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    具有n-n型異質(zhì)結(jié)的復(fù)合材料Bi2S3/MIL-125(Ti)光電性能研究

    2023-02-23 12:08:10蘭博洋祁婉欣韓鳳蘭
    人工晶體學(xué)報(bào) 2023年1期
    關(guān)鍵詞:光生異質(zhì)光催化

    蘭博洋,祁婉欣,李 東,2,韓鳳蘭,2

    (1.北方民族大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,銀川 750021;2.工業(yè)廢棄物循環(huán)利用及先進(jìn)材料“國際合作基地”,銀川 750021)

    0 引 言

    隨著人類社會(huì)的不斷發(fā)展,能源短缺和環(huán)境污染已經(jīng)成為人類面臨的兩大嚴(yán)峻問題。氫氣是一種環(huán)保且易于獲取的化石燃料替代品,獲得氫氣的有效途徑之一是光催化電解水。自從1972年Fujishima和Honda首次報(bào)道了TiO2光陽極對水的光氧化作用以來[1],探索光催化電解水制氫問題引起了越來越多的關(guān)注[2-3]。光催化和光電催化(photoelectrocatalysis, PEC)技術(shù)因其環(huán)境友好性和可持續(xù)性被普遍認(rèn)為是兩種有前途的氫氣發(fā)生方法。相對于單純的光催化技術(shù),PEC技術(shù)能夠借助外部施加的偏壓有效促進(jìn)催化劑電子-空穴對的分離,使得催化劑的選擇范圍更加廣泛;并且非電的光催化體系中,也存在懸浮體系中粉末催化劑在使用后很難同溶液分離的問題,而PEC技術(shù)則可以在催化過程后容易地對催化劑進(jìn)行分離和回收。

    通過對各種金屬氧化物光電極的研究,如TiO2[4]、WO3[5]、Fe2O3[6]、SnO2[7]和BiVO4[8]等,人們已經(jīng)付出了巨大的努力來實(shí)現(xiàn)PEC對水的高效分解。金屬有機(jī)框架(metal organic frameworks, MOFs)材料普遍具有高的比表面積,納米級(jí)可調(diào)的多孔結(jié)構(gòu),易于表面功能化等特點(diǎn)。最近的研究表明[9-10],特定的MOFs具有半導(dǎo)體特性,可以用作CO2的轉(zhuǎn)化、有機(jī)污染物的降解、PEC分解水制氫等。相比于傳統(tǒng)的催化劑,MOFs基催化劑可以在分子水平上進(jìn)行合理調(diào)控以提高光催化性能。其中,MIL-125(Ti)作為一種已被深入研究的Ti-MOF[11]被廣泛應(yīng)用于吸附、光催化、電極材料、傳感器等領(lǐng)域。目前,對MIL-125(Ti)有許多改性策略,如光敏化[12]、官能團(tuán)改性[13]、金屬離子摻雜[14]、煅燒形成MOF衍生物[15],以及與其他材料構(gòu)成異質(zhì)結(jié)[16]等。其中,MIL-125(Ti)復(fù)合材料形成的異質(zhì)結(jié)可以促進(jìn)電荷分離,降低空穴-電子對的復(fù)合率,提高光催化性能。作為n型半導(dǎo)體,硫化鉍(Bi2S3)狹窄的直接帶隙具有可見光的吸收性,因此可以被用作光催化劑,人們已經(jīng)對其展開了很多相關(guān)研究,例如:Bi2S3與BiOBr形成異質(zhì)結(jié)在太陽光的照射下對Cr (Ⅵ)具有高效降解[17];具有協(xié)同效應(yīng)的SrTiO3/Bi2S3相較于SrTiO3和Bi2S3表現(xiàn)出更高效的光催化制氫效率[18];通過控制硫前驅(qū)體濃度,利用水熱法合成不同形貌的Bi2S3,濺射沉積法制備Bi2S3薄膜并對其光電催化性能進(jìn)行研究[19]等。

    目前純MOFs半導(dǎo)體材料作為光電極普遍性能表現(xiàn)不佳,對于純MOFs光電極的PEC性能研究主要集中在構(gòu)效關(guān)系上,Ti基MOFs材料MIL-125(Ti)的載流子遷移率較低,光生電子空穴對的體相復(fù)合也較為嚴(yán)重,并且只對紫外光區(qū)有光電響應(yīng),限制了MIL-125(Ti)的PEC性能。Bi2S3作為窄帶隙半導(dǎo)體,對可見光區(qū)有著良好的光電響應(yīng),而且能與MIL-125(Ti)的能帶結(jié)構(gòu)相匹配構(gòu)成n-n型異質(zhì)結(jié),促進(jìn)光生載流子的遷移。針對Bi2S3/MIL-125光電極與電解液界面之間電子轉(zhuǎn)移緩慢的問題,可以引入Ag納米顆料(nanoparticles,NPs)制備出Ag-Bi2S3/MIL-125光電極。因此本實(shí)驗(yàn)采用兩次溶劑熱法制備復(fù)合催化劑,通過有機(jī)金屬滴涂法在摻氟氧化錫(fluorine doped tin oxide, FTO)導(dǎo)電玻璃上制備光電極,并采用XRD、FT-IR、SEM、EDS、XPS等方法對其進(jìn)行表征。通過光電化學(xué)測試來考察Bi2S3/MIL-125(Ti)、Ag-Bi2S3/MIL-125光電極的PEC性能。

    1 實(shí) 驗(yàn)

    1.1 實(shí)驗(yàn)原料和制備方法

    MIL-125(Ti)的制備[14,20]: 3 g H2BDC(純度99%,Macklin)加入到54 mL DMF(純度99.8%,Innochem)、6 mL無水甲醇(純度99.9%, Innochem)混合溶液中,攪拌10 min 后得到溶液A;溶液A中加入1.6 mL TTIP(純度97%, Macklin)得到溶液B;溶液B轉(zhuǎn)移到100 mL聚四氟乙烯內(nèi)襯的水熱反應(yīng)釜中, 放入烘箱內(nèi)150 ℃ 反應(yīng)24 h;反應(yīng)結(jié)束自然降溫到常溫, DMF、無水甲醇離心洗滌三次,80 ℃干燥12 h得到MIL-125(Ti)。

    Bi2S3/MIL-125(Ti)復(fù)合材料的制備:70 mg MIL-125(Ti)加入到1.21 g Bi(NO)3·5H2O(純度99%,Innochem)并溶于10 mL乙二醇(純度99%,Innochem),磁力攪拌5 min得到溶液C;1.24 g Na2S2O3·5H2O(純度99%,Innochem)、0.3 g CO(NH2)2(純度99%,Innochem)溶于10 mL去離子水磁力攪拌5 min得到溶液D;溶液D加入到溶液C中,磁力攪拌5 min得到溶液E;E溶液轉(zhuǎn)移到50 mL聚四氟乙烯內(nèi)襯的水熱反應(yīng)釜內(nèi),整體放入烘箱內(nèi)140 ℃反應(yīng)12 h,80 ℃干燥8 h得到 Bi2S3/MIL-125(Ti)。

    1.2 電極的制備

    FTO導(dǎo)電玻璃清潔準(zhǔn)備:首先在丙酮中超聲清洗15 min,之后在無水乙醇中超聲清洗15 min,最后用去離子水超聲清洗15 min,導(dǎo)電玻璃取出后放入無水乙醇中浸泡待用。

    Bi2S3/MIL-125(Ti)光電極制備:10 mg催化劑加入到50 μL 5% Nafion、450 μL DMF混合溶液中,超聲分散,50 μL混合溶液滴涂到面積為1 cm×1 cm的FTO(表面電阻<7 Ω/sq,透光率>80%)導(dǎo)電玻璃上,常溫常壓下空氣氣氛中自然干燥6 h,干燥后的光電極在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)常壓下空氣氣氛中150 ℃退火處理1 h。

    Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電極制備:制備好的Bi2S3/MIL-125(Ti)光電極表面滴涂40 μL 3.3 mg/mL的AgNO3(99.85%,Innochem)溶液,然后放置在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)常壓下空氣氣氛中200 ℃保持2 h,將Ag NPs沉積在Bi2S3/MIL-125(Ti)光電極表面,完成Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電極的制備。

    1.3 性能測試與表征

    使用日本SmartlabSE型X射線粉末衍射儀表征樣品的晶體結(jié)構(gòu),掃描范圍2θ=5°~60°,步幅為3°;采用FT-IR(WQF-520A)光譜儀檢測樣品中的有機(jī)官能團(tuán);采用熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡綜合系統(tǒng)(SIGMA 500,Germany)觀察樣品的表面形貌和進(jìn)行EDS元素含量測定,燈絲為肖特基場發(fā)射器,加速電壓為0.02~30 kV。采用X射線光電子能譜儀(ESCALAB Xi+,America)對樣品進(jìn)行元素分析、價(jià)態(tài)分析、能級(jí)分析;采用UV-Vis DRS(UV-2700,Japan)分析樣品的可見光吸收閾值;在辰華CHI760E電化學(xué)工作站中對樣品進(jìn)行光電性能測試,采用三電極體系,涂敷樣品的FTO導(dǎo)電玻璃作為工作電極(工作面積1 cm-2),鉑絲作為對電極,飽和AgCl電極(Ag/AgCl)作為參比電極,使用0.5 mol/L的Na2SO4溶液(pH=6.0)作為電解液,測試光源為500 W 氙燈(Optical ModuleX;Ushio Inc.,Japan),用于模擬太陽光,光照強(qiáng)度調(diào)節(jié)為100 mW·cm-2。

    2 結(jié)果與討論

    2.1 XRD 物相分析

    對樣品MIL-125(Ti)、Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行XRD分析。圖1中MIL-125(Ti)的衍射峰出現(xiàn)在2θ=6.77°、9.91°、11.75°、15.06°、15.52°、16.62°、17.92°、19.01°、19.66°和 22.61°處,與相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道一致[21],這說明本文通過簡單的溶劑熱方法成功合成出了MIL-125(Ti)材料。位于25.08°、28.68°、31.81°、46.54°處的衍射峰對應(yīng)于Bi2S3(JCPDS No.89-8965)的(420)、(221)、(221)和(312)晶面[22]。同時(shí),從圖1中可以觀察到制備的Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07復(fù)合樣品的衍射峰強(qiáng)度相較于Bi2S3的衍射峰略有降低,但顯示的圖譜中衍射峰的強(qiáng)度和位置都沒有發(fā)生明顯的變化,這是由于被負(fù)載的MIL-125(Ti)含量較低,并且表面被Bi2S3納米棒包覆,同時(shí)說明在MIL-125(Ti)表面原位生長Bi2S3納米棒相較于直接溶劑熱合成,Bi2S3納米棒的結(jié)構(gòu)組成并未發(fā)生變化。而對Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07樣品位于45.16°處的較弱衍射峰對應(yīng)于立方相金屬Ag的(200)晶面(JCPDS No.652871)[14],這是由于Ag的微量沉積且分散度較大,XRD圖譜中只能看見微弱的峰,位于25.08°、28.68°的衍射峰強(qiáng)度降低,可能是Ag的沉積過程中AgNO3的強(qiáng)氧化性導(dǎo)致Bi2S3的晶體結(jié)構(gòu)變化。

    2.2 FT-IR 分析

    圖1 樣品MIL-125(Ti)、Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、 Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of MIL-125(Ti), Bi2S3, Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07, Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07

    圖2 樣品MIL-125(Ti)、Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、 Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07的FT-IR光譜Fig.2 FT-IR spectra of MIL-125(Ti), Bi2S3, Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07, Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07

    2.3 SEM分析

    從圖3(a)的SEM照片可以看出MIL-125(Ti)為直徑約為2 μm的類似圓盤狀的三維立體片狀結(jié)構(gòu),這與相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道的MIL-125(Ti)的形貌基本吻合[20,23],這同樣說明本文成功合成了MIL-125(Ti)材料。從圖3(b)可以看出Bi2S3的形貌為納米棒狀結(jié)構(gòu)。從圖3(c)可以看出Bi2S3納米棒成功負(fù)載于MIL-125(Ti)表面,這種結(jié)構(gòu)使MIL-125(Ti)與Bi2S3緊密地復(fù)合在一起形成Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07異質(zhì)結(jié)。從圖3(d)可以看出沉積了Ag的Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07樣品表面的Bi2S3納米棒形貌發(fā)生了一定的變化,呈現(xiàn)一種溶解趨勢,使得MIL-125(Ti)表面被更緊密地包覆,界面接觸更加充分。

    對MIL-125(Ti)、Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07進(jìn)行元素映射分析,探究樣品中各個(gè)元素的分布情況,MIL-125(Ti)由溶劑熱方法合成,異丙醇鈦為金屬鈦源,對苯二甲酸為有機(jī)連接骨架,N,N二甲基甲酰胺、甲醇為有機(jī)溶劑,原料中含有Ti、O元素。從Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07的EDS分析圖(見圖4)可以清晰地看出Ti、O元素分布均勻,證實(shí)了Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07復(fù)合材料的成功合成。

    2.4 XPS 分析

    為了研究元素組成和光電催化劑的化學(xué)狀態(tài),對樣品進(jìn)行XPS分析,結(jié)果如圖5所示。從圖中可以看出,MIL-125(Ti)由C、O、Ti元素組成,MIL-125(Ti)的兩個(gè)峰位于464.6 eV和458.9 eV處,歸屬于MIL-125(Ti)的Ti 2p1/2和Ti 2p3/2,說明樣品中的Ti以Ti4+的形式存在[13,22]。對于Bi2S3,Bi 4f觀察到在168.3 eV和163.0 eV的兩個(gè)峰,這可以歸屬于Bi 4f5/2和Bi 4f7/2,通過計(jì)算得出Bi 4f的自旋軌道間距為5.3 eV,因此Bi和S的化學(xué)態(tài)可以看作是Bi3+和S2-。對于Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07樣品,XPS 揭示了元素主要由C、O、Ti、S、Bi組成,這與EDX結(jié)果高度一致。對于Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07兩個(gè)樣品,Bi 4f、Ti 2p明顯向低結(jié)合能方向移動(dòng),XPS吸收光譜紅移,電子云密度增加,失去電子的能力增加,激發(fā)所需要的能量減小,電子從元素軌道逃逸所需能量降低。

    通過紫外光電子能譜(UPS)測試了Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電催化劑的能帶結(jié)構(gòu),并利用Avantage軟件計(jì)算了樣品功函數(shù)。在-10 V 偏壓下的測試數(shù)據(jù)顯示,Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電催化劑的功函數(shù)分別為-9.91 eV、-4.71 eV。當(dāng)Bi2S3復(fù)合在MIL-125(Ti)表面時(shí),樣品的功函數(shù)上升,表明復(fù)合材料的電子從固體中遷移到固體表面外所需要的最小能量減小,這有效地改善了光生載流子的分離和減少了電子-空穴在各個(gè)界面間的復(fù)合,另外功函數(shù)的上升進(jìn)一步導(dǎo)致光輻照下起始電位的降低,即起峰電位正向移動(dòng)。

    圖3 MIL-125(Ti)、Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07的SEM照片F(xiàn)ig.3 SEM images of MIL-125(Ti), Bi2S3, Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07, Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07

    圖4 Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07和Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07的EDS分析Fig.4 EDS analysis of Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07 and Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07

    圖5 不同樣品的XPS分析Fig.5 XPS analysis of different samples

    2.5 UV-Vis DRS 譜協(xié)同電化學(xué)性能分析

    通過紫外漫反射光譜來研究MIL-125(Ti)、Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電催化劑的光吸收性質(zhì),結(jié)果如圖6(a)所示。單純的MIL-125(Ti)沒有可見光吸收性質(zhì),它的吸收帶邊在350 nm左右,但MIL-125(Ti)在紫外光區(qū)相較于Bi2S3有很強(qiáng)的吸收,而Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07復(fù)合樣品在紫外光區(qū)和可見光區(qū)都有明顯的吸收,吸收范圍甚至涵蓋了近紅外區(qū)。根據(jù)紫外-可見漫反射光譜還可以計(jì)算出半導(dǎo)體的禁帶寬度如圖6(b)所示,根據(jù)文獻(xiàn)[13,22]報(bào)道,MIL-125(Ti)、Bi2S3都是直接半導(dǎo)體,因此根據(jù)公式[24]αhυ=A(hυ-Eg)n/2計(jì)算和相關(guān)文獻(xiàn)[17,25-26]參考,MIL-125(Ti)、Bi2S3光電催化劑的禁帶寬度分別為3.72 eV、1.58 eV。

    此外,本文還研究了Mott-Schottky圖以確定樣品的能帶位置,如圖6(c)所示。結(jié)果表明MIL-125(Ti)、Bi2S3都具有正斜率,因此MIL-125(Ti)、Bi2S3都是n型半導(dǎo)體。MIL-125(Ti)、Bi2S3的平帶電位(Efb)計(jì)算結(jié)果為-0.58 eV和-0.05 eV。因?yàn)閚型半導(dǎo)體的導(dǎo)帶(conduction band, CB)邊緣電位比平帶電位高0~0.1 eV。MOFs材料的LUMO(最低未占分子軌道)能級(jí)對應(yīng)傳統(tǒng)半導(dǎo)體的導(dǎo)帶,HOMO(最高占據(jù)分子軌道)能級(jí)對應(yīng)傳統(tǒng)半導(dǎo)體價(jià)帶(valence band, VB)。由公式ENHE=EAg/AgCl+0.197 6 eV[27]計(jì)算得到MIL-125(Ti)的LUMO能級(jí)值約為-0.48 eV,Bi2S3的ECB值約為-0.05 eV。單個(gè)半導(dǎo)體的CB能(ECB)和VB能(ECB)可以用經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算EVB=ECB+Eg[28]。計(jì)算得到Bi2S3的EVB為1.53 eV, MIL-125(Ti)的HOMO能級(jí)值為3.24 eV。

    對樣品進(jìn)行EIS電化學(xué)阻抗測試,結(jié)果如圖6(d)所示,圖中圓弧的直徑反映了界面電荷轉(zhuǎn)移的阻抗。樣品MIL-125(Ti)、Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07在高頻下顯示的Nyquist圖譜圓弧直徑依次遞減。復(fù)合催化劑Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07的界面電阻明顯小于MIL-125(Ti)、Bi2S3單純半導(dǎo)體的界面電阻,這表明復(fù)合催化劑Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07的電子透射電阻能力得到了有效提高,Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07復(fù)合材料的制備成功提高了材料內(nèi)部電荷分離和轉(zhuǎn)移的能力。

    圖6 不同樣品的紫外漫反射光譜、帶隙譜圖及電化學(xué)測試Fig.6 UV diffuse reflectance spectra, band gap spectra and electrochemical measurements of different samples

    2.6 光電性能測試

    為了研究樣品的PEC性能,在pH=6的0.5 mol/L Na2SO4電解質(zhì)溶液中,通過線性掃描伏安(linear sweep voltammetry, LSV)法記錄了MIL-125(Ti)、Bi2S3、Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07、Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電催化劑的光電性能如圖7(a)、7(b)所示。相對于MIL-125(Ti)、Bi2S3單純半導(dǎo)體電極的電流-電壓(I-V)響應(yīng),經(jīng)過復(fù)合后的Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電催化劑形成n-n型異質(zhì)結(jié),復(fù)合催化劑作為光電陰極可以獲得更高的光電流。性能的提升可能與Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電極中n-n型異質(zhì)結(jié)促進(jìn)電荷有效分離以及電子與空穴的相互轉(zhuǎn)移有關(guān)[29]。

    如圖7(a)所示,在-0.5~-0.8 V(versus Ag/AgCl)所產(chǎn)生的最大電流,Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07(-1.93 mA·cm-2)分別約是MIL-125(Ti)(-22.3 μA·cm-2)和Bi2S3(-1.29 mA·cm-2)的87倍和1.5倍;Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07(-5.73 mA·cm-2)分別約是MIL-125(Ti)(-22.3 μA·cm-2)和Bi2S3(-1.29 mA·cm-2)的257倍和4.4倍。

    利用圖7(a)、圖7(b)線性掃描伏安法測試的光輻照下與黑暗環(huán)境下的電流-電壓極化曲線,光電流減去暗電流得到光電極在-0.5~-0.8 V(versus Ag/AgCl)所產(chǎn)生的最大飽和光電流,如圖7(c)所示(Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07記為Bi2S3/M0.07,Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07記為Ag-Bi2S3/M0.07),Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07(-0.90 mA·cm-2)分別約是MIL-125(Ti) (-2.60 μA·cm-2)和Bi2S3(-0.61 mA·cm-2)的346倍和1.5倍;Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07(-1.87 mA·cm-2)分別約是MIL-125(Ti)(-2.60 μA·cm-2)和Bi2S3(-0.61 mA·cm-2)的719倍和3.1倍。

    Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07除了光電性能顯著提升以外,光輻照中斷的瞬間Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電催化劑出現(xiàn)了較大的電流尖峰,并且可以在圖7(d)整個(gè)的0 V(versus RHE)固定偏壓下的時(shí)間-電流(I-T)曲線中觀察到。這種現(xiàn)象的出現(xiàn)是由于光生電子受到了嚴(yán)重的捕獲并在光電陰極表面產(chǎn)生了嚴(yán)重的復(fù)合[30],這不利于光生電子轉(zhuǎn)移到光陰極-電解液的溶液界面進(jìn)行目標(biāo)反應(yīng)。這種現(xiàn)象表明可能需要一種合適的催化劑來加速Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07與電解液界面之間的緩慢電子轉(zhuǎn)移,以此來促進(jìn)質(zhì)子還原反應(yīng)的發(fā)生。將Ag NPs利用熱還原法沉積到Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電極的表面后,光輻照中斷瞬間的電流尖峰明顯減弱,與圖6(d)的測試結(jié)果相符,表明Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07界面電荷轉(zhuǎn)移的阻抗明顯減小,Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07與電解液界面之間的電子轉(zhuǎn)移較Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07明顯加快,表明Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電催化劑具有優(yōu)異的界面電荷轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)性能。

    圖7 不同樣品的光電性能測試Fig.7 Photoelectric properties testing of different samples

    2.7 光催化機(jī)理分析

    圖8 Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電催化反應(yīng)機(jī)理圖Fig.8 Photocatalytic reaction mechanism of Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07

    結(jié)合上述的表征結(jié)果對Ag-Bi2S3MIL-125(Ti)0.07光電極可能的催化機(jī)理進(jìn)行探討。如圖8所示,在光照射時(shí),Ag、Bi2S3和MIL-125(Ti)被同時(shí)激發(fā),Bi2S3和MIL-125(Ti)形成n-n型異質(zhì)結(jié), MIL-125的LUMO能級(jí)(-0.48 eV versus NHE)與Bi2S3的導(dǎo)帶(-0.05 eV versus NHE)相比具有更負(fù)的負(fù)電勢,異質(zhì)結(jié)形成后,光生電子e-傾向于從MIL-125的LUMO能級(jí)向Bi2S3的導(dǎo)帶遷移。因此,Bi2S3的電子云密度增加,電子從元素軌道逃逸所需能量降低,這與XPS的測試結(jié)果一致。此外,MIL-125的HOMO能級(jí)(3.24 eV versus NHE)與Bi2S3的價(jià)帶 (1.53 eV versus NHE)相比具有更正的正電勢,通過它們的界面接觸光生空穴h+傾向于從MIL-125的HOMO能級(jí)向Bi2S3的價(jià)帶遷移。

    Bi2S3屬于窄帶隙半導(dǎo)體,具有嚴(yán)重的光蝕現(xiàn)象,光生電子空穴對容易復(fù)合,這種現(xiàn)象嚴(yán)重降低了光生載流子的濃度。Ag元素的摻入在Bi2S3納米棒的價(jià)帶與導(dǎo)帶之間產(chǎn)生了一個(gè)中間能級(jí),受光激發(fā)的電子可以躍遷到中間能級(jí)或Bi2S3的導(dǎo)帶,這使得光生電子躍遷所需要的能量降低,促進(jìn)了載流子遷移,抑制了電子空穴的復(fù)合。其次,貴金屬Ag元素具有表面等離子體共振效應(yīng),在光的照射下,Ag離子表面電子大量富集,產(chǎn)生大量的光生電子,這同樣有利于光電流的產(chǎn)生。

    3 結(jié) 論

    (1)采用兩次溶劑熱法制備出被Bi2S3納米棒包覆的MOFs材料MIL-125(Ti)。金屬有機(jī)滴涂法制備出具有優(yōu)異光電性能的Bi2S3/MIL-125(Ti)復(fù)合材料光電極。

    (2)由于Bi2S3/MIL-125(Ti)形成了n-n型異質(zhì)結(jié),使其具有了合適的能帶結(jié)構(gòu),促進(jìn)電荷有效分離。

    (3)Bi2S3/MIL-125(Ti)兩種直接帶隙半導(dǎo)體的復(fù)合使其增大了對于光的吸收范圍,Bi2S3/MIL-125(Ti)在紫外光區(qū)和可見光區(qū)都有著明顯的吸收,而且涵蓋了一部分近紅外區(qū),增強(qiáng)了對太陽光的利用率,進(jìn)而相對于單獨(dú)的半導(dǎo)體材料增強(qiáng)了光電催化性能。

    (4)在Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電極的基礎(chǔ)上,利用熱還原法制備出Ag-Bi2S3/MIL-125(Ti)0.07光電極,減弱了光生電子在光電極表面產(chǎn)生的嚴(yán)重復(fù)合問題,提高了載流子的運(yùn)輸效率,增強(qiáng)了光電極的界面電荷轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)性能。

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