關于中國半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化的思考

宋 兵

（澳門科技大學 法學院，中國 澳門 519020）

半導體產(chǎn)業(yè)①半導體產(chǎn)業(yè)的上游為半導體支撐業(yè)，包括半導體材料和半導體設備；中游按制造技術分為分立器件和集成電路兩大類，集成電路又分為設計、制造和封測；下游為消費類電子、計算機相關產(chǎn)品等終端設備。（參見周子學所著的《中國集成電路產(chǎn)業(yè)投融資研究》，中國工信出版集團、電子工業(yè)出版社，2015年版，第58頁。）是國家經(jīng)濟和國家安全的基礎，在全球范圍內(nèi)，半導體產(chǎn)業(yè)長期需要政府產(chǎn)業(yè)政策支持，對后發(fā)追趕的國家更是起著至關重要的意義。但政府如何有效支持是一個亟待研究的問題。

一、半導體產(chǎn)業(yè)特征決定其政策法制化的必要性

半導體產(chǎn)業(yè)屬于典型的資本密集、人才密集、知識產(chǎn)權密集的國際化時間型產(chǎn)業(yè)。

（一）資本密集性，要求具備能夠保障可持續(xù)高強度投資的法規(guī)體系

半導體制造環(huán)節(jié)設備購置成本高，廠房建設要求高，水電氣及環(huán)保投入高，折舊期短，制程迭代快。按摩爾定律第二定律，建廠成本呈現(xiàn)出指數(shù)式增長，大約每隔4年就會翻翻[1]。這一特點使得政府直接投資與財政補貼及稅收優(yōu)惠政策成為必須，而解決政府換屆周期所帶來的政策變化，保持可持續(xù)高強度投入，就要求通過投資及稅收立法把政策固定下來。

（二）研發(fā)密集性，要求穩(wěn)定優(yōu)化政府研發(fā)資助與采購法規(guī)體系

半導體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)密集性，僅次于生物制藥業(yè)。新技術導入到新產(chǎn)品成熟存在相當大的路線不確定性與時間不確定性，穿越死亡谷的沉沒成本僅靠企業(yè)難以負擔。通過政府研發(fā)補貼資助及政府采購新產(chǎn)品，可以幫助企業(yè)獲取有效的維持正常經(jīng)營的基本現(xiàn)金流，以加快企業(yè)技術產(chǎn)品市場化進程。要提高研發(fā)資助與政府采購的力度，需要政府采取科學技術進步法、技術轉(zhuǎn)讓促進法以及政府采購法來保障。

（三）人才密集性，要求有高質(zhì)量多層次人才供給法規(guī)體系

有專家發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在實現(xiàn)摩爾定律（即計算機芯片密度翻倍）所需的研究人員數(shù)量是20世紀70年代初所需人數(shù)的18 倍以上[2]。加大對STEM 專業(yè)學生培育引進力度，根據(jù)半導體專業(yè)“干中學與學中干”特點，鼓勵在職培訓，對國際人才留學交流及移民工作簽證等的支持，禁業(yè)限制與人員流動的平衡，等等，都需要法律位階較高的勞動法、職業(yè)教育法及國際人才引進移民等立法來確認。

（四）知識產(chǎn)權密集性，要求知識產(chǎn)權法規(guī)體系全覆蓋

知識產(chǎn)權是半導體產(chǎn)業(yè)的生命線。從專利、軟件著作權、商標到商業(yè)秘密所對應的技術鏈各環(huán)節(jié)立體覆蓋，因其商業(yè)模式具有的制造外包所涉及的知識產(chǎn)權許可，關系到設計環(huán)節(jié)的EDA 工具、IP 核復用，特別是集成電路布圖設計，再加上鼓勵創(chuàng)新與知識擴散的反向工程等，無不是從創(chuàng)新型政策一步一步上升到法律層面。

（五）國際貿(mào)易密集，要求接軌國際貿(mào)易法規(guī)體系

據(jù)資料顯示，一顆計算機芯片的生產(chǎn)往往需要超過1000多個步驟，在到達終端客戶之前要經(jīng)過70多次的國際邊界，平均有25 個國家的企業(yè)直接參與，23 個國家的企業(yè)參與支持性工作[3]。WTO 框架下的TRIPS 協(xié)議以及多邊自貿(mào)區(qū)協(xié)議，還有雙邊的貿(mào)易協(xié)議等成為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)政策合規(guī)性審查的重要參照。

二、中國半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化現(xiàn)狀與存在問題

我國在半導體方面的政策始于1956年，宏觀上從國家六五計劃到現(xiàn)在的十四五規(guī)劃，中觀上從國家中長期科技發(fā)展規(guī)劃綱要到集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要，微觀上從國家有關集成電路發(fā)展若干政策到地方各類扶持政策，對促進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到積極促進作用。政策是法律的精髓，但半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化卻還存在一些問題。

（一）國家發(fā)展計劃或規(guī)劃的法律屬性存疑

社會主義市場經(jīng)濟體制確立后，全國人大通過的國民經(jīng)濟和社會發(fā)展計劃或規(guī)劃的法律屬性存在爭議[4]。計劃經(jīng)濟時期，計劃就是法律。而市場經(jīng)濟中，五年計劃或規(guī)劃盡管也是全國人大通過，提出了具體階段性目標和指標，對有關部門和地方具有很強的導向、激勵、督促、考核作用，部分指標也具有約束力①《國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十二個五年規(guī)劃綱要》第十六篇“強化實施實現(xiàn)宏偉發(fā)展藍圖”規(guī)定：本規(guī)劃經(jīng)過全國人民代表大會審議批準，具有法律效力。要舉全國之力，集全民之智，實現(xiàn)未來五年宏偉發(fā)展藍圖。。但關于規(guī)劃的法律屬性，十三五和十四五規(guī)劃中，就未再明確②《國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》第六十五章第四節(jié)規(guī)定：加快發(fā)展規(guī)劃立法，堅持依法制定規(guī)劃、依法實施規(guī)劃的原則，將黨中央、國務院關于統(tǒng)一規(guī)劃體系建設和國家發(fā)展規(guī)劃的規(guī)定、要求和行之有效的經(jīng)驗做法以法律形式固定下來，加快出臺發(fā)展規(guī)劃法，強化規(guī)劃編制實施的法治保障。。同時，根據(jù)《立法法》嚴格規(guī)定，規(guī)劃綱要尚難以歸到全國人大及常委會所制定的基本法律范疇，最多只能算是規(guī)范性法律文件。從此角度看，國民經(jīng)濟和社會發(fā)展規(guī)劃中有關半導體產(chǎn)業(yè)的政策法律屬性不明確，直接影響了產(chǎn)業(yè)政策的約束性與執(zhí)行力。現(xiàn)實中地方政府弱化國家政策，導致惡性競爭的傾向與此不無關系。

（二）現(xiàn)有的半導體產(chǎn)業(yè)政策規(guī)范的法律位階過低

現(xiàn)有的半導體產(chǎn)業(yè)的政策規(guī)范，歸屬于國務院制定的經(jīng)濟行政法規(guī)?！?956年至1967年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃綱要》把半導體技術列為國家重要科學技術，《2006-2020年國家中長期科學和技術發(fā)展規(guī)劃綱要》確定了國家在半導體集成電路領域的01、02、03等重大專項等。從2000年至2020年，國務院連續(xù)出臺了《關于印發(fā)鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2000〕18號），《關于印發(fā)進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2011〕4號），《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》（國發(fā)〔2020〕8號）等，特別是2014年出臺的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》（國發(fā)〔2014〕4號）掀起了中國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的新高潮。但是，這些文件屬于行政部門起草，由國務院發(fā)布，其性質(zhì)仍停留在政策層面。從法律位階上看，顯然要低于國家基本法律。從實踐看，政府各部門換屆的短周期性與半導體產(chǎn)業(yè)的長周期性及產(chǎn)品迭代的易逝性要達到同頻共振確實很難，現(xiàn)實中直接影響到政策穩(wěn)定性。

（三）半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化立法程序不夠成熟

半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化，屬于經(jīng)濟促進法類別，專業(yè)化要求高，需要對半導體領域從技術演進周期、企業(yè)成長周期、產(chǎn)業(yè)波動周期和地緣政治震蕩周期等有深度可持續(xù)的理解，這顯然需要有政商旋轉(zhuǎn)門閱歷國際化視野的技術產(chǎn)業(yè)和法律專家做相應的行業(yè)研究。立法程序啟動后還必須進行廣泛的調(diào)研聽證，這樣才能提高政策的法制化質(zhì)量。從半導體政策立法實踐看，即便是目前我國現(xiàn)存位階不高的相關立法，常常也是技術論證多，產(chǎn)業(yè)論證少，配套可執(zhí)行性論證就更少。且因前期調(diào)研不足，智庫水平難以支撐，很多政策出臺過于倉促，應急性立法特點顯著，政策針對性精準度與精細化不夠，可操作性不強，效果難免大打折扣。

三、世界半導體大國產(chǎn)業(yè)政策法制化的實踐經(jīng)驗

（一）不斷引領產(chǎn)業(yè)趨勢的美國路徑

美國是半導體技術產(chǎn)業(yè)的發(fā)源地，客觀把控著技術產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向和全球資源經(jīng)濟地理配置的方式。美國半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化體現(xiàn)在根據(jù)半導體產(chǎn)業(yè)的不同發(fā)展階段進行不同的立法。

1.半導體產(chǎn)業(yè)初始階段——政策法制化側(cè)重于培育市場

美國開國財政部長漢密爾頓在1791 年的《關于制造業(yè)的報告》中就提出了“嬰兒工業(yè)”的論點，這也是美國的產(chǎn)業(yè)政策集中發(fā)力戰(zhàn)略工業(yè)力量的緣起。美國在半導體產(chǎn)業(yè)萌芽階段的政策立法著力點主要有：

（1）突出基礎研究與應用開發(fā)（R&D）優(yōu)先。二戰(zhàn)結(jié)束后，美國總統(tǒng)科技顧問范內(nèi)瓦爾·布什發(fā)表了《科學：無盡的前沿》的科技政策報告，推動了美國國會建立國家科學基金會，加大對基礎研究的投入。在政策法制化方面，美國通過《國內(nèi)稅收法》確立了研發(fā)費用加計扣除制度，極大激發(fā)了企業(yè)創(chuàng)新動能。

（2）突出國防需求為代表的政府采購優(yōu)先。盡管美國沒有專門的政府采購法，但與政府采購相關的法律約有500 部，最主要的有《武裝部隊采購法案》《聯(lián)邦財產(chǎn)及管理法案》《聯(lián)邦政府采購政策辦公室法案》《小額采購業(yè)務法案》《聯(lián)邦采購合理化法案》《小企業(yè)法案》《購買美國產(chǎn)品法》等。為了便于執(zhí)行和操作，聯(lián)邦政府將散見于眾多法律之中的有關政府采購的規(guī)定加以綜合和細化，形成了《聯(lián)邦采購條例》（Federal Acquisition Regulation），這有效提高了政策執(zhí)行的便捷性與針對性[5]。在美國半導體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展方向存在重大不確定性的時期，國防采購為代表的政府支持，促進了個人和企業(yè)探索技術選擇的多樣性，提高了創(chuàng)新成功率。

2.半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展成熟階段——政策法制化側(cè)重于資源全球配置與鼓勵保護競爭

產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入成熟階段后，產(chǎn)業(yè)政策由財政扶持向市場秩序維護轉(zhuǎn)型，立法重點由產(chǎn)業(yè)政策扶持轉(zhuǎn)向基礎研究成果保護和轉(zhuǎn)化。

（1）突出知識產(chǎn)權保護。1984年美國國會通過了《半導體芯片保護法》，在全球率先對集成電路布圖設計進行保護，彌補了專利法與版權法在保護集成電路產(chǎn)品方面的不足，并確立了反向工程、發(fā)行權一次用盡和無辜侵權制度[6]，有力促進了集成電路設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也對集成電路產(chǎn)業(yè)由IDM 模式裂變出代工模式，將知識產(chǎn)權的創(chuàng)新與生產(chǎn)過程的創(chuàng)新分開，類似ARM 和高通的知識產(chǎn)權授權模式得到推崇，奠定了半導體無廠化生產(chǎn)的法律基礎。這一制度后續(xù)被世界上諸多國家所采納，產(chǎn)生了世界知識產(chǎn)權組織《集成電路知識產(chǎn)權條約》，并成為后續(xù)的TRIPS 協(xié)議關于集成電路布圖保護的核心內(nèi)容。

（2）突出科技成果產(chǎn)業(yè)化。1980年的美國國會通過的《拜杜法案》使得國家科研基金資助下取得的科技成果、專利發(fā)明，通過立法將歸屬權從國有變?yōu)楦咝；蚩蒲袡C構(gòu)所有，讓美國的大學、研究機構(gòu)能夠享有政府資助科研成果的專利權，極大地帶動了技術發(fā)明人將成果轉(zhuǎn)化的熱情，半導體領域也成為了重要的受益者。

3.半導體產(chǎn)業(yè)全球競爭階段——半導體政策法制化側(cè)重于貿(mào)易沖突與技術轉(zhuǎn)移管控

與日本和中國經(jīng)歷了兩次以半導體為核心的貿(mào)易戰(zhàn)，美國的半導體產(chǎn)業(yè)成果保護從國內(nèi)走向了國際，從國內(nèi)法層面走向國際法層面。

（2）美中貿(mào)易摩擦。2018 年開始的美中貿(mào)易戰(zhàn)，半導體產(chǎn)業(yè)是核心。2018年8月，美國國會通過了《外國投資風險審查現(xiàn)代化法案》（FIRRMA），更新了美國外國投資委員會（CFIUS）的職權范圍。CFIUS審查由僅限于外國實體或個人獲得美國企業(yè)“控制權”的交易，擴展到某些非控制性投資，嚴格限制中國背景企業(yè)投資美國高科技企業(yè)，特別是半導體企業(yè)。2018 年6 月，白宮貿(mào)易和制造政策辦公室炮制了一份題為“中國的經(jīng)濟侵略如何威脅美國和世界的技術和知識產(chǎn)權”的報告，指控中國支持從事對美國的商業(yè)秘密盜竊、黑客攻擊和經(jīng)濟間諜活動，并以此出臺了針對中國的“中國行動計劃”（Chi-nainitiative）①2018年11月，美國司法部啟動了一項名為“中國行動計劃”（China Initiative）的行動，以應對所謂的來自外國的“安全和技術威脅”。從2018年到2021年，美國針對中國的有關案件達50多件。，目標鎖定中國在美學者，通過人才管控進一步限制了美中科技交流，力圖阻止美國以半導體技術為重點的高科技技術轉(zhuǎn)移到中國。這一專項政策與《經(jīng)濟間諜法案》②美國《1996年經(jīng)濟間諜法》（The Economic Espionage Act of 1996），簡稱EEA，是美國歷史上第一部專門規(guī)定竊取商業(yè)秘密法律責任的聯(lián)邦法律，該法將商業(yè)秘密侵權劃分為一般商業(yè)性侵權與帶有國家政府背景的經(jīng)濟間諜，加大了對美國技術轉(zhuǎn)移的管控力度。和《商業(yè)秘密保護法》③2016年5月11日，美國總統(tǒng)奧巴馬簽署《商業(yè)秘密保護法》（Defend Trade Secrets Act），簡稱DTSA，DTSA能夠為商業(yè)秘密的所有者提供在聯(lián)邦統(tǒng)一的法律救濟，有利于統(tǒng)一全國保護商業(yè)秘密的立法、行政與司法程序，使得當事人對于法律行為具有可預見性，及時有效地保護商業(yè)秘密。配套使用，嚴重阻礙了美中科技文化交流。

4.半導體產(chǎn)業(yè)韌性發(fā)展階段——半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化側(cè)重于保證制造環(huán)節(jié)回歸的供應鏈安全

應對中美貿(mào)易戰(zhàn)與新冠疫情，以及數(shù)字經(jīng)濟增長中遭遇的半導體供應鏈的嚴重短缺，制造與封測環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移到國外等使得美國不得不重新審視其以降低成本為重點的半導體產(chǎn)業(yè)政策，保持美國在半導體制造業(yè)的競爭力成為產(chǎn)業(yè)政策法制化的優(yōu)先事項。

（1）在國內(nèi)法層面上，國會立法促進美國本土半導體制造業(yè)發(fā)展。2020 年美國參議院與眾議院提出了兩黨合作的《為美國創(chuàng)造有利于生產(chǎn)半導體的激勵措施（CHIPS）法案》和《2020 年美國鑄造廠法案》（AFA），重點關注半導體制造環(huán)節(jié)的美國本土化扶持政策。這兩部立法后來被合并，立法的綜合版本被納入2020 年國防授權法案（NDAA），該法案于2020年7月在眾議院和參議院通過。2021年美國參議院提出了《創(chuàng)新與競爭法案》，2022年眾議院提出了《2022 年美國競爭法》，又將《為美國創(chuàng)造有益的半導體生產(chǎn)（CHIPS）法案》和《促進美國制造的半導體（FABS）法案》有關內(nèi)容納入其中[7]，提出對美國半導體制造廠或“工廠”的建設、擴建或現(xiàn)代化提供財政援助和稅收減免。這是改變原有半導體供應鏈全球比較成本優(yōu)勢布局的一項重要立法，很可能會改變?nèi)虬雽w產(chǎn)業(yè)的經(jīng)濟地理。

（2）在國際法層面上，建立美國主導的所謂志同道合國家的全球供應鏈聯(lián)盟。美國和韓國將“探討建立一個美國-韓國供應鏈工作組”。在四方領導人峰會上，澳大利亞、印度、日本和美國同意建立一個半導體供應鏈。新成立的歐盟—美國貿(mào)易和技術委員會的核心主題是“重新平衡半導體的全球供應鏈，以加強各自的供應安全”。美國已經(jīng)非常強烈地按多邊和雙邊協(xié)議建立所謂志同道合的半導體供應鏈伙伴關系。

（二）其他國家的做法

1.緊跟美國步伐的歐盟模式

（1）2013 年5 月歐盟委員會發(fā)布《歐洲電子戰(zhàn)略》，明確微型和納米電子元件和系統(tǒng)戰(zhàn)略，旨在到2020年促進1000億歐元的產(chǎn)業(yè)投資，使歐盟的微芯片生產(chǎn)價值翻番。計劃的實施主體包含企業(yè)、歐盟委員會、成員國和大學及投資者。圍繞此戰(zhàn)略，2014年在歐洲層面推出了兩個新工具：歐洲領導地位的電子元件和系統(tǒng)（ECSEL）聯(lián)合承諾，和IPCEI（歐洲共同利益的重要項目）工具。

（2）2018年年底，歐盟委員會批準了“歐洲共同利益重要項目（IPCEI）關于微電子的項目”。力圖促進法國、德國、意大利和英國四個歐洲國家在微電子方面的跨國合作項目。從政策上重點解決的保證歐洲數(shù)字戰(zhàn)略基礎設施的半導體需求，鼓勵志同道合國家供應商合作，避免“數(shù)字主權”概念的濫用。

2.1 專家基本情況 15名咨詢專家中，平均年齡43歲;職稱:高級占47%，中級占53%;學歷:博士占13%，碩士占40%，本科占47%。

（3）2022 年的“歐洲芯片法案”（European Chips Act 2022）。2020年12月，22個成員國簽署了《關于歐洲處理器和半導體技術倡議的宣言》，在此基礎上歐盟委員會2021 年3 月發(fā)布的《數(shù)字指南針》計劃，提出“歐盟的尖端和可持續(xù)半導體的產(chǎn)量至少占世界產(chǎn)量的20%”。為保持戰(zhàn)略的延續(xù)性，歐盟委員會借鑒了美國的CHIPS 法案和FABS 法案又提出了《歐洲芯片法案（Euro Chips Act）》。

2.卷土重來的日本新趨勢

基于1986 年的美日半導體協(xié)議的限制和對無晶圓廠模式趨勢的判斷失誤，日本在ICT 領域走上了封閉式發(fā)展的創(chuàng)新之路，被認為是患上了產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的“加拉帕戈斯島綜合癥”④加拉帕戈斯綜合癥也稱加拉帕戈斯現(xiàn)象、加拉帕戈斯化（日語：ガラパゴス化、英語Galapagosization），是日本的商業(yè)用語，指在孤立的市場環(huán)境下，獨自進行“最適化”，而喪失和區(qū)域外的互換性，面對來自外國的適應性和生存能力高的品種，最終陷入被淘汰的危險的現(xiàn)象。，最終導致日本的半導體產(chǎn)業(yè)一直萎靡不振。日本現(xiàn)在只有1家公司在全球半導體銷售中排名前15位。

（1）應對挑戰(zhàn)，日本出臺了一系列產(chǎn)業(yè)振興政策法。通過了《產(chǎn)業(yè)競爭力強化法》《產(chǎn)業(yè)活力再生特別措施法》，并頒布了《日本振興戰(zhàn)略》，共同尋求“振興日本經(jīng)濟，提高在日本經(jīng)營的企業(yè)的工業(yè)競爭力”。特別是在2020年6月，日本將沿用了25年之久的《科技基本法》修訂為《科技創(chuàng)新基本法》[8]，優(yōu)化了實現(xiàn)“社會5.0”的戰(zhàn)略目標的相關措施，要求日本成為“專門用于人工智能應用”的半導體領先制造商。

（2）保持供應鏈安全，發(fā)布了《半導體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》[9]。2021 年3 月日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）成立了半導體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略審查會議，研究有關半導體、數(shù)字基礎設施和數(shù)字產(chǎn)業(yè)的未來政策方向，并于6月發(fā)布了《半導體與數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》。該戰(zhàn)略著眼于日本在美中戰(zhàn)略博弈中保持戰(zhàn)略上的重要性與獨立性，確保國家所需的半導體生產(chǎn)和供應能力。

四、對中國半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化的建議

鑒于中國的半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化的現(xiàn)狀，筆者在借鑒他國相關經(jīng)驗的基礎上，提出以下建議：

（一）調(diào)整立法模式，提高法律位階

明確半導體產(chǎn)業(yè)政策的法律屬性，提高其立法層級，關鍵在于對半導體產(chǎn)業(yè)之于國家安全的理解度，對半導體產(chǎn)業(yè)在形成國家核心競爭力的重視度。美國其實已經(jīng)做了示范，經(jīng)過兩年的立法博弈，本身聚焦于制造環(huán)節(jié)的CHIPS 法案和AFA 法案已經(jīng)合并進2021 年參議院提出的《創(chuàng)新與競爭法案》和2022 年眾議院提出的《美國競爭法》。這說明美國在制定半導體產(chǎn)業(yè)有關法案時，并沒有就事論事，而是提升到國家創(chuàng)新法體系全面考慮的。既體現(xiàn)了國會立法的層級也明確聯(lián)邦法律的屬性。由此，我國的半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化，可以借鑒美國的經(jīng)驗，改變中國部門立法的路徑依賴，由全國人大按基本法律制度來調(diào)整半導體產(chǎn)業(yè)的政策立法，可以通過修訂《科技進步法》或制定專門的《半導體產(chǎn)業(yè)促進法》，把半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵節(jié)點，如基礎研發(fā)的投入，重大項目的保障，股權投資基金的可持續(xù)投入，政府采購的力度，人才培養(yǎng)的方式等納入其中。這樣既明確了法律屬性，也提高了法律位階，可謂一舉兩得。

另外，根據(jù)半導體產(chǎn)業(yè)的國際化特點，發(fā)揮中國全球半導體市場潛力巨大的優(yōu)勢，遵循聯(lián)合國憲章所賦予的國際貿(mào)易體制下以多邊規(guī)則為基礎的立法，在WTO 框架下通過積極參與多邊的自貿(mào)區(qū)協(xié)議，為我國更大力度融入全球創(chuàng)新網(wǎng)絡，更大力度吸引優(yōu)秀的半導體人才來華發(fā)展，更高水平加大知識產(chǎn)權保護，以合作打破出口管制及投資限制的封鎖。

（二）重視特殊的立法人才，優(yōu)化立法程序

半導體產(chǎn)業(yè)政策立法，不同于規(guī)范一般公民行為的普通立法，它涉及世界尖端科學技術，具有相當?shù)纳疃?，同時還涉及產(chǎn)業(yè)競爭和國際貿(mào)易沖突及知識產(chǎn)權保護，具有相當?shù)膹V度，不是僅靠國家立法機關或者相關行政部門所能解決的。為此，其立法程序必須優(yōu)化。

首先是人才儲備。這方面可以借鑒美國經(jīng)驗建立專業(yè)化智庫，其中包括立法學、國際法學、知識產(chǎn)權、半導體科學、企業(yè)家等多方面的人才。

其次是調(diào)研與政策的制定。由專業(yè)化智庫進行準確的調(diào)研，正確評估我國的行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，準確預測行業(yè)發(fā)展的未來以及可能遇到的挑戰(zhàn)。根據(jù)我國的行業(yè)發(fā)展狀況以及未來的發(fā)展走向，制定現(xiàn)階段以及未來不同時期我國半導體產(chǎn)業(yè)政策導向。

最后是立法方式。根據(jù)各個時期的政策導向制定法律，必須堅持走群眾路線，堅持走聽證程序，堅持需求導向、問題導向和結(jié)果導向，把提高政策的精準度與復用性擺到重要位置，避免為立法而立法的形式主義。

（三）強化試點探索，以點帶面

如前所述，半導體產(chǎn)業(yè)是國家經(jīng)濟和國家安全的基礎，投入的資金成本、時間成本、機會成本都是巨大的。一旦失誤，除了造成巨大的資金損失外，還浪費大量的時間，因而會錯過擺脫困境的良好機遇。即便我們能做到提高其法律位階和優(yōu)化立法程序，也難確保我們的半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化的完全正確。所以，一步到位的做法存在很大的風險。在這種情況下，強化試點探索是必由之路。

我國改革開放初期設立深圳經(jīng)濟特區(qū)的成功經(jīng)驗可以借鑒。發(fā)揮深圳經(jīng)濟特區(qū)立法權優(yōu)勢，利用深圳粵港澳大灣區(qū)和先行示范區(qū)建設的契機，立足深圳在國家半導體產(chǎn)業(yè)第三級的產(chǎn)業(yè)基礎，修訂深圳經(jīng)濟特區(qū)科技創(chuàng)新條例，制定深圳經(jīng)濟特區(qū)政府半導體相關產(chǎn)品采購條例等相關法規(guī)，將深圳經(jīng)濟特區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化，穩(wěn)定政府資金支持，做到稅收優(yōu)惠政策支持，政府采購市場政策支持。所謂船小好掉頭，試點中一旦發(fā)現(xiàn)問題便于即時糾正。

半導體產(chǎn)業(yè)的孕育與崛起，要經(jīng)過基礎研究、成果轉(zhuǎn)化、市場保護、國際競爭這樣幾個階段。半導體產(chǎn)業(yè)政策法制化也要根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程逐步跟進，其范圍由小到大，逐漸推進。法制化經(jīng)驗成熟一個環(huán)節(jié)就推廣一個環(huán)節(jié)，從地區(qū)到全國，最后參與國際競爭。只有這樣我們才能少走彎路，加快突圍與趕超的步伐，實現(xiàn)科技自立自強。