基于SWOT分析國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)在新形勢(shì)下的發(fā)展戰(zhàn)略

周杰

21世紀(jì)以來(lái)，隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體設(shè)備制造和半導(dǎo)體器件生產(chǎn)行業(yè)在一些細(xì)分領(lǐng)域取得了實(shí)質(zhì)性突破。但當(dāng)前我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)仍然發(fā)展不平衡，且與國(guó)外領(lǐng)先技術(shù)仍有一定差距。本文通過(guò)SWOT分析，剖析我國(guó)半導(dǎo)體裝備行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r、資源配置和機(jī)遇與挑戰(zhàn)，并對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)如何把握發(fā)展趨勢(shì)和突破瓶頸提出建議。

一、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)概述

（一）半導(dǎo)體設(shè)備

半導(dǎo)體設(shè)備用于生產(chǎn)制造半導(dǎo)體器件，業(yè)內(nèi)稱為“機(jī)臺(tái)”。本文討論的半導(dǎo)體設(shè)備主要針對(duì)晶圓工藝流程中的FEOL（前道工序，F(xiàn)ront End of Line）展開。FEOL涉及半導(dǎo)體設(shè)備的核心工藝，如刻蝕、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長(zhǎng)、離子注入和光刻等。半導(dǎo)體裝備行業(yè)的企業(yè)以FEOL相關(guān)設(shè)備制造廠商為中心，向上下游產(chǎn)業(yè)鏈展開。覆蓋設(shè)備廠商的子系統(tǒng)、零部件等上游供應(yīng)商、下游設(shè)備使用方fab（晶圓廠）以及相關(guān)的原材料供應(yīng)商等。

（二）半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展規(guī)律

半導(dǎo)體器件的發(fā)展自發(fā)明以來(lái)遵循著摩爾定律，這就逼迫各家半導(dǎo)體設(shè)備制造商不斷提高設(shè)備性能，并與fab共同開發(fā)新的工藝制程，始終保持競(jìng)爭(zhēng)力。

半導(dǎo)體行業(yè)起伏具有周期波動(dòng)性，自1990年以來(lái)已經(jīng)經(jīng)歷了八到九次波動(dòng)。每個(gè)周期平均持續(xù)14至15個(gè)季度。通常周期的上升期長(zhǎng)于下降期，以此造就了半導(dǎo)體行業(yè)起伏式上升成長(zhǎng)。每次回調(diào)對(duì)于領(lǐng)先的企業(yè)是一次技術(shù)沉淀、自我調(diào)整的時(shí)機(jī)，幫助在下一個(gè)周期繼續(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)。對(duì)于技術(shù)相對(duì)落后的企業(yè)也是一次找準(zhǔn)方向和努力追趕的機(jī)會(huì)，為爭(zhēng)取跟隨下一波市場(chǎng)上行時(shí)獲得更多的份額。

（三）國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)起步較晚，目前在關(guān)鍵設(shè)備和工藝上與國(guó)際先進(jìn)水平仍有較大差距。設(shè)備本土化比例逐年提高，但仍處在較低水平。同全球市場(chǎng)一樣，國(guó)內(nèi)行業(yè)發(fā)展同樣遵循半導(dǎo)體行業(yè)周期性波動(dòng)的發(fā)展規(guī)律。但國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)受政策和龐大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)帶來(lái)的慣性影響，波動(dòng)略滯后國(guó)際市場(chǎng)，且呈現(xiàn)出較明顯的市場(chǎng)下行回調(diào)時(shí)間較短的特征。

二、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)機(jī)會(huì)與能力識(shí)別

（一） 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)的資源優(yōu)勢(shì)

21世紀(jì)以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)內(nèi)受到了廣泛關(guān)注，中國(guó)半導(dǎo)體裝備業(yè)已經(jīng)得到了一定發(fā)展，具有了一定規(guī)模基礎(chǔ)。近十年來(lái)Fab大規(guī)模興建，主要遍布江浙滬一帶和北京周邊地區(qū)。內(nèi)資以華虹宏力集團(tuán)、中芯國(guó)際、華潤(rùn)集團(tuán)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)等為代表。也有不少國(guó)外廠家紛紛在國(guó)內(nèi)設(shè)廠擴(kuò)建如美資大連英特爾、韓資無(wú)錫海力士和西安三星等。

目前國(guó)內(nèi)晶圓加工廠已建成超70家，約大部分為較低工藝要求的8寸晶圓大線寬工藝，能滿足5G、汽車、物聯(lián)、MCU（微控制單元）和傳感器等應(yīng)用場(chǎng)景，迎合技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和終端市場(chǎng)動(dòng)向。2022年全球計(jì)劃新建fab 29家，其中約一半在中國(guó)?？梢妵?guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有一定的規(guī)模和發(fā)展勢(shì)頭，正以高于全球平均的速度發(fā)展。

發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)僅有fab規(guī)模優(yōu)勢(shì)只發(fā)展晶圓加工業(yè)也是不行的，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)和投產(chǎn)也同樣重要。中國(guó)半導(dǎo)體裝備業(yè)正式大踏步發(fā)展始于“02專項(xiàng)”的成立。經(jīng)過(guò)十多年的耕耘。我們?cè)诓簧倬A加工的前道工藝核心設(shè)備上有質(zhì)的突破。不少國(guó)產(chǎn)機(jī)臺(tái)已經(jīng)用于國(guó)內(nèi)fab大規(guī)模投產(chǎn)，更有個(gè)別機(jī)臺(tái)在幾道工藝上接近國(guó)際領(lǐng)先水平。正是在此背景下，半導(dǎo)體廠國(guó)產(chǎn)化率逐步提高。2021年半導(dǎo)體設(shè)備整體招標(biāo)采購(gòu)國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 20%，預(yù)計(jì)2022年可突破25%。其中去膠、封裝和清洗在所有半導(dǎo)體工藝設(shè)備類型中國(guó)產(chǎn)化比例最高，都超過(guò)40%。晶圓加工中非常關(guān)鍵的干法刻蝕國(guó)產(chǎn)化率也達(dá)到約30%。其中上海中微公司和北方華創(chuàng)公司在不同技術(shù)路線上的刻蝕設(shè)備均在14納米及以下的先進(jìn)制程上分別通過(guò)驗(yàn)證進(jìn)入量產(chǎn)。薄膜沉積方面北方華創(chuàng)公司的PVD（物理氣相沉積）設(shè)備和沈陽(yáng)拓荊公司的PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）設(shè)備都實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，在國(guó)內(nèi)fab大批量裝備投產(chǎn)。

（二） 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)的資源弱勢(shì)

環(huán)顧整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈，半導(dǎo)體材料和高端零部件仍大量依賴進(jìn)口，其中包括如薄膜真空計(jì)、分子流量計(jì)、射頻發(fā)生器和真空部件等精密設(shè)備，也有氟化橡膠、光刻膠和高純度特種氣體等化學(xué)材料。零部件和半導(dǎo)體材料受市場(chǎng)關(guān)注較少，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程遠(yuǎn)沒(méi)有半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展得快，國(guó)產(chǎn)化的半導(dǎo)體設(shè)備中仍大量使用國(guó)外進(jìn)口的子部件和耗材。

作為半導(dǎo)體加工的原材料，硅片在產(chǎn)業(yè)鏈中也占據(jù)重要地位。先進(jìn)半導(dǎo)體制程所需的12寸大硅片，其國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)上海新昇預(yù)計(jì)臨港新廠投產(chǎn)后設(shè)計(jì)產(chǎn)能在每月60萬(wàn)片左右。當(dāng)前國(guó)內(nèi)12寸fab滿產(chǎn)的產(chǎn)能需求接近約每月200萬(wàn)片。硅片仍呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。

雖然國(guó)內(nèi)晶圓加工廠建成數(shù)量較大，但在70多家fab中12寸在產(chǎn)fab不足1/3。能成熟生產(chǎn)20納米以下工藝的更是屈指可數(shù)。較低端的半導(dǎo)體加工能滿足大量生活中的應(yīng)用場(chǎng)景，幫助科技應(yīng)用提高生活質(zhì)量。但是在關(guān)鍵的先進(jìn)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片研發(fā)生產(chǎn)上仍與國(guó)際先進(jìn)水平有數(shù)年差距。

國(guó)產(chǎn)設(shè)備方面我們看到不少核心設(shè)備已能實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)和量產(chǎn)，但晶圓加工流程復(fù)雜，國(guó)產(chǎn)化設(shè)備并沒(méi)有對(duì)整體工藝有全面的覆蓋，仍有不少核心工藝的相關(guān)設(shè)備仍處于研發(fā)階段。以最典型的光刻為例，國(guó)際上仍是荷蘭阿斯麥一家獨(dú)大。國(guó)內(nèi)光刻機(jī)的現(xiàn)狀是攻克90納米，正在積極研發(fā)28納米光刻設(shè)備，與行業(yè)領(lǐng)先水平差距仍較大。類似的差距不僅僅存在于備受媒體關(guān)注的光刻方面，各種特定應(yīng)用的CVD（化學(xué)氣相沉積）和ALD（原子層沉積設(shè)備）等同樣存在一定代差。

設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率雖逐年提高，但發(fā)展起點(diǎn)較低，整體比例仍處于較低水平?？v觀全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。排行前五的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司2021年約占全球市場(chǎng)份額3/4。分別是美國(guó)應(yīng)用材料、荷蘭阿斯麥、美國(guó)泛林、日本東電和美國(guó)科磊。他們分別領(lǐng)跑沉積、光刻、刻蝕和量測(cè)，分別占據(jù)各個(gè)細(xì)分工藝的龍頭位置。其中來(lái)自美國(guó)的三家公司約占全球一半份額。反觀國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造商前三，2021年北方華創(chuàng)、中微和盛美智能占全球份額不足2%。雖然國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備業(yè)近年呈現(xiàn)出爆發(fā)式跳躍式發(fā)展，但總體規(guī)模仍與國(guó)際領(lǐng)跑者有質(zhì)的差距。

在人才培養(yǎng)和知識(shí)儲(chǔ)備方面，國(guó)內(nèi)發(fā)展多依賴人才引進(jìn)和生產(chǎn)中摸索積累。高校很難對(duì)企業(yè)輸送半導(dǎo)體裝備專向人才，源自國(guó)內(nèi)高校半導(dǎo)體裝備相關(guān)的專業(yè)較少。半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)發(fā)展快投入高的特點(diǎn)限制了高校投入經(jīng)費(fèi)、更新教材和建設(shè)相關(guān)實(shí)驗(yàn)室。最終呈現(xiàn)出相關(guān)人才的技術(shù)積累水平與行業(yè)發(fā)展需求不匹配。加之近年來(lái)非實(shí)體的虛擬經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，學(xué)生在選擇專業(yè)和就業(yè)時(shí)更傾向于金融、IT或虛擬產(chǎn)業(yè)而非本質(zhì)上發(fā)展自基于機(jī)械制造的半導(dǎo)體裝備業(yè)，造成了人才發(fā)展出現(xiàn)斷層跡象。

半導(dǎo)體裝備業(yè)是一個(gè)多學(xué)科交叉的行業(yè)，涉及機(jī)械、電氣、物理、化學(xué)、通訊和計(jì)算機(jī)等。各個(gè)學(xué)科在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用都具有一定深度和相互融合的特點(diǎn)，導(dǎo)致了培養(yǎng)人才周期長(zhǎng)。對(duì)于一個(gè)新入職的半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)人員來(lái)說(shuō)，需要三到五年補(bǔ)齊非本專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)的缺口，才能在工作中獨(dú)當(dāng)一面。但是行業(yè)人才缺口大，造成我們看到有不少不得不“半路出家”“拔苗助長(zhǎng)”的用人現(xiàn)象，不免在技術(shù)探索中出現(xiàn)發(fā)展瓶頸和走彎路的情況。

（三） 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)的發(fā)展機(jī)遇

中國(guó)人口龐大，隨著科技和生活水平的提高，消費(fèi)電子產(chǎn)品的市場(chǎng)需求也持續(xù)旺盛。以存儲(chǔ)芯片為例，大量應(yīng)用在電腦、手機(jī)和娛樂(lè)設(shè)備上。2021年中國(guó)大陸市場(chǎng)約占全球半導(dǎo)體器件消費(fèi)總量的35%，但中國(guó)制造的半導(dǎo)體器件只占全球總量的7%。據(jù)統(tǒng)計(jì)2021年中國(guó)芯片進(jìn)口總額約4400億美金，為世界第一大芯片進(jìn)口國(guó)。在政策的扶持下，國(guó)內(nèi)正計(jì)劃新建和擴(kuò)產(chǎn)更多的12寸fab以滿足消費(fèi)電子內(nèi)需和先進(jìn)制程發(fā)展需要。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)小線寬，尤其是20納米以下的工藝可實(shí)現(xiàn)程度仍很低。強(qiáng)大的內(nèi)需和較低的產(chǎn)能水平相結(jié)合，意味著我們有更大的發(fā)展空間。

國(guó)內(nèi)新能源汽車、LED和晶硅太陽(yáng)能等市場(chǎng)的興起助力半導(dǎo)體行業(yè)全面發(fā)展。新能源和碳中和助推晶硅太陽(yáng)能近年來(lái)有較大發(fā)展，其中異質(zhì)結(jié)路線的發(fā)展中國(guó)可謂一枝獨(dú)秀，逐步形成市場(chǎng)主流的趨勢(shì)。其核心工藝有PECVD和PVD，與晶圓半導(dǎo)體工藝類似?？梢詭椭嚓P(guān)企業(yè)積累設(shè)備經(jīng)驗(yàn)，甚至在條件成熟時(shí)進(jìn)軍先進(jìn)制程或提供人才。類似的工藝還有LED制造，通常前道核心工藝有MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積）、PECVD、刻蝕以及PVD。這些與IC芯片的制造工藝也有很大的相似性。隨著MicroLED技術(shù)的來(lái)臨，LED工藝要求提高，與半導(dǎo)體先進(jìn)制程有了更大的相通相融性。這些行業(yè)的蓬勃發(fā)展為發(fā)展高端半導(dǎo)體裝備業(yè)提供了源源不斷的后備力量和技術(shù)儲(chǔ)備。

（四） 對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)發(fā)展的威脅因素

美國(guó)曾多次限制中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起。如2018年制裁中興，2019年制裁華為。2022年10月美國(guó)商務(wù)部出臺(tái)對(duì)華芯片管制新規(guī)，其中禁止向中國(guó)輸出可用于生產(chǎn)14/16納米以下邏輯芯片，18納米以下的DRAM芯片，128層以上的NAND芯片的半導(dǎo)體設(shè)備。并中止了美國(guó)企業(yè)及美國(guó)籍技術(shù)人員對(duì)具有以上規(guī)格芯片生產(chǎn)能力的中國(guó)大陸fab的服務(wù)。最終矛頭指向了長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)兩家先進(jìn)存儲(chǔ)芯片制造廠。蘋果也不得不放棄批量采購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND閃存的計(jì)劃。

半導(dǎo)體加工所依賴的原材料和關(guān)鍵零部件同整體設(shè)備一樣重要。但目前也有很大比例來(lái)自進(jìn)口，且相當(dāng)一部分產(chǎn)自美國(guó)。同樣會(huì)出現(xiàn)受制于人，阻礙發(fā)展的局面。

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展參考?xì)v史有著周期波動(dòng)性規(guī)律。截至2022年二季度，半導(dǎo)體行業(yè)連續(xù)成長(zhǎng)已經(jīng)8個(gè)季度，行業(yè)規(guī)模達(dá)到歷史之最。三季度行業(yè)已經(jīng)顯示出增長(zhǎng)乏力，訂單下降，fab減產(chǎn)的趨勢(shì)。預(yù)計(jì)將有一波持續(xù)一年左右的下行周期。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備也同樣會(huì)受到影響。

行業(yè)人才流動(dòng)率高，人才流失現(xiàn)象嚴(yán)重。行業(yè)內(nèi)薪資待遇的落差大，對(duì)先進(jìn)技術(shù)的向往加之工作壓力的對(duì)比使人才在工作發(fā)展時(shí)更向往外資企業(yè)，這一現(xiàn)象在設(shè)備零部件行業(yè)尤其明顯。大量相關(guān)專業(yè)留學(xué)生畢業(yè)后不愿意回國(guó)發(fā)展，面對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)的問(wèn)題及競(jìng)爭(zhēng)壓力等因素更愿意在國(guó)外發(fā)展。

三、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略建議

（一） 既注重整機(jī)發(fā)展，也注重零部件和原材料配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展

從國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備行業(yè)優(yōu)勢(shì)分析可以看出國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體整機(jī)已開始進(jìn)入全面發(fā)展階段，個(gè)別關(guān)鍵設(shè)備已經(jīng)接近世界水平。但是半導(dǎo)體原材料和設(shè)備關(guān)鍵零部件的發(fā)展相對(duì)整機(jī)仍處于滯后狀態(tài)。比如12寸大硅片的產(chǎn)能、半導(dǎo)體設(shè)備所需的高精度計(jì)量設(shè)備和射頻相關(guān)零部件等。在注重發(fā)展半導(dǎo)體整機(jī)裝備業(yè)的同時(shí)，也要關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈上其他重要環(huán)節(jié)同步均衡發(fā)展。完善整條半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，在受到外部限制時(shí)才能反客為主。

（二） 結(jié)合外資發(fā)展整體產(chǎn)業(yè)鏈

目前很少有外資半導(dǎo)體廠商在國(guó)內(nèi)設(shè)廠。設(shè)備廠商考慮技術(shù)保護(hù)是一個(gè)原因，對(duì)于零部件供應(yīng)商來(lái)說(shuō)投入回報(bào)率是另一個(gè)重要考慮因素。部分外資先進(jìn)零部件由于產(chǎn)品種類繁多、每個(gè)單一品種市場(chǎng)體量小，所以投資額不高，難以在國(guó)內(nèi)取得好的投資條件。可以考慮從行業(yè)協(xié)會(huì)或聯(lián)盟的角度幫助這些在半導(dǎo)體行業(yè)某一細(xì)分市場(chǎng)上突出的外資企業(yè)本地化，更好地融入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，以獨(dú)資或合資的性質(zhì)在中國(guó)大陸設(shè)廠，甚至開展實(shí)驗(yàn)室或研發(fā)項(xiàng)目，最終幫助這些企業(yè)在國(guó)內(nèi)落地生根，也幫助國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展和完善。

（三） 發(fā)展和留住人才，產(chǎn)學(xué)研結(jié)合

針對(duì)目前半導(dǎo)體裝備行業(yè)人才缺失和高校人才輸送乏力等現(xiàn)象。企業(yè)內(nèi)可以策劃更全面的人才培養(yǎng)發(fā)展規(guī)劃，使每個(gè)人才在本企業(yè)內(nèi)能得到不斷成長(zhǎng)。行業(yè)內(nèi)上下游合作關(guān)系的企業(yè)間可以推出一系列交叉技能論壇，使不同企業(yè)的技術(shù)人員能更好認(rèn)識(shí)配套設(shè)備以及上下游的產(chǎn)品特點(diǎn)，更全面地認(rèn)識(shí)產(chǎn)業(yè)鏈。另外，企業(yè)可以牽頭與高校之間建立相關(guān)人才培養(yǎng)機(jī)制，引入高年級(jí)學(xué)生走進(jìn)企業(yè)進(jìn)行輪崗實(shí)習(xí)。實(shí)習(xí)表現(xiàn)好的畢業(yè)生可以延續(xù)實(shí)習(xí)進(jìn)入企業(yè)就業(yè)，高校也可以借助企業(yè)的設(shè)備安排一系列的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目進(jìn)行產(chǎn)學(xué)研合作。幫助產(chǎn)業(yè)人才、研發(fā)和生產(chǎn)有機(jī)地融合發(fā)展。

（四） 把握行業(yè)脈搏，適時(shí)合理布局發(fā)展

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的波動(dòng)性可以看作一把雙刃劍，雖然每次回調(diào)會(huì)使企業(yè)放慢發(fā)展腳步，但卻是行業(yè)中相對(duì)落后者的追趕機(jī)會(huì)。2022年三季度正處于進(jìn)入下行區(qū)間的拐點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)投資放緩、設(shè)備出貨預(yù)期調(diào)低、fab產(chǎn)量下降及各家企業(yè)預(yù)算收緊等。各個(gè)半導(dǎo)體裝備企業(yè)正可以抓住這個(gè)機(jī)會(huì)脫離繁忙重復(fù)的生產(chǎn)活動(dòng)，將更多的資源投入到技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)中。在不久之后的行業(yè)上行趨勢(shì)中爭(zhēng)取得到用戶驗(yàn)證，以縮短與世界先進(jìn)水平的差距。

合理布局還體現(xiàn)在注重平衡發(fā)展。各家半導(dǎo)體企業(yè)需要有自己獨(dú)立的定位和發(fā)展方向，發(fā)展自身的核心價(jià)值，而非同質(zhì)化發(fā)展或借鑒他人的經(jīng)驗(yàn)成果。2010年前后太陽(yáng)能行業(yè)就經(jīng)歷過(guò)一波多晶爐廠家群起群落的場(chǎng)面。其中一項(xiàng)主要原因就是當(dāng)時(shí)多數(shù)企業(yè)沒(méi)有自身核心價(jià)值，技術(shù)方向雷同，只想借著行業(yè)勢(shì)頭分一杯羹，導(dǎo)致低價(jià)同質(zhì)化產(chǎn)品泛濫市場(chǎng)過(guò)度飽和，市場(chǎng)技術(shù)趨勢(shì)稍有變化就全部遭到淘汰。對(duì)于行業(yè)健康發(fā)展需要分散投資，多方向研發(fā)既幫助行業(yè)全面發(fā)展，也防止全局性風(fēng)險(xiǎn)的發(fā)生。對(duì)于業(yè)內(nèi)企業(yè)也要善于將自身優(yōu)勢(shì)和行業(yè)需求結(jié)合，發(fā)展獨(dú)特的核心價(jià)值。

除了橫向的合理布局，縱向也可以形成產(chǎn)業(yè)梯隊(duì)。以先進(jìn)集成電路工藝設(shè)備做技術(shù)引領(lǐng)，同時(shí)發(fā)展第三代半導(dǎo)體、LED、顯示面板和太陽(yáng)能面板等泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)梯隊(duì)，也滿足市場(chǎng)多元化需求。企業(yè)根據(jù)自身特點(diǎn)深耕所處細(xì)分行業(yè)，進(jìn)行人才、技術(shù)和資金積累，為轉(zhuǎn)型研發(fā)更高端工藝做準(zhǔn)備，而非貿(mào)然跨越式發(fā)展。

（五） 學(xué)習(xí)鄰國(guó)經(jīng)驗(yàn)，克服外部困難

當(dāng)前中美之間產(chǎn)生一定貿(mào)易摩擦，美國(guó)針對(duì)中國(guó)正在發(fā)展的半導(dǎo)體裝備和制造業(yè)連續(xù)進(jìn)行制裁。這些手段美國(guó)也曾同樣運(yùn)用在1980年代的日本。1986年日本已經(jīng)發(fā)展成為當(dāng)時(shí)全球第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)，其DRAM市場(chǎng)份額約占全球80%。《廣場(chǎng)協(xié)定后》日元大幅升值直接導(dǎo)致了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始近20年衰落。21世紀(jì)以后日本更注重產(chǎn)業(yè)鏈細(xì)分領(lǐng)域，不再固守DRAM市場(chǎng)，開始發(fā)展技術(shù)含量更高的SoC和鉆研半導(dǎo)體材料方向。如今信越化學(xué)和三菱住友在硅晶圓片和光刻膠領(lǐng)域的技術(shù)和市場(chǎng)份額都名列前茅。更是發(fā)展出東京電子這樣跨硅晶圓半導(dǎo)體和顯示面板行業(yè)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備巨頭。

從日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史我們可以得到一些啟發(fā)。破除當(dāng)前的封鎖局面，需要更全面的發(fā)展和一定時(shí)間的技術(shù)沉淀。首先，需要全面認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，找準(zhǔn)國(guó)內(nèi)當(dāng)前技術(shù)水平在每個(gè)環(huán)節(jié)的定位。半導(dǎo)體企業(yè)結(jié)合自己的背景和特點(diǎn)，適當(dāng)瞄準(zhǔn)有發(fā)展價(jià)值行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域進(jìn)行鉆研，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手形成差異化的競(jìng)爭(zhēng)。其次，找準(zhǔn)市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)和技術(shù)路線。特別國(guó)內(nèi)市場(chǎng)內(nèi)需龐大，足以支撐起一些市場(chǎng)需求導(dǎo)向的產(chǎn)品應(yīng)用路線。作為技術(shù)追趕者，既保證當(dāng)前模仿的技術(shù)得到市場(chǎng)應(yīng)用，也為將來(lái)技術(shù)路線創(chuàng)新和制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)做資源儲(chǔ)備。

（作者單位：上海人大人創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)研修學(xué)院）