鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司 張建平 張 靜 王志強(qiáng) 唐烏力吉白爾 崔辛超 劉 元
隨著顯示面板行業(yè)的快速發(fā)展,模組廠也不斷興起;模組工序直接影響著產(chǎn)品的良率,在液晶盒點(diǎn)燈測(cè)試時(shí),檢測(cè)人員在檢測(cè)過(guò)程中存在異常下電的行為,導(dǎo)致液晶盒內(nèi)靜電殘留無(wú)法釋放引起抖動(dòng)不良;若輸入液晶盒內(nèi)的信號(hào)有異常雜波,超過(guò)TFT擊穿電壓時(shí)MOS管就會(huì)擊穿,導(dǎo)致顯示異常。本文分別通過(guò)對(duì)點(diǎn)燈治具結(jié)構(gòu)的升級(jí)及點(diǎn)燈程序的優(yōu)化,在點(diǎn)燈治具上合入Source&VCOM短接模塊并加裝TVS管,增加快速放電程序,從而對(duì)液晶盒點(diǎn)燈檢測(cè)過(guò)程中起到防護(hù)作用。
液晶顯示面板主要由薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)和彩膜(Color Filter,CF)基板組成,成盒后就會(huì)進(jìn)行點(diǎn)燈檢測(cè),確認(rèn)液晶盒是否存在不良;在點(diǎn)燈檢測(cè)過(guò)程中,首先通過(guò)點(diǎn)燈治具對(duì)液晶盒輸入信號(hào),待液晶盒點(diǎn)亮后,分別通過(guò)不同灰階畫(huà)面(L0、L31、L64、L127)、白、紅、綠、藍(lán)畫(huà)面下進(jìn)行檢測(cè)判斷液晶盒在不同的點(diǎn)燈畫(huà)面下是否存在不良。目前的點(diǎn)燈治具只是能夠通過(guò)對(duì)液晶盒輸入信號(hào)判斷是否點(diǎn)亮或存在不良,沒(méi)有對(duì)液晶盒本身有防護(hù)的作用,因此也不會(huì)考慮到在點(diǎn)燈檢測(cè)過(guò)程中可能引起的不良。
本文針對(duì)液晶盒點(diǎn)燈治具導(dǎo)致液晶盒內(nèi)靜電殘留及TFT管子擊穿而引起的不良進(jìn)行優(yōu)化研究?;诙秳?dòng)不良,通過(guò)對(duì)點(diǎn)燈治具結(jié)構(gòu)及程序進(jìn)行優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了異常掉電時(shí)對(duì)液晶盒進(jìn)行快速放電的功能,可避免模組后段工序點(diǎn)燈時(shí)出現(xiàn)抖動(dòng)現(xiàn)象;基于異顯不良,通過(guò)對(duì)點(diǎn)燈治具進(jìn)行升級(jí)優(yōu)化,在每個(gè)信號(hào)輸出通道與GND之間并聯(lián)一個(gè)雙向TVS管,當(dāng)雜波超過(guò)TVS管的擊穿電壓時(shí),TVS迅速導(dǎo)通,使電流經(jīng)TVS流到GND,避免大電流流經(jīng)液晶盒擊穿TFT管子,達(dá)到保護(hù)液晶盒的作用。
液晶盒點(diǎn)燈檢測(cè)時(shí),檢測(cè)人員在檢測(cè)過(guò)程中液晶盒放置有偏差會(huì)導(dǎo)致其顯示異常,此時(shí)檢測(cè)人員通常會(huì)把點(diǎn)燈機(jī)壓頭直接抬起進(jìn)行重新對(duì)位點(diǎn)燈(正常流程:我們需要將畫(huà)面全部切完或按關(guān)機(jī)鍵然后再抬壓頭更換液晶盒),由于目前使用液晶盒點(diǎn)燈治具都沒(méi)有快速放電功能,點(diǎn)燈中直接抬壓頭會(huì)導(dǎo)致液晶盒內(nèi)靜電殘留,將該液晶盒繼續(xù)制為模組時(shí)點(diǎn)燈檢測(cè)會(huì)出現(xiàn)抖動(dòng)現(xiàn)象。
圖1 接地放電
圖2 極化電場(chǎng)形成
圖3 明暗變化
圖4 快速放電程序
圖5 Source&VCOM短接接地
正常下電時(shí)Gate拉高,像素通過(guò)Source、VCOM接地放電(如圖1所示),但由于液晶盒點(diǎn)燈治具異常下電,Gate信號(hào)直接關(guān)閉,像素內(nèi)的電荷無(wú)法釋放產(chǎn)生電荷殘留;液晶中的自由離子在殘留電場(chǎng)作用下聚集在液晶與PI膜界面,導(dǎo)致液晶極化形成極性電場(chǎng)(如圖2所示);極性電場(chǎng)導(dǎo)致前后兩幀VCOM與Source間壓差不同,產(chǎn)生明暗變化(如圖3所示),即抖動(dòng)不良。
由于異常下電時(shí)Gate瞬間關(guān)閉像素內(nèi)的電荷無(wú)法釋放,因此增加快速放電的程序,通過(guò)在執(zhí)行Signal_Off前調(diào)用Discharge函數(shù)實(shí)現(xiàn)在下電時(shí)將GOA信號(hào)拉高,MUX也全開(kāi),所有Gate全部保持打開(kāi),放電更徹底,實(shí)測(cè)波形如圖4所示;當(dāng)Gate瞬間關(guān)閉,電荷在儲(chǔ)存電容中無(wú)法有效釋放,而儲(chǔ)存電容是由Source與VCOM兩層金屬層構(gòu)成,在下電時(shí)將Source & VCOM通過(guò)治具設(shè)計(jì)Discharge Switch實(shí)現(xiàn)接地放電(如圖5所示);快速放電程序及Source &VCOM短接模塊均可將殘留電荷徹底釋放,最大程度上規(guī)避了由于液晶盒點(diǎn)燈治具引起的靜電殘留而導(dǎo)致抖動(dòng)不良。
分別對(duì)60pcs產(chǎn)品進(jìn)行點(diǎn)燈驗(yàn)證,20pcs進(jìn)行抬壓頭異常下電,20pcs使用正常點(diǎn)燈程序下電,20pcs使用合入Source&VCOM短接模塊及快速放電程序下電,點(diǎn)燈完成后將60pcs液晶盒制作為模組并進(jìn)行灰階127畫(huà)面進(jìn)行FLK測(cè)試,F(xiàn)LK值大于2時(shí)肉眼可見(jiàn)抖動(dòng)。對(duì)比三種條件FLK測(cè)試數(shù)據(jù)(如圖6所示),通過(guò)數(shù)據(jù)可以看出合入Source&VCOM短接模塊及快速放電程序點(diǎn)燈下電的20pcs產(chǎn)品FLK值均小于2無(wú)抖動(dòng)現(xiàn)象,使用正常程序點(diǎn)燈下電的20pcs產(chǎn)品中15pcs產(chǎn)品FLK值大于2存在抖動(dòng)現(xiàn)象,使用異常抬壓頭下電的20pcs產(chǎn)品FLK值均大于2抖動(dòng)現(xiàn)象明顯。經(jīng)過(guò)點(diǎn)燈下電驗(yàn)證可以確認(rèn)增加Source&VCOM短接模塊及快速放電程序可預(yù)防抖動(dòng)現(xiàn)象的發(fā)生。
圖6 液晶盒點(diǎn)燈不同下電方式對(duì)抖動(dòng)的影響
圖7 液晶盒TFT MOS管擊穿
圖8 加裝TVS管后液晶盒點(diǎn)燈機(jī)構(gòu)成
目前由液晶盒點(diǎn)燈治具引起的異顯不良大多數(shù)為點(diǎn)燈過(guò)程中引入ESD(作業(yè)環(huán)境、作業(yè)手法、電源選取),導(dǎo)致液晶盒TFT MOS管被擊穿(如圖7所示)從而顯示異常。
由于窄邊框設(shè)計(jì)深受用戶喜愛(ài),考慮到布線空間的問(wèn)題,液晶盒兩側(cè)GOA中的TFT也由之前雙柵結(jié)構(gòu)改變?yōu)閱螙沤Y(jié)構(gòu),但是由于單柵結(jié)構(gòu)的TFT抗靜電的能力差,在對(duì)液晶盒進(jìn)行點(diǎn)燈檢測(cè)時(shí),檢測(cè)信號(hào)的雜波及電源的選取會(huì)產(chǎn)生靜電,當(dāng)其電壓大于液晶盒TFT MOS管的擊穿電壓時(shí),它會(huì)通過(guò)點(diǎn)燈機(jī)的內(nèi)部走線到PIN針傳到液晶盒從而擊傷液晶盒內(nèi)部MOS管未加TVS管的治具進(jìn)行點(diǎn)燈鏡檢驗(yàn)證(如表1所示),使用未加裝TVS管的點(diǎn)燈治具檢測(cè)72pcs產(chǎn)品,未點(diǎn)燈前通過(guò)顯微鏡鏡檢TFT MOS管無(wú)擊傷,經(jīng)過(guò)五次點(diǎn)燈后其中8pcs產(chǎn)品存在線不良(4pcs鏡檢可見(jiàn)MOS管擊傷),另外64pcs產(chǎn)品點(diǎn)燈無(wú)不良鏡檢發(fā)現(xiàn)有19pcs產(chǎn)品存在MOS管擊傷;使用加裝TVS管的點(diǎn)燈治具檢測(cè)77pcs產(chǎn)品,未點(diǎn)燈前通過(guò)顯微鏡鏡檢TFT MOS管無(wú)擊傷,經(jīng)過(guò)五次點(diǎn)燈后均無(wú)不良且MOS管無(wú)擊傷現(xiàn)象發(fā)生。經(jīng)過(guò)驗(yàn)證液晶盒點(diǎn)燈治具并聯(lián)TVS管可有效規(guī)避ESD引入所造成的不良。
圖9 雙向TVS管對(duì)Panel保護(hù)電路示意圖
結(jié)論:本文基于液晶盒點(diǎn)燈治具引起的抖動(dòng)及異顯不良進(jìn)行優(yōu)化研究,通過(guò)對(duì)點(diǎn)燈等器件導(dǎo)致顯示異常。
表1 加裝TVS管前后點(diǎn)燈驗(yàn)證情況對(duì)比
通過(guò)將液晶盒點(diǎn)燈治具進(jìn)行改進(jìn)設(shè)計(jì),在每個(gè)信號(hào)輸出通道與GND之間并聯(lián)一個(gè)雙向TVS管(如圖8所示),在正常工作狀態(tài)下TVS管呈高阻抗?fàn)顟B(tài),不影響線路的正常工作,當(dāng)有異常的過(guò)電壓脈沖超過(guò)其擊穿電壓時(shí),TVS由高阻狀態(tài)迅速(響應(yīng)時(shí)間幾十納秒)變?yōu)榈妥锠顟B(tài),使流向被保護(hù)元器件的瞬間電流轉(zhuǎn)而分流到TVS管,同時(shí)把電壓精確的限制到一個(gè)安全的水平,當(dāng)異常過(guò)電壓消失后,TVS立即恢復(fù)到高阻狀態(tài)(如圖9所示)。因此當(dāng)點(diǎn)燈過(guò)程中的雜波超過(guò)TVS管的擊穿電壓時(shí),TVS迅速導(dǎo)通,使電流經(jīng)TVS流到GND,避免大電流流經(jīng)液晶盒TFT,達(dá)到保護(hù)液晶盒的作用。
選取抗ESD能力較差的產(chǎn)品,對(duì)比加裝TVS管的治具與治具結(jié)構(gòu)及程序進(jìn)行優(yōu)化,程序方面:通過(guò)在執(zhí)行Signal_Off前調(diào)用Discharge函數(shù)實(shí)現(xiàn)在下電時(shí)將所有Gate全部保持打開(kāi),確保放電更徹底;治具方面:(1)增加Source&VCOM短接模塊,在下電時(shí)將Source & VCOM通過(guò)治具設(shè)計(jì)Discharge Switch實(shí)現(xiàn)接地放電;(2)并聯(lián)雙向TVS管,在每個(gè)信號(hào)輸出通道與GND之間并聯(lián)一個(gè)雙向TVS管,當(dāng)雜波超過(guò)TVS管的擊穿電壓時(shí),TVS迅速導(dǎo)通,使電流經(jīng)TVS流到GND,避免大電流流經(jīng)液晶盒擊穿TFT管子。通過(guò)驗(yàn)證,以上優(yōu)化措施可對(duì)液晶盒點(diǎn)燈檢測(cè)過(guò)程中起到防護(hù)作用。