抑制或消除RC-IGBT 回跳現(xiàn)象的技術(shù)發(fā)展概述

楊 賀

(國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局電學部,北京 102200)

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是由絕緣柵場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)和雙極型結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET 的高輸入阻抗和BJT 的低導通壓降,具有驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、載流密度大、飽和壓降低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點[1-2]。自1982 年被發(fā)明以來,IGBT 作為高頻功率開關(guān)器件,被廣泛應用于家用電器、新能源汽車、開關(guān)電源、牽引傳動、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[3-7]。目前,IGBT 已經(jīng)成為世界上高頻開關(guān)的主流器件,被稱作電力電子行業(yè)的“CPU”。經(jīng)過四十年的發(fā)展,IGBT 器件已經(jīng)歷過數(shù)代技術(shù)革命,各種新結(jié)構(gòu)和衍生器件層出迭見[8]。

逆導型IGBT(Reverse Conducting IGBT,以下簡稱RC-IGBT)是一種新型IGBT 器件,這一概念最早于1988 年提出[9],在2000 年后開始有產(chǎn)品形成。它是將傳統(tǒng)的IGBT 與快速恢復二極管(Fast Recovery Diode,FRD)集成于一個芯片,不需要額外的反串聯(lián)電路,即可實現(xiàn)電流泄放[10]。相對傳統(tǒng)IGBT 器件,RC-IGBT 在制作成本和器件體積上具有明顯優(yōu)勢,使得RC-IGBT 成為各大廠商研究的焦點。

2004 年日本三菱公司基于當時最先進的Trench-FS-IGBT 工藝制造出了1200 V RC-IGBT,研究了RC-IGBT 工作在IGBT 模式下的開啟與關(guān)斷特性以及在二極管模式下的反向恢復性能,并詳細研究了p+集電極區(qū)寬度對電壓折回以及正、反向?qū)妷旱挠绊憽Ｓw凌(Infineon)是最早推出產(chǎn)品的公司之一,先后于2003 年、2007 年前后和2010 年之后陸續(xù)推出3 代產(chǎn)品,2010 年英飛凌首次推出應用于低壓低功率場合的RC-IGBT。飛兆半導體(Fairchild)于2010 年和2013年推出2 代產(chǎn)品。以上產(chǎn)品主要定位在中低壓家電領(lǐng)域(額定電壓600～1600 V)。在中高壓領(lǐng)域,2012 年ABB 研制出了3300 V BIGT HiPak 產(chǎn)品,將傳統(tǒng)IGBT與RC-IGBT 單片集成在一起,是業(yè)內(nèi)首次推出的大功率RC-IGBT 產(chǎn)品,BIGT 結(jié)構(gòu)能夠更好地消除RCIGBT 固有的負阻效應[11-12]。之后,富士電機、東芝等著名半導體公司也相繼推出了自己的RC-IGBT 產(chǎn)品。截至目前,我國對RC-IGBT 的研究多停留在實驗研究階段,尚未有成熟產(chǎn)品出現(xiàn)。

本文通過對RC-IGBT 領(lǐng)域的國內(nèi)外專利申請進行整理、分析,針對RC-IGBT 最典型的技術(shù)問題——器件開啟初期固有的回跳現(xiàn)象,具體介紹了抑制或消除RC-IGBT 器件回跳問題的五個主要技術(shù)分支,并展示了相應的典型器件結(jié)構(gòu)、工作原理和技術(shù)效果,為完全消除RC-IGBT 的回跳問題以提升器件整體性能指明了技術(shù)發(fā)展方向。

1 RC-IGBT 原理

1.1 結(jié)構(gòu)及優(yōu)點

RC-IGBT 的原理性結(jié)構(gòu)如圖1 所示。通過對比發(fā)現(xiàn),RC-IGBT 的區(qū)別在于集電極引入了N+短路區(qū),從而在內(nèi)部形成了類似二極管的結(jié)構(gòu)。RC-IGBT 就等效于IGBT 與快速恢復二極管(FRD)反并聯(lián),提供了一個緊湊的電流泄放電路。當IGBT 在承受反壓時,二極管導通;在關(guān)斷時,RC-IGBT 為漂移區(qū)過剩載流子提供一條快速有效的泄放通道,縮短了關(guān)斷時間。

圖1 (a)傳統(tǒng)IGBT 與(b)RC-IGBT 結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 Schematic diagrams of (a)traditional IGBT and(b)RC-IGBT

相較于傳統(tǒng)的IGBT,RC-IGBT 不僅節(jié)省了芯片面積、封裝、測試費用,降低了成本,而且具有簡單的驅(qū)動電路、低損耗、耐高壓、良好的安全工作區(qū)(SOA)特性、正溫度系數(shù)、良好的軟關(guān)斷特性、短路特性以及良好的功率循環(huán)特性等優(yōu)點。

1.2 RC-IGBT 的回跳問題

RC-IGBT 在擁有眾多優(yōu)點的同時,也存在一些問題,其中,最典型的問題是回跳(Snap-Back)現(xiàn)象[12]。在RC-IGBT 正向?qū)ǔ跗?電流密度很小,只有電子參與導電,器件處于單極型導電的情況,相當于工作在MOS 模式下。當電流增大到某一臨界值時,電子在N+場截止層內(nèi)橫向流動至N+短路區(qū)所形成的自偏置效應使P+集電區(qū)處的背PN 結(jié)充分正偏,P+集電區(qū)就會向N-漂移區(qū)進行空穴注入,N-漂移區(qū)中的電子和空穴共同作用產(chǎn)生電導調(diào)制效應,此時器件進入雙極型導電的情況,工作在IGBT 模式下。RC-IGBT 在導通過程中由單極型導電轉(zhuǎn)換到雙極型導電時,會出現(xiàn)VCE 較大幅度下降而電流密度繼續(xù)增加的現(xiàn)象,在輸出特性曲線上就會出現(xiàn)一個負阻區(qū),這就是回跳現(xiàn)象。圖2 給出了典型的RC-IGBT 的I-V曲線圖,當器件剛開始由MOS 轉(zhuǎn)換到IGBT 模式時,發(fā)生初級回跳現(xiàn)象,后面的次級回跳是由于實際的芯片內(nèi)部包含多個元胞,不同元胞進入電導調(diào)制狀態(tài)的先后不一致,會出現(xiàn)一系列的次級回跳?；靥F(xiàn)象的存在會導致器件在導通初期具有較大的導通壓降,增加了器件的導通損耗;在多芯片并聯(lián)使用時,這一效應會帶來動態(tài)電流分配不均的問題;另外,回跳現(xiàn)象所引起的較大電壓變化率還會影響器件的穩(wěn)定性,使器件容易發(fā)生失效。

圖2 RC-IGBT 的回跳現(xiàn)象[12]Fig.2 Snap-back phenomenon of RC-IGBT[12]

2 RC-IGBT 回跳問題的解決

在RC-IGBT 研究中,如何抑制或消除器件開啟初期固有的回跳現(xiàn)象是RC-IGBT 器件領(lǐng)域的研究焦點和技術(shù)關(guān)鍵。RC-IGBT 與傳統(tǒng)IGBT 的不同之處在于陽極結(jié)構(gòu),陽極結(jié)構(gòu)設計直接決定了器件整體性能,尤其對消除回跳現(xiàn)象至關(guān)重要。這就使得陽極結(jié)構(gòu)設計成為一項關(guān)鍵技術(shù),進而成為RC-IGBT 專利技術(shù)儲備的主流。

目前來說,RC-IGBT 回跳問題的解決方法主要包括五大技術(shù)分支(即五類常用方法):引導IGBT 區(qū)法、阻斷電子電流法、強化集電極短路電阻法、超結(jié)結(jié)構(gòu)法、絕緣分離法。圖3 給出了關(guān)于抑制或消除RCIGBT 電壓回跳現(xiàn)象5 類常用方法的專利年申請量分布。

圖3 抑制或消除RC-IGBT 電壓回跳現(xiàn)象5 類常用方法的專利年申請量分布Fig.3 Annual patent application distribution of 5 common methods for suppressing or eliminating RC-IGBT voltage snap-back phenomenon

早在2009 年,ABB 技術(shù)有限公司[13]通過設置引導IGBT 區(qū)來避免RC-IGBT 在導通狀態(tài)模式下發(fā)生回跳現(xiàn)象,這是首次通過設置集電極端結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)RCIGBT 回跳現(xiàn)象抑制的專利申請。之后在RC-IGBT 中設置引導IGBT 區(qū)的研究大都集中在對器件背側(cè)各區(qū)域版圖樣式的設計[14-18]。雖然引導IGBT 區(qū)法不能完全消除RC-IGBT 的回跳現(xiàn)象,但由于器件結(jié)構(gòu)簡單且兼容性好,已經(jīng)被普遍應用于實際的產(chǎn)品生產(chǎn)中。

阻斷電子電流法相關(guān)的專利申請也比較多[19-21],這一方法是利用P 型阻擋層將N+短路區(qū)與漂移區(qū)或場截止區(qū)隔離開,阻斷了正向開啟時電子電流流向N+短路區(qū),起到電子勢壘的作用。最開始簡單引入P 型阻擋層的結(jié)構(gòu)對P 型阻擋層的厚度和摻雜濃度要求很高,近年來通過輔以介質(zhì)槽[20]或集電極柵極[21]能夠?qū)崿F(xiàn)RC-IGBT 回跳現(xiàn)象的完全消除。

強化集電極短路電阻法是專利申請量最多的一種[22-25],主要包括減小N+短路區(qū)的有效面積、增大集電極和N+短路區(qū)之間的電阻。這一方法不但能夠抑制甚至消除電壓回跳現(xiàn)象,并且還能夠提升開關(guān)速度、增強器件的穩(wěn)定性。強化集電極短路電阻法相關(guān)專利申請量很大的原因跟其可實現(xiàn)結(jié)構(gòu)多樣性有關(guān)。

超結(jié)結(jié)構(gòu)法[26-27]是通過在漂移區(qū)形成超結(jié)或半超結(jié)結(jié)構(gòu)來降低漂移區(qū)電阻,以此來降低導電模式轉(zhuǎn)換時的導通壓降變化率。超結(jié)結(jié)構(gòu)法是由三菱公司[26]于2012 年首次提出。由于這一方法主要是針對漂移區(qū)的設置,使得其可以與其他抑制或消除RC-IGBT 電壓回跳現(xiàn)象的方法聯(lián)合使用,實現(xiàn)更好的器件性能。

絕緣分離法相關(guān)的專利在2012-2013 年出現(xiàn)過少量申請[28],主要是用絕緣結(jié)構(gòu)將P+集電區(qū)和N+短路區(qū)的電勢在一定程度上進行隔離,進而使得RC-IGBT器件以更小的電流進入IGBT 模式,抑制了電壓回跳現(xiàn)象。在2019 年之后出現(xiàn)了許多新型的絕緣分離方法,例如,將MOS 或FRD 與IGBT 分區(qū)塊集成的方式[29-30]能夠徹底消除電壓回跳現(xiàn)象,但器件結(jié)構(gòu)的制造較復雜,使其不利于大規(guī)模應用。

3 典型器件舉例

下面通過對解決RC-IGBT 回跳問題五類常用方法的專利技術(shù)發(fā)展脈絡進行梳理和總結(jié),從專利案例角度選取典型器件結(jié)構(gòu),并就其工作原理及技術(shù)效果進行具體介紹。

3.1 引導IGBT 區(qū)法

2009 年,ABB 技術(shù)有限公司的專利申請[13]提出了通過設置引導IGBT 區(qū)可避免RC-IGBT 在導通狀態(tài)模式下發(fā)生階躍恢復效應(即回跳現(xiàn)象)。2013 年,ABB 公司進一步對RC-IGBT 中引導區(qū)、逆導區(qū)中P+集電區(qū)和N+短路區(qū)的形狀、尺寸、分布、摻雜濃度等進行了設計優(yōu)化[14]。圖4(a)給出了具有引導區(qū)的RC-IGBT 的結(jié)構(gòu)示意圖,圖4(b～d)分別給出了引導區(qū)-逆導區(qū)平面版圖設計的示例,其中22 為引導區(qū)。由于引導區(qū)中不存在N+短路區(qū),器件集電極端存在大面積的P+引導區(qū),導通初期在P+引導區(qū)上方的自偏壓效應非常明顯,促使該區(qū)域最先進入雙極型導通;隨著電流的增大,逆導區(qū)P+集電區(qū)上方的自偏壓增大,進而進入雙極型導通,變?yōu)镮GBT 導通模式。通過優(yōu)化版圖中引導區(qū)和逆導區(qū)的分布,可以顯著抑制回跳現(xiàn)象的發(fā)生。引導區(qū)可以集中大面積設置,也可以以較小面積均勻設置在芯片背面,形狀有放射狀、正交狀。2014 年,江蘇中科君芯科技有限公司通過增加器件在VDMOS 模式時引導區(qū)上方電子電流通道的電阻或引導區(qū)集電極PN 結(jié)內(nèi)建電勢,縮小雙模式絕緣柵晶體管的引導區(qū)尺寸,從而提高了器件工作時內(nèi)部電流密度的均勻性,進而提高器件的整體可靠性[15]。另外,英飛凌[16]、中科院微電子所[17]、上海華虹宏力半導體[18]等對具有引導區(qū)的RC-IGBT 的背面版圖布局進行了進一步優(yōu)化。

圖4 具有引導區(qū)的RC-IGBT 的(a)結(jié)構(gòu)示意圖及(b～d)引導區(qū)-逆導區(qū)平面版圖設計[14]Fig.4 (a) Schematic diagram and (b-d) pilot region-RC region layout design of RC-IGBT with pilot region[14]

3.2 阻斷電子電流法

圖5 給出了利用阻斷電子電流來消除電壓回跳現(xiàn)象的RC-IGBT 的結(jié)構(gòu)示意圖。2011 年公開了一項由臺灣大中積體電路股份有限公司在美國提出的專利申請[19],如圖5(a)所示,其利用在P+集電區(qū)和N+柱狀短路區(qū)的上方增加一個P-薄層,試圖阻止在IGBT 正向?qū)ㄇ半娮与娏髁飨騈+柱狀短路區(qū)。然而隨著P-薄層的增加,器件變成了IGBT 與晶閘管的反并聯(lián),為了實現(xiàn)晶閘管在低壓下被觸發(fā),P-薄層就必須厚度非常薄或者摻雜濃度很低來實現(xiàn)穿通,這樣對電子電流的阻擋作用就被大大削弱了,導致不能徹底消除回跳現(xiàn)象。2016 年電子科技大學研發(fā)的一種雙通道RCIGBT[20],其結(jié)構(gòu)如圖5(b)所示,其中,13 為歐姆接觸金屬,14 為肖特基金屬,肖特基金屬14 與N 集電區(qū)(相當于短路區(qū))之間為肖特基接觸。通過器件背面介質(zhì)溝槽和肖特基接觸等結(jié)構(gòu)的引入,在正向偏置時,N 集電區(qū)被P 集電區(qū)完全屏蔽,使RC-IGBT 器件在正向IGBT 工作模式下完全消除了回跳現(xiàn)象,在反向偏置時,進入二極管續(xù)流工作模式,在背部形成雙導電通道。2020 年電子科技大學提出了一種消除電壓折回現(xiàn)象的RC-LIGBT[21],如圖5(c)所示,在集電極側(cè)引入了額外的集電極柵極,在集電極側(cè)形成了一個N溝道MOSFET,該MOSFET 與P 型基區(qū)3 在器件內(nèi)形成了一個與原器件反并聯(lián)的IGBT,原器件的發(fā)射極與集電極分別作為反并聯(lián)IGBT 的集電極與發(fā)射極。

圖5 (a～c)具有阻斷電子電流設計的RC-IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖[19-21]Fig.5 (a-c) Schematic diagrams of RC-IGBT with electronic current blocking design[19-21]

3.3 強化集電極短路電阻法

強化集電極短路電阻方法是專利申請量最多的一種,其中,電子科技大學為申請量最多的申請人。圖6 給出了幾種典型的具有強化集電極短路電阻設計的RC-IGBT 的結(jié)構(gòu)示意圖。2012 年電子科技大學通過在N 集電區(qū)和N 緩沖層之前引入P 浮空層,使RCIGBT 進入雙極模式時的電壓遠低于常規(guī)結(jié)構(gòu)[22]。如圖6(a)所示,P 浮空層7 起到電子勢壘的作用,減小了N 集電區(qū)9 的有效面積,從而大大提高集電極短路電阻,由此抑制回跳效應。2013 年電子科技大學提出了一種具有系列P 浮空埋層的RC-IGBT[23],如圖6(b)所示,通過在N 集電區(qū)8 上方的N 緩沖層上繼續(xù)增加一系列的P 浮空埋層,正向?qū)〞r抑制甚至是消除了回跳現(xiàn)象。圖6(c)所示的縱向RC-IGBT 器件[24]通過在集電極結(jié)構(gòu)中設置具有大阻抗的薄N 型電阻區(qū)11,在器件剛開始正向?qū)〞r,在較小的電流下就會在薄N 型電阻區(qū)11 上產(chǎn)生較大的壓降,P+集電區(qū)9 與N 型場阻止層8 之間將產(chǎn)生電壓差,在極小的電流下就能使兩者之間的PN 結(jié)導通,從而使器件完成從MOSFET 到IGBT 模式的轉(zhuǎn)換。2019 年公開了另一種抑制電壓回折現(xiàn)象的RC-LIGBT 器件[25],如圖6(d)所示,通過引入槽型集電極區(qū)、P 型埋層區(qū),與部分表面耐壓區(qū)3 共同形成RC 抑制。在低集電極電壓時,P 型埋層和槽型集電極區(qū)之間的N 型表面耐壓區(qū)因耗盡而具有高電阻,使得電子不能通過N 型集電極,從而抑制了電壓回折現(xiàn)象。同時,結(jié)構(gòu)中形成的NMOS 結(jié)構(gòu)也會加速關(guān)斷過程中電子的抽取,使得器件具有更優(yōu)的導通電阻和關(guān)斷損耗之間的折中關(guān)系。由于實現(xiàn)結(jié)構(gòu)的多樣化,關(guān)于利用強化集電極短路電阻來抑制回跳現(xiàn)象的專利申請量很大。

圖6 (a～d)具有強化集電極短路電阻設計的RC-IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖[22-25]Fig.6 (a-d) Schematic diagrams of RC-IGBT with enhanced collector short-circuit resistance design[22-25]

3.4 超結(jié)結(jié)構(gòu)法

將具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的漂移層應用于RC-IGBT 領(lǐng)域來抑制回跳現(xiàn)象最早是由三菱公司在2012 年提出來的[26],其結(jié)構(gòu)圖如圖7(a)所示。利用在漂移區(qū)形成超結(jié)結(jié)構(gòu)來降低漂移區(qū)的電阻,以此來降低單極型導電轉(zhuǎn)變到雙極型導電時導通壓降的變化率,從而抑制回跳現(xiàn)象。另外,超結(jié)結(jié)構(gòu)的引入還可以增加器件耐壓、降低導通電壓。對于漂移區(qū)較厚的高壓器件可以采用半超結(jié)結(jié)構(gòu)。2014 年東南大學提出了一種RCIGBT[27],如圖7(b)所示,通過利用超結(jié)結(jié)構(gòu)設置,實現(xiàn)了兩個RC-IGBT 反并聯(lián),不僅能夠改善RCIGBT 的回跳現(xiàn)象,并且提高開關(guān)速率和耐壓,降低關(guān)斷損耗。

圖7 (a～b)漂移區(qū)具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的RC-IGBT 的結(jié)構(gòu)示意圖[26-27]Fig.7 (a-b) Schematic diagrams of RC-IGBT with superjunction structure in drift region[26-27]

3.5 絕緣分離法

圖8 給出了利用絕緣分離方法抑制或消除RCIGBT 電壓回跳現(xiàn)象的幾種典型結(jié)構(gòu)。圖8(a)所示的器件[28]主要是用絕緣結(jié)構(gòu)503 將集電區(qū)5021 和短路區(qū)5022 進行隔離,使得集電區(qū)5021 上方緩沖層501 內(nèi)的電子只能通過位于絕緣結(jié)構(gòu)503 上方的漂移區(qū)500 流到短路區(qū)5022 上方的緩沖層501,然后進入短路區(qū)5022,增加了集電區(qū)與短路區(qū)之間的電勢差,進而使得RC-IGBT 器件以更小的電流進入IGBT 模式,抑制了電壓回跳現(xiàn)象。2019 年重慶郵電大學提出了一種具有L 型SiO2隔離層的復合型RC-IGBT 器件[29],如圖8(b)所示,利用L 型SiO2隔離層將器件分為LDMOS區(qū)和LIGBT 區(qū)。正向?qū)ǖ恼麄€過程由LDMOS 區(qū)為主過渡到LDMOS+LIGBT 混合導電模式,并以LIGBT雙極性導電模式為主。反向?qū)〞r,LDMOS 區(qū)可等效為PN 結(jié),LIGBT 區(qū)可等效為PNP 結(jié)構(gòu)。器件正向?qū)ㄟ^程無回跳現(xiàn)象,且反向工作時具有良好的獨立性,還使器件體內(nèi)的電場分布更加均勻且強度很大。電子科技大學于2020 年提出了一種具有多晶硅耐壓層的RC-IGBT[30],如圖8(c)所示,在傳統(tǒng)RC-IGBT 器件基礎上,在表面耐壓區(qū)和氧化層上方引入多晶硅耐壓層構(gòu)成了一個反并聯(lián)二極管。在器件正向工作時,由于半導體緩沖層14 和P 型集電極區(qū)15 沒有短路,所以不會發(fā)生傳統(tǒng)器件中LDMOS 到LIGBT 模式的轉(zhuǎn)變,徹底消除了電壓回折現(xiàn)象,提高了器件電學性能。

圖8 (a～c)將集電區(qū)與短路區(qū)絕緣分離設置的RC-IGBT 的結(jié)構(gòu)示意圖[28-30]Fig.8 (a-c) Structure diagrams of RC-IGBT which separates collector region from short circuit region[28-30]

4 結(jié)論

RC-IGBT 是現(xiàn)在半導體功率器件技術(shù)領(lǐng)域研究的熱點,而如何抑制或消除器件開啟初期固有的回跳現(xiàn)象是RC-IGBT 器件領(lǐng)域的研究焦點和技術(shù)關(guān)鍵。通過對相關(guān)專利技術(shù)發(fā)展脈絡進行梳理和總結(jié),RCIGBT 回跳問題的解決方法主要包括五大技術(shù)分支:引導IGBT 區(qū)法、阻斷電子電流法、強化集電極短路電阻法、超結(jié)結(jié)構(gòu)法、絕緣分離法,并結(jié)合典型器件結(jié)構(gòu),分析了這五種方法的技術(shù)關(guān)鍵、所能達到的技術(shù)效果,以及應用情況。其中,引導IGBT 區(qū)法由于結(jié)構(gòu)簡單且兼容性好,已經(jīng)被普遍應用于實際的產(chǎn)品生產(chǎn)中;強化集電極短路電阻法由于可實現(xiàn)結(jié)構(gòu)的多樣性近年來專利申請量很大;阻斷電子電流法相關(guān)的專利申請也比較多,通過輔以介質(zhì)槽或集電極柵極能夠?qū)崿F(xiàn)RC-IGBT 回跳現(xiàn)象的完全消除;絕緣分離法器件結(jié)構(gòu)制造的復雜程度使其目前不利于大規(guī)模應用;超結(jié)結(jié)構(gòu)法可以與其他抑制或消除RC-IGBT 電壓回跳現(xiàn)象的方法聯(lián)合使用,實現(xiàn)更好的器件性能。在抑制或消除電壓回跳現(xiàn)象的同時,能夠具有低正向?qū)▔航?、低開關(guān)損耗、高開關(guān)速度、性能穩(wěn)定,且工藝簡單、兼容性好、制作成本低,是目前RC-IGBT 技術(shù)發(fā)展的方向。目前,RC-IGBT 領(lǐng)域已經(jīng)進入快速發(fā)展期,專利申請的重點已經(jīng)逐漸由技術(shù)研發(fā)向技術(shù)改進轉(zhuǎn)變。我國雖然在RC-IGBT 技術(shù)的研究中占有一席之地,但是主要是以科研為主。面對RC-IGBT 的巨大市場前景,我國應加大RC-IGBT 技術(shù)的產(chǎn)學研力度,以縮短與國外生產(chǎn)廠商的科技差距。