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      磁-腔量子電動力學(xué)系統(tǒng)中壓縮驅(qū)動導(dǎo)致的兩體與三體糾纏*

      2020-12-05 07:34:34周英謝雙媛許靜平
      物理學(xué)報(bào) 2020年22期
      關(guān)鍵詞:三體光子小球

      周英 謝雙媛 許靜平

      1) (同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院, 先進(jìn)微結(jié)構(gòu)材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 上海 200092)

      2) (臺州學(xué)院電子與信息工程學(xué)院, 臺州 318000)

      本文提出了一種通過壓縮驅(qū)動放置一個YIG 小球的腔量子電動力學(xué)(QED)系統(tǒng)產(chǎn)生兩體和三體糾纏的理論方案. 微波腔場與鐵磁共振(FMR)模和靜磁(MS)模的強(qiáng)耦合導(dǎo)致腔內(nèi)光子、FMR 模和MS 模之間互相產(chǎn)生糾纏. 穩(wěn)態(tài)情況下, 腔內(nèi)光子、FMR 模和MS 模之間可以產(chǎn)生三體糾纏, 其三體糾纏的最小剩余共生糾纏度隨非線性增益的增加而增大. 進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn), 該三體糾纏與MS 模式的耗散系數(shù)有關(guān), 最小剩余共生糾纏隨MS 模耗散系數(shù)的減小而增大. 同時還發(fā)現(xiàn), 壓縮驅(qū)動導(dǎo)致的三體糾纏對溫度不敏感, 具有很好的魯棒性. 結(jié)果表明磁-腔QED 系統(tǒng)是研究宏觀量子現(xiàn)象的一個強(qiáng)有力平臺.

      1 引 言

      強(qiáng)耦合與超強(qiáng)耦合是腔量子電動力學(xué)(cavity quantum electrodynamics, 腔QED)的研究熱點(diǎn),其可以在單粒子水平上研究光與粒子之間的相互作用[1], 在量子信息科學(xué)、量子計(jì)量等方面具有廣闊的應(yīng)用前景[2-4]. 基于強(qiáng)耦合與超強(qiáng)耦合的腔QED 系統(tǒng), 人們可以產(chǎn)生非經(jīng)典光源[5,6]、超靈敏探測和控制[7]、超輻射現(xiàn)象[8,9]以及光子阻塞效應(yīng)[10-12]等. 近年來, 釔鐵石榴石(yttrium iron garnets, YIG)材料因出色的亞鐵磁性質(zhì)而備受關(guān)注.YIG 材料的居里溫度為559 K, 因此, 其在低溫[13-15]和室溫[16]下皆呈現(xiàn)出鐵磁性. 同時, YIG 材料不僅具有較高的自旋密度(約為2.1 × 1022cm—3), 而且自旋之間存在較強(qiáng)的交換相互作用, 這使得集體自旋激發(fā)具有較低的耗散率(約為1 MHz). 已有研究表明, YIG 小球中波矢為零的Kittel 模[17]可與微波腔光子實(shí)現(xiàn)強(qiáng)耦合[13-16,18,19]和超強(qiáng)耦合[20,21], 從而導(dǎo)致腔磁極化子. 由于腔內(nèi)光子與YIG小球之間的強(qiáng)耦合使不同載體之間的信息傳遞成為可能, 故而促發(fā)了一系列有趣的研究, 例如: 雙穩(wěn)態(tài)[22]、腔自旋電子學(xué)[18,23]、磁暗態(tài)模[24]、以及磁誘導(dǎo)透明[25]等. 同時, 可磁控的慢光[26]以及Kittel模與單個超導(dǎo)比特(qubit)之間的耦合[27]也正在深入研究.

      有關(guān)YIG 材料糾纏的研究是近幾年一個重要的研究方向. Li 等[28]在放置一個YIG 小球的諧振腔磁力機(jī)械系統(tǒng)中, 由磁場直接驅(qū)動YIG 小球, 腔內(nèi)光子和磁子通過磁偶極相互作用耦合, 磁子和聲子則是通過磁致伸縮相互作用耦合. 在穩(wěn)態(tài)情況下, 該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了腔內(nèi)光子、磁子和聲子的三體糾纏. 同時, 他們還發(fā)現(xiàn), 在腔中放置兩個YIG 小球時, 也可利用YIG 小球內(nèi)磁子和聲子之間磁致伸縮提供的非線性作用, 實(shí)現(xiàn)兩個YIG 小球內(nèi)磁子間的糾纏[29]. 之后, Zhang 等[30]提出, 磁晶各向異性產(chǎn)生的Kerr 非線性作用可以替代YIG 小球因磁致伸縮而產(chǎn)生的非線性效應(yīng). 當(dāng)采用藍(lán)失諧的微波場驅(qū)動磁-腔QED 系統(tǒng)時, 可以實(shí)現(xiàn)兩個相同YIG 小球內(nèi)磁子間的糾纏. Nair 和Agarwal[31]則提出, 即使磁-腔QED 系統(tǒng)沒有任何非線性, 采用壓縮真空場[32,33]注入的方式, 同樣可以產(chǎn)生非線性效應(yīng), 使兩個相同的YIG 小球內(nèi)磁子之間產(chǎn)生很大的糾纏.

      本文考慮放置一個YIG 小球的磁-腔QED 系統(tǒng), 以腔內(nèi)光子、鐵磁共振(ferromagnetic resonance, FMR)模和靜磁(magnetostatic, MS)模作為研究對象, 采用泵浦光注入系統(tǒng), 利用參量下轉(zhuǎn)換使系統(tǒng)產(chǎn)生非線性, 從而使腔模壓縮, 探討產(chǎn)生糾纏的理論方案. 在該方案中, YIG 小球的集體自旋激發(fā)(FMR 模), 及其頻率附近的MS 模[19,34]同時與腔內(nèi)光子產(chǎn)生強(qiáng)耦合. 通過光參量放大過程壓縮驅(qū)動腔模, 使腔內(nèi)光子、FMR 模和MS 模之間互相產(chǎn)生糾纏. 在一定的參數(shù)范圍內(nèi), 它們還可以產(chǎn)生三體糾纏. 進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn), 糾纏的強(qiáng)弱與光參量放大的非線性增益系數(shù)和MS 模的耗散系數(shù)有關(guān), 同時, 壓縮驅(qū)動導(dǎo)致三體糾纏對溫度不敏感,具有很好的魯棒性.

      2 理論模型

      本文采用文獻(xiàn)[19]的微波腔. 在微波腔中產(chǎn)生TE102模式, 為了使YIG 小球與微波腔場之間產(chǎn)生強(qiáng)耦合, 將YIG 小球放置在矩形微波腔短邊(y方向)的中心處(如圖1(a)所示). 這是因?yàn)門E102模式在這個位置具有較強(qiáng)的微波磁場, 且與微波腔短邊平行. 同時, 外加一個x方向的靜磁場, 則該靜磁場與YIG 小球處的微波磁場垂直. 調(diào)節(jié)靜磁場可使YIG 小球中的磁子與微波腔的TE102模式共振. YIG 小球內(nèi)大量自旋的集體運(yùn)動表現(xiàn)為鐵磁共振模(FMR 模), 在FMR 模共振頻率附近還存在另一種集體自旋激發(fā)的模式, 即為靜磁模(MS模)[19]. FMR 模和MS 模都是集體自旋激發(fā)的長波模式, 其中FMR 模是均勻磁化的Kittel 模[13-16],而MS 模則是非均勻磁化模, 其磁化情況與樣本尺寸有關(guān).

      根據(jù)腔量子電動力學(xué)理論, 該系統(tǒng)的哈密頓量可寫為

      圖1 (a) 磁-腔QED 系統(tǒng)示意圖. YIG 小球位于腔中短邊中心處, 該處微波腔的TE102 模式的磁場沿y 軸方向, 靜磁場沿x 軸方向; (b) 利用Comsol 模擬微波腔TE102 的網(wǎng)格劃分示意圖; (c) 微波腔TE102 模式的磁場方向和磁場強(qiáng)度Fig. 1. (a) Schematic diagram of a magnetic-cavity QED system. A YIG sphere is located at the center of one short edge in the cavity, where magnetic field of microwave cavity mode TE102 is along y-axis direction, and static magnetic field is along x-axis direction; (b) schematic diagram of grid of microwave cavity mode TE102 by Comsol simulation; (c) magnetic field direction and magnetic field intensity of the microwave cavity mode TE102.

      這里ωc表示腔模的頻率,a(a?) 表示腔模中微波光子的湮滅(產(chǎn)生)算符,g為朗德g因子,μB為玻爾磁子,和B(MS)分別表示YIG 小球所處位置FMR 模和MS 模的有效磁場. FMR 模的集體自旋算符, MS模的集體自旋算符其中為FMR 模和MS 模的升降算符. 利用Holstein-Primakoff 變換[35]可以將磁子的集體自旋算符用磁子湮滅(產(chǎn)生)算符表示, 即

      其中為FMR(MS)模的總自旋數(shù),為FMR 模的湮滅(產(chǎn)生)算符,為MS 模的湮滅(產(chǎn)生)算符. 對于低激發(fā)情況,可以得到以 及令分別表示FMR 和MS模的角頻率表示腔內(nèi)光子與FMR(MS)模的耦合強(qiáng)度. 利用旋波近似, 哈密頓量(1)式可以寫成

      考慮一束角頻率為ω0、拉比頻率為εp的微波場沿x方向入射. 另一束角頻率為 2ω0的泵浦場沿y方向驅(qū)動一塊二階非線性晶體, 利用二階非線性過程產(chǎn)生壓縮的腔模, 其光參量放大的非線性增益系數(shù)為Ω. 此時, 系統(tǒng)的總哈密頓量可寫成

      這里腔模中的光子、FMR 模和MS 模的湮滅(產(chǎn) 生)算符滿 足對微波場頻率ω0作旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)變換, 系統(tǒng)的哈密頓量可簡化為

      其中,Δc=ωc?ω0為腔模的失諧量,Δm1=ωm1?ω0為FMR 模的失諧量,Δm2=ωm2?ω0為MS 模的失諧量.

      根據(jù)量子朗之萬方法, 可以得到一組算符的耦合方程組:

      這里κa, κ1和κ2分別為微波腔、FMR 模和MS模的損耗,則表示輸入的熱噪聲,其平均值為零, 并且具有如下關(guān)系[36]:

      線性化方程組(5)式—(7)式, 即將算符寫成O=〈O〉+δO(O=a,m1,m2), 可以得到算符期望值的方程組:

      下標(biāo)Re 表示實(shí)部, Im 表示虛部. 通過求解上述方程組, 可以得到穩(wěn)態(tài)期望值如下:

      采用22 mK 時的實(shí)驗(yàn)參數(shù)[19],=10.306 GHz,κa/2π=2.4 MHz,κ1/2π=1.3 MHz ,κ2/2π=3.3 MHz,g1/2π=7.5 MHz ,g2/2π=8.3 MHz ,ωm1/2π=10.306 GHz,ωm2/2π=10.265 GHz . 其中表明腔內(nèi)光子 與FMR模和MS 模之間的耦合為強(qiáng)耦合. 對磁-腔QED 系統(tǒng)注入一束拉比頻率εp=γ(γ/2π= 1.0 MHz) 的微波光場和另一束非線性增益Ω=1.5γ的泵浦光, 系統(tǒng)的平均光子數(shù)、FMR 模的平均磁子數(shù)和MS 模的平均磁子數(shù)如圖2 所示. 顯然, 在Δc≈0 ,Δm1≈20γ附近, 微波腔內(nèi)平均光子數(shù)、FMR 模和MS 模的平均磁子數(shù)出現(xiàn)極大值, 其物理原因可以通過分析(14)式的極值點(diǎn)獲得. 取P=0 且忽略所有耗散項(xiàng), 可以得到(14)式的極值點(diǎn)位于Δc=0 , 且當(dāng)g1=g2,Δm1=?Δm2, 即Δm1≈(ωm1?ωm2)/2≈20γ時, 驅(qū)動場與磁-腔QED 系統(tǒng)的耦合最強(qiáng), 從而可以觀察到較多的光子數(shù)和磁子數(shù).

      3 磁-腔QED 系統(tǒng)中的兩體糾纏

      這里研究該系統(tǒng)中的兩體糾纏. 忽略二階漲落項(xiàng), 腔內(nèi)光子和兩個磁模的正交漲落項(xiàng)可由下式給出:因此, 描述系統(tǒng)正交漲落項(xiàng)的線性朗之萬方程(δX,δY,δx1,δy1,δx2,δy2)可以寫成:

      圖2 (a) 平均光子數(shù)、(b) FMR 模的平均磁子數(shù)和 (c) MS模的平均磁子數(shù)隨失諧量 Δ m1 和 Δ c 的變化關(guān)系, 其中γ/2π=1.0 MHz . 取 ε p =γ , Ω =1.5γ , 其他參數(shù)已在正文中給出Fig. 2. (a) Average photon number, (b) FMR mode average magnon number, and (c) MS mode average magnon number versus detunings Δ m1 and Δ c , where, γ/2π=1.0 MHz . We take ε p =γ , Ω =1.5γ . Other parameters are given in the text.

      以高斯噪聲為例, 系統(tǒng)量子漲落的穩(wěn)態(tài)是連續(xù)變量的三模高斯態(tài), 可以用6 × 6 的協(xié)方差矩陣V來描述, 定義為Vij=〈fi(t)fj(t′)+fj(t′)fi(t)〉/2(i,j=1,2,··· ,6).

      一般地, 協(xié)方差矩陣V滿足Lyapunov 方程[37,38],即

      對于兩體糾纏, 負(fù)值度EN[39,40]定義為

      這里,為協(xié)方差矩陣的最小辛矩陣特征值,是辛矩陣,其中,P1|2=diag(1,?1,1,1) ,V4是三體系統(tǒng)中任意兩體子系統(tǒng)的協(xié)方差矩陣.EN >0表示系統(tǒng)存在兩體糾纏.

      利用(20)式計(jì)算了腔內(nèi)光子-FMR 模, 腔內(nèi)光子-MS 模和FMR 模-MS 模之間的兩體糾纏, 分別用Eam1,Eam2和Em1m2表示. 圖3(a)—圖3(c)分別表示Eam1,Eam2和Em1m2隨失諧量Δm1和Δc的變化關(guān)系, 系統(tǒng)參數(shù)與圖2 一致. 顯然, 腔內(nèi)光子、FRM 模和MS 模之間均產(chǎn)生兩兩糾纏(Eij始終大于零,i,j=a,m1,m2). 比較圖3(a)和圖3(b)可知,Eam1與Eam2幾乎關(guān)于點(diǎn)(Δc≈0,Δm1≈20γ)對稱. 當(dāng)驅(qū)動光和FMR 模共振, 和MS 模非共振時(即Δm1=0 ), 光子和FMR 模的糾纏最大. 當(dāng)驅(qū)動光和MS 模共振, 和FMR 模非共振時(即Δm1≈40γ), 光子和MS 模的糾纏最大. 同時,Eam1的最大值略大于Eam2的最大值, 這是因?yàn)镕MR 模的耗散系數(shù)略小于MS 模的耗散系數(shù). 如圖3(c)所示, 在Δc≈0,Δm1≈20γ附近, FMR 模-MS 模糾纏的負(fù)值度Em1m2出現(xiàn)極大值, 這是因?yàn)榇藭rΔm1≈(ωm1?ωm2)/2≈20γ, FMR 模與MS 模具有相同的激發(fā)強(qiáng)度, 非線性效應(yīng)最強(qiáng), 從而導(dǎo)致該處負(fù)值度較大.

      除了失諧量, 非線性增益系數(shù)也影響兩體糾纏. 取Δm1=23γ,Δc=?2.5γ, 腔內(nèi)光子、FMR模和MS 模之間的兩體糾纏如圖3(d)所示, 其中橫坐標(biāo)為非線性增益系數(shù)Ω. 當(dāng)Ω=0 時(即只有線性驅(qū)動光), 腔內(nèi)光子、FMR 模和MS 模之間的兩體糾纏度皆為零, 表明在沒有非線性效應(yīng)時, 系統(tǒng)不會產(chǎn)生兩體糾纏. 利用參量下轉(zhuǎn)換提供的非線性壓縮驅(qū)動腔模產(chǎn)生糾纏, 這與利用壓縮真空場[31]和磁晶各向異性的Kerr 材料[30]中的非線性產(chǎn)生糾纏的做法類似. 如圖3(d)所示, 兩體糾纏的負(fù)值度Eij隨非線性增益系數(shù)Ω的增加而增大.

      4 磁-腔QED 系統(tǒng)中的三體糾纏

      最后, 考慮該磁-腔QED 系統(tǒng)的三體糾纏. 度量三體糾纏的最小剩余共生糾纏[41,42]滿足:

      圖3 兩體糾纏的負(fù)值度 (a) E am1 , (b) E am2 和(c) E m1m2 隨失諧 量 Δ m1 和 Δ c 的變化關(guān)系. 其中 ε p =γ , Ω =1.5γ . (d)負(fù)值度 E am1 (實(shí)線)、 E am2 (虛線)和 E m1m2 (點(diǎn)劃線)隨非線性增益 Ω 的變化. 其中 ε p =γ , Δ c =?2.5γ , Δ m1 =23γ . 其他參數(shù)與圖2 一致Fig. 3. Density plot of logarithmic negativity related to bipartite entanglement (a) E am1 , (b) E am2 and (c) E m1m2 versus detunings Δm1 and Δ c , where ε p =γ , Ω =1.5γ . (d) Logarithmic negativity E am1 (solid), E am2 (dashed), and E m1m2 (dot-dashed) versus the nonlinear gain coefficient Ω , we take ε p =γ , Δ c =?2.5γ and Δ m1 =23γ . The other parameters are the same as in Fig.2.

      圖4 (a) 不同非線性增益情況下, 三體糾纏的最小剩余共生糾纏 隨失諧量 Δ m1 的變化關(guān)系; (b) 最小剩余共生糾纏隨溫度T 的變化, 其中 ε p =γ , Δ c =?2.5γ . 虛線、實(shí)線、點(diǎn)線和點(diǎn)劃線分別對應(yīng)非線 性相互作用強(qiáng)度 Ω =1.65γ , Ω =1.5γ ,Ω =1.0γ 和 Ω =0.5γ 的情況. 在圖4(b)中, 取 Δ m1 =23γ , 其他參數(shù)與圖2 一致Fig. 4. (a) Tripartite entanglement in terms of the minimum residual contangle versus detuning Δ m1 ; (b) robust against temperature of the minimum residual contangle Where ε p =γ , Δ c =?2.5γ . The dashed line, solid line, dotted line, and dash-dot line indicate nonlinear interaction strength Ω =1.65γ , Ω =1.5γ , Ω =1.0γ , and Ω =0.5γ , respectively. At the same time, we take Δ m1 =23γ for Fig. 4 (b). The other parameters are the same as in Fig. 2.

      取Δc=?2.5γ, 圖4(a)給出了三體糾纏的最小剩余共生糾纏隨失諧量Δm1的變化關(guān)系. 顯然, 當(dāng)Ω=0 時,=0 , 系統(tǒng)不存在三 體糾纏.當(dāng)Ω>0 時,>0 , 非線性效應(yīng)導(dǎo)致系統(tǒng)出現(xiàn)三體糾纏, 且在Δm1≈20γ附近存在極大值,表示具有最強(qiáng)的三體糾纏度. 這是因?yàn)樵撎庲?qū)動場與磁-腔QED 系統(tǒng)的耦合最強(qiáng), 非線性效應(yīng)也最強(qiáng), 從而激發(fā)了最大的三體糾纏. 隨著非線性增益Ω的增加, 最小剩余共生糾纏的極大值也隨之變大. 取Δm1=23γ, 圖4(b)給出了三體糾纏隨溫度T的變化關(guān)系. 顯然, 最小剩余共生糾纏對溫度不敏感, 具有很好的魯棒性. 同時發(fā)現(xiàn), 非線性增益Ω越大, 三體糾纏的魯棒性越好. 當(dāng)Ω=1.5γ時,的溫度魯棒性可達(dá)到200 mK.同時還注意到, 在非線性增益系數(shù)Ω=0 時, 系統(tǒng)沒有非線性, 所以沒有糾纏. 當(dāng)Ω>0 時, 非線性效應(yīng)導(dǎo)致三體糾纏的產(chǎn)生. 同時, 非線性導(dǎo)致的量子擾動和溫度導(dǎo)致的量子擾動相互干涉, 從而導(dǎo)致圖4(b)中出現(xiàn)一個小峰. 并且當(dāng)T很小的時候,Ω導(dǎo)致的三體糾纏占主導(dǎo), 當(dāng)溫度增大到一定程度后, 熱擾動使三體糾纏度變小. 所以圖4(b)中最小剩余共生糾纏隨溫度的變化不是單調(diào)減小, 并且在溫度增大到一定程度后才出現(xiàn)顯著下降.

      除了非線性激發(fā)強(qiáng)度, MS 模的耗散系數(shù)也是影響三體糾纏的重要因素之一. 如圖5 所示, 減小MS 模的耗散系數(shù), 系統(tǒng)的最小剩余共生糾纏增大, 從而可以獲得更大的三體糾纏.

      圖5 三體糾纏的最小剩余共生糾纏 隨失諧量Δm1和耗散系數(shù) κ 2的變化關(guān)系; 設(shè)定 ε p =γ , Ω =1.5γ ,Δc =?2.5γ , 從左到右, κ 2 所取的數(shù)值分別為 1 .7γ , 2 .1γ ,2.5γ , 2 .9γ 以及 3 .3γ . 其他參數(shù)與圖2 一 致Fig. 5. Tripartite entanglement in terms of the minimum residual contangle versus detuning Δ m1 and dissipation rates κ 2 , setting ε p =γ , Ω =1.5γ and Δ c =?2.5γ ,the lines denote 1 .7γ , 2 .1γ , 2 .5γ , 2 .9γ , and 3 .3γ forκ2 from left to right. The other parameters are the same as in Fig. 2.

      5 結(jié) 論

      本文提出一種利用新的非線性機(jī)制在磁-腔QED 系統(tǒng)中產(chǎn)生兩體和三體糾纏的理論方案. 該磁-腔QED 系統(tǒng)中只含有一個YIG 小球, 腔內(nèi)光子耦合YIG 小球中集體自旋激發(fā)的FMR 模和MS 模, 通過注入泵浦光, 利用參量下轉(zhuǎn)換使系統(tǒng)產(chǎn)生非線性, 從而壓縮驅(qū)動腔模, 使系統(tǒng)產(chǎn)生糾纏.采用實(shí)驗(yàn)可行的參數(shù), 穩(wěn)態(tài)情況下, 腔內(nèi)光子、FMR模和MS 模之間互相實(shí)現(xiàn)兩體糾纏. 當(dāng)關(guān)閉泵浦光的輸入(Ω=0 ), 系統(tǒng)不產(chǎn)生糾纏. 同時, 該穩(wěn)態(tài)系統(tǒng)還可以實(shí)現(xiàn)三體糾纏, 度量三體糾纏的最小剩余共生糾纏隨非線性增益的增加而增大. 進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn), 該三體糾纏與MS 模式的耗散系數(shù)有關(guān), 減小MS 模的耗散系數(shù), 系統(tǒng)的最小剩余共生糾纏增大, 從而可以獲得更大的三體糾纏. 研究同時得出三體糾纏對溫度不敏感, 具有很好的魯棒性.

      感謝同濟(jì)大學(xué)朱成杰研究員、羊亞平教授和浙江大學(xué)李杰老師的有益討論.

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