秦 楚,張 恒,屈文星,崔萬照
(1.中國空間技術(shù)研究院西安分院,西安 710000;2.西安衛(wèi)星測控中心,西安,710100)
在衛(wèi)星有效載荷系統(tǒng)中,3dB定向耦合器常用于微波信號的合成分路處理,隨著航天技術(shù)的不斷發(fā)展,對定向耦合器的帶寬與功率容量需求隨之提升,寬帶大功率定向耦合器的設(shè)計已成為微波領(lǐng)域重點研究的課題。在真空環(huán)境中,大功率器件容易引發(fā)微放電效應(yīng)[1],影響器件性能與壽命。因此,在器件設(shè)計時應(yīng)充分考慮微放電效應(yīng),采用有效抑制手段,確保器件在軌穩(wěn)定可靠。
在微波工程應(yīng)用中3dB定向耦合器常用類型有平面耦合器、波導(dǎo)耦合器與耦合線耦合器3類。平面定向耦合器為滿足寬帶需求,常采用多級級聯(lián)設(shè)計,但該設(shè)計Q值低、損耗大,且功率容量受隔離電阻制約,多用于小功率應(yīng)用場合[2];波導(dǎo)定向耦合器功率容量較高,但帶寬較窄且體積較大,星載成本較高[3];耦合線定向耦合器工作帶寬較寬,通過使用合適的介質(zhì)層材料代替空氣層,可有效提高功率容量,選用高導(dǎo)熱介質(zhì)材料,可解決真空環(huán)境中放電部位過熱至損的問題[4]。
本文結(jié)合L頻段某型衛(wèi)星載荷應(yīng)用需求,針對大功率寬帶3dB定向耦合器在真空環(huán)境中產(chǎn)生的微放電效應(yīng)進行分析,提出采取耦合線定向耦合器設(shè)計方法,選用高導(dǎo)熱材料代替空氣層作為耦合器介質(zhì),以滿足工程應(yīng)用需求。
耦合線定向耦合器(合成電橋)為4端口器件,分為輸入端口、直通端口、耦合端口和隔離端口,信號從輸入端進入,按一定比例被分配到直通端口和耦合端口輸出,理想情況下隔離端無信號輸出[5]。其中,3dB定向耦合器輸出端口與耦合端口輸出功率等分,輸出信號相位相差90°,其耦合區(qū)長度或稱耦合節(jié)長度為工作中心頻率的1/4波長,耦合器結(jié)構(gòu)如圖1所示。
圖1 耦合線定向耦合器Fig.1 Coupling structure directional coupler
定向耦合器常采用耦合度C,方向性D,隔離度I來表征,對于單節(jié)耦合線耦合器,常用奇偶模分析法進行設(shè)計[6]。
S11=S31=0
(1)
(2)
(3)
k0與耦合度C(dB形式)的關(guān)系為:
(4)
根據(jù)上述公式可知,其耦合口與直通端相位相差為90°,其耦合度與電長度有關(guān),在中心頻率處耦合最強,偏離中心頻率耦合度隨之遞減,在θ=π/2時,耦合端有其第一個最大值,若特征阻抗與電壓耦合系數(shù)k0已知,則可得:
(5)
(6)
在真空環(huán)境中,發(fā)生在兩個金屬或介質(zhì)材料之間或是單個金屬或介質(zhì)材料表面的諧振放電現(xiàn)象,稱為微放電效應(yīng)[8]。微放電效應(yīng)又稱為電子二次倍增效應(yīng),在微波器件中游離的自由電子在電磁場的驅(qū)使下,在器件內(nèi)不斷往返運動并加速轟擊器件表面,同時產(chǎn)生大量二次電子,直至形成諧振放電現(xiàn)象[9]。
微放電效應(yīng)與射頻頻率f和間距尺寸d有關(guān),射頻頻率是固有的,在設(shè)計時,為了增大電子渡越時間,應(yīng)盡可能增大導(dǎo)體之間的間隔尺寸,使電子的渡越時間長于電壓周期的一半,從而增大器件的功率容量[10]。
隨著導(dǎo)體之間距離的增加,器件的體積和重量也會增加。在衛(wèi)星系統(tǒng)中,重量和體積與成本密不可分,通過增加導(dǎo)體之間距離的方法并不可取。因此,在導(dǎo)體之間填充介質(zhì),擴大等效間隔是一種經(jīng)濟而高效的方法[11]。填充介質(zhì)縮短了電子的平均自由程,使電子渡越時間大于射頻電壓周期的一半,提高了微放電效應(yīng)功率閾值與器件功率容量。
介質(zhì)中二次電子的發(fā)射金屬材料放電產(chǎn)生的熱量更多,而大部分介質(zhì)導(dǎo)熱率不高,造成放電部位熱量堆積,導(dǎo)致器件局部熱量過高而發(fā)生損壞[12]。因此,介質(zhì)基板的選擇十分重要。
綜上,在某型號定向耦合器設(shè)計中,針對真空功率容量需求,采用高導(dǎo)熱介質(zhì)材料代替空氣層,達到擴大等效間隔效果;針對介質(zhì)材料導(dǎo)熱率不高問題,在建模仿真與加工時,選用高導(dǎo)熱材料Rogers TC350+(介電常數(shù)3.55,導(dǎo)熱率1.23W),利用軟基板多層混壓方式進行產(chǎn)品設(shè)計與加工。同時,設(shè)計時對基板寬度進行加寬處理,進一步擴大散熱面積,有效提升介質(zhì)導(dǎo)熱效率。
定向耦合器設(shè)計指標(biāo)如下:工作頻段:1~1.5GHz,反射系數(shù)≤-20dB,隔離度≦-20dB,耦合度3dB,帶內(nèi)損耗0.5dB,真空微放電功率連續(xù)波300W。
耦合器采用三層結(jié)構(gòu)介質(zhì)基板,利用軟基板多層混壓方式[13],采用兩層金屬帶線混壓,仿真時設(shè)置介電常數(shù)為3.55。根據(jù)奇偶模分析法,耦合電壓系數(shù)k0=10-3/20=0.708,特征阻抗Z0=50Ω,則可得奇偶模阻抗理論值Z0e=120.92Ω,Z0o=20.67Ω。
在HFSS軟件中進行耦合器設(shè)計仿真,按照常用微波組件綜合方法進行參數(shù)計算[14],通過調(diào)整帶線寬度與耦合間距,使仿真結(jié)果與理論值相同。仿真結(jié)果如圖2所示。
圖2 耦合器仿真結(jié)果Fig.2 Simulation results of the directional coupler
以計算得到的帶線寬度與耦合間距為初始尺寸,建立端口模型,優(yōu)化端口、過渡段、接地孔尺寸等參數(shù),直到仿真指標(biāo)滿足性能要求。定向耦合器仿真指標(biāo)如表1所示,耦合器仿真模型如圖3所示,仿真曲線如圖4所示。
表1 定向耦合器仿真指標(biāo)Tab.1 Simulation index of the directional coupler
圖3 耦合器仿真模型Fig.3 Simulation model of the directional coupler
圖4 耦合器仿真曲線Fig.4 Simulation curve of the directional coupler
根據(jù)仿真模型參數(shù)進行定向耦合器加工設(shè)計,耦合器加工實物圖如圖5所示。
圖5 定向耦合器實物圖Fig.5 Physical object of the directional coupler
將定向耦合器接入矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,對實物進行測量,實測結(jié)果如表2所列,實測曲線如圖6所示。
表2 定向耦合器實測結(jié)果Tab.2 Measurement results of the directional coupler
圖6 耦合器實測曲線Fig.6 Measured curve of the directional coupler
按照微放電試驗標(biāo)準(zhǔn)搭建測試平臺[15],將合成橋接入真空罐,真空度小于1.5×10-4Pa,分別在中心頻率1.25GHz與上邊頻1.5GHz處進行微放電試驗,實驗條件如表3所列。
表3 耦合器測試環(huán)境參數(shù)Tab.3 Test environment parameters of the directional coupler
微放電試驗實測場景圖如圖7所示。
圖7 微放電試驗實測場景圖Fig.7 Testing scene of the micro-discharge test
實測結(jié)果表明耦合器在入射功率連續(xù)波為300W,脈沖為1100W時無異?,F(xiàn)象,定向耦合器復(fù)測性能良好。
在衛(wèi)星載荷真空應(yīng)用環(huán)境中,大功率寬帶定向耦合器會出現(xiàn)微放電效應(yīng),本文采用耦合線結(jié)構(gòu)定向耦合器進行設(shè)計,耦合器中間層介質(zhì)中使用了高導(dǎo)熱材料Rogers TC350+。在真空度優(yōu)于1.5×10-4Pa的環(huán)境下對耦合器進行大功率實測,測試過程中器件溫度低于85.3℃,復(fù)測性能良好,結(jié)果表明器件在滿足耦合度、隔離度、損耗等指標(biāo)的同時,可有效抑制真空環(huán)境中微放電效應(yīng),確保了耦合器的工作性能。