研究構(gòu)筑門電壓可編程的二維鐵電存儲器
2022-12-11 11:27:47沈春蕾
科學導報 2022年78期
沈春蕾
中科院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心與國內(nèi)多家單位合作，通過設計二維半導體與二維鐵電材料的特殊能帶對齊方式，將金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構(gòu)筑了基于垂直架構(gòu)的門電壓可編程的二維鐵電存儲器。相關研究成果近日在線發(fā)表于《先進材料》。
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