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      微晶石墨改性用作鋰離子電池負極材料*

      2023-03-10 01:43:02謝志勇
      功能材料 2023年2期
      關(guān)鍵詞:潤濕微晶漿料

      周 奇,文 博,謝志勇

      (1. 中南大學 粉末冶金研究院,長沙 410083;2. 湘潭大學 材料科學與工程學院,湖南 湘潭 411105)

      0 引 言

      石墨礦石分為晶質(zhì)石墨(或者鱗片石墨)和微晶石墨兩大類,晶體粒徑大于1 μm的石墨稱為晶質(zhì)石墨,小于1 μm的石墨稱為微晶石墨,其固定碳含量一般達60%~80%,顏色為黑色,有金屬光澤。我國天然微晶石墨礦產(chǎn)豐富,居世界首位,主要分布在湖南和吉林兩省,品位高,晶粒微小,表現(xiàn)為各向同性,同時具有成本低廉、較高的比容量、較低的充放電電壓平臺等優(yōu)點,是制備鋰離子電池負極材料的很好原料[1-2]。

      天然微晶石墨用作鋰離子電池負極材料,由于存在首次效率低、循環(huán)穩(wěn)定性差等問題,需經(jīng)過粉碎、提純等工藝進行改性后才能大批量應(yīng)用。常用的改性方法有機械研磨[3]、惰性氣體清洗[4]、表面氧化[5]、包覆[6-7]、氣體還原、高溫熱處理[8]等主要方法,減少了碳顆粒表面活性高的部分,有助于形成相對穩(wěn)定SEI膜,從而減少了不可逆容量,增大了充放電效率,同時提高了循環(huán)穩(wěn)定性。楊森和王靖等[9-10]均研究了微晶石墨的提純工藝,分別采用氫氟酸和混酸進行提純,提純后的微晶石墨首次放電比容量最高可達778.9 mAh/g,首次庫倫效率為61.3%。Wang等[11]研究了微晶石墨的整形工藝,先使用粉碎裝置對微晶石墨原材料進行粉碎后,再進行整形。Wang等[12]進一步研究了微晶石墨的分級工藝,采用靜置和旋水分離方法獲得尺寸窄D90/D10=5的微晶石墨顆粒,采用質(zhì)量分數(shù)10%的分散劑和粘結(jié)劑進行了扣電制作,首效達78%,可逆克容量達298 mAh/g。為了實現(xiàn)微晶石墨在鋰離子全電池中的應(yīng)用,喬永明[13]、張曉林[14]和Kyung-Jin K[15]等均使用碳材料包覆對微晶石墨進行改性,其中張曉林優(yōu)化的結(jié)果中顯示包覆后的微晶石墨克容量最高達313 mAh/g,首次效率比包覆前提高了12.8%(達到74.5%)。再者,專利CN105977489A[16]公開一種天然微晶石墨負極材料的改性方法,主要通過包覆的方法實現(xiàn)微晶石墨改性,主要包括整形粉碎、包覆、石墨化等步驟,得到克容量高、首效高、表比面積低、循環(huán)性能優(yōu)越的微晶石墨負極材料。首效由改善前的73.6%提高到改善后的95.2%,克容量由320 mAh/g提高到了384 mAh/g,總體性能改善明顯。

      微晶石墨一次顆粒小且比表面積大,以上改性方法雖然較大程度解決了微晶石墨首次效率低、循環(huán)穩(wěn)定性差的問題,但加工性能和倍率性能都差,歸因于都采用了很高含量的分散劑和粘結(jié)劑來制備負極漿料,來保證漿料的穩(wěn)定性[17-18]。我們希望在進一步提高首效或可逆克容量的同時,找到一種方法降低非活性物質(zhì)的用量,同時保證漿料穩(wěn)定性[19-20],實現(xiàn)微晶石墨負極材料的加工性能的提高,有效解決微晶石墨在動力電池應(yīng)用中的工程化問題點。

      1 實驗

      1.1 材料制備

      碳包覆的微晶石墨(簡稱CMG)樣品制備包括二個階段。第一個階段:.首先取過粉碎后的2 kg郴州微晶石墨原料(簡稱MG,純度99%,D50=27 μm)放在石墨化坩堝里,然后將石墨化坩堝置于石墨化爐內(nèi),進行階梯式升溫,最高溫度2600 ℃,保持一定時間,然后慢慢降溫冷卻,得到的樣品簡稱為石墨化后微晶石墨(簡稱HMG);第二個階段:取冷卻后的微晶石墨樣品500 g,加入到燒杯中,加入PVA溶液進行攪拌混合60 min,再放入到烘箱中蒸干,得到PVA包覆的微晶石墨前驅(qū)體,其中PVA與微晶石墨用量比例為3∶100,再將PVA包覆微晶石墨前驅(qū)體進行碳化,碳化溫度為600 ℃,碳化時間為8 h,氮氣為保護氣,冷卻后,過100目篩網(wǎng),得到碳包覆的微晶石墨樣品(簡稱CMG)。

      1.2 物理性能表征

      采用X’Pert PRO型X射線衍射儀對微晶石墨樣品進行結(jié)構(gòu)分析,掃描速率為4°/min。采用PerkinElmer型ICP測試微晶石墨原料的主要雜質(zhì)元素,采用Horiba Evolution型拉曼光譜儀分析微晶石墨樣品的表面結(jié)構(gòu),采用SG-BH8型掃描電子顯微鏡觀察樣品的表面形貌,采用TecnaiG220S-Twin型透射電子顯微鏡觀察樣品顆粒的碳包覆情況。采用BT-300型振實密度儀測定樣品的振實密度,采用ASAP2020型測試儀測試樣品的比表面積和孔徑分布,采用LS-POP6型激光粒度分布儀測試樣品的粒度分布。采用Dataphysics-OCA20型接觸角儀測量樣品的潤濕角。

      1.3 電化學性能表征

      取100 g碳包覆后的微晶石墨,按一定的質(zhì)量比加入水、活性物質(zhì)MG(或HMG或CMG)、導電碳、分散劑CMC(Bondwell常規(guī)BVH8型號和威怡超高分子CMC兩者之一)、粘結(jié)劑SBR。其中導電碳用量為0.7%(質(zhì)量分數(shù),下同),SBR用量為1.8%,CMC用量為0.5%,攪拌混合均勻得到一定粘度的漿料。將漿料涂9 μm銅箔上,涂覆面密度為(9.5±0.5)mg/100 mm2,然后在80 ℃下鼓風干燥12 h。沖片,以金屬鋰片作為對電極,采用1 mol /L LiPF6/EC-EMC-DMC(體積比為1∶1∶1)的電解液,制作成CR2032 型紐扣電池。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 不同樣品的理化性能

      表1顯示了99%純度微晶石墨原料MG的主要雜質(zhì)元素含量,從中可以看出主要雜質(zhì)元素為Si、Al、Fe、Ca,都屬于地殼含量最多的幾種元素。

      表1 微晶石墨原料中主要雜質(zhì)元素含量Table 1 Main impurity elements in microcrystalline graphite raw materials

      表2為不同樣品MG、HMG和CMG的理化指標對比。從表中可以觀察到與包覆前的MG和HMG樣品相比,包覆后樣品CMG振實密度提高,且比表面積降低,這是因為大顆粒表面很多微粉或者小顆粒被碳層包覆形成二次顆粒,總的細粉數(shù)量減少。同時,PVA高溫下融化變成溶液也能有效地滲透到石墨顆粒內(nèi)部孔隙中,使石墨內(nèi)部的孔隙也能充分被填充,使得包覆后CMG的比表積降低。與MG相比,經(jīng)過高溫石墨化后的HMG比表面積大幅度下降,主要歸因于石墨化有利于消除顆粒內(nèi)外部缺陷,同時減少微孔數(shù)量。另外,從顆粒度表征的數(shù)據(jù)來看,3種樣品最小粒徑都在1 μm以下,有很多大顆粒,粒徑分布不均勻,包覆樣品CMG的平均粒徑降低歸因于經(jīng)過了100目過篩。

      表2 不同樣品MG、HMG和CMG的理化指標Table 2 Physical and chemical indexes of MG, HMG and CMG

      圖1為3種微晶石墨樣品MG、HMG和CMG的 BJH 孔徑分布圖。與 MG 相比,HMG和CMG 中不同孔徑的微分孔容明顯降低,集中表現(xiàn)在7 nm孔徑以下區(qū)域,這是因為石墨化促進了微晶顆粒進一步發(fā)生取向和聚集,消除了顆粒表面的缺陷。與HMG相比,CMG中不同孔徑的微分孔容略有下降,這是因為高溫下毛細管作用促進了碳包覆劑在孔隙中的滲透,從而使碳化后的碳顆粒在保留在CMG顆粒的孔隙中。

      圖1 MG/HMG/CMG的BJH孔徑分布Fig.1 BJH pore distribution of MG/HMG/CMG

      圖2為3種微晶石墨樣品MG、HMG和CMG的吸脫附等溫線圖。3種石墨樣品均以大孔和介孔為主,在較高相對壓力下均出現(xiàn)了明顯的滯后環(huán)。與MG相比,HMG面積明顯減小,說明經(jīng)過高溫石墨化后顆粒內(nèi)部孔隙率明顯減少,同時也大幅度降低了比表面積;HMG和CMG的面積、孔型相近,即說明經(jīng)過碳包覆并不能改變顆粒的孔型。吸脫附等溫線分析結(jié)果與孔徑分布分析結(jié)果保持一致。

      圖2 MG/HMG/CMG的吸脫附等溫線Fig.2 Adsorption /desorption isotherms of MG/HMG/CMG

      2.2 不同樣品的結(jié)構(gòu)和表面形貌

      圖3為MG、HMG和CMG的XRD圖譜,從圖可以觀察到3種石墨都顯示不同強度的衍射峰。與MG相比,HMG和CMG顯示出更強、更窄且規(guī)整的(002)晶面衍射峰。3種石墨樣品(002)晶面相應(yīng)的2θ角分別為:26.55°、26.60°、26.61°,(002)晶面衍射峰角向更高方向偏移,說明經(jīng)過高溫處理后晶粒更規(guī)整,石墨化程度更高,與下述石墨化后樣品的克容量提高結(jié)果保持一致。根據(jù)謝樂公式Lc=0.89λ/(βcosθ),可知:與MG相比,經(jīng)過高溫化后HMG晶粒長大,結(jié)晶性更強。在實驗條件下,盡管微晶石墨顆粒表面包覆了無定形結(jié)構(gòu)炭,層間距相對較大,但炭包覆不可能改變微晶石墨基本的晶體結(jié)構(gòu), XRD反映的是材料晶體結(jié)構(gòu)平均值,因此HMG和CMG相比較,兩者的石墨化度G和平均晶粒尺寸Lc都非常接近。圖5所示CMG樣品的TEM結(jié)果也直接證明了微晶石墨顆粒的表面包覆了一層無定形炭。

      圖3 MG、HMG和CMG的XRD圖Fig.3 XRD patterns of MG, HMG and CMG

      圖4為MG、HMG和CMG的SEM圖,從中可以觀察到各樣品顆粒的表面形貌。從中可以觀察到包覆前的MG或者HMG顆粒外面都有很多細粉,而包覆后的CMG顆粒外表面細粉明顯減少,這與理化指標中的比表面積降低保持一致。

      圖4 MG、HMG和CMG的SEM圖Fig.4 SEM micrographs of MG, HMG and CMG

      圖5為碳包覆樣品CMG的TEM圖,可以觀察到包覆后的微晶石墨表面有5~10 nm的無定形碳包覆層,結(jié)構(gòu)清楚。包覆層有助于降低比表面積,減少石墨表面與電解液的副反應(yīng),同時提供良好的鋰離子嵌入脫出通道。

      圖5 CMG的TEM圖Fig.5 TEM patterns of CMG

      圖6為MG、HMG和CMG的拉曼光譜圖。拉曼圖中所示的1 360 cm-1處為 D峰和1 580 cm-1為G峰,從圖中可以看出3種樣品均含有一定量的無序結(jié)構(gòu)。常用R值(R=ID/IG,ID和IG分別為拉曼光譜D峰和G峰的強度) 表征材料近表面區(qū)域的無序度[21]。通過Origin軟件分別對1 250~1 420 cm-1(代表D峰區(qū)域)和1 480~1 680 cm-1(代表G峰區(qū)域)進行積分擬合,計算得到MG、HMG、CMG的R值分別為0.46、0.06和0.18。與MG相比,HMG的R值明顯減小,表明高溫處理后的微晶石墨無序度變小,即高溫處理有助于消除微晶石墨的表面缺陷。而與HMG相比,CMG的R值有所增大,表明碳包覆處理后的微晶石墨無序度變大,這歸因于無定形炭包覆于微晶石墨表面的結(jié)果。

      圖6 MG、HMG和CMG的Raman圖Fig.6 Raman patterns of MG, HMG and CMG

      2.3 不同樣品的加工性能

      超分子CMC分子量為常規(guī)BVH8分子量的101~102。以CMG為活性物質(zhì),對比BVH8和超分子CMC制得的漿料穩(wěn)定性,其用量均為0.5%(質(zhì)量分數(shù),下同),如圖7所示??梢钥闯鲈谙嗤昧織l件下,BVH8效果很差,漿料很快沉降;而使用0.5%用量條件下超分子CMC的分散效果很好,漿料能穩(wěn)定96 h以上。為了達到相同穩(wěn)定性效果,實驗發(fā)現(xiàn)BVH8的用量需達到3.0%以上。另外,本文進一步探索了不同超分量子CMC用量的漿料穩(wěn)定性,從漿料粘度變化數(shù)據(jù)來看,當用量減少至0.3%時,漿料粘度急劇下降,穩(wěn)定性變差。0.5%以上的超分子CMC用量盡管能使?jié){料的穩(wěn)定性很好,但是漿料初始粘度會很大,不利于實際涂布,所以本文沒有繼續(xù)進行探索。

      圖7 0.5% CMC用量的HMG/CMG漿料穩(wěn)定性對比Fig.7 Anode slurry stability of HMG/CMG with 0.5% CMC

      由上可知,0.5%用量超分子CMC分散劑能保證微晶石墨漿料具有很好的穩(wěn)定性,減少CMC的用量(3.0%→0.5%)意味著減少非活性物質(zhì)的用量,進而提高電池的倍率性能。如下圖8為使用超分子CMC和BVH8在相同加工性能條件下(保證96 h內(nèi)無明顯沉降)制備的扣電測試數(shù)據(jù),表明使用超分子CMC分散后,不僅克容量發(fā)揮提高了15 mAh/g,1 C倍率下的克容量發(fā)揮是使用BVH8分散劑的4倍以上。

      圖8 使用不同分散劑的HMG克容量發(fā)揮情況Fig.8 Ratio capacity of HMG with different dispersant

      圖9測試了HMG和CMG在水中的潤濕角,其潤濕角分別為102°和120°,表明兩者都不容易被水潤濕,CMG更難被水潤濕。圖10測試了HMG和CMG在二碘甲烷中的潤濕角,其潤濕角分別為19°和26°,表明兩者都非常容易被有機溶劑潤濕[22-23]。結(jié)合楊氏方程和表面吸附功公式,利用軟件計算得到HMG和CMG的表面張力數(shù)據(jù)。HMG的表面張力非極性部分為53.08 mJ/m2,極性部分為2.11 mJ/m2;CMG的表面張力非極性部分為54.50 mJ/m2,極性部分為11.43 mJ/m2。可以發(fā)現(xiàn),HMG與CMG的非極性表面張力基本相同,而CMG中的極性表面張力增加,表明包覆過程僅改變了微晶石墨顆粒的極性表面張力,這部分對漿料的加工性能,即對初始粘度和穩(wěn)定性有明顯影響。在相同高超分子CMC用量(0.5%)條件下,CMG的漿料粘度相對HMG更高,穩(wěn)定性相對更好,長時間靜置無明顯沉降。

      圖9 HMG和CMG在水中的潤濕角Fig.9 The wetting angles of HMG and CMG in H2O

      圖10 HMG和CMG在二碘甲烷中的潤濕角Fig.10 The wetting angles of HMG and CMG in CH2I2

      表3 HMG和CMG的潤濕角、表面張力Table 3 Wetting angles and surface tension of HMG and CMG

      2.4 不同樣品的電化學性能

      以MG、HMG和CMG 3種樣品分別為活性物質(zhì),超分子CMC為分散劑(0.5%用量),經(jīng)攪拌制漿、涂布等步驟制備出扣電,圖11為樣品的扣電測試數(shù)據(jù)。從中可以看出高溫石墨化后的HMG相對石墨化前MG的克容量和首效、倍率性能發(fā)揮都明顯提高,克容量發(fā)揮由275.2 mAh/g提升至343.3 mAh/g,相應(yīng)的扣電首效由64.2%提升至87.1%。這是因為微晶石墨在高溫下進一步石墨化,同時高溫有助于消除微晶石墨表面和內(nèi)部的缺陷,減少了首次成膜發(fā)生的副反應(yīng)。與HMG相比,包覆后的CMG克容量有明顯提高,克容量發(fā)揮達到394 mAh/g,這歸因于包覆層為無定型碳,具有多孔結(jié)構(gòu),有一定的儲存鋰離子能力,但是首效相對包覆前87.1%略有下降,這跟多孔碳儲鋰機制有關(guān)系。

      (注:IE=Initial Efficiency)圖11 不同樣品MG、HMG和CMG的扣電測試結(jié)果Fig.11 Coin cell test results of MG, HMG and CMG

      CMG扣電循環(huán)測試結(jié)果如圖12所示??梢钥闯銮捌谘h(huán)衰減較快,后面循環(huán)慢慢趨勢穩(wěn)定,循環(huán)趨勢相對較好,過程中數(shù)據(jù)波動與測試溫度相關(guān)。

      圖12 CMG扣電循環(huán)性能曲線Fig.12 Cycle curve of coin cell for CMG

      包覆樣品CMG的加工性能、電化學性能相對未處理的MG原料都表現(xiàn)明顯的優(yōu)勢,適合用于快充型領(lǐng)域的負極材料。圖13對比了此次碳包覆樣品與當前商業(yè)化的快充石墨的差異??梢园l(fā)現(xiàn),改性的微晶石墨存在確實存在加工性能相對差、首效較低不足之處,但具有成本低、倍率性能好等優(yōu)勢。后續(xù)微晶石墨主要的改進方向是粉碎造粒和包覆工藝的優(yōu)化。

      圖13 微晶石墨樣品與商業(yè)化快充石墨對比Fig.13 Comparison of microcrystalline graphite samples and commercial fast-charging graphite

      3 結(jié) 論

      本文以微晶石墨原料,采用了高溫石墨化、碳化包覆對微晶石墨進行改性,考察了兩種分散劑對漿料加工性能的影響。與改性前的微晶石墨對比,加工性能和電化學性能得到大幅度改進。高溫處理后的微晶石墨克容量發(fā)揮由275.2 mAh/g提升至343.3 mAh/g,扣電首效由64.2%提升至87.1%;包覆后的微晶石墨加工性能更好,漿料穩(wěn)定性明顯提高,扣電克容量發(fā)揮提升至394 mAh/g;與常規(guī)BVH8相比,超高分子CMC在保證漿料穩(wěn)定性的同時,能大幅度減少了非活性物質(zhì)用量,從而改善電池的倍率性能。本文為解決微晶石墨在動力電池應(yīng)用中遇到的工程化問題點提供了可行的解決方案。

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