付新
3月5日,首都科技條件平臺——新材料領域中心于線上、線下同時舉辦了“首都科技條件平臺——新材料領域中心百家實驗室進千家企業(yè)專場對接會”活動。
此次活動旨在為充分發(fā)揮首都科技條件平臺科技資源及服務優(yōu)勢,更有效地促進首都科技條件平臺開放科技資源,搭建產(chǎn)學研合作平臺,服務科技型中小微企業(yè)和創(chuàng)業(yè)團隊的技術創(chuàng)新,助力中小微企業(yè)和創(chuàng)業(yè)團隊與大專院校、科研院所的產(chǎn)學研應用合作,提升自主創(chuàng)新能力、從而促進科技成果的轉化。
《中關村》雜志作為會議特別支持單位走進會場,與新材料各個領域的企業(yè)精英、科研技術一線人員共同交流、學習。
會上,來自北京技術交易中心的張瑤老師介紹了首都科技條件平臺整體情況和創(chuàng)新券的相關政策;中國建材集團有限公司研發(fā)實驗服務基地邱巖老師和北京科技大學研發(fā)實驗服務基地惲建濤老師分別就各自研發(fā)試驗基地的資源和服務情況進行了分享介紹。另外,新材料領域中心2021年度新成員單位—北京橡院橡膠輪胎檢測技術服務有限公司的蒼總工分享介紹了橡膠檢測院的服務資源情況。
參會企業(yè)中科芯電半導體科技(北京)有限公司、北京連心醫(yī)療科技有限公司、優(yōu)鎵科技(北京)有限公司、北京鴻鏈科技有限公司和清湖光旭數(shù)據(jù)科技(北京)有限公司等結合自身科技需求與相關實驗室、研究院所、領域中心、基地和工作站的各位臺友進行了分享和溝通交流。
本次對接會中,北京鴻鏈科技有限公司王政經(jīng)理分享了“云聯(lián)智慧物流平臺”項目,主要涉及跨境物流過程中貨物實時狀態(tài)(溫度、濕度、碰撞);感知和貨物軌跡跟蹤的硬件產(chǎn)品解決方案;危品貨物在倉儲、運輸過程中涉及物聯(lián)網(wǎng)硬件產(chǎn)品解決方案及智能閘機、智能地磅等園區(qū)管理中涉及的硬件設備解決方案等。
中科芯電半導體科技(北京)有限公司鄧曉輝副總經(jīng)理分享了“砷化鎵分子束外延”項目,目前一期項目已建設調試完成,現(xiàn)擁有多條美國Veeco公司的GEN2000、GEN200大型生產(chǎn)型分子束外延設備工藝線,建有8000多平方米的配套廠房,其中包括十級、百級超凈半導體以及相關完備的無塵生產(chǎn)車間的配套設施。并通過引進國外大型分子束外延(MBE)量產(chǎn)化設備,實現(xiàn)產(chǎn)品規(guī)?;a(chǎn)。一期預計實現(xiàn)6英寸砷化鎵外延芯片6-8萬片的產(chǎn)業(yè)化目標。砷化鎵外延片是手機及基站等方面射頻芯片、電子產(chǎn)品人臉識別芯片研發(fā)生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)。中科芯電產(chǎn)品包括射頻用化合物半導體 PHEMT、HMT以及光電子用VECSEL等產(chǎn)品。PHEMT、VECSL 等產(chǎn)品的主要指標達到國際一流水平。
優(yōu)鎵科技(北京)有限公司王思農(nóng)項目經(jīng)理分享了“5G通信高效率GaN功放芯片設計”項目,主要應用于5G宏基站中的低成本化高效高功率GaN功放芯片模組產(chǎn)品:這種方案可以用很低成本實現(xiàn)與全集成方案相當?shù)男阅埽艺w尺寸較小,便于封裝,非常適合Sub-6G MM應用場景。應用于5G小基站中的高效GaN功放芯片模組產(chǎn)品:基于GaN工藝,研究新型高效率寬帶基站功放電路理論和結構,引入連續(xù)模式等諧波匹配方法,突破傳統(tǒng)Doherty功放帶寬瓶頸;研究功放偏置電路和交調匹配技術,提升寬帶功放視頻帶寬,探索多載波聚合應用場景下基站功放效率提升方法。北京連心醫(yī)療科技有限公司、清湖光旭數(shù)據(jù)科技(北京)有限公司及北京中芯醫(yī)源科技有限公司先后發(fā)布了公司科技成果及企業(yè)需求。
本次活動立足北京市高精尖產(chǎn)業(yè),統(tǒng)籌區(qū)縣產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向,充分結合順義區(qū)第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地長遠戰(zhàn)略發(fā)展需求,產(chǎn)業(yè)鏈關鍵技術需求,以及在孵企業(yè)實際發(fā)展需求,精準配置資源,廣泛聯(lián)系資源供給方,為企業(yè)發(fā)展提供精準服務。助力“首都科技條件平臺——新材料領域中心”集聚優(yōu)勢資源,完善專業(yè)化服務體系,打造高品質精準服務。此次對接會共發(fā)布企業(yè)需求項目32項,與會成員單位與企業(yè)積極對接,力爭在最短的時間內(nèi)利用平臺科技服務資源優(yōu)勢為企業(yè)解決切實問題。