王亮,辛偉,南銳娟
(1.國(guó)網(wǎng)銅川供電公司,陜西銅川 727031;2.西安衛(wèi)光科技有限公司,陜西西安 710065)
智能配電網(wǎng)建設(shè)的發(fā)展,對(duì)電力設(shè)備的平穩(wěn)運(yùn)行提出了更高的要求。開(kāi)關(guān)柜作為配電網(wǎng)中的關(guān)鍵電氣設(shè)備,被廣泛應(yīng)用于各類變電站、開(kāi)閉所等場(chǎng)景。該設(shè)備安全、穩(wěn)定地運(yùn)行,對(duì)保障電力系統(tǒng)的供電可靠性具有重要意義[1-3]。開(kāi)關(guān)柜為非封閉式結(jié)構(gòu)且內(nèi)部空間緊湊,由于其長(zhǎng)期運(yùn)行于復(fù)雜的環(huán)境中,容易因?yàn)榻^緣層的老化或缺陷等因素而出現(xiàn)局部放電現(xiàn)象,最終導(dǎo)致設(shè)備絕緣擊穿與閃絡(luò),進(jìn)而造成局部甚至大范圍的停電事故[4-5]。因此,對(duì)開(kāi)關(guān)柜局部放電的檢測(cè)愈發(fā)受到重視。目前的檢測(cè)方法主要為暫態(tài)地電壓(Transient Earth Voltages,TEV)法和超聲波法。然而單一的檢測(cè)方法準(zhǔn)確率有限,一旦開(kāi)關(guān)柜發(fā)生局部放電,便無(wú)法保障檢修維護(hù)工作的及時(shí)開(kāi)展[6-9]。
針對(duì)此,文中利用多源檢測(cè)信號(hào)并結(jié)合卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(Convolutional Neural Networks,CNN)、長(zhǎng)短期記憶(Long Short Term Memory,LSTM)網(wǎng)絡(luò)和注意力機(jī) 制(Attention Mechanism)等深度學(xué)習(xí)(Deep Learning,DL)算法,實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)柜局部放電故障的精準(zhǔn)檢測(cè),進(jìn)而為配電網(wǎng)的故障維修提供技術(shù)支撐。
1)TEV 的時(shí)域特征
暫態(tài)地電壓是指開(kāi)關(guān)柜等電力設(shè)備發(fā)生局部放電故障時(shí),受電磁波影響而在其表面產(chǎn)生的微弱暫態(tài)脈沖電流所帶來(lái)的電勢(shì)差,其大小與局部放電故障的特征直接相關(guān)[10-11]。暫態(tài)地電壓可通過(guò)專門(mén)的TEV 傳感器獲取,經(jīng)過(guò)放大、降噪等電路處理后,能夠用于局部放電故障的分析及診斷。文中通過(guò)提取TEV 的時(shí)域和頻域特征參數(shù),并利用該參數(shù)來(lái)對(duì)開(kāi)關(guān)柜的局部放電故障進(jìn)行檢測(cè)與識(shí)別。時(shí)域特征參數(shù)的組成如圖1 所示。各時(shí)域特征參數(shù)的計(jì)算示意圖,如圖2 所示。
圖1 TEV的時(shí)域特征參數(shù)組成
圖2 TEV的時(shí)域特征參數(shù)計(jì)算示意圖
其中,最大電壓幅值Umax為T(mén)EV 信號(hào)曲線電壓幅值的最大值:
式中,Ut為t時(shí)刻TEV 信號(hào)幅值。
平均電壓幅值μ為所有數(shù)據(jù)點(diǎn)電壓幅值的平均值,其離散形式為:
式中,T為T(mén)EV 曲線數(shù)據(jù)點(diǎn)的總數(shù)。上升時(shí)間用tr表示,其為電壓幅值峰值從10%上升至90%的耗時(shí),即為:
而下降時(shí)間td為電壓幅值的峰值從90%下降到10%的時(shí)間,則有:
上升陡度rr為T(mén)EV 曲線電壓幅值的峰值與信號(hào)從0 上升到50%電壓幅值峰值的時(shí)間之比:
下降陡度rd為T(mén)EV 曲線電壓幅值的峰值與信號(hào)電壓峰值從最大下降至50%的時(shí)間之比:
10%、50%峰值脈沖寬度Tw1和Tw2分別為T(mén)EV信號(hào)在10%和50%以上電壓幅值的峰值持續(xù)時(shí)間,即為:
TEV 曲線方差σ的計(jì)算公式如下:
TEV 曲線面積S的計(jì)算公式為:
2)TEV 的頻域特征
將TEV 信號(hào)轉(zhuǎn)化至頻域,對(duì)其頻譜圖像進(jìn)行分析。TEV 頻域特征參數(shù)的組成如圖3 所示。其中,峰值個(gè)數(shù)為頻譜信號(hào)峰值超過(guò)最大峰值50%的譜峰個(gè)數(shù)。
圖3 TEV頻域特征參數(shù)組成
當(dāng)開(kāi)關(guān)柜等電力設(shè)備發(fā)生局部放電故障時(shí),放電區(qū)域由于分子內(nèi)部的劇烈撞擊或介質(zhì)的發(fā)熱而產(chǎn)生振動(dòng)沖擊波。利用超聲波傳感器將聲波信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),可以對(duì)局部放電特征加以分析[12]。
1)超聲波的時(shí)域特征
文中選擇了常用的短時(shí)平均能量、短時(shí)平均幅值、短時(shí)過(guò)零率與短時(shí)自相關(guān)系數(shù)作為超聲波時(shí)域特征參數(shù)。通常將超聲波信號(hào)進(jìn)行加窗分幀處理,窗口長(zhǎng)度為N,則n時(shí)刻的短時(shí)平均能量En為:
式中,x為原始超聲波信號(hào)值;w為窗口權(quán)值,文中選用漢明(Hanmming)窗,其表達(dá)式如下:
則n時(shí)刻的短時(shí)平均幅值vn為:
短時(shí)過(guò)零率Zn為:
式中,sgn(·)為符號(hào)函數(shù),其可表征為:
短時(shí)自相關(guān)系數(shù)Rn(b)的計(jì)算方式如下:
其中,b為時(shí)間間隔。
2)超聲波的頻域特征
文中提取的頻域特征參數(shù)包括梅爾頻率倒普系數(shù)(Mel-Frequency Cepstrum Coefficient,MFCC)[13]和翻轉(zhuǎn)梅爾倒頻譜系數(shù)(Inverse Mel-Frequency Cepstrum Coefficient,IMFCC)。MFCC 特征參數(shù)的提取流程如圖4 所示。
圖4 MFCC特征參數(shù)提取流程
首先,利用快速傅里葉變換(Fast Fourier Transform,F(xiàn)FT)將經(jīng)過(guò)加窗分幀處理后的時(shí)域信號(hào)轉(zhuǎn)化為頻域信號(hào):
然后計(jì)算每幀信號(hào)頻譜的模平方,得到功率譜Pi(k):
進(jìn)一步將功率譜輸入梅爾濾波器中,并對(duì)該濾波器的第d個(gè)三角濾波器能量值求取對(duì)數(shù),得到對(duì)數(shù)梅爾頻譜Si(d):
梅爾濾波器第d個(gè)濾波器的傳遞函數(shù)如下:
式中,x(d)為中心頻率。
最后將對(duì)數(shù)梅爾頻譜Si(d)進(jìn)行離散余弦變換,則輸出第n階MFCC 系數(shù)為:
由于梅爾濾波器為低通濾波器,其對(duì)低頻信號(hào)特征提取效果較優(yōu),但開(kāi)關(guān)柜局部放電的超聲波信號(hào)以高頻為主,因此為保留超聲波信號(hào)的高頻特征,文中還引入了IMFCC 參數(shù)。該參數(shù)的計(jì)算過(guò)程與MFCC 相同,區(qū)別在于其將MFCC 的高低頻部分結(jié)構(gòu)進(jìn)行了翻轉(zhuǎn),從而對(duì)高頻信號(hào)具有更為理想的提取能力。二者的傳遞函數(shù)關(guān)系為:
綜上所述,文中提出基于CNN-LSTM-Attention模型的電力設(shè)備局部放電故障檢測(cè)算法。該算法結(jié)構(gòu)如圖5 所示。首先,將TEV 和超聲波等多源信號(hào)作為輸入數(shù)據(jù);然后,分別提取這兩種信號(hào)的時(shí)域及頻域特征參數(shù),并將其作為模型的輸入;最終,獲得局部放電的檢測(cè)結(jié)果。
圖5 局部放電檢測(cè)算法結(jié)構(gòu)
CNN-LSTM-Attention 模型結(jié)構(gòu)如圖6 所示。該模型通過(guò)CNN 來(lái)提取輸入數(shù)據(jù)的高維特征;并利用LSTM 網(wǎng)絡(luò)解決輸入的時(shí)序數(shù)據(jù)與局部放電檢測(cè)結(jié)果的關(guān)聯(lián)問(wèn)題,且避免出現(xiàn)梯度爆炸或消失的現(xiàn)象;同時(shí)還引入Attention 機(jī)制強(qiáng)化模型對(duì)于不同輸入數(shù)據(jù)關(guān)注度的差異性,從而提高模型的整體識(shí)別準(zhǔn)確率。
圖6 CNN-LSTM-Attention模型結(jié)構(gòu)
其中,CNN[14]層主要由兩層卷積層和一層池化層構(gòu)成,其可完成對(duì)輸入數(shù)據(jù)特征的模糊化與高維提取。LSTM[15]是一種特殊的循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(Recurrent Neural Network,RNN),由遺忘門(mén)、輸入門(mén)和輸出門(mén)組成。其循環(huán)單元的神經(jīng)結(jié)構(gòu)如圖7 所示。
圖7 LSTM單元結(jié)構(gòu)
遺忘門(mén)、輸入門(mén)和輸出門(mén)的表達(dá)式為:
式中,ft、it、ot分別為遺忘門(mén)、輸入門(mén)與輸出門(mén)的輸出;xt為輸入數(shù)據(jù);Wf和bf、Wi和bi、Wo和bo分別為遺忘門(mén)、輸入門(mén)、輸出門(mén)的權(quán)重及偏置。
由圖7 可知,t時(shí)刻LSTM 單元的狀態(tài)和輸出分別為:
Attention[16]層的本質(zhì)是利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)得到不同輸入數(shù)據(jù)的注意力權(quán)值,該層的最終輸出為:
式中,βi為第i個(gè)輸入xi的權(quán)重值,其可通過(guò)Attention 層計(jì)算得到,則有:
式中,U、V與W均為Attention 層的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。
仿真實(shí)驗(yàn)的硬件環(huán)境為處理器Intel(R)Core(TM)i7-8550U,內(nèi)存16 GB。某省電網(wǎng)公司提供的9 580 條開(kāi)關(guān)柜TEV 與超聲波監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)作為樣本,并按照7∶3 的比例劃分為訓(xùn)練集和測(cè)試集。
將相同數(shù)據(jù)集作為CNN、CNN-LSTM 和文中所提算法的輸入,分析對(duì)比不同算法在開(kāi)關(guān)柜局部放電檢測(cè)準(zhǔn)確率上的差異,所得結(jié)果如表1 所示。
表1 不同算法局部放電檢測(cè)準(zhǔn)確率
由表1 可知,該文算法對(duì)于電暈放電、沿面放電和懸浮放電具有良好的檢測(cè)效果,且識(shí)別準(zhǔn)確率均大于95%。而對(duì)于氣隙放電檢測(cè)的效果一般,識(shí)別準(zhǔn)確率低于90%。但與CNN、CNN-LSTM 算法相比,該文算法針對(duì)不同局部放電類型的識(shí)別準(zhǔn)確率均具有明顯優(yōu)勢(shì)。從總體檢測(cè)效果而言,該文算法的平均識(shí)別準(zhǔn)確率可達(dá)95.1%,而對(duì)比算法僅為83.0%和78.5%。
由此可見(jiàn),該文算法通過(guò)采用Attention 機(jī)制與LSTM 層,能夠顯著提升局部放電的檢測(cè)準(zhǔn)確率。
將實(shí)際的200 組開(kāi)關(guān)柜故障數(shù)據(jù)輸入至該算法的模型框架中,該數(shù)據(jù)內(nèi)包含電纜故障、支持絕緣子故障、電流互感器故障以及斷路器故障共4 種故障類型。實(shí)際檢測(cè)效果如圖8 所示。從圖中可看出,在電纜故障中100%識(shí)別為電暈放電;在支持絕緣子故障中,63%的概率識(shí)別為沿面放電;而在電流互感器故障中,有96%被識(shí)別為氣隙放電;在斷路器故障中則有75%的概率為懸浮放電。由此表明,在實(shí)際應(yīng)用故障檢測(cè)中,通過(guò)文中算法能夠得到不同故障類型的占比,進(jìn)而為開(kāi)關(guān)柜的檢修維護(hù)提供輔助。
圖8 實(shí)際局部放電故障的檢測(cè)結(jié)果占比
文中將深度學(xué)習(xí)算法應(yīng)用于開(kāi)關(guān)柜局部放電的檢測(cè)識(shí)別中,通過(guò)仿真分析表明,算法的平均識(shí)別準(zhǔn)確率高達(dá)95.1%,且相較于CNN 和CNN-LSTM 算法分別提升了約17%及12%。在實(shí)際應(yīng)用中,該文算法能夠?yàn)殚_(kāi)關(guān)柜提供不同故障類型的分布概率,進(jìn)而為配電網(wǎng)的智能化運(yùn)維提供數(shù)據(jù)支撐。但該文算法僅能完成對(duì)局部放電故障的識(shí)別分類,而未能實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的故障定位,這將在下一步研究中開(kāi)展。