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      電動(dòng)汽車(chē)用雙層永磁體IPMSM解析與優(yōu)化設(shè)計(jì)*

      2021-08-31 03:20:28劉細(xì)平伏結(jié)盛杜隆鑫郭高勝朱文健
      汽車(chē)工程 2021年8期
      關(guān)鍵詞:磁密永磁體氣隙

      劉細(xì)平,伏結(jié)盛,杜隆鑫,郭高勝,朱文健

      (江西理工大學(xué)電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院,贛州341000)

      前言

      永磁同步電動(dòng)機(jī)具有高效率、高轉(zhuǎn)矩密度、體積小、質(zhì)量輕、電機(jī)形狀和尺寸靈活多變等優(yōu)點(diǎn),在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用[1]。文獻(xiàn)[2]中提出一種電動(dòng)汽車(chē)用雙層永磁體內(nèi)置式永磁同步電機(jī)(inter permanent magnet synchronous machine,IPM?SM),通過(guò)對(duì)影響電機(jī)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)的單一目標(biāo)參數(shù)分別進(jìn)行優(yōu)化,獲得了電機(jī)尺寸參數(shù)。對(duì)于內(nèi)置式永磁同步電機(jī),隔磁橋存在高度飽和現(xiàn)象,導(dǎo)致氣隙磁密中存在較多的諧波分量,產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩脈動(dòng),引起電機(jī)振動(dòng)和噪聲[3],因此須計(jì)算準(zhǔn)確的氣隙磁密波形。文獻(xiàn)[4]中建立了五相非對(duì)稱(chēng)偏移極IPMSM磁路等效模型,獲得了氣隙磁密幅值,并分析考慮永磁體對(duì)稱(chēng)性和偏移的影響。文獻(xiàn)[5]中運(yùn)用解析法建立了子域模型,獲得了氣隙磁場(chǎng),該方法計(jì)算結(jié)果準(zhǔn)確,但計(jì)算量大,有一定的局限性。文獻(xiàn)[6]和文獻(xiàn)[7]中根據(jù)等效面電流和疊加原理,采用子域模型的方法分析了氣隙磁場(chǎng),經(jīng)解析求解均與有限元解吻合。文獻(xiàn)[8]中采用鏡像和保角變換的方法計(jì)算了氣隙相對(duì)磁導(dǎo),但須對(duì)定子槽在不同的復(fù)平面進(jìn)行變換,計(jì)算復(fù)雜。文獻(xiàn)[9]~文獻(xiàn)[11]中建立Halbach永磁體表貼式永磁電機(jī)氣隙磁場(chǎng)標(biāo)量磁位微分方程,并利用卡特系數(shù)考慮定子開(kāi)槽效應(yīng)的影響。

      氣隙磁密是影響電機(jī)電磁性能的重要參數(shù)之一,目前解析法求解電機(jī)的氣隙磁場(chǎng)主要對(duì)象為結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單的表貼式電機(jī),本文中針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)用雙層永磁體內(nèi)置式永磁同步電機(jī),分析該電機(jī)鐵心結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和磁場(chǎng)分布規(guī)律,建立雙層永磁體IPMSM等效磁路模型,解析獲得其氣隙磁場(chǎng),考慮到定子開(kāi)槽效應(yīng)的影響,利用改進(jìn)卡特系數(shù)修正氣隙長(zhǎng)度。

      為降低氣隙磁通密度波形畸變率,對(duì)于永磁同步電機(jī),目前主要采用電機(jī)定子斜槽或轉(zhuǎn)子斜極、分?jǐn)?shù)槽繞組等方法[12-13]。本文中引入一種Taguchi[14-15]方法對(duì)雙層永磁體內(nèi)置式永磁同步電機(jī)鐵心進(jìn)行多目標(biāo)快速優(yōu)化,該方法適合復(fù)雜的電機(jī)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu),可減少大量復(fù)雜的優(yōu)化設(shè)計(jì)計(jì)算,較為簡(jiǎn)便有效,最后試制樣機(jī)對(duì)上述理論分析進(jìn)行了驗(yàn)證。

      1 電機(jī)結(jié)構(gòu)與氣隙磁場(chǎng)強(qiáng)度求解

      1.1 電機(jī)結(jié)構(gòu)

      圖1所示為雙層永磁體IPMSM電機(jī)二維有限元模型,電機(jī)定子槽數(shù)為48槽,極數(shù)為8極,采用轉(zhuǎn)子內(nèi)置雙層永磁體單定子結(jié)構(gòu);相對(duì)單層內(nèi)置式永磁同步電機(jī),采用雙層永磁體可增大電機(jī)的磁阻轉(zhuǎn)矩,提高電機(jī)最大效率區(qū)和功率密度。電樞繞組采用節(jié)距為5的短距分布式繞組,有利于消除反電勢(shì)諧波,增大繞組因數(shù)。

      圖1 樣機(jī)結(jié)構(gòu)

      1.2 氣隙磁場(chǎng)強(qiáng)度解析求解

      圖2為定子無(wú)槽、雙層永磁體IPMSM在一對(duì)極下電機(jī)結(jié)構(gòu)和磁力線(xiàn)走向。

      圖2 IPMSM的結(jié)構(gòu)與磁力線(xiàn)分布(1/4模型)

      由圖2可知,雙層永磁體IPMSM的磁力線(xiàn)主要經(jīng)過(guò)永磁體、氣隙、定子鐵心、轉(zhuǎn)子鐵心和隔磁橋,α和β分別為第1層永磁體的最小和最大夾角,γ和δ分別為第2層永磁體的最小和最大夾角,hm1和hm2分別為第1層和第2層永磁體的寬度,wm1和wm2分別為第1層和第2層永 磁體的 厚度,a1、a2和b1為 隔磁 橋 寬度。

      為簡(jiǎn)化分析,由圖2可知,第1層永磁體產(chǎn)生的氣隙磁通由兩部分組成,為經(jīng)過(guò)永磁體、電機(jī)鐵心、氣隙的主磁通和隔磁橋間距a1與a2間的漏磁通。圖3為IPMSM第1層永磁體等效無(wú)槽氣隙磁密分布,其中氣隙磁密幅值Bgm1可通過(guò)等效磁路模型獲得。

      圖3 IPMSM的等效無(wú)槽氣隙磁密

      圖4所示為以第1層永磁體建立的等效磁路模型。其中,Φr1為第1層永磁體的等效磁通源;Φm1為經(jīng)過(guò)第1層永磁體的磁通,其磁阻為Rm1;Φm2為經(jīng)過(guò)第2層永磁體的磁通,其磁阻為Rm2;Φn1和Φn2為經(jīng)過(guò)隔磁橋a1、a2的漏磁通,相應(yīng)的磁阻分別為Rn1和Rn2;Φg1為經(jīng)過(guò)永磁體磁極范圍內(nèi)的氣隙磁通量,對(duì)應(yīng)的磁阻為Rg1;Rs為定子磁阻,Rr為轉(zhuǎn)子磁阻,由于Rs和Rr磁阻非常小,本文中忽略不計(jì),結(jié)合圖2計(jì)算圖4中的其他參數(shù)。

      圖4 IPMSM的等效磁路模型

      式中:Br為永磁體的剩磁;L為電機(jī)有效長(zhǎng)度;lg為氣隙長(zhǎng)度;R為氣隙半徑;μ0為真空磁導(dǎo)率;ur為磁體相對(duì)磁導(dǎo)率;Bsat為磁橋飽和磁通密度。

      根據(jù)對(duì)稱(chēng)原理,可將圖4等效磁路模型簡(jiǎn)化成圖5形式,即由式(7)~式(12)可獲得氣隙磁密幅值Bgm1:第2層永磁體磁場(chǎng)求解方法同上述第1層永磁體解析。

      圖5 簡(jiǎn)化磁路模型

      1.3 有槽電機(jī)的氣隙磁場(chǎng)解析

      對(duì)于考慮定子鐵心開(kāi)槽效應(yīng)的影響,使用改進(jìn)的卡特系數(shù)對(duì)氣隙長(zhǎng)度進(jìn)行修正,則有效氣隙長(zhǎng)度gd等于無(wú)槽定子均勻氣隙長(zhǎng)度lg的C倍,可表示為

      根據(jù)磁阻最小原則,磁力線(xiàn)總是流過(guò)磁阻較小的路徑,則定子槽引起的主磁力線(xiàn)主要從4個(gè)區(qū)域路徑進(jìn)入定子表面,如圖6所示。

      圖6 定子槽范圍內(nèi)磁力線(xiàn)分布

      因此得出每條路徑的磁導(dǎo)為

      其中式中:r1為第2條路徑中圓弧半徑;r2為第3條路徑中圓弧半徑;bs為定子齒尖長(zhǎng)度;h1為不等寬齒尖根部厚度;h0為齒尖頂部厚度;Bs2為槽底部寬度;Bs0為槽口寬度;b2為齒尖頂部寬度;θ為齒尖根部與槽口邊緣對(duì)應(yīng)角度。

      磁通路徑總磁導(dǎo)為

      由于等效前后總磁通沒(méi)有改變,從而可通過(guò)解析式(23)獲得有效氣隙長(zhǎng)度。

      將gd代入式(14)中,即可求出卡特系數(shù)的解析式,再運(yùn)用卡特系數(shù)可獲得開(kāi)槽氣隙磁密Bgm:

      式中C(θ)為在一個(gè)槽距范圍內(nèi)與卡特系數(shù)有關(guān)的分段函數(shù),將其進(jìn)行傅里葉級(jí)數(shù)分解展開(kāi),可得到相關(guān)系數(shù)。

      2 基于Taguchi雙層永磁體IPMSM電機(jī)多目標(biāo)氣隙磁場(chǎng)優(yōu)化

      Taguchi設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方法最早由日本G.Taguchi博士在20世紀(jì)50年代提出,其優(yōu)點(diǎn)是利用最少的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和實(shí)驗(yàn)次數(shù),迅速有效地搜尋得到設(shè)計(jì)參數(shù)的最佳組合,可實(shí)現(xiàn)多個(gè)設(shè)計(jì)變量、多目標(biāo)的優(yōu)化設(shè)計(jì),其優(yōu)化設(shè)計(jì)步驟流程如圖7所示。

      圖7 Taguchi步驟流程主要圖

      圖8所示為雙層永磁體IPMSM的鐵心截面主要尺寸,選取對(duì)電機(jī)目標(biāo)性能影響較大的3個(gè)結(jié)構(gòu)尺寸參數(shù)作為設(shè)計(jì)變量。在保持鐵心徑向直徑不變的情況下,考慮磁路的合理設(shè)計(jì),本文中選取槽口寬度Bs0為第1個(gè)優(yōu)化因子,槽口寬度Bs0會(huì)影響電機(jī)齒槽轉(zhuǎn)矩的大小,另外Bs0還會(huì)受限于制造成本和生產(chǎn)加工廠(chǎng)家的工藝水平,將Bs0取值規(guī)定約束在一定的范圍內(nèi)。轉(zhuǎn)子中第1層永磁體隔磁橋距離轉(zhuǎn)軸的高度O2以及第2層永磁體兩側(cè)隔磁橋間距Rib作為第2和第3個(gè)優(yōu)化因子。

      圖8 電機(jī)截面圖及鐵心主要尺寸

      選取樣機(jī)的輸出轉(zhuǎn)矩Ta、轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)Tr和空載氣隙磁密THD作為電機(jī)優(yōu)化設(shè)計(jì)的目標(biāo),其中輸出轉(zhuǎn)矩是指電機(jī)以最大電流為約束,在穩(wěn)定的時(shí)間段內(nèi)一個(gè)電周期的輸出轉(zhuǎn)矩的平均值。轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)定義為

      式中:Tmax、Tmin和Tavg分別為一個(gè)電周期內(nèi)最大轉(zhuǎn)矩、最小轉(zhuǎn)矩和平均轉(zhuǎn)矩。

      考慮到電機(jī)在實(shí)際加工中工藝水平和成本,設(shè)計(jì)的最小定子槽口寬度Bs0為1.6 mm,第2層永磁體兩側(cè)隔磁橋間距Rib最小寬度為9 mm,依據(jù)上文確定的優(yōu)化因子和優(yōu)化因子的取值水平編碼如表1所示。

      表1 電機(jī)優(yōu)化因子及水平等級(jí)編碼

      建立正交表,確定16次實(shí)驗(yàn),將各水平因子輸入Taguchi正交表中,運(yùn)用有限元分析軟件對(duì)各組實(shí)驗(yàn)進(jìn)行求解計(jì)算,實(shí)驗(yàn)編碼、輸出轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)結(jié)果如表2所示。

      根據(jù)表2中的計(jì)算結(jié)果數(shù)據(jù),按照式(26)和式(27)計(jì)算輸出轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)有限元計(jì)算的平均值,結(jié)果如表3所示。

      接下來(lái)按表2計(jì)算各個(gè)參數(shù)在各個(gè)不同水平等級(jí)時(shí)輸出轉(zhuǎn)矩及轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)的平均值,所計(jì)算結(jié)果如表4、圖9和圖10所示。

      圖9 各個(gè)水平等級(jí)的性能指標(biāo)對(duì)輸出轉(zhuǎn)矩影響

      圖10 各個(gè)水平等級(jí)的性能指標(biāo)對(duì)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)影響

      表2 正交表及有限元計(jì)算結(jié)果

      結(jié)合表3與表4中數(shù)據(jù),運(yùn)用方差分析各影響因子對(duì)性能指標(biāo)影響所占的比重,以參數(shù)Bs0為例首先計(jì)算數(shù)據(jù)方差(SS),可用式(28)和式(29)求出:

      表3 分析結(jié)果平均值

      表4 各個(gè)水平等級(jí)性能指標(biāo)平均值

      接下來(lái)計(jì)算影響因子對(duì)性能指標(biāo)影響所占的比重(FF),即

      得到的SS和FF如表5所示。

      表5 影響因子的方差和影響程度

      由表5可見(jiàn),3個(gè)影響因子對(duì)輸出轉(zhuǎn)矩的影響程度依次為Rib>O2>Bs0,對(duì)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)的影響程度依次為Rib>O2>Bs0,因此參數(shù)組合的選取優(yōu)先考慮Rib,由于Tr_FF>Ta_FF,Rib影響因子優(yōu)先考慮轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)最小。對(duì)于Bs0和O2影響因子優(yōu)先確保輸出轉(zhuǎn)矩Ta最大。

      依據(jù)上述思路,結(jié)合圖9和圖10很容易確定影響因子水平等級(jí)為243,最終選取最優(yōu)解在Bs0為2.0 mm、O2為46 mm、Rib為13 mm輸出轉(zhuǎn)矩大并且轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)小。結(jié)果表明最大輸出轉(zhuǎn)矩Ta=439.6093 N·m,轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)Tr=5.99%。優(yōu)化前后結(jié)果對(duì)比如圖11和圖12所示,優(yōu)化后轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)減少2.77%,空載氣隙磁密THD降低了4.28%,輸出轉(zhuǎn)矩提升了約2%。優(yōu)化后結(jié)果表明,綜合性能滿(mǎn)足電機(jī)指標(biāo)要求且得到明顯提升,說(shuō)明該優(yōu)化方法簡(jiǎn)便且非常有效。

      圖11 輸出轉(zhuǎn)矩對(duì)比

      圖12 氣隙磁密諧波對(duì)比

      3 解析法計(jì)算及有限元驗(yàn)證

      為了驗(yàn)證解析法的正確性,本文中利用有限元法對(duì)上文優(yōu)化后的電機(jī)尺寸計(jì)算主要電磁特性,表6列出了雙層永磁體IPMSM主要尺寸參數(shù)。

      表6 雙層IPMSM主要尺寸參數(shù)

      根據(jù)表6中的參數(shù),圖13分別給出了定子鐵心開(kāi)槽后徑向氣隙磁密的解析法和有限元法解對(duì)比結(jié)果,可知解析法和有限元解吻合度較高,曲線(xiàn)的變化趨勢(shì)一致,證明了解析法的正確性,但有限元分析結(jié)果略高于解析結(jié)果,主要原因是有限元法中定子鐵心開(kāi)槽使得磁力線(xiàn)路徑發(fā)生轉(zhuǎn)移,從而導(dǎo)致沒(méi)有開(kāi)槽區(qū)域磁力線(xiàn)分布密集。

      圖13 徑向氣隙磁密波形

      4 樣機(jī)與實(shí)驗(yàn)結(jié)果

      為驗(yàn)證上述理論分析優(yōu)化設(shè)計(jì)可行性與有限元計(jì)算的可靠性,根據(jù)上述分析試制了一臺(tái)樣機(jī)進(jìn)行測(cè)試,如圖14所示。

      圖14 樣機(jī)組件

      為驗(yàn)證有限元計(jì)算的準(zhǔn)確性,圖15和圖16分別給出了樣機(jī)在1 000 r/min空載運(yùn)行時(shí)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、樣機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩仿真值與實(shí)測(cè)值的對(duì)比分析。測(cè)試結(jié)果表明,樣機(jī)具有良好的輸出轉(zhuǎn)矩能力,曲線(xiàn)變化趨勢(shì)基本保持一致,通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果也驗(yàn)證了有限元分析的可靠性。

      圖15 感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)

      圖16 樣機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩圖

      5 結(jié)論

      (1)建立了應(yīng)用于雙層永磁體內(nèi)置式永磁同步電機(jī)等效磁路模型,解析獲得其氣隙磁場(chǎng),考慮到定子開(kāi)槽效應(yīng)的影響,通過(guò)改進(jìn)卡特系數(shù)對(duì)氣隙長(zhǎng)度進(jìn)行修正。經(jīng)對(duì)比分析,解析法和有限元結(jié)果基本吻合,驗(yàn)證了解析求解的正確性。

      (2)引入一種Taguchi方法對(duì)電機(jī)鐵心尺寸參數(shù)快速地進(jìn)行多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計(jì)。結(jié)果表明,優(yōu)化后轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)減少2.77%,空載氣隙磁密THD降低了4.28%,輸出轉(zhuǎn)矩提升了約2%,綜合性能滿(mǎn)足電機(jī)指標(biāo)要求且得到明顯提升。

      (3)樣機(jī)測(cè)試結(jié)果表明,樣機(jī)具有良好的輸出轉(zhuǎn)矩能力,實(shí)測(cè)值與仿真值基本吻合,曲線(xiàn)變化趨勢(shì)基本保持一致,通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果也驗(yàn)證了有限元分析的可靠性。

      (4)內(nèi)置式永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)矩密度大,轉(zhuǎn)子鐵心拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)復(fù)雜,因此本文中所述的雙層永磁體內(nèi)置式永磁同步電機(jī)等效磁路建模和優(yōu)化設(shè)計(jì)方法具有一定參考意義。

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