包海峰,歐陽文璟,嚴(yán)雨陽,鄭雨瑩
(吉林化工學(xué)院 資源與環(huán)境工程學(xué)院,吉林 吉林 132022)
近年來,因半導(dǎo)體光催化氧化技術(shù)具有的獨特優(yōu)勢,在難降解污染物控制與降解領(lǐng)域中備受矚目,Bi2O3屬于P型半導(dǎo)體材料,許多研究表明Bi2O3在可見光范圍內(nèi)有良好的吸收,展現(xiàn)出了一定的可見光催化性能[1-2].同時研究也發(fā)現(xiàn),單一Bi2O3在光催化反應(yīng)過程中產(chǎn)生的電子-空穴對易再次重組復(fù)合,表現(xiàn)出較低的光量子產(chǎn)率,限制了其進(jìn)一步的研究與應(yīng)用.因此,采用技術(shù)手段將某金屬摻雜進(jìn)Bi2O3,研究制備一種新型復(fù)合光催化劑,加寬其可見光吸收帶,并使之具有較小的能隙禁帶寬度,以增強(qiáng)其可見光響應(yīng)效率,提高光催化性能,便成為在光催化領(lǐng)域推廣應(yīng)用所必需的前期基礎(chǔ)研究,具有重要的現(xiàn)實意義.稀土離子的電子層結(jié)構(gòu)比較特殊,存在多電子組態(tài),并且其光譜特性亦比較獨特,許多研究表明可使用稀土元素對半導(dǎo)體進(jìn)行特定的修飾改性,可以充當(dāng)光生電子和空穴的捕獲陷阱,更有利于光生電子-空穴的分離與利用,這已倍受研究者的青睞[3-4].在稀土金屬中鈰元素最豐富,利用金屬Ce摻雜來提高一些半導(dǎo)體材料的可見光響應(yīng)和催化性能已經(jīng)有了部分報道[5-8].不同成分和形貌復(fù)合結(jié)構(gòu)會表現(xiàn)出不同程度的光催化活性,在眾多形貌中一維線性結(jié)構(gòu)有著獨特的傳導(dǎo)特性和尺寸效應(yīng),本研究基于靜電紡絲技術(shù)將Ce摻雜到Bi2O3中,對Bi2O3進(jìn)行微觀調(diào)控,研究制備性能增強(qiáng)的一維線性復(fù)合催化劑,增強(qiáng)復(fù)合材料的光催化效率,通過對等樣品表征分析研究不同摻雜比例對改性后復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)、尺寸形貌以及可見光響應(yīng)性能的影響,并將所制備的催化劑應(yīng)用于液相中可見光催化降解甲基橙染料有機(jī)污染物,以評價其性能,為Bi2O3的改性開發(fā)、新型復(fù)合光催化材料的研制及其在水處理領(lǐng)域光降解可生化性較差的有機(jī)污染物提供依據(jù)和支持.
用二甲基甲酰胺(DMF)溶解一定量的Bi(NO3)3·5H2O,充分?jǐn)嚢?,形成溶液A;二甲基甲酰胺(DMF)溶解一定量的Ce(NO3)3·6H2O,充分?jǐn)嚢?,形成溶液B;用無水乙醇和二甲基甲酰胺(DMF)溶解一定量的聚乙烯基吡咯烷酮粉末(PVP,Mw=1 300 000),定量加入冰醋酸,充分?jǐn)嚢?,形成溶液C.控制不同的PVP wt%,取不同體積(mL)的A溶液和B溶液加入C溶液中,得到成分比例不同的前驅(qū)體溶液,靜置陳化后待靜電紡絲.
采用靜電紡絲技術(shù)混紡所制備的前驅(qū)液,紡絲參數(shù)為收距15 cm,電12 kV,混紡得到Ce/Bi/PVP復(fù)合纖維,烘干后置于程序控溫箱式爐內(nèi)進(jìn)行程序控溫?zé)Y(jié),經(jīng)退火后即得到Ce摻雜Bi2O3光催化劑樣品.同時,本實驗同步條件下制備純Bi2O3樣品和純CeO2樣品,用以對比分析.實驗制備的光催化材料樣品統(tǒng)一命名編號為CBE系列.復(fù)合材料制備實驗流程如圖1所示.
圖1 光催化劑制備流程圖
CBE催化劑用量為5.0 g/L,以甲基橙(MO)為目標(biāo)污染物,濃度為10 mg/L,進(jìn)行光催化降解染料有機(jī)污染物實驗.整個催化體系先在黑暗中充分?jǐn)嚢?0 min后開啟氙燈光源,進(jìn)行光解反應(yīng).每隔15 min進(jìn)行取樣,水樣經(jīng)離心后取上清液檢測吸光度值以及全譜線,分析對比吸光度值,檢驗不同鈰摻雜比例條件催化劑對甲基橙(MO)的降解效率,評價CBE復(fù)合催化劑的性能.
采用靜電紡絲技術(shù)獲得纖維時,前驅(qū)液中聚合物PVP wt%是影響前紡絲纖維形態(tài)及性質(zhì)的重要因素,因此配制前驅(qū)液時調(diào)節(jié)聚合物和金屬鹽用量便可獲得不同性質(zhì)的紡絲溶膠溶液.本研究配制的前驅(qū)液中PVP wt%分別為5wt%、6wt%、7wt%、8wt%,用以確定催化材料制備時最佳的前驅(qū)液中高分子聚合物PVP的wt%.
圖2為PVP wt%分別為5wt%~8wt%,陳化后在12 kV紡絲電壓、1.0 mL/h紡絲液流速以及15 cm接收距離條件下混紡出的纖維SEM圖.
(a)5wt%
由圖2可見,不同PVP wt%條件下Bi/Ce/PVP纖維的形貌和纖維直徑尺寸有所差異.當(dāng)PVP wt%為5wt%時,纖維直徑較細(xì)且伴有大小不一的珠狀節(jié)點,見圖2(a).增大PVP wt%,纖維上的珠狀節(jié)點逐漸消失,PVP wt%在6wt%~8wt%范圍時靜電紡絲獲得的纖維表面基本光滑,見圖2(b)~(d),無珠狀節(jié)點.由局部放大圖可見,當(dāng)PVP wt%從5wt%增大到8wt%時,隨著PVP wt%的增大,線性形貌保持良好,但纖維直徑由細(xì)逐漸增粗,從200 nm左右增粗到900 nm左右,這是由于紡絲過程參數(shù)一定條件下,隨著前驅(qū)液PVP wt%增大,黏度也逐漸升高,但纖維直徑過大不利于后續(xù)復(fù)合材料制備.
圖3為PVP wt%為5wt%~8wt%的紡絲纖維直徑分布統(tǒng)計.
fiber diameter/nm(a)
采用Image-Pro Plus 6.0工具統(tǒng)計分析相應(yīng)樣品的100個分布數(shù)據(jù),統(tǒng)計結(jié)果見表1.
表1 不同PVPwt%條件下紡絲纖維直徑統(tǒng)計結(jié)果
表1結(jié)果結(jié)合圖2表明,PVP wt%是靜電紡絲纖維外觀形貌和直徑分布的重要影響因素.PVP質(zhì)量占比較小時,前驅(qū)液黏度也較低,纖維表面有珠狀節(jié)點存在,不利于后續(xù)材料制備;當(dāng)PVP wt%為8wt%時,獲得的纖維直徑統(tǒng)計方差較大,形貌均勻性已經(jīng)不理想;而在PVP wt%為7wt%條件下,獲得的紡絲纖維形貌均勻性比較好,直徑分布較優(yōu).從形貌的均一程度并綜合考慮所獲得的混紡纖維直徑因素,確定PVP質(zhì)量百分比為7wt%條件下靜電紡絲纖維最適合后續(xù)材料的制備.
圖4為PVP wt%為7wt%條件下制備的Ce摻雜改性CBE系列光催化劑以及單純CeO2樣品和單純Bi2O3樣品的XRD圖譜.
2 Theta/degree圖4 Ce摻雜Bi2O3光催化劑的XRD圖譜
由圖4可見,純Bi2O3(CBE1)樣品對應(yīng)于PDF#76-1730標(biāo)準(zhǔn)卡為單斜晶系的α-Bi2O3,其2θ主要特征衍射峰值在27.476°、33.347°處對應(yīng)于(120)、(200)晶面.而純CeO2(CBE2)樣品則對應(yīng)于PDF#65-5923標(biāo)準(zhǔn)卡,其2θ主要特征衍射峰值28.588°、47.555°和56.429°處則為(111)、(220)以及(311)晶面.經(jīng)金屬Ce摻后,在4個復(fù)合材料樣品(CBE3、CBE4、CBE5、CBE6)的XRD譜圖中均出現(xiàn)了Bi7.38Ce0.62O12.31相特征峰,對應(yīng)于PDF#50-0372標(biāo)準(zhǔn)卡的四方晶系,這說明制備的Ce摻雜復(fù)合材料樣品中存在有Bi、Ce的復(fù)合氧化物.在復(fù)合材料中,這些Bi、Ce復(fù)合氧化物可能是以固溶體的形式存在,或者均勻地分散于Bi2O3晶體中[9-10].但在所有復(fù)合催化劑樣品XRD圖譜中均沒有出現(xiàn)Ce和Ce氧化物的特征衍射峰,說明Ce成功摻雜進(jìn)了Bi2O3晶體中,并替換了部分Bi晶格位,圖譜上表現(xiàn)出Bi2O3的特征衍射峰變?nèi)踝儗抂11].和純相Bi2O3和CeO2相比較,復(fù)合材料樣品最強(qiáng)特征衍射峰位置介于兩純相之間,圖譜上峰型基本對稱,對應(yīng)于PDF#78-1793標(biāo)準(zhǔn)卡屬于四方晶系,其2θ峰值27.944°處為(201)晶面.綜上表征分析說明,在復(fù)合樣品中Ce被成功摻雜進(jìn)去,Ce的摻雜使得單斜晶的Bi2O3晶相轉(zhuǎn)變?yōu)閺?fù)合材料的四方晶相[12].在所有Ce摻雜的復(fù)合材料樣品圖譜中只發(fā)現(xiàn)含有元素Bi、Ce、O、C,沒有出現(xiàn)其他元素物質(zhì)的特征衍射峰,表明復(fù)合材料樣品純凈.此外,在單一的Bi2O3和所有復(fù)合材料的樣品圖譜中,存在次要相Bi2O2CO3的特征衍射峰,屬于四方晶系,這與材料樣品退火冷卻制備時吸收一定量的CO2相關(guān)[13].
半導(dǎo)體催化劑的形貌是影響其光催化性能的重要因素之一.圖5為自制催化劑的SEM和能譜表征.
(a) CBE1
其中圖5(a)~(f)為各CBE催化劑樣品SEM圖,圖5(c)、(d)、(e)、(f)為復(fù)合材料SEM圖,Ce摻雜比例(摩爾比)分別為0.05(CBE3)、0.25(CBE4)、0.5(CBE5)和0.75(CBE6),圖5(a)、(b)則是相同方法制備的單一的純Bi2O3(CBE1)和CeO2(CBE2)樣品SEM圖.
由圖5可見,基于靜電紡絲所制備的樣品均顯示出一維的線性結(jié)構(gòu).在圖5(a)中(CBE1),呈現(xiàn)出Bi2O3顆粒晶體沿線性組裝,圖5(b)中(CBE2), CeO2片狀晶體亦沿線性裝配,兩者均展現(xiàn)出了中空的管狀結(jié)構(gòu),晶體呈現(xiàn)良好的生長狀態(tài),圖譜上測量樣品外徑,CBE2(685 nm)比BCE1(228 nm)粗.當(dāng)用Ce摻雜修飾后,見圖5(c)~(f),不同摻雜量的復(fù)合材料仍為一維的線性結(jié)構(gòu),復(fù)合材料的直徑尺寸隨Ce摻雜比例由小至大表現(xiàn)出先縮小再增粗的趨勢,但基本均在200 nm左右,對比發(fā)現(xiàn)0.25摻雜比例的CBE4樣品直徑最小,因此CBE4的比表面積更具有優(yōu)勢.同時,隨著摻雜比例由0.05增大至0.75,初始50 nm左右壁厚的中空管狀結(jié)構(gòu)逐漸消失,表面外觀形貌也逐漸變得密實、光滑,說明不同Ce摻雜比例對晶體的取向生長存在著不同的影響[14].SEM圖中,在Ce摻雜后的復(fù)合材料表面均沒有觀察到CeO2片狀結(jié)構(gòu)晶體,這與復(fù)合材料XRD表征分析中沒發(fā)現(xiàn)鈰氧化物特征衍射峰的結(jié)果也相吻合,說明Ce摻雜后,在樣品制備晶體生長過程中CeO2形成受到限制.圖5(g)為CBE4復(fù)合纖維樣品的SEM圖,復(fù)合纖維為無序非晶態(tài),且表面光滑,與圖5(e)相比較可以看出,纖維直徑(380 nm)經(jīng)退火處理制備成復(fù)合催化劑后直徑縮小(224 nm).圖5(h)為CBE4的能譜圖,圖譜中有C、O、 Ce、Bi、Au元素,其中Au元素外來于檢測時樣品的表面鍍金,與XRD物相表征分析相對照,表明所制備的CBE復(fù)合催化劑僅由C、O、 Ce、Bi元素構(gòu)成,樣品成分符合預(yù)期,成功制備了Ce摻雜Bi2O3的純凈復(fù)合催化劑材料.
為了進(jìn)一步獲得復(fù)合催化劑微觀形態(tài)結(jié)構(gòu)的基本信息,選取0.25比例Ce摻雜CBE4樣品進(jìn)行TEM表征分析,其譜圖如圖6所示,進(jìn)一步研究復(fù)合催化劑微觀的形態(tài)結(jié)構(gòu).
在低倍鏡圖譜圖6(a)中可以明顯觀察到復(fù)合材料為管狀結(jié)構(gòu),直徑約為200 nm左右,和SEM圖譜基本相符,圖中可見四角形狀的微小晶粒按照線性取向裝配,經(jīng)估算這些微小的四角形狀晶粒尺寸大小為15~20 nm,這與XRD表征分析相吻合.圖6(b)(高分辨圖)中可以看到樣品結(jié)晶度良好,晶格紋絡(luò)清晰可見,晶格間距測量結(jié)果表明為四方晶系的Bi2O3(201)晶面、(110)晶面、Bi7.38Ce0.62O12.31(400)晶面以及Bi2O2CO3(013),這與XRD表征分析相互佐證,表明成功地實現(xiàn)了Ce摻雜.在樣品電子選區(qū)衍射圖6(c)中,衍射環(huán)與衍射斑點共存,揭示出復(fù)合催化劑樣品的多晶結(jié)構(gòu).
(a)低分辨
光催化劑可見光響應(yīng)范圍是影響光催化反應(yīng)的重要因素.圖7為自制CBE光催化劑固體紫外-可見漫反射光譜(UV-vis DRS)圖譜,圖7內(nèi)插圖為Ce摻雜前后估算材料吸收邊的對比圖;經(jīng)Kubelka-Munk方程估算的CBE催化劑禁帶寬度結(jié)果如圖8所示[15].
Wavelength/nm圖7 CBE催化劑UV-vis DRS圖譜
hv/eV圖8 CBE催化劑禁帶寬度估算
由圖7可見,自制的BCE催化劑光吸收曲線呈陡峭線型,具有紫外-可見光響應(yīng)效應(yīng),光吸收特性良好.陡峭型的吸收曲線也表明CBE催化劑的可見光響應(yīng)是基于能級躍遷,而非雜質(zhì)躍遷[16].內(nèi)插圖為CBE1(純Bi2O3)和CBE4(0.25摻雜比例)樣品的收邊估算,吸收邊分別為473 nm、558 nm,并同理求得CBE3、CBE5、CBE6的吸收邊分別為539 nm、510 nm、506 nm.比較可知,經(jīng)Ce摻雜的復(fù)合樣品吸收邊均發(fā)生了不同程度的紅移,且均在可見光范圍內(nèi),其中CBE4復(fù)合樣品紅移最大.根據(jù)Kubelka-Munk方程估算CBE各樣品的禁帶寬度Eg(圖8),結(jié)果依次為2.62 eV(CBE1)、2.30 eV(CBE3)、2.22 eV(CBE4)、2.43 eV(CBE5)和2.45 eV(CBE6),對比可見,Ce摻雜后復(fù)合催化劑禁帶寬度Eg值均縮小,其中0.25摻雜比例的復(fù)合催化劑(CBE4)禁帶寬度最小.催化材料禁帶寬度小則可見光吸收能力強(qiáng),對可見光響應(yīng)效果會更好,因此推測CBE4催化劑更有利于在可見光催化降解有機(jī)污染物.
以甲基橙(MO)為目標(biāo)有機(jī)污染物,對所制備的CBE材料的可見光催化性能進(jìn)行測試.圖9為CBE催化劑光催化降解MO效果譜圖.
t/min(a)光催化降解MO效率圖
圖9(a)中,沒有催化劑時,光催化反應(yīng)時間內(nèi)體系MO濃度隨時間進(jìn)程幾乎不變化;而存在CBE催化劑時, MO隨著光照時間延長濃度逐漸降低,發(fā)生光降解.90 min光催化反應(yīng)后,CBE1(純Bi2O3)和CBE2(純CeO2)MO的光降解率分別是36.06%、19.23%,相比較之下,經(jīng)Ce摻雜修飾后的復(fù)合催化劑光催化均表現(xiàn)出較高催化性能,其中0.25比例Ce摻雜的CBE4催化劑具有最高的光催化降解MO的能力,90 min MO光降解率可達(dá)到98.81%,表明經(jīng)Ce摻雜改性后,復(fù)合材料的催化性能得到了增強(qiáng),這與前述表征分析結(jié)論也是相吻合的.從圖9(b)中可以明顯看到,MO吸收特征峰隨光催化降解進(jìn)程而逐漸降低,MO發(fā)生了光降解反應(yīng).利用Langmuir-Hinshelwood動力學(xué)模型對其光降解過程進(jìn)行擬合[17],結(jié)果線性擬合關(guān)系良好,如圖9(c)所示,各擬合的R2值均在0.95左右,說明CBE系列催化劑光催化降解MO過符合一級動力學(xué)方程.CBE各催化劑光降解動力學(xué)速率常數(shù)結(jié)果如圖9(d)所示,其中CBE4的光降解速率常數(shù)(K值)最高,為0.062 02 min-1,是CBE1(純Bi2O3)的8.7倍,表現(xiàn)出增強(qiáng)的催化活性.
基于靜電紡絲技術(shù)成功制備出催化性能增強(qiáng)的一維線性管狀金屬Ce摻雜的Bi2O3新型復(fù)合催化劑.經(jīng)表征、分析和光催化活性測試評價,結(jié)果表明:
(1)以聚乙烯基吡咯烷酮粉末(PVP,Mw=1 300 000)為靜電紡絲前驅(qū)液中高分聚合物,在12 kV電壓、15 cm接收距離、1 mL/h出流速度條件下混紡纖維,PVPwt%最優(yōu)條件為7%,此時獲得的紡絲纖維均勻性較好,直徑分布和外觀形貌較優(yōu), Bi/Ce/PVP混紡復(fù)合纖維直徑統(tǒng)計分析為375±60 nm,有利于后續(xù)處理制備催化材料.
(3)金屬Ce能以替換Bi晶格位的方式對Bi2O3進(jìn)行摻雜改性,摻雜后會影響B(tài)i2O3晶相形成,復(fù)合材料晶粒尺寸縮小.Ce摻雜后的復(fù)合材料吸收邊產(chǎn)生紅移,禁帶寬度變小,可見光響應(yīng)能力增強(qiáng),復(fù)合材料光生電子-空穴對也因Ce的摻雜而提高了分離效率,光催化性能得以增強(qiáng).