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      一種X波段十六通道瓦片式T/R組件的研制

      2022-09-01 11:33:26王立發(fā)
      通信電源技術(shù) 2022年9期
      關(guān)鍵詞:幅相小型化瓦片

      王立發(fā)

      (中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所,河北 石家莊 050051)

      0 引 言

      雷達(dá)中大量使用T/R組件,其性能直接影響系統(tǒng)指標(biāo)。提高T/R組件的性能,降低體積、重量以及制造成本是研究過程中不斷追求的目標(biāo)[1,2]。

      瓦片式T/R組件是在三維高密度集成技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新一代T/R組件。傳統(tǒng)的瓦片式T/R組件采用微組裝工藝將裸芯片裝配到鋁盒體內(nèi),實(shí)現(xiàn)了小型化,但由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜,因此難以實(shí)現(xiàn)自動化,且無法實(shí)現(xiàn)高氣密性,可靠性低[3-5]。本文介紹一種X波段十六通道器件級瓦片式T/R組件,它采用陶瓷管殼封裝的器件,使用球柵陣列(Ball Grid Array,BGA)實(shí)現(xiàn)組件與天線垂直互連,實(shí)現(xiàn)了T/R組件的小型化、低成本、可批產(chǎn)、高可靠。

      1 瓦片式T/R組件設(shè)計

      1.1 瓦片式T/R組件方案

      本文研制的X波段十六通道器件級瓦片式T/R組件的原理如圖1所示,主要由雙向放大器器件、幅相多功能器件、收發(fā)前端器件、2×2的貼片式天線以及功分網(wǎng)絡(luò)等組成。幅相控制多功能器件為組件的核心器件,內(nèi)部集成6位數(shù)控移相器、6位數(shù)控衰減器、增益模塊、開關(guān)、功分器、串并轉(zhuǎn)換以及電源調(diào)制等電路,通過開關(guān)控制實(shí)現(xiàn)接收和發(fā)射通道間自由切換以及接收和發(fā)射狀態(tài)下的移相、衰減功能。該幅相多功能器件的功耗低、移相衰減精度高、端口駐波優(yōu)異,采用表貼無引線陶瓷管殼進(jìn)行了封裝,具有功率放大、低噪聲放大等功能。此外,組件采用的器件微波性能覆蓋了X波段,實(shí)現(xiàn)了氣密等級封裝,底部需要大面積接地,適用于回流焊安裝工藝。

      圖1 瓦片T/R組件設(shè)計原理

      1.2 瓦片式T/R組件架構(gòu)

      瓦片式T/R組件架構(gòu)如圖2所示,多層印刷電路板(Printed Circuit Boards,PCB)為多層混壓板,其上下兩面貼裝有雙向放大器器件、幅相多功能器件、收發(fā)前端器件、冷板等。使用BGA球?qū)⑼咂絋/R組件與2×2的貼片式天線進(jìn)行垂直互連。

      圖2 瓦片T/R組件架構(gòu)

      傳統(tǒng)瓦片式T/R組件與器件級瓦片式T/R組件的優(yōu)缺點(diǎn)對比如表1所示。由對比可知,器件級瓦片式T/R組件在可生產(chǎn)性、可維修性、生產(chǎn)周期、成本等方面都優(yōu)于傳統(tǒng)瓦片式T/R組件。

      表1 傳統(tǒng)瓦片式T/R組件與器件級瓦片式T/R組件的對比

      1.3 垂直互連仿真

      采用電磁仿真軟件對瓦片式T/R組件與天線垂直互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真優(yōu)化。圖3是瓦片式T/R組件與天線垂直互連仿真模型。它包括T/R組件與天線上下兩層空間的BGA植球、多層混壓板、天線局部模型。為了保證優(yōu)異的微波性能,垂直互連的BGA植球采用了類同軸結(jié)構(gòu)進(jìn)行微波信號傳輸。仿真優(yōu)化主要包括BGA植球處焊盤尺寸、板內(nèi)類同軸結(jié)構(gòu)金屬孔的直徑、信號孔和地孔的間距以及地孔的數(shù)量。最終仿真結(jié)果表明,瓦片式T/R組件與天線垂直互連模型在X波段內(nèi)駐波在-20 dB以下,損耗小于0.2 dB。

      圖3 瓦片式T/R組件與天線垂直互連仿真模型

      2 測試結(jié)果和組件外觀

      根據(jù)瓦片式T/R組件的設(shè)計方案和架構(gòu)對組件進(jìn)行裝配。采用器件級瓦片式T/R組件專用自動測試設(shè)備對研制的T/R進(jìn)行測試,如圖4所示。

      圖4 器件級瓦片式T/R組件測試圖

      測試結(jié)果如表2所示,發(fā)射路輸出功率和接收路接收增益曲線如圖5所示。

      表2 瓦片式T/R組件主要指標(biāo)測試結(jié)果

      圖5 T/R組件測試曲線

      通過對瓦片式T/R組件的指標(biāo)性能進(jìn)行測試可知,T/R組件在8~12 GHz頻帶內(nèi)的飽和輸出功率≥30 dBm,接收增益≥20 dB,噪聲系數(shù)≤3.5 dB,移相精度≤4°,衰減精度≤1 dB。

      采用表面貼裝技術(shù)(Surface Mount Technology,SMT)工藝,將帶有BGA球的2×2的貼片式天線貼裝到瓦片式T/R組件上,尺寸為64 mm×64 mm×20 mm,如圖6所示。

      圖6 瓦片式T/R組件實(shí)物

      3 結(jié) 論

      本文應(yīng)用了雙向放大器、收發(fā)前端等器件研制了一種X波段十六通道瓦片式器件級T/R組件,提出了采用BGA實(shí)現(xiàn)組件與天線垂直互連,節(jié)省了接頭成本與體積。組件使用成熟的SMT工藝進(jìn)行生產(chǎn),尺寸為64 mm×64 mm×20 mm(含天線),解決了傳統(tǒng)瓦片式T/R組件小型化與可批產(chǎn)、低成本之間的矛盾,實(shí)現(xiàn)了小型化、低成本、可批產(chǎn)、高可靠的目標(biāo)。同時探索了一種新的組裝方式,除了T/R組件領(lǐng)域,該組裝方式在變頻通道、頻率源、發(fā)射機(jī)等領(lǐng)域也具有很高的推廣價值。

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