碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表,具有禁帶寬、臨界擊穿電場高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)異的物理性質(zhì),是制造高功率、高溫半導(dǎo)體器件的理想半導(dǎo)體材料,也是現(xiàn)階段從單晶襯底、外延、器件和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈條技術(shù)全面發(fā)展的第三代半導(dǎo)體材料。
廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡稱南砂晶圓)成立于2018年,位于廣州市南沙區(qū),是聚焦碳化硅產(chǎn)業(yè)上游,專注碳化硅單晶襯底材料的高技術(shù)企業(yè),是山東大學(xué)教育部新一代半導(dǎo)體材料研究院的產(chǎn)業(yè)化基地。其碳化硅單晶制備技術(shù)來源于山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室。南砂晶圓以山東大學(xué)研發(fā)的6英寸碳化硅單晶制備技術(shù)成果為基礎(chǔ),并同山東大學(xué)開展全方位產(chǎn)學(xué)研深度合作,共同研發(fā)和生產(chǎn)碳化硅襯底材料,堅持創(chuàng)新發(fā)展,不忘初心,樹立“聚沙成晶、科技報國”的愿景。
南砂晶圓已經(jīng)建成1.3萬平方米研發(fā)廠房,擁有晶體生長爐和完整的相關(guān)襯底加工線,產(chǎn)品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主,現(xiàn)年產(chǎn)各類碳化硅襯底晶片6萬片。2020年二期擴產(chǎn)項目已經(jīng)動工,總投資9億元,總建筑面積達64 746 m2,擴產(chǎn)后規(guī)模達1 000臺碳化硅晶體生長爐及相應(yīng)襯底加工設(shè)備,成為國際領(lǐng)先的碳化硅晶體材料及相關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)商。
南砂晶圓的6英寸碳化硅單晶襯底及單晶生長爐
南砂晶圓公司管理和技術(shù)團隊實力雄厚,由教授、博士、碩士等研發(fā)與管理人員組成。南砂晶圓董事長王垚浩博士是教授級高級工程師,長期任佛山市國星光電股份有限公司(002449.SZ)董事長、總經(jīng)理、黨委書記,有豐富的企業(yè)管理經(jīng)驗,2003—2016年,連續(xù)擔(dān)任科技部半導(dǎo)體照明重大專項和863專項專家組專家。
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