印制電路板用高端電子銅箔及其技術(shù)新發(fā)展（下）

祝大同

（中電材協(xié)覆銅板材料分會(huì)，陜西 咸陽(yáng) 712099）

（接上期）

3 附載體極薄電解銅箔的市場(chǎng)與關(guān)鍵性能分析

3.1 附載體極薄銅箔概述

一般將厚度在9 μm及9 μm以下的電子電路用銅箔，稱為“極薄銅箔（Ultra Thin Copper Foil）”。印制電路板（PCB）用極薄銅箔主要使用在制造高密度互連（HDI）PCB制造中。而用于極薄銅箔的HDI基板，主要是微細(xì)線路基板（高階產(chǎn)品的應(yīng)用主要為手機(jī)與通訊類）、IC封裝基板、類載板（SLP）、模塊基板、高端撓性印制電路板等產(chǎn)品領(lǐng)域[1]。

為了極薄銅箔在PCB加工中便于操作，以及保證基材（一般為半固化片或樹脂膜）成形加工的質(zhì)量，在這類銅箔產(chǎn)品制造中，在極薄銅箔的光面（即S面）一側(cè)附上與介質(zhì)基材有一定接合力的載體（大都用銅箔材，也有采用鋁箔材），所構(gòu)成的這類電解銅箔，被稱為“附載體極薄銅箔”。附載體極薄銅箔的組成結(jié)構(gòu)見圖6所示。

圖6 附載體極薄銅箔結(jié)構(gòu)圖

約在十幾年前，9 μm及以下的電子電路用電解銅箔，幾乎全部為有帶載體的銅箔。近十幾年來(lái)，特別是近五年來(lái)，不帶載體極薄銅箔的制造與應(yīng)用技術(shù)得到了新發(fā)展，出現(xiàn)了7 μm～9 μm的極薄銅箔產(chǎn)品不再附載體。它主要于FPCB（撓性印制電路板）中，也少量應(yīng)用在剛性高階HDI板制造中。因此，當(dāng)前電解法制成的極薄銅箔，從組成結(jié)構(gòu)上可劃分為：附載體極薄銅箔與不附載體極薄銅箔兩類。

當(dāng)前全球電解銅箔制造業(yè)中兩類極薄銅箔的主要產(chǎn)品牌號(hào)及其厚度規(guī)格、主要應(yīng)用領(lǐng)域情況見表6所示。

表6 全球兩類極薄銅箔的主要產(chǎn)品牌號(hào)及其厚度規(guī)格、主要應(yīng)用領(lǐng)域表

3.2 近年附載體極薄銅箔市場(chǎng)需求的變化

（1）盡管近五六年來(lái)，全球采用連續(xù)電解法制造極薄銅箔的工藝技術(shù)及其設(shè)備得到了很大發(fā)展，不用附載體的電解銅箔品種，也能制出7 μm左右。但出于以封裝載板、類載板、任意層HDI板的需求，極薄銅箔的厚度規(guī)格在逐漸向7 μm以下轉(zhuǎn)變，以符合PCB制造工藝的需求，得到更高密度布線，因此7 μm以下附載體極薄銅箔的需求量有更明顯的增加。

（2）近幾年附載體極薄銅箔的常規(guī)產(chǎn)品的厚度范圍及規(guī)格都發(fā)生了改變，即附載體型極薄銅箔厚度在大于5 μm的品種，一般不作為常規(guī)品種生產(chǎn)銷售?，F(xiàn)行市場(chǎng)絕大多數(shù)售賣的附載體型極薄銅箔，其厚度為1.5 μm～5.0 μm。

特別是mSAP工藝用附載體極薄銅箔的需求，近年為趨于3 μm以下。有研究文獻(xiàn)[2]中指出：“已有研究結(jié)果和實(shí)際應(yīng)用，對(duì)于5 μm超薄銅箔可以應(yīng)用mSAP工藝生產(chǎn)為45 μm/45 μm級(jí)別的細(xì)線路，這個(gè)線路等級(jí)接近于常規(guī)減成法細(xì)線路的制作級(jí)別，所以5 μm超薄銅箔并不適合mSAP工藝。對(duì)于2 μm和3 μm超薄銅箔才是可以應(yīng)用mSAP工藝生產(chǎn)30 μm/30 μm等級(jí)，它甚至可以適于更細(xì)的線路。所以采用的超薄銅箔中，即便其厚度只有幾微米的差別，制作的線路等級(jí)卻相差很遠(yuǎn)?！?/p>

（3）在附載體極薄銅箔的品種也趨于個(gè)性化、客制化發(fā)展，成為高端銅箔市場(chǎng)發(fā)生重大變化的特點(diǎn)之一。例如，近年出現(xiàn)了針對(duì)IC封裝載板、SLP類、高端FPCB、任意層HDI板、高頻模塊板等的附載體極薄銅箔品種細(xì)分化。甚至為了解決銅箔剝離強(qiáng)度問(wèn)題，而按封裝用基板材料的樹脂不同（如BT樹脂、改性BMI樹脂等）而出現(xiàn)不同的附載體極薄銅箔。適于mSAP工藝的附載體極薄銅箔，近年已成為附載體極薄銅箔市場(chǎng)主導(dǎo)地位的品種。在適用于mSAP工藝的附載體極薄銅箔中，按照實(shí)現(xiàn)L/S尺寸的不同，或按照對(duì)信號(hào)傳輸損失大小、工作頻率條件的不同，派生出不同的品種。

3.3 三井金屬附載體極薄銅箔的品種及技術(shù)新發(fā)展

3.3.1 三井金屬附載體極薄銅箔的三個(gè)技術(shù)發(fā)展階段

三井金屬株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱三井金屬）是21世紀(jì)初在全球較早地問(wèn)世了附載體極薄銅箔產(chǎn)品?，F(xiàn)今，它在這類高端銅箔的全球市場(chǎng)上有絕對(duì)的壟斷權(quán)，估計(jì)市占率在85%以上，其技術(shù)水平最高。

三井金屬的最初附載體極薄銅箔產(chǎn)品牌號(hào)為：Microc Thin （縮寫為“MT”）。從它的附載體極薄銅箔的技術(shù)及品種上角度看，筆者將其分為三個(gè)發(fā)展階段[1][3]。

（1）在20世紀(jì)90年代至21世紀(jì)10年代初，三井金屬附載體極薄銅箔的初期發(fā)展的時(shí)期，主要是MT系列的兩個(gè)主要產(chǎn)品。一種是MT18SD-H型（常規(guī)輪廓度型，Rz：3.0 μm）、MT18Ex型（低輪廓度型，Rz：2.0 μm）。當(dāng)時(shí)有日本媒體曾報(bào)道過(guò)，三井金屬在MT系列附載體箔的加工工藝方面有獨(dú)有的技術(shù)特點(diǎn)。這個(gè)加工是與原箔（生箔）的表面處理加工（瘤化處理等）是在同一設(shè)備上共同完成的。即載體箔的“剝離層”是與本體極薄銅箔形成一體的加工，在表面處理機(jī)上同時(shí)完成。

（2）在20世紀(jì)10年代的中后期，三井金屬又分別推出了主要用于mSAP工藝用MT18EL；主要用于任意層互連HDI板的MT18Ex（C）、MT18SD-H-T5，以及主要用于SAP芯板用、有膠膜層的FSP501等四個(gè)品種的附載體極薄銅箔[4]。

（3）在21世紀(jì)20年代間，三井金屬為了應(yīng)對(duì)當(dāng)前5G、IoT及高頻封裝載板等市場(chǎng)需求，開發(fā)成功了牌號(hào)為“MT12GN/MT18GN”的薄載體、極低輪廓度的極薄電解銅箔[5][6]。此兩新品問(wèn)世，也顯示出三井金屬在附載體極薄銅箔制造技術(shù)進(jìn)入了第三階段。

至2021年底，三井金屬附載體極薄銅箔主要品種及其主要特性見表7所示。

表7 三井金屬附載體極薄銅箔品種及其主要特性

3.3.2 對(duì)三井金屬附載體極薄銅箔最新技術(shù)分析

三井金屬的“MT12GN/MT18GN”極薄電解銅箔，代表著該類高端銅箔的最新技術(shù)。它的產(chǎn)品特性及其技術(shù)表現(xiàn)在以下三方面：

（1）首次實(shí)現(xiàn)更?。?2 μm）載體。據(jù)日媒報(bào)道[5]：“MT12GN”采用厚度為12 μm銅箔載體；此銅箔成品最大幅寬為1300 mm（可提供卷狀品），且具有載體剝離強(qiáng)度的穩(wěn)定性優(yōu)異；同原有的“MT18EL”相同,即保持了很好的銅箔剝離強(qiáng)度特性；銅箔表面粗糙度（Rz）僅為常規(guī)極薄銅箔品種（如MT18SD-H）的約三分之一（筆者推估Rz小于1.0 μm）。而Cu載體改進(jìn)為更薄，有激光鉆孔中加工能力與質(zhì)量的提升，有利于提高微細(xì)線路的質(zhì)量。

（2）實(shí)現(xiàn)更低的銅箔表面極低輪廓度。采用18 μm載體的MT18GN銅箔，與MT12GN有相同工藝路線。但它對(duì)應(yīng)的應(yīng)用市場(chǎng)，主要是在線寬/線距（L/S）為20/20 μm（最低的）的、mSAP技術(shù)所制成的SLP等。其重要特性之一，是具有極低輪廓度（Rz為0.9 μm，典型值）。由于MT18GN的輪廓度極低（瘤化粒子甚?。粌H實(shí)現(xiàn)了PCB的信號(hào)傳送損失更低（見圖7所示），而且還在電路圖形加工中蝕刻量方面會(huì)有所減少。這有益于實(shí)現(xiàn)電路的阻抗設(shè)計(jì)與控制的高精度。MT18GN在基板的激光鉆孔加工中與MT18FL相比，因?yàn)镸T18GN有更小的瘤化粒子（即更薄的整體銅厚度），顯示出具有更好的激光鉆孔能力。如圖8所示，在兩種“基材+銅箔（箔體1.5 μm）+箔體上的瘤化粒子”共同構(gòu)成的“至銅箔頂部尺寸”樣品，用激光鉆孔耗費(fèi)能量值作評(píng)價(jià)的測(cè)試對(duì)比中，MT18GN（Rz=0.9 μm）要比MT18FL（Rz=1.3 μm）的激光鉆孔輸入能量要少0.2 mJ。

圖7 三井金屬三種不同Rz的極薄銅箔在傳輸損失特性上的對(duì)比圖

MT18GN在具有極低輪廓度特性的情況下，仍保持良好的銅箔與基材的黏結(jié)力。它實(shí)現(xiàn)了與MT18FL相同的銅箔剝離強(qiáng)度，達(dá)到6.37 N/cm（典型值）。將此性能值與其他幾家同一性能規(guī)格、同一測(cè)試條件下的剝離強(qiáng)度對(duì)比發(fā)現(xiàn)，三井金屬的MT18GN、MT18FL的剝離強(qiáng)度值，可列居前茅。伴隨著MT18GN的問(wèn)世，該公司還創(chuàng)造了評(píng)估銅箔與基材黏結(jié)力的另外一種檢測(cè)方法。即對(duì)基板上的銅箔，制成導(dǎo)線后的剪切強(qiáng)度的測(cè)定。與銅箔剝離強(qiáng)度相比，它是從另外一方向（覆銅箔基材的橫切面方向），去考核銅箔與基材之間的黏結(jié)力（見圖8[3]所示）。筆者認(rèn)為：作為微細(xì)線路基板，這種對(duì)銅箔黏結(jié)特性的測(cè)試，與銅箔剝離強(qiáng)度的測(cè)試，有著同等的重要與實(shí)用。同時(shí)，筆者感到：一種采用新技術(shù)而開發(fā)出的新材料（如附載體極薄銅箔）問(wèn)世，同時(shí)出臺(tái)一個(gè)反映這個(gè)新材料特性的測(cè)試方法或檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于該公司的這種新材料增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力起到十分重要的協(xié)同效應(yīng)。

圖8 三井金屬M(fèi)T18 GN與MT18FL的激光鉆孔加工能力對(duì)比圖

圖9 三井金屬提出的銅箔剪切強(qiáng)度測(cè)試示意圖

3.4 其他企業(yè)附載體極薄銅箔的品種及技術(shù)

3.4.1 福田金屬的附載體極薄銅箔的品種及技術(shù)

其他可生產(chǎn)附載體極薄銅箔廠家近一兩年此類產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)步較快的，應(yīng)屬日本的福田金屬箔粉工業(yè)株式會(huì)（以下簡(jiǎn)稱福田金屬）。

福田金屬在近20世紀(jì)10年代初，就開發(fā)出附載體極薄銅箔產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)了商品化。發(fā)展到2019年時(shí)，它的附載體極薄銅箔制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)了新的提升。特別是超微細(xì)粒子粗化處理工藝技術(shù)的開發(fā)成功及應(yīng)用，解決了銅箔極低輪廓度與高剝離強(qiáng)度的難題，開發(fā)成功并在2020年上市了附載體極薄電解銅箔產(chǎn)品系列（FUTF系列）。其中，本體銅箔最小厚度為5 μm的產(chǎn)品，有四個(gè)品種：FUTF-5EAS-5、5EAF-5、3WAF-5、5DSF-5，本體銅箔最小厚度達(dá)到2 μm的產(chǎn)品，有兩個(gè)品種。

FUTF系列產(chǎn)品由于開發(fā)出先進(jìn)的5E、5D及3W三種銅箔表面進(jìn)行超微細(xì)粒子粗化處理工藝技術(shù)，使得它們具有超低輪廓度的特性，六種極薄電解銅箔新品的牌號(hào)及主要性能見表8所示。

表8 福田金屬的IC封裝載板用低輪廓極薄電解銅箔常用牌號(hào)及性能表

有日媒透露[7]：福田金屬的FUTF系列銅箔產(chǎn)品，在載體表面作了特殊處理形成了“剝離層”。剝離層所決定的基材與載體之間的剝離力（又稱為“載體釋放力”），生產(chǎn)廠家是可根據(jù)用戶的需求，做“自由的”的調(diào)控。這項(xiàng)性能控制技術(shù)，也成了福田金屬的附載體極薄銅箔在業(yè)界中一項(xiàng)的獨(dú)有性能特點(diǎn)。

3.4.2 盧森堡電路銅箔的附載體極薄銅箔產(chǎn)品

盧森堡電路銅箔有限公司（以下簡(jiǎn)稱盧森堡電路。韓資，2014年10月被斗山集團(tuán)以全額股份所收購(gòu)）的附載體極薄銅箔產(chǎn)品，近年在品種更新與技術(shù)發(fā)展上也很快。

目前盧森堡電路主要有五個(gè)品種（據(jù)該公司網(wǎng)站2021年發(fā)布的銅箔產(chǎn)品說(shuō)明書）：DOUBLETHINTMNF、DOUBLETHINTMNN、DOUBLETHINTMANP、DOUBLETHINTM N-TAZ、DOUBLETHINTMCORELESS。盧森堡電路銅箔的附載體極薄銅箔五個(gè)品種的主要性能及具體的應(yīng)用領(lǐng)域，見表9所示。

盧森堡電路的附載體極薄銅箔產(chǎn)品，有幾點(diǎn)特性：（1）本體銅箔的最小厚度規(guī)格均可達(dá)到1.5 μm；（2）可以提供本體銅箔為1.5 μm與2.0 μm規(guī)格的附載體銅箔的Cu載體為12 μm厚規(guī)格；（3）DOUBLETHINTM-NF及NN是盧森堡電路在2019年間開始實(shí)現(xiàn)大量生產(chǎn)的HVLP3型極低輪廓銅箔新品；（4）按照支持mSAP工藝制作的線寬（L）、線距（S）的不同，有分別對(duì)應(yīng)的品種，如表9所示。對(duì)應(yīng)在封裝基板采用的不同樹脂類型基板材料方面，不同品種也有不同的對(duì)應(yīng)：如NF主要對(duì)應(yīng)于BT樹脂、PPO樹脂的低傳輸損失基材應(yīng)用；而NF、ANP、N-TAZ銅箔主要對(duì)應(yīng)用于BT樹脂以及無(wú)鹵高Tg環(huán)氧樹脂的基材。CORELESS銅箔，主要采用超薄載體（12 μm），專為無(wú)芯層（任意層）型多層板工藝（如SAP工藝）而設(shè)計(jì)，適合于應(yīng)用在高Tg型FR-4作為芯材；（5）盧森堡電路的附載體極薄銅箔群中，未有針對(duì)高端FPCB開發(fā)的品種，而高端FPCB采用mSAP近年已成為一種發(fā)展潮流。

表9 盧森堡電路的附載體極薄銅箔品種、主要性能及應(yīng)用特性表

3.4.3 中國(guó)臺(tái)灣南亞的附載體極薄銅箔產(chǎn)品

在20世紀(jì)10年代中期發(fā)展起來(lái)的南亞塑膠股份有限公司電子材料事業(yè)部（以下簡(jiǎn)稱南亞）附載體極薄電解銅箔。

中國(guó)臺(tái)灣是全球生產(chǎn)IC封裝載板的主要產(chǎn)地，這給南亞公司提供了附載體極薄電解銅箔的開發(fā)、應(yīng)用研究銜接以及產(chǎn)品更快地進(jìn)入市場(chǎng)提供了得天獨(dú)厚的條件。

南亞宣稱：它們“可提供廣泛的厚度和粗糙度的IC載板應(yīng)用”。目前有NPU和NPUE兩個(gè)類、四個(gè)品種的附載體極薄電解銅箔，即NUP-27（厚度3 μm）；NPUE-18（厚度1.5 μm）；NPUE-24（厚度2 μm）；NPUE-33（厚度3 μm）[8]。

南亞的附載體極薄電解銅箔產(chǎn)品有如下特性。

（1）南亞的NPU和NPUE兩類附載體極薄銅箔的性能區(qū)別在于：NPU系列銅箔是標(biāo)準(zhǔn)晶粒模式，它的晶粒直徑在1.0 μm，所制出的本體銅箔厚度為3 μm。而NPUE是微細(xì)晶粒模式，它的晶粒直徑在0.5 μm。它所制出的本體銅箔厚度為1.5 μm、2.0 μm、3 μm三種；（2）載體用箔為18 μm厚，VLP級(jí)的銅箔Rz：1.4 μm，Ra：0.23 μm；（3）剝離層采用了特殊合金涂層，在中國(guó)臺(tái)灣、日本、美國(guó)和中國(guó)大陸都獲得專利權(quán)，具有較好的剝離強(qiáng)度和熱穩(wěn)定性；（4）銅箔厚度最薄的品種NPUE-18（厚度1.5 μm），在剝離強(qiáng)度方面，可達(dá)到0.61 N/mm。

3.5 mSAP工藝應(yīng)用驅(qū)動(dòng)附載體極薄電解銅箔市場(chǎng)變化

3.5.1 近年附載體極薄電解銅箔的市場(chǎng)新變化

附載體極薄電解銅箔最早主要應(yīng)用領(lǐng)域是IC封裝載板。在2010年左右，IC封裝載板占整個(gè)附載體極薄銅箔應(yīng)用市場(chǎng)的約70%，其余30%市場(chǎng)份額是HDI板、FPCB。自2017年以來(lái)，采用改進(jìn)型半加成法（mSAP）制造智能手機(jī)主板，由于mSAP工藝制造中要采用附載體極薄銅箔，使得附載體極薄銅箔需求量增大[2][9]。

在2021年下半年發(fā)表的臺(tái)灣工研院與臺(tái)灣電路板協(xié)會(huì)（TPCA）共同組織的一項(xiàng)高階PCB技術(shù)與市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告中[10][11]表明：

在高階FPCB方面：“隨著5G通訊市場(chǎng)需求，在新型封裝技術(shù)AiP（天線封裝技術(shù)）引領(lǐng)下，帶動(dòng)了高階軟板的發(fā)展。在線路設(shè)計(jì)上，會(huì)35/35 μm以下邁進(jìn)，制程選擇多為mSAP……在微孔型（L/S≤35/35 μm）撓性PCB制作上，mSAP工藝技術(shù)的運(yùn)營(yíng)更為普遍，走向成熟。”

在高階高密度互連板（HDI）方面：“高階產(chǎn)品的應(yīng)用主要為手機(jī)與通訊類，目前產(chǎn)品線路設(shè)計(jì)為40/40 μm，但預(yù)估2023年將會(huì)逐步提升至35/35 μm的設(shè)計(jì)。此時(shí)制程將由傳統(tǒng)的tenting（意即干膜蓋孔蝕刻）制程轉(zhuǎn)為mSAP制程?！?/p>

mSAP工藝法在業(yè)界的迅速采用，使得附載體極薄銅箔的市場(chǎng)在近幾年得到擴(kuò)大。它在不同應(yīng)用領(lǐng)域所占市場(chǎng)的份額也出現(xiàn)了巨大的變化。

3.5.2 mSAP工藝技術(shù)及其應(yīng)用特點(diǎn)

自20世紀(jì)10年代中后期起，承載器件的設(shè)計(jì)在不斷高密度化，現(xiàn)有HDI采用的減成法工藝流程限制已難以突破，必須在HDI更高一檔次技術(shù)下實(shí)現(xiàn)的技術(shù)。在2017年，蘋果iPhone手機(jī)最先導(dǎo)入類載板（Substrate-Like PCB，SLP），開啟了新一輪智能手機(jī)主板的革命[7]。SLP是在現(xiàn)有HDI工藝基礎(chǔ)上，采用mSAP工藝，以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)線寬/線距30 μm/30 μm甚至更細(xì)的線路能力。

附載體極薄銅箔在mSAP應(yīng)用的工藝流程是：首先在半固化片基材上預(yù)壓極薄銅箔（≤5 μm），在去除了所附載體的本體銅箔表面上進(jìn)行預(yù)處理。之后，覆上光致抗電鍍干膜，然后經(jīng)曝光和顯影，在抗電鍍干膜表面裸露出線路部分，再利用圖形電鍍加厚線路，然后退去光致抗電鍍干膜，最后采用快速的差分蝕刻方法將表面的一層薄銅去除，留下線路部分的金屬銅從而形成精細(xì)線路的制作。

有中國(guó)臺(tái)灣PCB專家指出“IC載板運(yùn)用的半加成法（SAP）與類載板（SLP）的帶銅箔半加成法（mSAP）的差異，在于加工的板材是否是預(yù)壓超薄銅箔。目前市場(chǎng)通常情況下，成熟的SAP工藝都是ABF薄膜材料，采用全板沉銅工藝，這并不適合現(xiàn)存多數(shù)生產(chǎn)設(shè)備的設(shè)置；因此就催生了改進(jìn)型方案，即帶超薄銅箔的半加成工藝技術(shù)[9]?！?/p>

在mSAP工藝中采用的附載體極薄銅箔，它的Rz極低（Rz：3.0 μm～0.8 μm）、銅箔厚度極薄（5.0 μm～1.5 μm）。在進(jìn)行線路加工中圖形轉(zhuǎn)移是采用直接成像薄型光致抗蝕干膜，達(dá)到高分辨率；蝕刻銅是屬快速閃蝕，目標(biāo)是被蝕刻線條側(cè)壁垂直[12]。蝕刻加工消除側(cè)蝕而線路截面呈現(xiàn)出矩形狀況，從而可制出更微細(xì)的線路。

制作SLP中采用mSAP工藝制程，在加工成本上低于半加成法（SAP）。

SAP工藝制造微細(xì)線路基板，一般采用ABF材料，由于加工控制點(diǎn)較多，設(shè)備投資較大，基材制作的產(chǎn)品耐熱性有限等，造成SAP制作PCB的工藝成本和材料成本較高。而采用mSAP工藝制造微細(xì)線路基板，可以解決SAP加工成本高的問(wèn)題，在附載體極薄銅箔供應(yīng)廠家方面，也比ABF材料有更多的供應(yīng)商[11]。

3.5.3 實(shí)施mSAP對(duì)附載體極薄銅箔提出的主要性能要求

近幾年來(lái)mSAP工藝在多種不同終端產(chǎn)品應(yīng)用的高端HDI采用中，為保證工藝順利、更佳的實(shí)施，也對(duì)所用附載體極薄銅箔提出了更嚴(yán)的性能要求。

（1）銅箔的表面瘤化粒子（晶粒）要求細(xì)小而均勻。表面的瘤化粒子即要極薄銅箔在壓合時(shí)與樹脂基材有一定的結(jié)合強(qiáng)度，又要防止銅面嵌入樹脂層形成所謂銅牙，在制作線路時(shí)影響閃蝕過(guò)程中對(duì)基材面殘留銅的清除（為了清除殘留銅而增加閃蝕量，會(huì)造成線路底部產(chǎn)生底切）。

（2）附載體極薄銅箔主要有三層結(jié)構(gòu)組成，即本體極薄銅箔、剝離層、載體層（如圖6所示）。在極薄銅箔光面（S面）上敷有剝離層。剝離層敷著在極薄銅箔光面上。一般在極薄銅箔M面進(jìn)行瘤化等后處理加工設(shè)備上，采用電沉積法所形成。載體材質(zhì)目前多采用銅箔，也有企業(yè)（如JX日礦金屬）采用鋁箔。在剝離層所附上的載體箔，厚度多為18 μm，也有載體也有12 μm規(guī)格。

附著的載體箔，在附載體極薄銅箔制造、應(yīng)用中起到幾方面的作用[2]：①在這類銅箔的制造過(guò)程中，可以對(duì)超薄銅箔起到支撐作用；②避免在運(yùn)輸過(guò)程中使超薄銅箔發(fā)生起皺和損壞；③使用于mSAP工藝層壓在樹脂基板材料過(guò)程中，預(yù)壓覆在黏合基材（半固化片或樹脂膜）時(shí)，防止產(chǎn)生因銅箔過(guò)薄、模量低而產(chǎn)生的起皺等問(wèn)題，以及防止樹脂滲透和銅箔表面損壞。

在附載體極薄銅箔高溫預(yù)壓在基材上，完成復(fù)合后，因載體箔需要?jiǎng)冸x去除，因此，載體箔即要在預(yù)壓加工前保持與極薄銅箔有一定的、均勻的接合力，又要在高溫壓合加工后，很容易與覆銅箔的固化成型基板材料剝離。在有關(guān)研究文獻(xiàn)[2]中指出：載體銅箔的生產(chǎn)和使用的關(guān)鍵問(wèn)題是解決載體箔和超薄銅箔的剝離問(wèn)題，保證超薄銅箔與載體箔之間具有適當(dāng)?shù)膭冸x強(qiáng)度，當(dāng)剝離層在載體箔表面上不均勻時(shí)，載體箔和超薄銅箔之間的黏合強(qiáng)度會(huì)不穩(wěn)定，當(dāng)超薄銅箔和載體箔之間的黏合強(qiáng)度太低，二者過(guò)早分離而不能使用；或者當(dāng)二者之間的黏結(jié)強(qiáng)度太強(qiáng)，超薄銅箔難以從載體箔上剝離也不能使用，所以剝離層是評(píng)價(jià)載體銅箔適用性非常重要的一環(huán)。

3.6 展望未來(lái)附載體極薄銅箔技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

附載體極薄銅箔作為高端HDI板、高端FPCB制造中的導(dǎo)電材料，未來(lái)將會(huì)有大的市場(chǎng)需求，更廣闊的新市場(chǎng)領(lǐng)域。特別是，它已成為mSAP工藝實(shí)施中不可缺少的重要材料。

應(yīng)用于封裝載板或微細(xì)線路的附載體極薄銅箔，在未來(lái)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)上，將有以下幾方面更為有突出表現(xiàn):（1）技術(shù)挑戰(zhàn)極低輪廓的瘤化粒子（又稱“銅牙”）分布的均一性，以及表面粗糙度（Rz）更趨于≤1.0 μm（即達(dá)到HVLP3、HVLP4等級(jí)）的需要；（2）更均一、穩(wěn)定、優(yōu)良的銅箔剝離強(qiáng)度；（3）載體箔和超薄銅箔之間的黏合強(qiáng)度可控性、方便性，以及高溫、高壓條件下的成型加工后的載體箔剝離力（載體釋放力）的一致穩(wěn)定性；（4）載體箔的薄型化；（5）隨著mSAP工藝的廣泛應(yīng)用，附載體極薄銅箔品種的細(xì)分化、個(gè)性化，以及產(chǎn)品的低成本化，將成為重要的競(jìng)爭(zhēng)熱點(diǎn)。

4 結(jié)語(yǔ)

低輪廓銅箔與附載體極薄銅箔，是高端PCB市場(chǎng)需求量在近年迅速擴(kuò)大，且產(chǎn)品制造技術(shù)水平迅速提升的兩類高端電解銅箔。它對(duì)發(fā)展高端PCB技術(shù)的提高都起到了重要的推動(dòng)、支撐作用。

對(duì)于我國(guó)內(nèi)資銅箔企業(yè)來(lái)講，當(dāng)前在低輪廓銅箔市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力方面，非常薄弱，甚至有的品種為市場(chǎng)空白。在附載體極薄銅箔方面，是完全的處于市場(chǎng)空白。這需要我們積極地投入研發(fā)、努力的趕上。對(duì)于正在發(fā)展高端PCB的企業(yè)來(lái)講，很需要更多的了解、認(rèn)識(shí)低輪廓銅箔及附載體極薄銅箔材料，以便在對(duì)它的應(yīng)用技術(shù)上，有所創(chuàng)新推進(jìn)。這也是筆者撰寫此文的兩個(gè)初衷。