目成果打破了國外技術(shù)封鎖和市場壟斷，國內(nèi)依賴進(jìn)口的局面，大大增強了國際競爭力；對推動我國光纖傳感技術(shù)的發(fā)展和促進(jìn)相關(guān)工業(yè)的技術(shù)進(jìn)步具有重要意義。

熱磁敏感功能材料

關(guān)鍵詞：熱磁敏感功能材料 輸電線路 防除冰材料

項目簡介：該專題是針對輸電線路嚴(yán)重覆冰導(dǎo)致斷線、倒塔桿，給國民經(jīng)濟和人民生活造成巨大損失和不便，而開展的研究工作。

考核指標(biāo)：材料Bs（20℃）≥0.4T，Tc≤80℃材料復(fù)鋁后20℃時的發(fā)熱值Q≤5w/kg，-5～0℃時≥14w/kg應(yīng)用指標(biāo)為有效防止冰災(zāi)。主要研究了輸電線路防除冰材料，它是Fe-Ni-Cr-Mn-Si-Cu系低Tc，高Bs合金，可達(dá)到Tc＜80℃，Bs＞0.4T指標(biāo)。用此合金線材采用旋壓法或快速熱鍍法復(fù)鋁（復(fù)鋁層厚度為25%～40%），以螺旋形式纏繞在輸電線路上，經(jīng)現(xiàn)場試驗有明顯的防除冰效果。

為配合研究工作，設(shè)計和制造了物理模擬的單重發(fā)熱值測量裝置，該裝置通過了北京市儀器儀表產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗站的鑒定，對復(fù)鋁－輸電線表層交互作用的研究表明，復(fù)鋁的熱磁敏感材料適合做輸電線的防除冰材料，它們之間不產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。

軟磁材料技術(shù)開發(fā)調(diào)研

關(guān)鍵詞：超微晶 軟磁材料 開發(fā)調(diào)研

項目簡介：該材料既具有鐵基非晶材料飽和磁化強度高，又具有鈷基非晶磁導(dǎo)率高的特點，是軟磁材料發(fā)展的突破，其應(yīng)用價值極高。

該調(diào)研報告是在查閱100余萬字(其中日本發(fā)明專利申請公開73件) 原始資料基礎(chǔ)上，對超微晶軟磁材料的理論、生產(chǎn)工藝等進(jìn)行了定性、定量系統(tǒng)的分析、比較及綜合而成的。報告詳細(xì)介紹了日本超微晶發(fā)明專利系列內(nèi)容及其材料的生產(chǎn)工藝特征和性能特點。這些資料對我國超微晶軟磁材料的開發(fā)應(yīng)用具有重要的參考價值。本調(diào)研報告還特別指出，對具有較大商業(yè)價值的超微晶材料的開發(fā)及應(yīng)用應(yīng)注意專利保護問題。

永磁特性研究

關(guān)鍵詞：不銹鋼 永磁特性 不銹鋼永磁材料

項目簡介：該項目的主要目的就是通過實驗研究開發(fā)出一類耐蝕可變形永磁材料。該項目從永磁材料的磁硬化機理出發(fā)，結(jié)合某些Fe-Cr-Ni系奧氏體不銹鋼在特定狀態(tài)下的相變特點，系統(tǒng)地研究了Fe-Cr-Ni系合金的成分、冷變形量、熱處理等工藝參數(shù)，組織結(jié)構(gòu)與永磁性能之間的變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)在相當(dāng)寬的成分范圍內(nèi)合金具有永磁特性。在此基礎(chǔ)上研制開發(fā)出了具有永磁性能、良好的韌性、彈性及不銹耐蝕性能的新型不銹永磁功能材料。

晶態(tài)及非晶態(tài)軟磁鐵芯

關(guān)鍵詞：軟磁鐵芯 磁芯 非晶態(tài)磁芯 晶態(tài)磁芯 軟磁材料

項目簡介：晶態(tài)及非晶態(tài)軟磁鐵芯是新型電子器件及儀器儀表中不可缺少的部件，由于其具有性能高、重量輕、體積小的優(yōu)點，目前被廣泛應(yīng)用在航空、航天、通訊、交通及家電等領(lǐng)域，是現(xiàn)代國防、工業(yè)生產(chǎn)及人民生活不可缺少的一種電磁交換器件。在現(xiàn)代國防建設(shè)中，性能優(yōu)異、穩(wěn)定的晶態(tài)軟磁鐵芯已成為雷達(dá)、制導(dǎo)、電子對抗等方面的重要器件。

該次選擇的代表項目是近年授權(quán)的一種“磁補償式霍爾電流傳感器用非晶磁芯制法”成果，其特點是針對性強，性能穩(wěn)定、可靠，在研制方法上有創(chuàng)新。

釹鐵硼等永磁材料

關(guān)鍵詞：釹鐵硼永磁材料 燒結(jié)成型 稀土永磁材料

項目簡介：釹鐵硼等永磁材料是一類高性能永磁體材料，主要用于高性能電機、高磁能級磁體的制作，是國防軍工、儀器儀表、能源交通及攻療設(shè)備制造中的重要材料，尤其是釹鐵硼永磁材料是一種新型永磁材料，它依托中國稀土儲藏豐富的特點，具有很強的發(fā)展勢頭。上述材料可按用戶使用要求加工成各種形態(tài)及尺寸，其性能指標(biāo)達(dá)國內(nèi)先進(jìn)水平。目前該院生產(chǎn)的燒結(jié)型釹鐵硼永磁材料其主要性能指標(biāo)為：Br：1.33-1.37T；(BH)max：335-358kg/cm3；iHl：1114kA/m；HBC：860-907kA/m。鋁鎳鈷系列永磁材料的主要性能指標(biāo)為：Br：1.08T以上；HC：120kA/m；(BH)max：80kg/m3。

金屬配合物設(shè)計結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

關(guān)鍵詞：結(jié)構(gòu) 磁性金屬配合物 設(shè)計

項目簡介：該項目結(jié)合化學(xué)設(shè)計合成與多種理論與實驗方法，系統(tǒng)研究了配合物型分子固體中磁性離子的相互作用、磁弛豫、磁有序等物理現(xiàn)象與分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、單離子各向異性等的關(guān)系，在發(fā)現(xiàn)新的磁現(xiàn)象，發(fā)展新型分子磁體和揭示機理等方面取得以下主要成果：利用1.1疊氮橋在具有大的磁各向異性離子Co(II)間傳遞鐵磁作用，并采用合適的端基配體，合成了首例同自旋的“單鏈磁體”；在多種金屬配合物中，利用抗磁離子和橋連配體，使順磁離子處在近似單離子狀態(tài)，發(fā)現(xiàn)其中有些化合物在外磁場下存在很慢的磁弛豫行為，對于這一新現(xiàn)象的深入研究有助于進(jìn)一步揭示磁性的量子本質(zhì)。利用開鏈二嗪類雙（二齒）配體的潛在手性特征誘發(fā)自發(fā)拆分過程，首次獲得了幾種手性的疊氮橋Mn(II)配位聚合物分子磁體，并從結(jié)構(gòu)上考察了手性的產(chǎn)生及其傳遞。設(shè)計合成多個系列結(jié)構(gòu)新穎的氰根、疊氮、二氰胺、氰胺、甲酸等短橋連接分子磁體，特別是新的異金屬(3d-4f，3d-3d'，3d-4d)和混橋體系，研究了它們豐富的磁相態(tài)及其與結(jié)構(gòu)的關(guān)系，為設(shè)計新型分子磁體提供了新的思路和方法。合成了多個結(jié)構(gòu)新穎的含稀土磁性簇合物，并利用二元氨基酸將其中的立方烷組裝成三維超立方烷；首先將密度泛函（DFT）理論結(jié)合對稱性破損方法用于含稀土的異雙核4f-3d分子的磁耦合常數(shù)的計算和其它雙核、三核體系的計算。

磷酸鐵鋰研究

關(guān)鍵詞：鋰離子電池 磷酸鐵鋰 正極材料

項目簡介：磷酸鐵鋰作為鋰離子電池用正極材料具有良好的電化學(xué)性能，充放電平臺十分平穩(wěn)，充放電過程中結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。同時，該類材料又具有無毒、無污染、安全性能好、可在高溫環(huán)境下使用、原材料來源廣泛、價格便宜等優(yōu)點。該公司研制出的材料克容量超過160毫安時/克。

陽極氧化表面處理技術(shù)

關(guān)鍵詞： 多孔硅陽極氧化表面處理技術(shù)半導(dǎo)體材料功能信息材料

項目簡介：一種多孔硅陽極氧化表面處理技術(shù)，屬半導(dǎo)體材料，確切說，功能信息材料的制備技術(shù)領(lǐng)域，包括多孔硅的陽極氧化表面處理工序和干燥處理工序，前道工序：在腐蝕槽內(nèi)實施，把濕的、一個表面附有多孔硅的P型單晶硅片懸置于腐蝕槽內(nèi)，向腐蝕槽注入H_2O_2水溶液，通電進(jìn)行陽極氧化；后道工序：清洗和用常規(guī)的干燥方法干燥經(jīng)前道工序處理的濕的、一個表面附有多孔硅的P型單晶硅片，制得干燥的多孔硅成品，具有設(shè)備簡單、操作方便、精度控制容易、生產(chǎn)成本低和適用于工業(yè)生產(chǎn)的優(yōu)點，適于用來對濕的多孔硅進(jìn)行表面處理，制得干燥的多孔硅。

鈍化多孔硅表面活性的方法

關(guān)鍵詞： 鈍化多孔硅表面活性半導(dǎo)體材料 功能信息材料

項目簡介：該發(fā)明涉及一種鈍化多孔硅表面活性的方法，屬半導(dǎo)體材料(功能信息材料) 制備技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)明推出一種鈍化多孔硅表面活性的方法。該法有設(shè)備簡單、操作方便、產(chǎn)量高和適用于工業(yè)生產(chǎn)的優(yōu)點。此外，經(jīng)該法處理的濕的多孔硅，可用常規(guī)的干燥技術(shù)進(jìn)行干燥處理，制得干燥的多孔硅，為多孔硅付諸實用鋪平道路。該鈍化多孔硅表面活性的方法，其特征在于，在制備多孔硅的同一個腐蝕槽內(nèi)實施，當(dāng)制備多孔硅完成時，立即把腐蝕槽內(nèi)的腐蝕液換成濃度為0～25%的H2O2水溶液，繼續(xù)通電氧化，在多孔硅表面生成一層致密的SO2薄膜，即鈍化層，電流密度和通電時間分別為0～5mAcm～-2和0～15min。

黏結(jié)永磁體研究

關(guān)鍵詞：永磁體鐵氧體電子信息材料

項目簡介：該課題組研究的注射成形稀土Sm2Fe_17N+BaM鐵氧體黏結(jié)永磁可以期待具有以下優(yōu)勢：相同的磁能積，使用相對較少的Sm2Fe_17N稀土永磁粉即可達(dá)到。由于鍶、鋇鐵氧體的矯頑力溫度系數(shù)αHc＞0，兩種磁粉適當(dāng)?shù)幕旌媳壤?，可望混合磁體的矯頑力溫度系數(shù)αHc-0.3，由于鍶、鋇鐵氧體磁粉是氧化物，黏結(jié)磁體的電阻率將會大大提高，從而更適合在高頻場中使用。

飛秒激光和信息材料光電子特性研究

關(guān)鍵詞：信息材料 飛秒激光器半導(dǎo)體量子阱色散不共軸性

項目簡介：該申報獎勵項目基于發(fā)展該省和中國信息科學(xué)技術(shù)的需要，發(fā)展超快激光技術(shù)并用于研究半導(dǎo)體、超導(dǎo)體和有機信息材料的光電子特性，取得了多項具創(chuàng)新性的研究成果。首次提出了飛秒激光器中的色散不共軸性理論(簡稱CDN)，并提出降低和消除CDN效應(yīng)的腔設(shè)計和工作條件，在實驗上進(jìn)行了驗證。首次提出了克爾透鏡鎖模的\"厚透鏡\"模型，物理意義明確，簡化了計算，利于應(yīng)用。還應(yīng)用飛秒激光技術(shù)研究了半導(dǎo)體量子阱和 有機信息材料中的超快光電子特性，揭示了LT-GaAs中光電子飛秒級的弛豫過程和深能級缺陷態(tài)捕 獲載流子機制等新結(jié)果。有機信息材料偶氮苯液晶薄膜記錄光柵和長期存儲特性的研究成果為這一材料的先驅(qū)性成果之一。

該申請項目已完成發(fā)表的論文共有37篇，全部被SCI、EI收錄，其中送審的20篇主要論文發(fā)表在“Appl. Phys. Lett.”、“Optical Letters”、“中國科學(xué)”等國內(nèi)外重要雜志，己被他人引用20處，并有兩篇被分別選為于德國和日本召開的國際學(xué)術(shù)會議邀請論文。該研究成果己達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)的學(xué)術(shù)水平，具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用前景。

二苯乙醇酸硼鋰

關(guān)鍵詞： 二苯乙醇酸硼鋰 電解質(zhì)材料 鋰電池 信息材料生產(chǎn)工藝

項目簡介：超細(xì)是指平均粒徑≤2um的二苯乙醇酸硼鋰粉體，是一種環(huán)保型的鋰電池電解質(zhì)材料及重要的信息化學(xué)品新材料，廣泛應(yīng)用于二次鋰電池的復(fù)合型聚合物電解質(zhì)材料、墨粉（或色粉）的電荷調(diào)節(jié)劑、壓敏材料及熱敏材料中的顯色劑。該項目研究開發(fā)了以苯甲醛、硼酸、鋰鹽為原料經(jīng)安息香縮合、氧化、結(jié)構(gòu)重排、酸化、絡(luò)合、表面改性等化學(xué)、物理反應(yīng)制備高純超細(xì)二苯乙醇酸硼鋰的新方法，填補了國內(nèi)空白，達(dá)到國際先進(jìn)水平。新工藝具有反應(yīng)條件溫和、操作簡便、成本低、產(chǎn)品質(zhì)量好等優(yōu)點，在二苯乙醇酸與硼酸、鋰鹽的絡(luò)合工藝條件方面具有創(chuàng)新性。

自旋電子材料研究

關(guān)鍵詞：自旋電子材料過渡族金屬氧化物

項目簡介：該項目通過實驗證明在Mn基鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物中導(dǎo)電機制是晶格極化子，而在尖晶石結(jié)構(gòu)化合物中導(dǎo)電機制是磁極化子導(dǎo)電，發(fā)現(xiàn)了兩種從極化子到可變程躍遷導(dǎo)電過渡的現(xiàn)象；提出在Cr3+、Fe3+與Mn3+間存在雙交換作用。開展了新型自旋相關(guān)器件的原理性研究，探索出持久光電導(dǎo)材料，為新型的光電器件的研制打下基礎(chǔ)。開展了低維自旋電子材料的制備與物性研究，采用溶膠—凝膠工藝成功地制備出一系列多晶顆粒體系，獲得了室溫低場大的磁電阻效應(yīng)。

納米硅二極管

關(guān)鍵詞： 納米硅二極管納米硅薄膜 電子材料

項目簡介：該課題研究的納米硅(nc-Si:H)薄膜是一種由大量硅細(xì)微晶粒（僅幾個納米大?。┖桶鼑@些晶粒的晶間界面所組成的新型納米電子材料。納米硅薄膜（幾個微米厚）中的晶粒是晶態(tài)的，晶粒大小為3～8nm，占整個膜層的體積百分比為50%；另外50%體積百分比則是由非晶態(tài)的硅原子構(gòu)成的晶間界面區(qū)，其厚度為2～4個原子層。硅晶粒在薄膜中的分布是不規(guī)則的。這種新穎的結(jié)構(gòu)使得納米硅與現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料單晶硅和非晶硅(a-Si:H)有著明顯的區(qū)別并呈現(xiàn)出一系列鮮為人知的特殊性能。利用這一系列特殊性能我們可以用于研制新型的納米硅器件，并且有可能讓我們?nèi)ラ_創(chuàng)一門嶄新的產(chǎn)業(yè)為社會服務(wù)。

光成像單組分液體顯景阻焊劑

關(guān)鍵詞： 阻焊劑單組分液體顯景光成像 電子材料

項目簡介：光成像單組分液體顯景阻焊劑(PCS-1型)是用于制作高密度多層印制電路版的電子材料，是STM和MCM新技術(shù)必須的新型阻焊劑，具有高分辨率、耐高溫，絕緣性高和水顯影加工等優(yōu)點，有利于加工過程自動化，降低成本和提高可靠性。該產(chǎn)品采用當(dāng)前國際上最先進(jìn)的單組分型，在國外只有英國Coates公司等極小數(shù)公司生產(chǎn)，其他為雙組分型產(chǎn)品，在使用時還需混合加工。該項目應(yīng)用了多年從事光聚合理論和光固化技術(shù)研究的科研成果，開發(fā)出高性能的新型感光樹脂體和具有超增感功能的復(fù)合光敏引發(fā)體系，并采用新型添加劑及復(fù)配技術(shù)和穩(wěn)定化技術(shù)，成功開發(fā)出PCS-1型產(chǎn)品，各項性能均達(dá)到國家規(guī)定指標(biāo)。

銀玻璃粉研究

關(guān)鍵詞： 銀玻璃粉電子材料

項目簡介：銀玻璃粉是一種新的高技術(shù)無機電子材料，為金黃色半透明無定型粒狀，研細(xì)后為淡白色重質(zhì)粉末，主要成份：Ag2O，Bi2O2等。它加入到氧化鋅電阻片成分中去，可以大大地改善氧化鋅電阻片的電性能，特別是改善電阻片的老化壽命，適用于氧化鋅電阻片及壓敏電阻器的制造。

GaN基納米光電子材料

關(guān)鍵詞： 光電子材料LED器件材料生長

項目簡介：該課題發(fā)明了一種厚度為1納米的特殊過渡層和一種特定的硅表面加工技術(shù)，克服了外延材料和襯底之間巨大的晶格失配和熱失配，在第一代半導(dǎo)體硅材料上，制備出高質(zhì)量的第三代半導(dǎo)體GaN材料，成功地解決了硅襯底上制備的GaN單晶膜材料龜裂這一世界難題。并發(fā)明了一種高可靠性LED外延材料結(jié)構(gòu)，制備了高質(zhì)量的具有納米量子阱結(jié)構(gòu)的第三代半導(dǎo)體GaN基LED材料，攻克了硅襯底上GaN基LED可靠性差這一世界難題。另外還突破了硅襯底GaN基LED外延材料焊接與轉(zhuǎn)移技術(shù)，解決了氮面GaN的歐姆接觸技術(shù)，研制成功光輸出功率1～9毫瓦（20毫安）的垂直結(jié)構(gòu)的GaN基紫光、藍(lán)光LED。