郭明良,孫冬
(黑龍江科技大學(xué),黑龍江哈爾濱,150000)
有源箝位反激的一個周期內(nèi)包含七個模態(tài),圖1顯示了每個模態(tài)下的等效電路。在模態(tài)(I)中,QL處于導(dǎo)通狀態(tài),因為VGS(QL)很高,因此連接到Lm的VBULK導(dǎo)致Im線性增加,為Lm存儲能量。在模態(tài)(II)中,QL和QH均關(guān)閉,峰值磁化電流對QL的結(jié)電容Coss(QH)充電,對箝位開關(guān)的結(jié)電容QH放電并且同時對次級整流器的結(jié)電容放電。因此,隨著VSW從0V上升到高電平,QL上的電流IQL減小,箝位電流ICc增加,次級整流器電流ISEC增加。模態(tài)中(III),QH還沒開啟,所以Im先流過QH的體二極管給CC充電。在第四個區(qū)域(IV)中,當(dāng)VGS(QH)為高時QH導(dǎo)通時,nVOUT開始對Lm退磁,因此Im開始衰減并且Lm將其能量釋放到輸出。同時,Cc通過與Lk共振吸收Lk能量,所以IC為正方向。在第五個區(qū)域(V),IC開始反向諧振,因此ISEC變高,這表明磁化和泄漏能量都釋放到輸出。第六區(qū)(VI)出現(xiàn)在諧振完成之后。次級二極管整流器在零電流(ZCS)時自然關(guān)閉,因此nVOUT無法進(jìn)一步退磁Lm。相反,隨著QH保持導(dǎo)通,箝位電容器電壓(VC)接管以繼續(xù)對Lm去磁,因此Im在QH關(guān)閉之前繼續(xù)反向運行。在QH關(guān)閉的最后一個區(qū)域,負(fù)磁化電流Im(-)開始對COSS(QL)放電,給COSS(QH)充電,并對次級整流器的結(jié)電容充電,因此VSW從高電平下降到0V。最后,回到第一個區(qū)域,當(dāng)VSW達(dá)到0V時QL開啟,因此獲得ZVS。
圖1 有源箝位反激不同模態(tài)下的等效電路
傳統(tǒng)的有源箝位諧振網(wǎng)絡(luò)是原邊諧振,即副邊電容折算到原邊之后遠(yuǎn)大于箝位電容,在諧振過程中,其兩端電壓值基本不變,所以其容值對諧振網(wǎng)絡(luò)影響極小,可簡化為一個電壓源,因此在諧振時是利用原邊的箝位電容同漏感進(jìn)行諧振,故稱為原邊諧振。
根據(jù)上述分析,原邊諧振過程的等效電路圖如圖2所示。
圖2 原邊諧振網(wǎng)絡(luò)等效電路
其中Cc為箝位電容,Lk為漏感,Lm為勵磁電感,n×Vo的電壓源為輸出電容等效到原邊后的近似電壓源。分析該等效電路可知,Lm兩端電壓被箝位到n×Vo,故Lm也不參與諧振過程。只有Lk與Cc諧振。故可對電路進(jìn)行求解:
圖3 原邊諧振電流波形示意圖
這就會帶來一個問題,就是當(dāng)參數(shù)設(shè)計不合理,或者系統(tǒng)波動的時候,Ipri和Im可能會在正電流區(qū)域相遇,導(dǎo)致副邊同步整流管提前關(guān)斷。而大多數(shù)的同步整流芯片從關(guān)斷到下一次開通之前需要承受正向的VDS電壓,以市場上廣泛使用的芯源公司生產(chǎn)同步整流芯片MP6908為例,他從關(guān)斷到開通需要檢測同步整流管的VDS在一定時間內(nèi)從2V降至-40mV才會開通,但是由于Ipri和Im提前相遇之后,電流仍然正向流動,即 VDS< 0 ,所以同步整流芯片不會工作,副邊電流會經(jīng)由同步整流Mosfet的體二極管流過,從而失去了同步整流的效果,增大了其上的損耗,對散熱和效率產(chǎn)生不利影響。
除原邊諧振的方式以外,還有副邊諧振的方式。當(dāng)折算到原邊的副邊電容( Co/n2)遠(yuǎn)小于原邊箝位電容(Cc),此時原邊箝位電容將等效為一個電壓源,諧振網(wǎng)絡(luò)變成原邊漏感與副邊電容諧振,其諧振網(wǎng)絡(luò)等效電路如下圖所示:
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圖4 副邊諧振網(wǎng)絡(luò)等效電路
由上述公式可以分析出,當(dāng)采用副邊諧振的時候,變壓器原邊的電流波形(ipri)由兩部分組成。一是線性分量,其斜率為 - n Vo/Lm,因此其為平行于Im,并處于Im下方的一條直線。二是正弦分量,其系數(shù)為負(fù),所以會先向下震蕩。諧振電流的整體示意圖如下:
圖5 副邊諧振電流波形示意圖
由上圖可以看到,在副邊諧振的條件下,由于正弦分量的系數(shù)為負(fù),因此不會出現(xiàn)勵磁電流與原邊電流過早相遇,導(dǎo)致同步整流管提前關(guān)斷的問題。但是在副邊諧振條件下,要實現(xiàn)副邊同步整流開關(guān)管的零電流關(guān)斷,需要滿足以下條件:
(1)諧振電流和勵磁電流必須能夠相遇,即聯(lián)立使兩電流相等,聯(lián)立后方程如下所示:
當(dāng)該方程有解時,上述條件即可成立。
(2)在滿足上述條件的基礎(chǔ)上,另一個必要的的條件式原邊電流與勵磁電流應(yīng)該在電流為負(fù)時候相遇,之后原邊開關(guān)管導(dǎo)通,則可實現(xiàn)副邊的ZCD。
以上分析的諧振網(wǎng)絡(luò),不管是原邊諧振還是副邊諧振,究其根本都是變壓器一端的電容與漏感進(jìn)行諧振,而另一端電容由于容值相對較大,在分析的時候?qū)⑵涞刃殡妷涸础H魧⒃叺闹C振電容和折算后的副邊電容都調(diào)整到同一數(shù)量級,則可以將原邊電容和副邊電容都引入諧振網(wǎng)絡(luò),二者均參與諧振過程,其等效電路圖如下。
圖6 原副邊諧振網(wǎng)絡(luò)等效電路
根據(jù)等效電路可以求得在該諧振網(wǎng)絡(luò)下的電流表達(dá)式為:
由上述公式可以看出,在這種諧振網(wǎng)絡(luò)下,電路的諧振情況由原邊電容和副邊電容共同決定。并且其中正弦分量的系數(shù)不再是一個常數(shù),因此電流波形構(gòu)成更加復(fù)雜,方便通過原邊和副邊共同對電流波形進(jìn)行改動,以完善諧振電流波形。
值得注意的是,當(dāng)副邊電容參數(shù)諧振,即在副邊諧振及原副邊共同諧振的情況下,為了維持輸出的穩(wěn)定,要在后級加入LC濾波。LC濾波可以濾除前級諧振所造成的電壓波動,保持輸出電壓的平穩(wěn)。
本次仿真基于SIMPLIS軟件,以一款輸出電壓15V,最大功率為75W的ACF為例進(jìn)行仿真,變壓器原邊感量55uH。由于箝位電容大小直接影響諧振過程,故需要通過開關(guān)周期來確定。由上面分析可
因此,諧振電容的大小可用以下公式進(jìn)行近似估算:
帶入后可得,Cc=220nF。
當(dāng)然,該計算容值僅為近似的仿真參數(shù)值,其最終值的確定還要考慮電路的開關(guān)損耗的導(dǎo)通損耗,所以要根據(jù)實際情況做適當(dāng)修改。
設(shè)計如下仿真參數(shù),以進(jìn)行不同諧振網(wǎng)絡(luò)下的諧振電流波形情況。
諧振方式 Cc(nF) Co/n2(nF) Ceq(nF)原邊諧振 220 27800 218.3原副邊諧振 282 1000 220原副邊諧振 293 880 220原副邊諧振 330 660 220副邊諧振 100000 220 219.5
所得仿真波形如下所示。
圖7 原邊諧振電流波形
從上述仿真波形分析可知,不同的諧振網(wǎng)絡(luò)參數(shù)值對諧振電流波形有著巨大的影響。從圖8、圖9可以看出,副邊諧振以及原副邊諧振由于其不同的諧振波形,從根本上避免了Im和Ipri提前相交導(dǎo)致同步整流提前關(guān)斷的風(fēng)險。
圖8 副邊諧振電流波形
圖9 原副邊諧振電流波形
同時,從圖9可以看出,相比于副邊諧振,原副邊諧振有著更多變的電流波形情況,方便進(jìn)行調(diào)節(jié)和控制,并且通過仿真可以發(fā)現(xiàn),在Co/n2=880nF的情況下,副邊擁有相對較好的電流波形,其有效值更小,從而可以降低同步整流的導(dǎo)通損耗。而且,較小的交流分量和有效值,可以使變壓器的鐵損和銅損都降低,從而減小變壓器的損耗,降低其發(fā)熱情況,增加整體效率。
通過對諧振網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行建模和等效分析,指出了將原邊和副邊的諧振電容調(diào)整到同一數(shù)量級可以令原邊和副邊電容都參與到諧振當(dāng)中,從而可以通過改變原邊和副邊電容得到更多不同的諧振電流波形。
在選擇合適的諧振參數(shù)后(如仿真實驗中的Co/n2=880nF),電流擁有相對較好的波形,其有效值較低,可以降低副邊同步整流的導(dǎo)通損耗,并降低變壓器的銅損和鐵損,有助于降低變壓器溫度,提高整機效率。