張 超,李 勇,2,劉正帥,閆 貝,任淑廷,陳振茂,2
(1.西安交通大學(xué)航天航空學(xué)院,西安,710049; 2.陜西省無(wú)損檢測(cè)與結(jié)構(gòu)完整性評(píng)價(jià)工程技術(shù)研究中心,西安,710049)
脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)技術(shù)相比于常見(jiàn)的渦流、超聲、射線和漏磁檢測(cè)等無(wú)損檢測(cè)方法,其獨(dú)特的遠(yuǎn)場(chǎng)效應(yīng)使之具有受提離效應(yīng)影響小、內(nèi)外管檢測(cè)靈敏度相同等優(yōu)點(diǎn),在航空金屬管道無(wú)損檢測(cè)方面具有天然的技術(shù)優(yōu)勢(shì)[1]。在脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用過(guò)程中,探頭適用范圍與其尺寸即探頭長(zhǎng)度緊密相關(guān),因此,脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)探頭的優(yōu)化十分重要[2],需在明晰脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)機(jī)制的基礎(chǔ)上,優(yōu)化探頭結(jié)構(gòu)以縮短探頭尺寸并提高檢測(cè)靈敏度,對(duì)被測(cè)構(gòu)件存在的缺陷實(shí)施精確有效的識(shí)別與定量評(píng)估[3]。目前國(guó)內(nèi)外已有一些對(duì)脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)機(jī)制及探頭優(yōu)化方面的研究。一方面通過(guò)磁屏蔽技術(shù)抑制磁場(chǎng)直接耦合分量的傳播,進(jìn)而增強(qiáng)間接耦合分量,以提高探頭對(duì)缺陷的的響應(yīng)能力;也可設(shè)置多層屏蔽結(jié)構(gòu),以增強(qiáng)探頭對(duì)鐵磁性材料的檢測(cè)能力[4]。另一方面以坡印廷矢量在導(dǎo)體域和空氣域中的分布規(guī)律為基礎(chǔ),分析和解釋多層屏蔽結(jié)構(gòu)的作用原理,可以得出使用高磁導(dǎo)率和高電導(dǎo)率材料作為屏蔽結(jié)構(gòu),同時(shí)在探頭中設(shè)置磁芯的情況下,不僅能夠降低噪聲影響,而且能夠提高檢測(cè)靈敏度的結(jié)論[5-10],但是目前針對(duì)雙層異質(zhì)航空金屬套管遠(yuǎn)場(chǎng)檢測(cè)中的響應(yīng)機(jī)理探究和技術(shù)優(yōu)化尚存不足?;诖耍疚尼槍?duì)不銹鋼-碳鋼雙層航空金屬套管,探究脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)機(jī)制及檢測(cè)探頭的優(yōu)化。
本文所提脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)技術(shù)原理如圖1所示。在對(duì)被測(cè)航空金屬套管進(jìn)行檢測(cè)時(shí),向激勵(lì)線圈中通入一定頻率和占空比的脈沖方波信號(hào),激勵(lì)線圈產(chǎn)生的線圈磁場(chǎng)以直接耦合和間接耦合分量的形式向外傳播。線圈場(chǎng)的直接耦合分量在管內(nèi)沿軸線方向傳播,由于金屬管壁對(duì)磁場(chǎng)的屏蔽作用,導(dǎo)致其以直接耦合方式傳播的磁場(chǎng)大幅衰減,這一范圍內(nèi)為近場(chǎng)區(qū);線圈場(chǎng)的間接耦合分量在激勵(lì)線圈附近穿越管壁傳到套管外部,在空氣中傳播2~3倍管徑的距離后,此處管內(nèi)磁場(chǎng)小于管外磁場(chǎng),以間接耦合方式傳播的磁場(chǎng)分量二次穿越管壁回到管內(nèi)被磁場(chǎng)傳感器拾取到檢測(cè)信號(hào),這一位置起為遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)。以間接耦合方式傳播的線圈場(chǎng),在2次穿越管壁的過(guò)程中均在管壁表面激發(fā)感應(yīng)渦流產(chǎn)生二次磁場(chǎng),抑制原線圈場(chǎng)的變化,因此傳感器所拾取的磁場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)中含有大量管壁厚度等信息,可對(duì)航空金屬套管存在的缺陷進(jìn)行分類識(shí)別以及定量評(píng)估,故采用脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)技術(shù)對(duì)航空金屬套管結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè)。
圖1 脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)原理
在針對(duì)航空金屬套管結(jié)構(gòu)的脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)中,需要明晰激勵(lì)電流加載與加載后的這一時(shí)間周期內(nèi),求解域內(nèi)的磁場(chǎng)分布及變化規(guī)律。本研究中所涉及的區(qū)域分為導(dǎo)體域和空氣域,其各自求解域內(nèi)渦流問(wèn)題的控制微分方程見(jiàn)式(1)~(3)。
導(dǎo)體域:
(1)
(2)
空氣域:
(3)
式中:μ為磁導(dǎo)率;A為矢量磁位,單位Wb/m;σ為電導(dǎo)率,單位S/m;φ為標(biāo)量電位,V;Ф是標(biāo)量電位φ的時(shí)域積分,由離散方程對(duì)稱導(dǎo)入;J0為源電流密度,單位A/m2。
根據(jù)矢量磁位A和標(biāo)量電位φ的公式可得:
B=×A
(4)
(5)
因此可求得任一點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度E、磁感應(yīng)強(qiáng)度B,根據(jù)空間任一點(diǎn)處電磁場(chǎng)的能流密度S公式:
(6)
式中:S為坡印廷矢量,單位W/m2。進(jìn)一步獲得求解域中任一點(diǎn)處的坡印廷矢量S,本文主要提取Sr和Bz進(jìn)行研究。
針對(duì)不銹鋼-碳鋼雙層航空金屬管道的脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)方法,利用快速有限元進(jìn)行建模計(jì)算[11-12],根據(jù)被測(cè)航空金屬套管和檢測(cè)探頭在結(jié)構(gòu)上的空間對(duì)稱性,將模型由三維簡(jiǎn)化為二維以減小計(jì)算量和提高運(yùn)行效率。航空金屬套管的脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)模型如圖2所示,模型各部參數(shù)如表1所列。探頭中線圈匝數(shù)為1 350匝,激勵(lì)電流為頻率33 Hz、占空比33%的方波信號(hào),其周期內(nèi)電流幅值為1 A,激勵(lì)電流信號(hào)如圖3所示。
圖2 脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)模型示意圖
表1 脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)探頭及被測(cè)航空金屬套管參數(shù)
圖3 激勵(lì)電流信號(hào)
電磁屏蔽材料優(yōu)先選擇高導(dǎo)電率與高導(dǎo)磁率的材料[4,6],本文選取銅質(zhì)與鐵質(zhì)材料分別進(jìn)行研究。為明晰屏蔽材料對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)范圍的影響,在仿真中設(shè)置2組模型,第1組為不同材料的單層屏蔽模型,第2組為不同排列方式的雙層組合屏蔽模型,將2組模型的屏蔽效果與無(wú)磁芯無(wú)屏蔽(no magnetic core and no shield,NMC&NS)模型和有磁芯無(wú)屏蔽(magnetic core and no shield,MC&NS)模型的屏蔽效果作對(duì)比,以探究屏蔽結(jié)構(gòu)是否有利于遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的提前,同時(shí)為脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)探頭的結(jié)構(gòu)優(yōu)化提供理論支撐。
提取各組模型中求解域內(nèi)的坡印廷矢量,獲取其在內(nèi)管內(nèi)壁(r=15 mm)上的坡印廷矢量r分量過(guò)零點(diǎn)(zero crossing point,ZCP)位置,該位置即為遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)開(kāi)始位置,由此位置對(duì)比可知各組屏蔽結(jié)構(gòu)對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的影響。圖4為無(wú)磁芯無(wú)屏蔽時(shí)求解域內(nèi)的坡印廷矢量r分量分布圖,由圖4可知,坡印廷矢量r分量在線圈附近穿出管壁,在管外傳播一段距離后再次穿越管壁回到管內(nèi),該現(xiàn)象與遠(yuǎn)場(chǎng)效應(yīng)一致,即磁場(chǎng)穿出管壁后二次穿透管壁回到管內(nèi)。圖5為無(wú)磁芯無(wú)屏蔽模型中坡印廷矢量r分量過(guò)零點(diǎn)截面上沿徑向的坡印廷矢量r分量值,由圖5可知該截面上功率流r分量在管內(nèi)為正,管外為負(fù),再次表明管壁上該點(diǎn)即為坡印廷矢量r分量過(guò)零點(diǎn),即磁場(chǎng)的二次穿透位置,可用于表示遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)開(kāi)始位置。
圖4 無(wú)磁芯無(wú)屏蔽模型坡印廷矢量r分量分布
從各組模型計(jì)算結(jié)果中提取相對(duì)應(yīng)坡印廷矢量r分量過(guò)零點(diǎn)處的磁通密度Z分量進(jìn)行比對(duì),其不同屏蔽類型過(guò)零點(diǎn)處磁通密度Z分量曲線如圖6所示。由圖6可知,無(wú)磁芯無(wú)屏蔽模型的磁通密度Z分量整體數(shù)值遠(yuǎn)小于其他類別,在此基礎(chǔ)上設(shè)置單層與雙層屏蔽片,由圖6可知,屏蔽結(jié)構(gòu)由一層增加為雙層,最終為銅和鐵均2.5 mm且鐵質(zhì)屏蔽片靠近線圈(Cu 2.5 mm & Fe 2.5 mm)時(shí),在以上模型中有最大的磁通密度Z分量,表明屏蔽裝置起到抑制磁場(chǎng)直接耦合分量作用的同時(shí),通過(guò)聚磁作用增強(qiáng)了遠(yuǎn)場(chǎng)磁場(chǎng)強(qiáng)度,證明所提屏蔽裝置對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)磁場(chǎng)強(qiáng)度增強(qiáng)的有效性。
圖6 不同屏蔽類型過(guò)零點(diǎn)處磁通密度Z分量
各屏蔽結(jié)構(gòu)模型中內(nèi)管內(nèi)壁上過(guò)零點(diǎn)位置與磁通量密度Z分量如圖7所示,相比于無(wú)磁芯無(wú)屏蔽模型,同一模型在添加磁芯以后其坡印廷矢量r分量在內(nèi)管內(nèi)壁上的過(guò)零點(diǎn)位置由89.85 mm縮短到80.30 mm,表明探頭可縮短10.6%,對(duì)應(yīng)磁通密度Z分量從7.6×10-6T提升到7.3×10-5T,得到大幅提升,分析其原因在于磁芯起聚磁作用,收攏了整體分散的磁場(chǎng),使得遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)管外的磁場(chǎng)得到增強(qiáng),進(jìn)而遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)管外磁場(chǎng)大于管內(nèi)磁場(chǎng)的位置提前,即磁場(chǎng)二次穿透位置提前。
圖7 各模型中過(guò)零點(diǎn)位置與磁通密度Z分量
在添加磁芯的基礎(chǔ)上設(shè)置屏蔽結(jié)構(gòu),第一組帶屏蔽結(jié)構(gòu)的模型為單層銅片和單層鐵片模型,相比于無(wú)磁芯無(wú)屏蔽模型,兩種材料屏蔽片模型所對(duì)應(yīng)坡印廷矢量r分量在內(nèi)管內(nèi)壁上的過(guò)零點(diǎn)位置均得到提前,在單層屏蔽片下遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的提前效果中銅片(74.27 mm)的作用大于鐵片(77.54 mm),此為銅質(zhì)屏蔽材料的高電導(dǎo)率特性所起抑制磁場(chǎng)直接耦合分量的屏蔽作用;但觀察磁通密度Z分量的變化時(shí)可知,設(shè)置鐵質(zhì)屏蔽時(shí)的磁通密度Z分量大于設(shè)置銅質(zhì)屏蔽時(shí)的磁通密度Z分量,其原因在于鐵材料的磁導(dǎo)率遠(yuǎn)大于銅材料,鐵質(zhì)屏蔽結(jié)構(gòu)在此處起聚磁作用,增強(qiáng)遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)管外的磁場(chǎng)強(qiáng)度使得二次穿透位置提前,此為高磁導(dǎo)率材料所起的聚磁作用。第二組模型設(shè)置了組合銅和鐵質(zhì)材料的屏蔽模型,不同之處在于兩種材料相對(duì)于線圈的位置,由圖7可知,對(duì)比銅質(zhì)和鐵質(zhì)材料不同位置下的二次穿透位置與磁通密度Z分量,鐵質(zhì)材料更靠近線圈時(shí)有更小的二次穿透位置和遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁場(chǎng)強(qiáng)度,原因在于鐵越靠近線圈時(shí)其聚磁作用越強(qiáng),對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁場(chǎng)的增強(qiáng)作用越大,同時(shí)考慮到銅對(duì)原磁場(chǎng)直接耦合分量的抑制作用,共同使得該模型中有更近的二次穿透位置和更大的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁通密度Z分量。
由圖7可知,雙層屏蔽中鐵質(zhì)材料靠近線圈的組合有更近的二次穿透位置和更大的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁場(chǎng)強(qiáng)度,故在實(shí)際探頭設(shè)置中需考慮將高電導(dǎo)率與高磁導(dǎo)率材料組合使用,以獲得最佳的屏蔽效果,以此為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)了帶有雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的探頭,在快速有限元仿真中對(duì)被測(cè)航空金屬套管進(jìn)行檢測(cè),以探究設(shè)置屏蔽結(jié)構(gòu)是否提高探頭檢測(cè)靈敏度。在被測(cè)航空金屬套管的外管外壁設(shè)置了深度0.5、1.0、1.5、2.0 mm(12.5%、25.0%、37.5%、50.0%)的全周外壁減薄腐蝕缺陷,該金屬套管結(jié)構(gòu)中不銹鋼內(nèi)管的內(nèi)徑30 mm、外徑38 mm、壁厚為4 mm,其碳鋼外管的內(nèi)徑40 mm、外徑48 mm、壁厚為4 mm。在該模型對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)二次穿透位置處取磁通密度Z分量為檢測(cè)信號(hào),保證激勵(lì)信號(hào)不變的條件下,以外管和內(nèi)管壁厚均為4 mm即未發(fā)生腐蝕減薄時(shí)的金屬套管作為標(biāo)準(zhǔn)試件,其檢測(cè)信號(hào)為參考信號(hào)。
將不同深度缺陷下對(duì)應(yīng)檢測(cè)信號(hào)與參考信號(hào)作差分處理,提取差分信號(hào)峰值,與減薄量d關(guān)聯(lián)后作圖,差分信號(hào)峰值與減薄量關(guān)聯(lián)規(guī)律如圖8所示。
圖8 差分信號(hào)峰值與減薄量關(guān)聯(lián)規(guī)律
由圖8可知,具有雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的探頭對(duì)不同深度缺陷的響應(yīng)均大于無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí)的探頭,且具有雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的探頭對(duì)應(yīng)關(guān)聯(lián)曲線的斜率大于無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)的探頭,此斜率為探頭檢測(cè)靈敏度,表明設(shè)置雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的探頭對(duì)全周外壁減薄腐蝕缺陷的檢測(cè)靈敏度優(yōu)于無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)探頭。
圖9所示為搭建的脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)實(shí)驗(yàn)平臺(tái),包括信號(hào)發(fā)生器、功率放大器、帶有磁芯和雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)專用探頭、濾波放大器、數(shù)據(jù)采集卡和計(jì)算機(jī)組成整體的檢測(cè)系統(tǒng)。圖10所示為脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)專用探頭結(jié)構(gòu)示意圖,由探頭骨架、激勵(lì)線圈、鐵芯、組合屏蔽裝置和磁場(chǎng)傳感器組成,探頭中磁場(chǎng)傳感器位置可調(diào),可根據(jù)不同屏蔽結(jié)構(gòu)下的二次穿透位置進(jìn)行適當(dāng)位置調(diào)整。檢測(cè)時(shí)將探頭居中放置于被測(cè)航空金屬套管中,激勵(lì)線圈通入預(yù)設(shè)的方波信號(hào),磁場(chǎng)傳感器拾取到檢測(cè)信號(hào)后經(jīng)過(guò)濾波放大輸入到計(jì)算機(jī)中成像。
圖9 脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
圖10 脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)專用探頭結(jié)構(gòu)示意
實(shí)驗(yàn)時(shí),首先使用有磁芯有屏蔽結(jié)構(gòu)(MC&S)且尺寸參數(shù)與仿真一致的脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)探頭,屏蔽結(jié)構(gòu)為仿真最優(yōu)屏蔽結(jié)構(gòu)即銅和鐵均2.5 mm且鐵質(zhì)屏蔽片靠近線圈(Cu 2.5 mm & Fe 2.5 mm),對(duì)航空金屬套管的外管外壁全周減薄腐蝕缺陷進(jìn)行檢測(cè)。被測(cè)金屬套管中不銹鋼內(nèi)管內(nèi)徑30 mm、外徑38 mm、壁厚為4 mm,其碳鋼外管內(nèi)徑40 mm、外徑50 mm、壁厚為5 mm。在其外管外壁上設(shè)置深度0.5、1.0、1.5、2.0、2.5 mm的全周外壁減薄腐蝕缺陷,獲取無(wú)缺陷與不同深度缺陷下的遠(yuǎn)場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)。其次將探頭中屏蔽裝置去除,對(duì)上述同樣的全周外壁減薄腐蝕缺陷進(jìn)行檢測(cè),獲取無(wú)屏蔽裝置下的遠(yuǎn)場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)。在兩組遠(yuǎn)場(chǎng)脈沖渦流檢測(cè)中,保證激勵(lì)信號(hào)不變,以外管壁厚5 mm、內(nèi)管壁厚4 mm即未發(fā)生腐蝕減薄時(shí)的金屬套管作為標(biāo)準(zhǔn)試件,其檢測(cè)信號(hào)為參考信號(hào)(REF)。
作有無(wú)屏蔽裝置時(shí)的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)檢測(cè)信號(hào)如圖11所示,由圖11可知,在外管外壁的不同減薄量缺陷檢測(cè)信號(hào)中,有屏蔽結(jié)構(gòu)探頭的檢測(cè)信號(hào)幅值均高于無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)探頭對(duì)應(yīng)檢測(cè)信號(hào),表明設(shè)置屏蔽結(jié)構(gòu)有利于提高遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁場(chǎng)強(qiáng)度。
圖11 有無(wú)屏蔽裝置時(shí)的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)檢測(cè)信號(hào)
為明晰不同深度缺陷對(duì)檢測(cè)信號(hào)的影響程度,將各檢測(cè)信號(hào)作差分處理,獲得有無(wú)屏蔽裝置時(shí)的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)檢測(cè)差分信號(hào)如圖12所示。
圖12 有無(wú)屏蔽裝置時(shí)的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)檢測(cè)差分信號(hào)
由圖12可知,不同探頭檢測(cè)信號(hào)中相同深度缺陷對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)的影響中,有屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí)的信號(hào)響應(yīng)幅度均大于無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí),表明屏蔽結(jié)構(gòu)的設(shè)置,能夠提高探頭對(duì)缺陷的響應(yīng)能力。即雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的使用,有利于對(duì)線圈磁場(chǎng)以直接耦合方式傳播分量的抑制,同時(shí)能夠通過(guò)聚磁效應(yīng)提高遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁場(chǎng)強(qiáng)度,進(jìn)而將磁場(chǎng)二次穿透位置提前且增強(qiáng)遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁場(chǎng)強(qiáng)度。
由于遠(yuǎn)場(chǎng)檢測(cè)中磁場(chǎng)二次穿透管壁的特性,使得遠(yuǎn)場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)中含有豐富的管壁厚度信息,故僅需提取遠(yuǎn)場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)峰值,將該峰值與航空金屬套管外管外壁全周減薄量關(guān)聯(lián)以探究檢測(cè)效果。有無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí)檢測(cè)信號(hào)峰值與減薄量關(guān)聯(lián)規(guī)律如圖13所示,由圖13可知,在探頭設(shè)置屏蔽結(jié)構(gòu)以后,相同深度的減薄量對(duì)應(yīng)有更大的檢測(cè)信號(hào)峰值,更有利于提高缺陷的檢出率。
圖13 有無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí)檢測(cè)信號(hào)峰值與減薄量關(guān)聯(lián)規(guī)律
綜合考慮有無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí)對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)磁場(chǎng)強(qiáng)度和探頭對(duì)缺陷響應(yīng)能力的影響,可知本文所提雙層屏蔽結(jié)構(gòu)相比于其他結(jié)構(gòu),有最優(yōu)的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁通密度Z分量,且該情況下探頭中遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁場(chǎng)傳感器放置位置最靠近線圈,即探頭長(zhǎng)度最短。表明使用本文雙層屏蔽結(jié)構(gòu)可獲得幅值更大的檢測(cè)信號(hào)以及對(duì)缺陷更強(qiáng)的響應(yīng)能力,確保無(wú)損檢測(cè)順利進(jìn)行。
本文圍繞不銹鋼-碳鋼雙層航空金屬套管的無(wú)損定量檢測(cè),以探究脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)的機(jī)制及檢測(cè)探頭的優(yōu)化。通過(guò)快速有限元仿真研究,明晰坡印廷矢量在求解域中的分布規(guī)律,并通過(guò)坡印廷矢量r分量過(guò)零點(diǎn)識(shí)別遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)開(kāi)始位置,探究電磁屏蔽結(jié)構(gòu)在檢測(cè)中的有效性。通過(guò)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)對(duì)航空金屬套管腐蝕減薄缺陷檢測(cè)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,以對(duì)屏蔽結(jié)構(gòu)能力進(jìn)行進(jìn)一步驗(yàn)證,獲取有無(wú)屏蔽結(jié)構(gòu)下的檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果表明,屏蔽結(jié)構(gòu)的使用有利于提高探頭對(duì)缺陷的響應(yīng)能力,同時(shí)提高遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)磁場(chǎng)強(qiáng)度,并縮短探頭尺寸。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)論一致,表明所提航空金屬套管脈沖遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)識(shí)別方法的有效性,以及基于電磁屏蔽的探頭結(jié)構(gòu)優(yōu)化手段的可行性。
空軍工程大學(xué)學(xué)報(bào)2021年1期