SUPERFET? V MOSFET系列器件安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的600 V SUPERFET?V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600 V SUPERFET?系列下的3個(gè)產(chǎn)品組——FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在各種不同應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。

600 V SUPERFET?V系列提供出色的開關(guān)特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對(duì)服務(wù)器和電信系統(tǒng)是個(gè)顯著的好處。此外，強(qiáng)固的體二極管和較高的VGSS（DC±30 V）增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。

FAST版本在硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（如高端PFC）中提供極高能效，并經(jīng)過(guò)優(yōu)化以提供更低的門極電荷（Qg）和EOSS損耗，實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。該版本的最初器件包括NTNL041N60S5H（41 mΩ RDS(on)）和NTHL185N60S5H（185 mΩ RDS(on)），都采用TO-247封 裝。NTP185N60S5H則 采 用TO-220封 裝，NTMT185N60S5H采 用8.0 mm×8.0 mm×1.0 mm的Power 88封裝，保證達(dá)到濕度敏感等級(jí)MSL 1，并具有開爾文源架構(gòu)，以改善門極噪聲和開關(guān)損耗。

Easy Drive版本適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包含一個(gè)內(nèi)置門極電阻（Rg）及經(jīng)優(yōu)化的內(nèi)置電容。它們適用于許多應(yīng)用中的一般用途，包括PFC和LLC。在這些器件中，門極和源極之間的內(nèi)置齊納二極管的RDS(on)超過(guò)120 mΩ，對(duì)門極氧化物的應(yīng)力更小，ESD耐用性更高，從而提高封裝產(chǎn)量，降低不良率。目前供應(yīng)的兩款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)為99 mΩ和120 mΩ，均采用TO-247封裝。

快速恢復(fù)（FRFET?）版本適用于軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如移相全橋（PSFB）和LLC。它們的優(yōu)勢(shì)是快速體二極管，并提供降低的Qrr和Trr。強(qiáng)固的二極管耐用性確保更高的系統(tǒng)可靠性。內(nèi)置齊納二極管的NTP125N60S5FZ的RDS(on)為125 mΩ，采用TO-220封裝，而NTMT061N60S5F的RDS(on)為61 mΩ，采用Power 88封裝。損耗最低的器件是NTHL019N60S5F，RDS(on)僅19 mΩ，采用TO-247封裝。