楊芾藜 ,鄭 可
(1.國網(wǎng)重慶市電力公司,重慶 400015;2.國網(wǎng)重慶市電力公司營銷服務中心,重慶 401123)
隨著現(xiàn)代微波技術(shù)及電子設備的快速發(fā)展,電磁波已在通信、軍事以及航空航天等諸多領域獲得了廣泛應用,由此帶來的電磁污染以及多天線干擾等問題也日益嚴重[1],產(chǎn)生的電磁輻射/污染對人體、電子設備等造成了巨大的危害。因此,眾多學者開展了對電磁吸波材料的研究[2-3],然而,由于傳統(tǒng)涂覆型吸波材料自身特性的限制,已經(jīng)難以滿足“薄、輕、強、寬”的要求。超材料是由人工復合結(jié)構(gòu)或復合材料組成的一類結(jié)構(gòu)型材料[4],具有諸如負折射率、逆多普勒效應等自然界材料所不具備的特性。在電磁吸波方面,通過對超材料結(jié)構(gòu)單元的設計,可以將電磁波能量轉(zhuǎn)換為其他形式的能量,實現(xiàn)對特定電磁波頻段的吸收和耗散。自Landy 等[5]于2008 年首次提出了一種超材料完美吸波器之后,對于超材料的研究得到了學術(shù)界及工業(yè)界的廣泛關注,其范圍也逐漸擴展到左手材料[6-7]、頻率選擇表面[8-9]以及光子晶體[10-11]等領域,不同結(jié)構(gòu)及應用領域的超材料電磁吸波器也不斷涌現(xiàn)[12-14]。
作為一種磁性吸波顆粒,羰基鐵粉具有較大的折射率以及對入射電磁波的壓縮能力,同時也具有磁損耗和介電損耗兩方面的耗散特性[15]。因此,利用羰基鐵粉作為吸波顆??梢允钩牧衔ㄆ骶哂休^大的吸收帶寬和相對較小的厚度。2018 年,Li 等[16]提出了一種基于片狀羰基鐵粉的交叉陣列超材料吸波器,并認為交叉結(jié)構(gòu)的諧振電流可以激發(fā)局部電場和磁場的增強。測試結(jié)果表明,吸波器在1.44 GHz 處的最小反射損耗達到-12 dB。為了優(yōu)化羰基鐵粉層的阻抗匹配,2019 年,Chen 等[17]提出了一種采用超高分子量聚乙烯(UHMWPE)層和羰基鐵粉層相堆疊的雙層吸收體,其吸收率超過90%以上的帶寬達到了13.6 GHz。2020 年,Zhang 等[18]設計了一種基于磁性材料且在低頻區(qū)域具有寬帶吸收的多層結(jié)構(gòu)吸收體,實驗表明,該吸波器在2.2~9.5 GHz 范圍內(nèi)具有寬帶吸收的特性。同年,Duan 等[19]研制了一種基于磁性襯底的中心頻率選擇表面寬頻帶超材料吸收體,通過優(yōu)化磁性基片,可使吸收器在2.5~17.2 GHz 頻段范圍內(nèi)的反射損耗小于-10 dB。但上述研究均未考慮微觀層面顆粒排布對吸波器性能的影響,使得吸波器的性能難以進一步有效提高。
磁流變彈性體(Magnetorheological Rlastomer,MRE)是一種磁控智能材料,主要由硅橡膠、鐵磁性顆粒以及其他添加劑組成?;谄鋬?yōu)異的磁控特性,磁流變彈性體往往作為減振降噪系統(tǒng)的核心部分[20-23],同時,在傳感器領域也發(fā)揮著重要的作用[24]。在電磁吸波領域,通過磁場對材料內(nèi)部顆粒排布的影響,改變磁流變彈性體的磁導率和介電常數(shù),從而可提高吸波器對電磁波的吸收及耗散性能。Qiao等[25]通過對羰基鐵粉/石蠟復合材料的研究發(fā)現(xiàn),顆粒的定向排列會使材料具有高的磁導率和共振頻率,并且突破了斯諾克極限的限制。西北工業(yè)大學的閔丹丹[26]對羰基鐵粉/環(huán)氧樹脂復合材料的研究表明,羰基鐵粉的定向排列能降低吸波涂層的匹配厚度,擴寬吸波涂層的吸收帶寬,在羰基鐵粉含量為質(zhì)量分數(shù)75%時,-10 dB 以下帶寬可達12.5 GHz。然而,這些研究只是局限在磁場對顆粒排列的影響,并未將宏觀結(jié)構(gòu)與微觀顆粒排布進行結(jié)合,使得材料的吸波特性未能獲得進一步的提升。
基于上述研究,本文設計了基于磁流變彈性體的超材料吸波器,通過在預結(jié)構(gòu)階段施加不同的磁場陣列,從而制備兩種具有不同周期結(jié)構(gòu)單元的超材料吸波器,將宏觀結(jié)構(gòu)與微觀顆粒排布進行結(jié)合,從而提升吸波器的電磁吸波特性。通過同軸法對吸波器的電磁參數(shù)進行測試,并利用仿真軟件對材料的吸波特性及機理進行分析。最后,采用弓形法對實物進行測試。結(jié)果表明,設計制備的基于磁流變彈性體的超材料吸波器具有吸收率高、工作頻帶寬的特性。
制備超材料吸波器的主要材料為磁流變彈性體。其主要成分為硅橡膠和羰基鐵粉,其制備通常分為前期的機械共混以及后期的硫化兩個步驟。根據(jù)在硫化過程中是否施加磁場,可以將磁流變彈性體分為顆粒均勻分散的各向同性材料和顆粒沿磁感線分布的各向異性材料[14]?;谏鲜鎏匦?在制備基于磁流變彈性體的超材料吸波器時,通過施加不同的磁場陣列即可形成不同的結(jié)構(gòu)單元,將宏觀結(jié)構(gòu)與微觀顆粒排列相結(jié)合,從而提高超材料吸波器的吸波及耗散性能。另外,為了反映羰基鐵粉的含量對吸波特性的影響,制備了羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)分別為30%,40%及50%三種超材料吸波器。
采用同軸法對羰基鐵粉在2~18 GHz 內(nèi)的電磁參數(shù)進行測試。具體過程包括:將未固化的磁流變彈性體倒入特制同軸環(huán)模具中,制成外徑7 mm、內(nèi)徑3.04 mm、厚度2.68 mm 的圓環(huán)樣品。最后,將樣品放入矢量網(wǎng)絡分析儀(型號為Agilent N5234A)的同軸線中進行測試。另外,為了使超材料的吸波測試更接近真實情況,采用弓形法對樣品的反射率進行測試,測試系統(tǒng)示意圖如圖1 所示。
圖1 弓形法測試示意圖Fig.1 The schematic diagram of arch measurement system
基于磁流變彈性體的超材料結(jié)構(gòu)設計,就是將磁流變彈性體與超材料的結(jié)構(gòu)設計結(jié)合起來,不同于“三明治”結(jié)構(gòu)的超材料吸波器[27-28],所設計的超材料吸波器僅為單層結(jié)構(gòu)。通過在硫化過程中施加不同的磁場陣列,使得磁流變彈性體內(nèi)部的磁性顆粒沿磁感線方向有序排列,從而形成不同宏觀/微觀結(jié)構(gòu)的超材料吸波器單元,示意圖如圖2 所示,故分別施加NN 型和N-S 型兩種磁場陣列。對于N-N 型磁場陣列而言,由于相鄰磁鐵的磁感線呈交叉的趨勢,因而在這樣的磁場陣列下,超材料結(jié)構(gòu)單元底部為圓形,中間為橢球型凸起的結(jié)構(gòu)。而對于N-S 型磁場陣列而言,相鄰磁鐵之間的磁感線分布近似形成一條回路,因此,使得磁流變彈性體中的鐵粉向兩邊移動,形成四周鐵粉含量較高且凸起,中間鐵粉含量較少且較平的超材料結(jié)構(gòu)單元。具體結(jié)構(gòu)參數(shù)已在圖中標出,其中,N-N 型單元周期長度a=b=30 mm,h=4 mm。N-S 型單元周期長度a1=b1=30 mm,h1=4 mm,h2=2.2 mm。正是由于這兩種不同的宏觀結(jié)構(gòu)單元以及吸波器內(nèi)部磁性顆粒排列的微觀結(jié)構(gòu)的不同,從而影響超材料吸波器的吸波特性,進而導致不同的吸收效果。
圖2 不同磁場陣列下,基于磁流變彈性體超材料吸波器結(jié)構(gòu)單元成型示意圖Fig.2 Schematic diagram of the metamaterial absorber unit cell based on MRE under different magnetic field arrays
對于吸波顆粒而言,其含量會對諸如復介電常數(shù)(εr)以及復磁導率(μr)等電磁參數(shù)產(chǎn)生影響。復介電常數(shù)和復磁導率的實部代表吸波器對電磁能的儲存能力,而虛部則代表耗散電磁能的能力[29]。因此,首先考慮羰基鐵粉含量與電磁參數(shù)之間的關系,為后續(xù)吸波器性能的研究打下基礎。圖3 為羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)從30%增加至50%時,電磁參數(shù)隨頻率的變化曲線。其中,圖3(a)和(b)分別表示復介電常數(shù)的實部(ε′)和虛部(ε″)值在2~18 GHz 內(nèi)的變化曲線,圖3(c)和(d)分別為復磁導率的實部(μ′)和虛部(μ″)值在2~18 GHz 內(nèi)的變化曲線。由圖3 可知,整體上,隨著羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)的增加,εr和μr呈現(xiàn)逐漸上升的趨勢。當羰基鐵粉的質(zhì)量分數(shù)小于50%時,ε′的值波動較小,且在2~11.36 GHz 內(nèi)基本保持不變,而在11.36~18 GHz 呈現(xiàn)出逐漸下降的趨勢。以羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)40%為例,ε′的值在2~11.36 GHz 內(nèi)保持在3.2 附近,隨后在11.36~18 GHz 逐漸下降至2.8。ε″的值在2~18 GHz 內(nèi)維持在0 附近波動,并且隨著羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)的增加,呈現(xiàn)出先增大后減小的趨勢。
圖3 不同羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)吸波器的εr 和μrFig.3 Permittivity (εr) and permeability (μr) of absorbers with different mass fractions of carbonyl iron powder
同時,以羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)40%為例,在2~18 GHz 范圍內(nèi),μ′的值呈現(xiàn)出先下降后上升的趨勢,由2 GHz 的1.27 下降至1.12,后升至1.20。μ″的值則呈現(xiàn)出逐漸上升的趨勢。另外,從圖中還可看出,當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為50%時,復介電常數(shù)和復磁導率實部的抖動均遠大于羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為30%和40%的情況,這可歸因于羰基鐵粉含量過高,形成團聚的現(xiàn)象,產(chǎn)生連續(xù)的導電網(wǎng)絡,進而影響電磁參數(shù)的穩(wěn)定性。
由前述分析可知,羰基鐵粉在磁場作用下所形成的結(jié)構(gòu)對電磁參數(shù)有著重要的影響。因此,圖4 給出了當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為40%時各向異性結(jié)構(gòu)的εr和μr。由圖4 可知,由于羰基鐵粉顆粒的定向排列,使得各向異性結(jié)構(gòu)的εr和μr明顯高于各向同性結(jié)構(gòu)的εr和μr。結(jié)合同軸線理論可知,吸波器的反射損耗可表示為[30]:
圖4 各向異性結(jié)構(gòu)的(a)εr 和(b)μrFig.4 (a) Complex εr and (b) μr of anisotropic structures
式中:Z0為真空環(huán)境下的阻抗,通常取Z0=377 Ω;Zin為輸入阻抗,可進一步表示為:
式中:f為激勵頻率;d為吸波材料的厚度;c為真空中的光速。由式(1)和(2)可知,在其他條件一致的情況下,吸波器的反射損耗主要受到εr和μr的影響。
另外,從材料的吸收率分析,吸波器的吸收率可由式(3)表示:
式中:A為吸收率;R為反射率;T為透射率。由于在仿真以及實測過程中,吸波器底部均為金屬基板。故可以認為T=0,式(3)可簡化為A=1-R。
基于上述分析可知,吸波器的性能不僅與微觀結(jié)構(gòu)有關,也與宏觀結(jié)構(gòu)有著密不可分的關系。圖5 給出了基于磁流變彈性體的兩種不同結(jié)構(gòu)單元的超材料吸波器實物圖。其中,圖5(a)為預結(jié)構(gòu)階段受N-N 型磁場陣列所形成的N-N 型吸波器結(jié)構(gòu),圖5(b)為預結(jié)構(gòu)階段受N-S 型磁場陣列形成的N-S 型吸波器結(jié)構(gòu)。樣品在硫化過程中,一方面,磁性顆粒會向磁感應強度較大的方向聚集,另一方面,磁性顆粒也會沿磁感線方向進行排列,因此在圖5 中可以看到每個結(jié)構(gòu)單元均有毛刺狀的凸起。兩種吸波器的性能則會因宏觀結(jié)構(gòu)單元和微觀顆粒分布的不同而存在差異。
圖5 基于磁流變彈性體的(a) N-N 型和(b) N-S 型超材料吸波器實物圖Fig.5 Physical figures of (a) N-N type and(b) N-S type metamaterial absorber based on MRE
為了更好地分析兩種超材料的吸波性能,采用有限元仿真軟件COMSOL 對兩種結(jié)構(gòu)單元進行建模仿真分析,如圖6 所示。其中,圖6(a)和(b)分別為N-N 型和N-S 型結(jié)構(gòu)單元的仿真模型圖,單元尺寸如圖所示。采用周期性邊界條件模擬結(jié)構(gòu)單元,輸入和輸出端口被定義在結(jié)構(gòu)的上下表面,用于電磁波的入射和傳輸。圖6(c)和(d)則分別給出了羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為40%時,N-N 型及N-S 型結(jié)構(gòu)單元仿真與實測的反射損耗對比。整體上,仿真結(jié)果與實驗結(jié)果吻合較好。隨著頻率的增加,兩者反射損耗的變化趨勢基本一致,但從圖6(d)中可以明顯看到,當頻率高于14 GHz 時,反射損耗的實測與仿真差別較大。這主要是仿真過程中建模的不準確以及在制備和測試過程中存在的誤差所導致。另外,對比圖6(c)和(d)可知,N-N 型結(jié)構(gòu)吸波器的反射損耗與90%吸收率以上(即反射損耗小于-10 dB)的頻帶寬度大于N-S 型結(jié)構(gòu)的吸波器。
圖6 (a)N-N 型結(jié)構(gòu)單元;(b)N-S 型結(jié)構(gòu)單元;(c)N-N 型吸波器結(jié)構(gòu)單元反射損耗的實測與仿真結(jié)果對比;(d)N-S 型吸波器結(jié)構(gòu)單元反射損耗的實測與仿真結(jié)果對比Fig.6 (a) N-N type unit cell;(b) N-S type unit cell;(c) Comparison of measured and simulated reflection loss of N-N unit cell absorber;(d) Comparison of measured and simulated reflection loss of N-S unit cell absorber
對于制備的超材料吸波器而言,其對電磁波的損耗不僅有磁損耗,還有電阻損耗(如圖3 和圖4 所示)。因此,圖7 和圖8 分別給出了在諧振頻率下,兩種結(jié)構(gòu)單元的吸波器在三個方向上的磁損耗和電阻損耗分布云圖。圖中的黑線表示結(jié)構(gòu)的輪廓。圖7(a)~(c)分別給出了N-N 型結(jié)構(gòu)的吸波器在x、y和z方向上的磁損耗分布云圖。從圖中可以看到,磁損耗主要集中在吸波器的底部以及y軸方向。從仿真的角度分析,這主要是由于吸波器與金屬基板發(fā)生響應所導致。從電磁場的發(fā)射和傳輸來看,由于磁場沿y軸方向傳輸,且羰基鐵粉屬于磁損耗型吸波材料,結(jié)合圖2 可知,在制備過程中,底部的顆粒受到的磁場力要大于頂部。因此,底部顆粒的鏈狀結(jié)構(gòu)要優(yōu)于頂部顆粒,從而促進電磁波在結(jié)構(gòu)單元底部的耗散。因此,沿y軸方向邊緣處的磁損耗要大于其他部分,且主要集中在結(jié)構(gòu)的底部。
圖7(d)~(f)給出了N-N 型結(jié)構(gòu)的吸波器在10 GHz 處沿x、y、z方向上的電阻損耗分布云圖??梢钥吹?與磁損耗不同,電阻損耗主要集中在結(jié)構(gòu)的表面以及四周。由于羰基鐵粉屬于磁損耗型材料,故對電磁能的電阻損耗值遠小于磁損耗值。從吸波器結(jié)構(gòu)來看,由于存在趨膚效應,因此,電阻損耗主要集中在結(jié)構(gòu)的表面。從電磁波的角度分析,由于電場與磁場呈正交分布,而羰基鐵粉屬于金屬粉末,故其電阻損耗呈現(xiàn)出沿四周分布,且在y軸邊緣處的電阻損耗大于其他部分。
圖7 10 GHz 下,N-N 型結(jié)構(gòu)的吸波器在(a) x 方向,(b) y 方向,(c) z 方向上的磁損耗分布云圖以及(d) x 方向,(e) y 方向,(f) z 方向上電阻損耗分布云圖Fig.7 Under 10 GHz,the nephogram of the magnetic loss distribution in (a) x direction,(b) y direction,(c) z direction and the resistance loss distribution in (d) x direction,(e) y direction,(f) z direction of N-N unit cell absorber
圖8(a)~(c)為當頻率達到11 GHz 時,N-S 型結(jié)構(gòu)的吸波器在x、y、z三個方向上的磁損耗分布云圖。與N-N 型結(jié)構(gòu)的磁損耗不同,N-S 型結(jié)構(gòu)的磁損耗呈現(xiàn)出明顯的對稱結(jié)構(gòu),且主要集中在結(jié)構(gòu)的中間部分。這可歸因于電磁波垂直入射時,相比于兩側(cè)凸起的部分,中間平坦處更容易使材料的底部與金屬基板發(fā)生響應。另外,在實物制備過程中也可以發(fā)現(xiàn),對于結(jié)構(gòu)的邊沿處而言,單位體積內(nèi)羰基鐵粉的質(zhì)量分數(shù)大于40%,而較高羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)材料的電磁參數(shù)波動較大(如圖3 所示),因此進入該部分的電磁波直接返回了自由空間,使得邊沿處的吸波性能下降。
另外,圖8(d)~(f)給出了N-S 型結(jié)構(gòu)的吸波器沿x、y、z方向上電阻損耗的分布云圖??梢钥吹?電阻損耗主要集中在吸波器的邊沿處,且表面部分的電阻損耗明顯高于底部。由前述分析可知,這主要是由于趨膚效應所導致。同時,從z方向看,電阻損耗主要沿y軸方向分布,這可歸因于11 GHz 主要激發(fā)了該區(qū)域的電阻損耗。
圖8 11 GHz 下,N-S 型結(jié)構(gòu)的吸波器在(a)x 方向,(b)y 方向,(c)z 方向上的磁損耗分布云圖以及(d)x 方向,(e)y 方向,(f)z 方向上電阻損耗分布云圖Fig.8 Under 10 GHz,the nephogram of the magnetic loss distribution in (a) x direction,(b) y direction,(c) z direction andthe resistance loss distribution in (d) x direction,(e) y direction,(f) z direction of N-N unit cell absorber
結(jié)構(gòu)單元的總功耗由電阻損耗和磁損耗組成,故圖9 給出了N-N 型結(jié)構(gòu)和H-S 型結(jié)構(gòu)的吸波器的總功耗密度云圖。由圖可知,兩種結(jié)構(gòu)單元吸波器的總功耗密度云圖與磁損耗云圖相似,這可歸因于羰基鐵粉的磁損耗特性。從數(shù)值上看,N-N 型結(jié)構(gòu)的總功耗值大于N-S 型結(jié)構(gòu)的總功耗值。從而導致N-N 型結(jié)構(gòu)的反射損耗值小于N-S 型結(jié)構(gòu)的反射損耗值,即當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為40%時,N-N 型結(jié)構(gòu)的吸波性能要優(yōu)于N-S 型結(jié)構(gòu)。
圖9 (a)N-N 型吸波器和(b)N-S 型吸波器在最小反射損耗處的總功耗密度分布云圖Fig.9 Cloud chart of total power density distribution at the minimum reflection loss of (a) N-N type absorber and (b) N-S type absorber
本研究進一步利用弓形法對含有不同羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)的N-N 型與N-S 型超材料吸波器的反射損耗進行了測試,如圖10 所示。為了更好地反映吸波器的性能,在測試過程中加入了各向同性吸波器作為對比。整體上,各向同性吸波器的吸收性能要明顯弱于各向異性吸波器。這一現(xiàn)象與前述實驗結(jié)果相吻合,并可通過圖4 的結(jié)論進行解釋說明。對于各向異性吸波器而言,當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為30%和50%時,N-S 型結(jié)構(gòu)吸波器在X 波段的吸波性能要明顯優(yōu)于N-N 型結(jié)構(gòu)吸波器。
圖10 (a) 羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為30%,(b) 羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為40%和(c) 羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為50%時,超材料吸波器反射損耗對比圖Fig.10 The reflection loss of metamaterial absorbers containing (a) the mass fraction of carbonyl iron powder is 30%,(b) the mass fraction of carbonyl iron powder is 40% and (c) the mass fraction of carbonyl iron powder is 50%
圖11 給出了含有不同羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)的N-S型吸波器的吸波性能對比圖。其中,圖11(a)為反射損耗測試圖,圖11(b)為吸收率與反射率測試曲線。由圖11(a)可知,隨著羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)的增加,反射損耗呈現(xiàn)出先下降后上升的趨勢,從-18.24 dB 下降至-24.15 dB,而后上升至-18.39 dB。結(jié)合圖3 可知,當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)小于40%時,材料吸收和耗散電磁能的能力與羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)呈正比關系。當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為50%時,材料的介電常數(shù)和磁導率均呈現(xiàn)出較大的抖動,導致材料的反射損耗升高,吸波性能下降。從圖11(a)中還可看到,當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為40%時,反射損耗在15.92~18 GHz 之間出現(xiàn)了明顯的下降趨勢。這主要是由于材料的復磁導率在這個頻段內(nèi)出現(xiàn)了上升的趨勢,使得材料吸收電磁波的能力上升,從而使得反射損耗再次減小。
另外,從圖11(b)來看,材料的吸收率在90%以上的頻帶寬度呈現(xiàn)出先增大后減小的趨勢。由9.6 GHz(8.4~ 18 GHz) 上升至10.72 GHz(7.28~ 18 GHz),隨后再次降低至9.6 GHz(8.4~18 GHz)。進一步,當羰基鐵粉的質(zhì)量分數(shù)為40%時,吸收率在99%(即-20 dB)以上的帶寬達到了2.08 GHz(10.56~12.24 GHz,17.6~18 GHz),且主要集中在X 波段,達到了1.68 GHz。
圖11 含有不同羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)的N-S 型超材料吸波器的(a)反射損耗和(b)吸收率/反射率對比圖Fig.11 Comparison of (a) reflection loss and (b) absorptivity/ reflectivity of N-S type metamaterial absorber with different mass fraction of carbonyl iron powder
綜上所述,在超材料吸波器宏觀結(jié)構(gòu)相同的情況下,當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為40%時,超材料的反射損耗最大,吸收率達90%以上的帶寬最大,吸波性能最佳。
將設計的超材料吸波結(jié)構(gòu)與已發(fā)表的文獻在最小反射損耗、-10 dB 以下帶寬等方面進行對比,如表1所示。由表1 可知,與非羰基鐵粉制備而成的超材料吸波器相比,本文制備的吸波器兼具厚度小、反射損耗小以及吸收率高的特點。同時,與羰基鐵粉制備而成的超材料吸波器相比,所制備的吸波器盡管在厚度上有所缺陷(與文獻[14],[17]以及[32]相比),但具有吸收強度以及帶寬大、吸收率高的特性。同時,不同于傳統(tǒng)“三明治”結(jié)構(gòu)或多層金字塔堆疊結(jié)構(gòu),所制備吸波器為單層結(jié)構(gòu),體現(xiàn)了加工簡單的特點。
表1 本文制備的超材料吸波器與其他文獻的對比Tab.1 Comparison of the performance parameters of the metamaterial absorber prepared in this paper with other literatures
本文設計并制備了基于磁流變彈性體的超材料吸波器。通過宏觀及微觀結(jié)構(gòu)的共同作用,可有效提升吸波器性能。仿真及測試結(jié)果表明,吸波器對于電磁波的損耗以磁損耗為主,當羰基鐵粉質(zhì)量分數(shù)為40%時,N-S 型吸波器在7.28~18 GHz 頻段內(nèi)對電磁波的吸收率可達90%以上,其中9.12~12.16 GHz 頻段內(nèi)的反射損耗為-24.15 dB,吸收率可達99%以上。本研究可為基于磁流變彈性體的超材料吸波器的研發(fā)打下堅實的基礎。同時,對未來電磁吸波及隱身領域裝備的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
致謝
本文研究工作得到了重慶大學光電工程學院光電技術(shù)及系統(tǒng)教育部重點實驗室的甘如飴、方彪以及余淼等人的支持,在此對他們表示衷心的感謝。