一種下變頻電路的研究與設(shè)計(jì)

李 偉

(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所 合肥 230088)

0 引言

多模式雷達(dá)是是海軍海上信息獲取的重要途徑,可對(duì)艦隊(duì)周邊進(jìn)行警戒/搜索,擴(kuò)展艦船自有探測(cè)范圍,兼顧偵察任務(wù)和海面氣象探測(cè)任務(wù),是海軍重要無(wú)人機(jī)載對(duì)海監(jiān)視雷達(dá)裝備,將牽引后續(xù)系列化無(wú)人機(jī)載廣域海上監(jiān)視雷達(dá)裝備的發(fā)展。雷達(dá)系統(tǒng)采用有源相控陣[1],往往具備對(duì)海面艦船目標(biāo)警戒搜索/跟蹤監(jiān)視、合成孔徑成像、對(duì)空探測(cè)和氣象探測(cè)功能。

雷達(dá)系統(tǒng)有源射頻單元部分主要由有源天線陣面和低功率射頻單元兩大部分組成,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)寬帶SAR/ISAR、窄帶xMTI和氣象探測(cè)等功能。

低功率射頻單元,包括一體化寬帶收發(fā)[2-4]、一體化窄帶接收和微系統(tǒng)集成頻率源,再通過(guò)一體化結(jié)構(gòu)集成設(shè)計(jì)形成一個(gè)獨(dú)立的可更換單元實(shí)現(xiàn)?？梢詫?shí)現(xiàn)窄帶工作模式、寬帶工作模式。

下變頻電路[5]作為窄帶接收的重要組成部分,其功能是將有源天線陣面送來(lái)的回波信號(hào)頻率變換、并進(jìn)行濾波放大等,送入數(shù)字接收單元,再進(jìn)入信號(hào)處理系統(tǒng)。為了滿足高集成度的需求, 基于SIP理念,本文設(shè)計(jì)了一種基于高溫共燒陶瓷(HTCC)封裝工藝[6-8]、微波多芯片模塊(MMCM)、高密度微波電路技術(shù)[9-10]的下變頻電路的實(shí)現(xiàn)方法。該組件適用于表貼應(yīng)用,覆蓋S波段整個(gè)頻段,體積小、重量輕,使得整個(gè)射頻單元的集成度和可靠性大幅度提高。滿足雷達(dá)、通信等系統(tǒng)需求。

1 電路設(shè)計(jì)

接收時(shí)回波信號(hào)經(jīng)有源天線陣面天線接收、T/R組件、子陣合成和子陣延遲放大后形成子陣的回波射頻信號(hào),經(jīng)多路低功率射頻窄帶模擬變頻接收后送入多通道數(shù)字接收機(jī),通過(guò)數(shù)字化、數(shù)字解調(diào)和數(shù)據(jù)融合,產(chǎn)生基帶窄帶I/Q信號(hào),并通過(guò)開(kāi)窗數(shù)據(jù)緩存和光接口送給信號(hào)處理。

1.1 電路架構(gòu)

下變頻模塊射頻鏈路主要由放大器、數(shù)控衰減器、混頻器和濾波器等多功能芯片集成,電路結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。射頻和中頻設(shè)置兩級(jí)放大器,以提高輸出功率?？刂茢?shù)控衰減器的衰減碼,從而調(diào)節(jié)電路的增益?；祛l器將射頻信號(hào)頻率變換至中頻,兩級(jí)濾波器濾除帶外噪聲和干擾以及諧波和雜散信號(hào)。模塊還具有本振驅(qū)動(dòng)和放大功能。此外,模塊集成了數(shù)控驅(qū)動(dòng)電路,和控制信號(hào)抗干擾匹配電路。實(shí)現(xiàn)了小體積、高集成,多功能。

1.2 鏈路設(shè)計(jì)

由多級(jí)級(jí)聯(lián)器件噪聲公式[11]可知,決定通道噪聲系數(shù)的主要是第一級(jí)放大器的噪聲系數(shù)。所以第一級(jí)放大器按最小噪聲系數(shù)選擇,同時(shí)第一級(jí)放大器的高增益可以削弱后級(jí)對(duì)噪聲系數(shù)的影響。根據(jù)技術(shù)指標(biāo)要求,選擇低噪聲放大器,其噪聲系數(shù)2.0dB、增益20dB,噪聲系數(shù)能更加得益。

第二級(jí)放大器在提供足夠增益的同時(shí),兼顧1dB壓縮點(diǎn)功率,選擇具有高P-1放大器,可以使得接收前端有較大的線性范圍,并且保證帶內(nèi)雜波或諧波有較高的抑制,因此,根據(jù)技術(shù)指標(biāo)要求,放大器選擇P-1達(dá)20dBm 的芯片放大器,在實(shí)際使用時(shí)放大器工作在其P-1回退8dB～10dB 的線性區(qū),其無(wú)雜散動(dòng)態(tài)有較大提高。理論計(jì)算后,通道噪聲系數(shù)NF≤3dB,增益G=26.7dB,P-1也滿足指標(biāo)要求。

為了提高變頻模塊線性動(dòng)態(tài)范圍,通過(guò)在兩級(jí)放大器中間串接一級(jí)數(shù)控衰減器,增益控制量為20dB,可進(jìn)行增益自動(dòng)控制,使得系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍由瞬時(shí)動(dòng)態(tài)45dB擴(kuò)大到65dB,滿足線性最大輸入信號(hào)的指標(biāo)要求。

混頻器選擇雙平衡混頻器電路,工作帶寬可達(dá)數(shù)個(gè)倍頻程,射頻信號(hào)和本振端口隔離好;如果考慮諧波分量,混頻器的輸出僅含有奇次諧波的和、差分量,偶次諧波分量均被抵消掉。其輸出頻譜比較理想。

1.3 鏈路主要指標(biāo)計(jì)算

選定器件后,利用ADS 仿真軟件對(duì)該模塊的射頻鏈路預(yù)算做仿真分析,重點(diǎn)關(guān)注整個(gè)鏈路的增益、輸出1dB壓縮點(diǎn)、噪聲系數(shù)等指標(biāo)。鏈路仿真模型和仿真結(jié)果如圖2、圖3所示。

圖2 鏈路預(yù)算仿真

圖3 鏈路預(yù)算仿真結(jié)果

圖3中仿真結(jié)果顯示了鏈路的噪聲系數(shù)、輸出1dB壓縮點(diǎn)、增益、OIP3指標(biāo)計(jì)算結(jié)果。由此可知,模塊的通道噪聲系數(shù)NF≤3dB,增益約為26.1dB,此時(shí)的OIP3約為28.3dBm,可以滿足系統(tǒng)指標(biāo)要求。

1.4 雜諧波抑制設(shè)計(jì)

頻率窗口選擇綜合考慮本模塊內(nèi)部以及外部設(shè)備接口設(shè)計(jì)。內(nèi)部主要是參與混頻的信號(hào)之間的交調(diào)要落在有用信號(hào)帶寬之外,以及信號(hào)和本振、中頻之間的頻率關(guān)系,便于濾波器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)選擇等。外部主要是頻率源的設(shè)計(jì)和AD器件的實(shí)現(xiàn)角度。

從互調(diào)分析看,混頻頻率窗口在中頻帶內(nèi)無(wú)13次以內(nèi)交調(diào)出現(xiàn),所選擇的混頻器帶內(nèi)外交調(diào)測(cè)試結(jié)果抑制度65dBc以上,加之鏈路里級(jí)聯(lián)的多級(jí)低通濾波器,通過(guò)合理分配鏈路增益及選擇工作點(diǎn),該模塊帶內(nèi)交調(diào)抑制度65dBc以上。

對(duì)于混頻產(chǎn)生的低次諧波信號(hào),以及存在的最低次互調(diào)5RF-4LO,為帶外信號(hào),為進(jìn)一步提高抑制度,可通過(guò)在本變頻模塊后級(jí)外掛中頻濾波器,如LC濾波器來(lái)實(shí)現(xiàn)很好的抑制。仿真計(jì)算模型和結(jié)果如圖4、圖5所示。

圖4 鏈路諧波平衡仿真

圖5 諧波平衡仿真仿真結(jié)果

根據(jù)所選混頻器件,中頻輸出端對(duì)本振、射頻信號(hào)的最小抑制度分別為35dBc、20dBc,加上模塊中各級(jí)濾波器對(duì)本振和射頻的抑制作用,預(yù)計(jì)模塊對(duì)本振和射頻信號(hào)的抑制分別可以滿足60dBc、45dBc的指標(biāo)要求。

關(guān)于射頻鏡像頻率信號(hào),可以通過(guò)在混頻前加濾波器來(lái)進(jìn)行抑制,根據(jù)最大帶寬需求,可以基于聲表或陶瓷介質(zhì)濾波器等來(lái)實(shí)現(xiàn),一般可滿足40dB以上鏡像抑制的需求?？紤]到微組裝和小型化設(shè)計(jì),該類(lèi)表貼型濾波器可在本變頻模塊前級(jí)外掛實(shí)現(xiàn)。

2 電路封裝設(shè)計(jì)

變頻電路封裝形式采用溫共燒陶瓷(HTCC)基板和金屬殼體的一體化燒結(jié)工藝制作,該多層基板布線密度高,層間互連孔徑小。加上多功能芯片技術(shù),采用先進(jìn)的微組裝工藝裝配于高集成的封裝內(nèi),可以滿足電路小型化、高集成的需求。

高集成往往更需要充分考慮組件電磁兼容等問(wèn)題,根據(jù)變頻組件的設(shè)計(jì)方案,本文基于HFSS仿真軟件[12]對(duì)組件封裝腔體效應(yīng)、多層陶瓷基板射頻信號(hào)垂直互連等進(jìn)行建模仿真,并通過(guò)電路合理布局等設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了組件的高性能。

2.1 腔體效應(yīng)仿真設(shè)計(jì)

在微波電路的設(shè)計(jì)中,微波的腔體效應(yīng)對(duì)電路的穩(wěn)定性起重要作用。需要綜合考慮微波組件的形狀、尺寸和電路布局等結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)S 參數(shù)的影響。由于微波組件內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜,再加上器件對(duì)腔體的微擾,很難完全從理論上精確完成微波腔體的設(shè)計(jì)。本文通過(guò)首先利用電磁理論腔體公式,初步計(jì)算腔體尺寸,再結(jié)合具體情況,綜合考慮金屬腔體內(nèi)介質(zhì)基板及電路布局的影響,利用仿真軟件建模仿真計(jì)算。

這里借助電磁場(chǎng)仿真工具HFSS來(lái)對(duì)實(shí)際應(yīng)用狀態(tài)的諧振特性進(jìn)行分析。組件中的MMIC、金絲等器件均用微帶線直接代替。微帶線的布局根據(jù)實(shí)際的芯片布局設(shè)定。模型如圖6所示?？涨坏某叽鐬?4.6mm×11.6mm×3mm,HTCC基板厚度為1mm。利用HFSS軟件進(jìn)行仿真,考慮到元器件的工作帶寬和組件的設(shè)計(jì),工作帶寬為2.75GHz～2.85GHz,以2GHz 為振蕩頻率的計(jì)算起始點(diǎn),計(jì)算比其更高的振蕩頻率。

圖6 腔體效應(yīng)仿真

對(duì)腔體模型采用本征模式分析,仿真結(jié)果如圖7所示。通過(guò)對(duì)仿真結(jié)果分析可以發(fā)現(xiàn),沒(méi)有電磁諧振頻率點(diǎn)位于帶內(nèi),不會(huì)產(chǎn)生自激問(wèn)題,可以獲得很好的組件性能。

圖7 腔體諧振特性仿真結(jié)果

2.2 電路布局、圖層設(shè)計(jì)

考慮到信號(hào)傳輸完整性問(wèn)題,綜合設(shè)計(jì)組件封裝尺寸和接口定義,電路布局時(shí)本振信號(hào)與中頻信號(hào)、射頻信號(hào)不存在交叉走線,這樣可以獲得較高的射頻信號(hào)隔離度。射頻信號(hào)采用“微帶線-帶狀線-微帶線”的垂直過(guò)度方式,具有很好的抗干擾和電磁兼容性能?；贖TCC基板高密度高集成布板特性,該電路功能可以通過(guò)四層介質(zhì)、四層金屬層圖形多層板來(lái)實(shí)現(xiàn)。

2.3 微波傳輸結(jié)構(gòu)仿真

由于采用HTCC與可伐合金殼體一體化燒結(jié),射頻端口由殼體引腳輸入到HTCC基板的Bottom層,再垂直過(guò)渡到定頂層布線,再與射頻鏈路互聯(lián)。形成“微帶線-傳輸通孔-微帶線”的三維垂直互連傳輸模型。對(duì)射頻信號(hào)垂直過(guò)渡結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模仿真,微帶線與帶線之間采用準(zhǔn)同軸形式實(shí)現(xiàn)微波信號(hào)的三維垂直互聯(lián)傳輸,采用準(zhǔn)同軸傳輸形式帶寬寬且損耗小。三維模型如圖8所示。

圖8 射頻垂直互連傳輸模型

在ANSYS仿真環(huán)境下,分別對(duì)微波信號(hào)傳輸孔、準(zhǔn)同軸屏蔽環(huán)形接地孔、接地面上孔的排列、各段帶線及匹配枝節(jié)的尺寸等結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化仿真,并且考慮實(shí)際加工裝配和工藝的可實(shí)現(xiàn)性,最終得到傳輸電路結(jié)構(gòu)。其仿真結(jié)果如圖9所示。結(jié)果表明,該設(shè)計(jì)可以達(dá)到駐波小于1.15,插損小于0.05dB,傳輸性能良好,滿足系統(tǒng)指標(biāo)使用需求。

圖9 垂直過(guò)渡仿真結(jié)果

3 電路測(cè)試

3.1 測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)

該變頻組件測(cè)試通過(guò)專用測(cè)試夾具和測(cè)試軟件和測(cè)試系統(tǒng)完成,可以完成組件指標(biāo)測(cè)試、存儲(chǔ)及數(shù)據(jù)后處理。測(cè)試系統(tǒng)包括四端口變頻矢網(wǎng)、頻譜分析儀和噪聲系數(shù)分析儀等儀表系統(tǒng)[13],以及專用測(cè)試適配系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)組件不同指標(biāo)測(cè)試時(shí)儀表切換,以及為變頻組件提供控制信號(hào),控制組件內(nèi)數(shù)控衰減狀態(tài)。該測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)能夠快速完成變頻組件指標(biāo)自動(dòng)化測(cè)試。

3.2 測(cè)試結(jié)果

根據(jù)上述設(shè)計(jì),生產(chǎn)的S波段下變頻模塊實(shí)物如圖10所示。對(duì)裝機(jī)批量組件的性能指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試,100MHz工作帶寬內(nèi),結(jié)果如下:通道增益27±0.5dB;P-1輸出≥17.6dBm;單通道帶內(nèi)增益起伏≤1dB;噪聲系數(shù)≤4dB;本振隔離度≥60dBc;射頻-中頻端口隔離≥42dBc;中頻輸出帶內(nèi)雜散抑制≥70dBc;射頻輸入駐波≤1.8;中頻輸出駐波≤1.4;本振駐波≤1.5。組件典型測(cè)試波形如圖11-圖14所示。

圖10 下變頻模塊實(shí)物圖

圖11 增益、帶內(nèi)起伏、駐波測(cè)試結(jié)果

圖12 P-1壓縮點(diǎn)測(cè)試

圖13 基態(tài)噪聲系數(shù)測(cè)試結(jié)果

圖14 本振-中頻端口隔離度測(cè)試

以上測(cè)試結(jié)果表明,該下變頻模塊具有增益帶內(nèi)起伏小、低噪聲系數(shù)、射頻隔離度高、高雜散抑制、組件間增益一致性好等特點(diǎn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均能夠很好地滿足項(xiàng)目應(yīng)用需求。

4 結(jié)束語(yǔ)

本文設(shè)計(jì)了一種小型化下變頻電路,該模塊基于三維集成的設(shè)計(jì)理念和陶瓷一體化封裝技術(shù),通過(guò)射頻鏈路仿真設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)工藝設(shè)計(jì),組件腔體、射頻垂直互聯(lián)仿真,并合理布局內(nèi)部電路等,實(shí)現(xiàn)了組件的高性能集成,測(cè)試結(jié)果表明各項(xiàng)指標(biāo)均滿足系統(tǒng)要求,電路的可靠性和可制造性也得到充分驗(yàn)證,可以廣泛應(yīng)用于地面、機(jī)載等平臺(tái)的相控陣?yán)走_(dá)。