李 鋼
(潮州三環(huán)(集團(tuán))股份有限公司,廣東 潮州 521000)
近年來(lái),隨著各個(gè)類型的電子產(chǎn)品在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、國(guó)防和日常生活中的廣泛應(yīng)用,促使電子元器件封裝技術(shù)高速發(fā)展。同時(shí),電子產(chǎn)品性能更高,功能更多,可靠性更強(qiáng),型體更小,厚度更薄,也更加便捷,其對(duì)電子元器件封裝的要求也越來(lái)越高,更好、更輕、更薄、更好的封裝密度、更好的電性能和熱性能、更高的可靠性以及更低的價(jià)格都是電子元器件封裝行業(yè)追求的目標(biāo)。
傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu),包括陶瓷基座和金屬蓋板,陶瓷基座的連接面上具有金屬層,金屬蓋板通過(guò)焊接至金屬層與陶瓷基座固接封裝。然而,金屬與陶瓷基座的熱膨脹系數(shù)相差太大,容易引起封焊開(kāi)裂?;诖耍斜匾芯恳环N能降低封焊開(kāi)裂率的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。
降低封焊開(kāi)裂的封裝結(jié)構(gòu)包括第一封裝元件和第二封裝元件,概述如下。
第一封裝元件,包括陶瓷基座,該陶瓷基座具有連接面,連接面上有凹陷的收容槽。連接層印刷在上述連接面上,連接層的材料為鎢或者鉬錳合金。鎳層層疊于上述連接層;金層層疊于所述鎳層。
第二封裝元件的形狀是板狀并且能夠蓋設(shè)置在上述陶瓷基座上用來(lái)封閉上述收容槽,第二封裝元件由可伐合金制成。
上述封裝結(jié)構(gòu),在陶瓷基座的連接面印刷連接層,然后在連接層表面依次設(shè)置鎳層和金層,連接層與陶瓷的結(jié)合力較佳,再層疊鎳層及金層可以得到與陶瓷基座結(jié)合力較好的金屬層,使用時(shí)將可伐合金制成的第二封裝元件焊接固定在金層上,可伐合金與陶瓷基座的熱膨脹系數(shù)相近,可以消除因熱膨脹系數(shù)差別大引起的應(yīng)力開(kāi)裂等問(wèn)題,能降低封焊開(kāi)裂率[1]??煞ズ辖馂殍F鈷鎳合金;陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。連接層的厚度為10 μm ~50 μm。鎳層的的厚度為1 μm~12 μm;金層的厚度為0.4 μm~1 μm。
封裝結(jié)構(gòu)的立體分解圖如圖1所示,封裝結(jié)構(gòu)的立體組裝圖如圖2所示。
圖1 封裝結(jié)構(gòu)的立體分解圖
第一封裝元件包括陶瓷基座、連接層、鎳層以及金層。陶瓷基座大致為矩形,具有連接面。陶瓷基座設(shè)置了收容槽。收容槽是由于連接面的中部凹陷形成的。收容槽用于收容待密封元件。陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。氧化鋁陶瓷的熱膨脹系數(shù)為6.7×10-6℃~8.0×10-6℃,氮化鋁陶瓷的熱膨脹系數(shù)為6.7×10-6℃~8.0×10-6℃。連接層印刷于連接面,連接層大致為環(huán)形,且與連接面的外邊緣之間形成間隙,連接層與連接面的內(nèi)邊緣齊平。連接層的厚度為10 μm~50 μm。連接層的材料為鎢或者鉬錳合金。在該實(shí)施方式中,連接面絲網(wǎng)印刷連接層漿料后,通過(guò)高溫?zé)七B接層。鎳層層疊于連接層上。鎳層覆蓋連接層的全部表面[2]。鎳層的厚度為1 μm~12 μm。金層層疊于鎳層上。金層覆蓋鎳層的全部表面。金層的厚度為0.4 μm~1 μm。第二封裝元件大致為板狀,能夠覆蓋在陶瓷基座上且封閉收容槽,如圖1所示。第二封裝元件由可伐合金制成??煞ズ辖馂殍F鈷鎳合金材料,鐵鈷鎳合金含量按百分比計(jì)量,包括10%~40%的鎳,10%~30%的鈷,余量為鐵,鐵鈷鎳合金含量按百分比計(jì)量,包括29%的鎳、17%的鈷及54%的鐵。鐵鈷鎳合金的熱膨脹系數(shù)(20 ℃~100 ℃)為6.4×10-6℃。第二封裝元件的厚度0.07 mm~0.10 mm。當(dāng)然,在其他實(shí)施例中,第二封裝元件不限于為板狀,還可以為其他形狀,例如,在第二封裝元件設(shè)置與收容槽對(duì)應(yīng)的容置槽。請(qǐng)同時(shí)參考圖1,第二封裝元件設(shè)置在陶瓷基座并封閉收容槽。第二封裝元件通過(guò)焊接與第一封裝元件的金層固定。第二封裝元件的邊緣與金層的外邊緣之間形成了間隙。上述封裝結(jié)構(gòu),通過(guò)在陶瓷基座的連接面設(shè)置連接層,然后在連接層表面依次設(shè)置鎳層及金層,鎳層與金層層疊可以得到與陶瓷基座結(jié)合力較好的金屬層,使用時(shí)將可伐合金制成的第二封裝元件焊接固定至金層,可伐合金與陶瓷基座的熱膨脹系數(shù)相近,如圖2所示??梢韵驘崤蛎浵禂?shù)差別大引起的應(yīng)力開(kāi)裂等問(wèn)題,能降低封焊開(kāi)裂率。
圖2 封裝結(jié)構(gòu)的立體組裝圖
上述封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,包括以下6步:1)將陶瓷漿料流延成型制備陶瓷基座,陶瓷基座具有連接面,陶瓷基座形成具有自連接面凹陷的收容槽。將陶瓷粉、黏合劑和溶劑混合均勻后得到陶瓷漿料。將陶瓷粉、黏合劑及溶劑采用球磨的方式混合均勻得到陶瓷漿料。球磨的時(shí)間為12 h~16 h。陶瓷漿料包括85~95份的陶瓷粉,5~9份的黏結(jié)劑以及45~65份的溶劑。選用的陶瓷粉為氧化鋁陶瓷粉或氮化鋁陶瓷粉,當(dāng)然,其他業(yè)內(nèi)常用的陶瓷粉也可以。選用的黏合劑選自聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇、聚氯乙烯及甲基纖維素中的至少1種。溶劑選自乙醇、丙醇、丁酮及乙酸乙酯中的至少1種。采用流延法將陶瓷漿料流延形成陶瓷膜。將至少2層陶瓷膜層疊后壓合形成陶瓷基座。陶瓷基座的收容槽通過(guò)沖孔制備。2)在連接面表面絲網(wǎng)印刷連接層漿料。連接層漿料為鎢漿料或鉬錳金屬漿料。連接層漿料包括85~95份的W,4~8份的TiO,0.5~1.0份的CaO及3~6份的Al2O3。在另一個(gè)實(shí)施例中,連接層漿料包括60%~80%的Mo和Mn,10%~20%的Al2O3,8%~15%的SiO2及2%~5%的MgO,其中Mo和Mn的質(zhì)量比為7∶3。選用的印刷連接層漿料的厚度為10 μm~50 μm。3)對(duì)絲網(wǎng)印刷鎢漿料后的陶瓷基座進(jìn)行高溫共燒處理在陶瓷基座的連接面形成連接層。高溫共燒處理的溫度為1 200 ℃~1 650 ℃,高溫共燒處理的時(shí)間為20 h~23 h。高溫共燒處理在還原氣作用下進(jìn)行。連接層的厚度為10 μm~50 μm。4)依次在連接層的表面電鍍鎳層及金層。鎳層的厚度為1 μm~12 μm。金層的厚度為0.4 μm~1 μm。鍍鎳的電流密度是0.1 A/dm2~10 A/dm2,鍍金的電流密度為0.1 A/dm2~10 A/dm2。5)將待密封元件收容在收容槽內(nèi),并將第二封裝元件蓋設(shè)于陶瓷基座,第二封裝元件與金層貼合。待密封元件為電子元件。當(dāng)然,在其他實(shí)施例中,待密封元件為石英晶體。6)對(duì)第二封裝元件與金層進(jìn)行激光封焊。激光封焊在保護(hù)性氣體的作用下進(jìn)行,焊接速度為100 mm/min~300 mm/min。最佳焊接速度為250 mm/min。激光封焊采用非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器。非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器的運(yùn)行參數(shù)為激光峰值功率為0.3 kW~7 kW,脈沖寬度為2 ms~10 ms,脈沖重復(fù)頻率為10 Hz~30 Hz,離焦量為-5 mm~4.2 mm。優(yōu)選的,激光峰值功率為1 kW,脈沖寬度為5 ms,脈沖重復(fù)頻率為20 Hz,離焦量為-0.5 mm。激光封焊在保護(hù)性氣體的作用下進(jìn)行。最佳的保護(hù)性氣體選自氮?dú)饣蛘邭鍤?。將第二封裝元件及第一封裝元件放在密閉透明容器中,通過(guò)聚焦棱鏡聚焦YAG固體激光器的入射光束,利用聚焦光束對(duì)第二封裝元件和陶瓷基座的金層進(jìn)行激光封焊。
上述封裝元件的制備方法,通過(guò)流延成型制備陶瓷基座,用絲網(wǎng)印刷漿料通過(guò)高溫共燒,形成的連接層與陶瓷基座之間的結(jié)合力較大,然后通過(guò)電鍍形成鎳層和金層,能夠增加陶瓷基座和第二封裝元件之間的結(jié)合力,第二封裝元件采用可伐金屬制備,與陶瓷基座的熱膨脹系數(shù)相近,可以消除因熱膨脹系數(shù)差別大引起的應(yīng)力開(kāi)裂等問(wèn)題,能降低封焊開(kāi)裂率。
實(shí)施例1的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中陶瓷基座112的材料為氧化鋁陶瓷;連接層的材料為鎢,厚度為30 μm;鎳層的厚度為7 μm;金層的厚度為0.6 μm;第二封裝元件為厚度為0.1 μm的鐵鈷鎳合金板,鐵鈷鎳合金板以質(zhì)量百分比計(jì)含有10%的鎳、10%的鈷以及80%的鐵。焊接時(shí),將第二封裝元件設(shè)置在陶瓷基座,第二封裝元件與金層貼合。在氮?dú)獾淖饔孟?,采用非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器,通過(guò)聚焦棱鏡聚焦YAG固體激光器的入射光束,利用聚焦光束對(duì)第二封裝元件和陶瓷基座的金層進(jìn)行激光封焊,焊接速度為250 mm/min,非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器的運(yùn)行參數(shù)包括激光峰值功率為2 kW,脈沖寬度為5 ms,脈沖重復(fù)頻率為20 Hz,離焦量為-0.5 mm。經(jīng)測(cè)試,激光封焊1 000個(gè)封裝結(jié)構(gòu),開(kāi)裂率為0%。
實(shí)施例2的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷;連接層的材料為鉬錳合金,厚度為10 μm;鎳層的厚度為1 μm;金層的厚度為0.4 μm;第二封裝元件為厚度為0.07 mm的鐵鈷鎳合金板,鐵鈷鎳合金板含有40%的鎳、30%的鈷以及30%的鐵。焊接時(shí),將第二封裝元件蓋設(shè)于陶瓷基座,第二封裝元件與金層貼合。在氬氣的作用下,采用非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器,通過(guò)聚焦棱鏡聚焦YAG固體激光器的入射光束,利用聚焦光束對(duì)第二封裝元件和陶瓷基座的金層進(jìn)行激光封焊,焊接速度為100 mm/min,非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器的運(yùn)行參數(shù)包括激光峰值功率為0.3 kW,脈沖寬度為2 ms,脈沖重復(fù)頻率為10 Hz,離焦量為4.2 mm。經(jīng)測(cè)試,激光封焊1 000個(gè)封裝結(jié)構(gòu),開(kāi)裂率為0%。
實(shí)施例3的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中陶瓷基座的材料為氮化鋁陶瓷;連接層的材料為鎢,厚度為50 μm;鎳層的厚度為12 μm;金層的厚度為1 μm;第二封裝元件為厚度為0.09 mm的鐵鈷鎳合金板,鐵鈷鎳合金板含有25%的鎳、20%的鈷以及55%的鐵。焊接時(shí),將第二封裝元件蓋設(shè)于陶瓷基座,第二封裝元件與金層貼合。在氬氣的作用下,采用非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器,通過(guò)聚焦棱鏡聚焦YAG固體激光器的入射光束,利用聚焦光束對(duì)第二封裝元件和陶瓷基座的金層進(jìn)行激光封焊,焊接速度為300 mm/min,非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器的運(yùn)行參數(shù)包括激光峰值功率為7 kW,脈沖寬度為10 ms,脈沖重復(fù)頻率為30 Hz,離焦量為-0.5 mm。經(jīng)測(cè)試,激光封焊1 000個(gè)封裝結(jié)構(gòu),開(kāi)裂率為0%。
實(shí)施例4的封裝結(jié)構(gòu)包括陶瓷基座、可伐環(huán)及金屬蓋。陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷,陶瓷基座具有連接面,連接面中部凹陷形成收容槽,連接面絲網(wǎng)印刷形成有連接層,連接層的材料為鎢,厚度為30 μm。連接層的表面依次電鍍形成鎳層及金層,鎳層的厚度為7 μm,金層的厚度為 0.5 μm??煞キh(huán)的厚度為0.1 mm,材料為鐵鈷鎳合金。金屬蓋的厚度為0.1 mm,材料為鐵鈷鎳合金。在850 ℃時(shí),通過(guò)還原氣的作用將可伐環(huán)焊接至金層,再通過(guò)電阻焊將金屬蓋焊接至可伐環(huán)。經(jīng)測(cè)試,1 000個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的開(kāi)裂率為0.3%。
實(shí)施例5的封裝結(jié)構(gòu)包括陶瓷基座及金屬蓋。陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷,陶瓷基座具有連接面,連接面中部凹陷形成收容槽,連接面絲網(wǎng)印刷表面可伐合金漿料,燒結(jié)后形成可伐合金層,可伐合金層的材料為鐵鈷鎳合金,厚度為20 μm。金屬蓋的厚度為0.08 mm。焊接時(shí),將金屬蓋設(shè)置在陶瓷基座,與可伐合金層貼合[3]。在氮?dú)獾淖饔孟?,采用非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器,通過(guò)聚焦棱鏡聚焦YAG固體激光器的入射光束,利用聚焦光束對(duì)金屬蓋和陶瓷基座的可伐合金層進(jìn)行激光封焊,焊接速度為150 mm/min,非接觸式遠(yuǎn)距離激光焊接器的運(yùn)行參數(shù)包括激光峰值功率為4 kW,脈沖寬度為8 ms,脈沖重復(fù)頻率為18 Hz,離焦量為1.2 mm。 經(jīng)測(cè)試,激光封焊1 000個(gè)封裝結(jié)構(gòu),開(kāi)裂率為0.4%。
綜上所述,以上所述實(shí)施的各類技術(shù)可以進(jìn)行任意的組合,為了可以簡(jiǎn)潔地描述,未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)的所有可能的組合都進(jìn)行描述。但是,這些技術(shù)的組合不存在矛盾,因此,以上都是可以降低封焊開(kāi)裂的封裝結(jié)構(gòu)。