2016年12期
刊物介紹
本刊主要反映我國(guó)發(fā)光學(xué)領(lǐng)域中在科研、技術(shù)和生產(chǎn)中的學(xué)術(shù)成就，開(kāi)展國(guó)內(nèi)外的學(xué)術(shù)交流，提高該領(lǐng)域內(nèi)從事科研、教學(xué)、生產(chǎn)人員的技術(shù)水平。
發(fā)光學(xué)報(bào)
- Ce3+-Yb3+共摻Y(jié)AG熒光粉量子剪裁發(fā)光的濃度及溫度特性
- 兩種蒽衍生物類深藍(lán)光材料的合成與發(fā)光性能
- 氧化硅薄膜中摻雜Tb3+離子的發(fā)光敏化
- 波導(dǎo)適用型鋁鍺酸鹽玻璃中銩離子上轉(zhuǎn)換熒光光子輸出與量子產(chǎn)率定量
- Ca/Zn-納米羧甲基殼聚糖的光譜分析
- 熒光粉層厚度對(duì)激光照明的影響
- 丁二炔衍生物的制備及其光學(xué)特性
- 氫退火對(duì)LPCVD生長(zhǎng)的ZnO薄膜光學(xué)和電學(xué)性能的影響
- 紫外光LED固化面光源光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 基于低維相變薄膜的顯示器件光學(xué)性質(zhì)的研究
- 射頻磁控濺射法制備SnS2薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性的研究
- 氣源分子束外延生長(zhǎng)的InPBi薄膜材料中的深能級(jí)中心
- GaN基納米陣列LED器件制備及發(fā)光特性
- 基于GaN 基HEMT結(jié)構(gòu)的傳感器件研究進(jìn)展
- 基于石墨烯-ZnO納米線的復(fù)合電極在GaN LED中的應(yīng)用
- ITC研究達(dá)卡巴嗪與DNA反應(yīng)動(dòng)力學(xué)
- 溫度變化下研磨金屬表面反射率和發(fā)射率的測(cè)量
- 基于光譜連接空間的彩色相機(jī)光譜重構(gòu)研究
- Er3+/Tm3+/Yb3+共摻雜BaGa2ZnO5粉末的上轉(zhuǎn)換發(fā)光