AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件中子位移損傷效應(yīng)及機(jī)理

郝蕊靜 郭紅霞 ? 潘霄宇 呂玲 雷志鋒 李波 鐘向麗 歐陽曉平 董世劍

1) (湘潭大學(xué)材料與工程學(xué)院, 湘潭 411105)

2) (工業(yè)和信息化部電子第五研究所, 電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)國家重點實驗室, 廣州 510610)

3) (西北核技術(shù)研究院, 西安 710024)

4) (西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院, 寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室, 西安 710071)

1 引 言

GaN材料具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能, 包括大的臨界擊穿電壓、大的電子飽和漂移速度和高熱導(dǎo)率等, 適用于制造高頻大功率器件[1]. 同時, 相比于GaAs材料和Si材料, GaN材料的禁帶寬度更大, 因此它的抗輻射性能更好, 在航空航天領(lǐng)域有著更廣闊的應(yīng)用前景[2,3]. 然而, 空間環(huán)境對器件的可靠性要求較高, 粒子輻射對器件造成的位移損傷效應(yīng)會影響其長期穩(wěn)定地工作, 目前這一問題限制著GaN器件在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用[4].

中子是核輻射環(huán)境中造成半導(dǎo)體器件位移損傷效應(yīng)的主要粒子之一. 近幾年來, 國內(nèi)外對AlGaN/GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)器件開展了一些中子輻照實驗研究. 2010年Gu等[3]對中子輻照AlGaN/GaN HEMT器件的電特性進(jìn)行研究, 發(fā)現(xiàn)當(dāng)輻照注量低于 1014n/cm2時, 器件的電學(xué)特性無明顯變化, 而柵極泄漏電流有所增加. 2011 年 Wang 等[1]對 AlGaN/GaN HEMT 器件建立了中子原位測試技術(shù)和輻照效應(yīng)實驗方法,研究了電離效應(yīng)和位移效應(yīng)對器件電學(xué)性能的影響, 發(fā)現(xiàn)閾值電壓、漏電流和柵泄漏電流是中子輻照損傷的敏感參數(shù). 2018年Zhang等[5]在室溫下用1 MeV的中子對p-GaN功率晶體管器件進(jìn)行注量為 1.5 × 1015n/cm2輻照實驗, 輻照后器件的閾值電壓沒有發(fā)生明顯變化, 柵極電壓比較大時,飽和漏電流在輻照后減小. 根據(jù)目前國內(nèi)外對GaN基HEMT器件的中子輻照實驗研究可以看出, 中子在一定注量時會對器件的電學(xué)特性產(chǎn)生影響, 比如飽和漏電流、跨導(dǎo)和閾值電壓等, 研究位移損傷效應(yīng)對器件性能的影響是整個器件性能研究中很重要的一部分. 并且, 對于位移損傷引起的器件性能的退化機(jī)制, 很多研究者都認(rèn)為是在禁帶中引入了缺陷造成的, 而缺陷種類及缺陷密度的變化, 尚未形成一個統(tǒng)一的認(rèn)識. 所以, 采用新的表征手段來表征位移損傷造成的缺陷影響至關(guān)重要.

1/f噪聲是一種在半導(dǎo)體器件中功率譜密度與頻率成反比的隨機(jī)漲落現(xiàn)象, 它可以反映出半導(dǎo)體材料與器件的潛在缺陷[6]. 與材料質(zhì)量相關(guān)的壓電極化效應(yīng), 或者熱載流子在源漏區(qū)與陷阱的相關(guān)作用, 導(dǎo)致的表面態(tài)和深能級缺陷的俘獲和發(fā)射過程都可以用1/f噪聲測試表征. 采用1/f噪聲手段,可以對器件界面處的陷阱能量和空間分布進(jìn)行計算分析, 也可得到輻照前后的缺陷濃度變化[7?9].2015年, 劉遠(yuǎn)等[10]采用1/f噪聲的分析方法對電離輻射前后的部分耗盡絕緣體上硅器件進(jìn)行測試分析, 實驗發(fā)現(xiàn)器件背柵平帶電壓噪聲功率譜密度增大, 埋氧化層內(nèi)的陷阱電荷密度在輻射后增多.2020 年, 董世劍等[11]針對 AlGaN/GaN HEMT器件進(jìn)行了60Cog射線電離輻照實驗, 實驗采用1/f噪聲的分析方法, 發(fā)現(xiàn)電離輻照會在器件氧化物層內(nèi)誘生缺陷電荷和界面態(tài), 從而影響器件的電學(xué)性能. 本論文采用1/f噪聲的表征手法推斷出了缺陷主要產(chǎn)生的區(qū)域, 并對中子輻照前后的器件內(nèi)缺陷濃度進(jìn)行了詳細(xì)的計算. 同時, 本文針對AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了中子輻照實驗, 利用C-V測試的方法, 分析了中子輻照引入的體缺陷對載流子濃度的影響. 雖然現(xiàn)在已有部分研究者做了中子輻照電學(xué)特性研究的相關(guān)實驗, 但是關(guān)于1/f噪聲的特性卻少有報道, 本文將器件的電學(xué)特性與1/f噪聲特性結(jié)合起來, 深入分析了中子位移損傷效應(yīng)對器件的影響, 同時針對器件的異質(zhì)結(jié)構(gòu)也開展了輻照實驗, 為器件的損傷機(jī)理分析提供了更有價值的參考.

2 實 驗

2.1 實驗樣品

本次實驗選用的器件結(jié)構(gòu)簡圖如圖1所示. 該器件采用金屬-有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法在碳化硅(0001)晶面襯底上生長了AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu). 該外延結(jié)構(gòu)從襯底向上由核層2 μm厚的非故意摻雜GaN層和20 nm厚的非故意摻雜Al0.25Ga0.75N勢壘層組成. 采用Cl2反應(yīng)離子刻蝕(RIE)進(jìn)行臺面隔離. 電子束蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au(20 nm/160 nm/55 nm/45 nm)在 850 ℃ 下連續(xù)退火 30 s, 實現(xiàn)了歐姆接觸. 接著是 60 nm 的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) SiN鈍化層. 用RIE方法去除柵區(qū) SiN, 然后沉積 Ni/Au/Ni(45 nm/200 nm/20 nm)金屬堆, 形成肖特基接觸.器件柵長 1 μm, 柵寬 50 μm, 柵源間距 2.5 μm, 源漏間距 10 μm.

圖 1 AlGaN/GaN HEMT 器件結(jié)構(gòu)圖Fig. 1. Structure diagram of AlGaN/GaN HEMT device.

2.2 實驗設(shè)置

中子輻照實驗在西安脈沖反應(yīng)堆開展, 該輻射場是中子和伽馬射線的混合場, 實驗過程取1 MeV等效中子注量, 脈沖反應(yīng)堆中的屏蔽金屬盒可以調(diào)節(jié)中子和伽馬射線之比, 本次實驗采用的 n/g比為 6.1 × 109n/cm2·rad (Si). 實驗過程中, 反應(yīng)堆 1 MeV 等效中子注量達(dá)到 1 × 1014n/cm2即停止輻照, 器件在輻照過程中不加偏置, 實驗溫度為室溫. 利用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀Agilent B1500對實驗器件進(jìn)行電學(xué)性能測試, 并使用博達(dá)微科技快速低頻噪聲測量系統(tǒng)NC300對器件進(jìn)行低頻噪聲測試, 對性能完好的器件進(jìn)行記錄并保存測試數(shù)據(jù). 測試參數(shù)設(shè)置如表1所列,VG為柵極電壓,VD為漏極電壓,VS為源極電壓,VSTEP為電壓步長.

表 1 實驗參數(shù)Table 1. Experimental parameters.

3 實驗結(jié)果分析

3.1 AlGaN/GaN HEMT器件電學(xué)特性變化

對中子輻照前后的AlGaN/GaN HEMT器件進(jìn)行電學(xué)特性敏感參數(shù)測試分析, 發(fā)現(xiàn)器件的電學(xué)特性在中子輻照后有明顯退化. 輻照前后的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如圖2和圖3所示.

圖 2 中子輻照前后 AlGaN/GaN HEMT 器件轉(zhuǎn)移特性曲線Fig. 2. Transfer characteristic curve of AlGaN/GaN HEMT device before and after irradiation.

圖 3 中子輻照前后 AlGaN/GaN HEMT 器件輸出特性曲線Fig. 3. Output characteristic curves of AlGaN/GaN HEMT devices before and after irradiation.

從圖2和圖3中可以看出, 中子輻照后器件的跨導(dǎo)和輸出飽和漏電流都有所降低, 計算得出輻照后跨導(dǎo)僅降低了3%, 且最高跨導(dǎo)對應(yīng)的柵壓沒有發(fā)生改變, 閾值電壓經(jīng)計算發(fā)現(xiàn)只有輕微的正漂,而輸出飽和漏電流卻有明顯的降低, 這些變化說明器件溝道內(nèi)的載流子濃度和遷移率發(fā)生了變化.

由于AlGaN/GaN HEMT器件在柵極采用肖特基接觸, 在異質(zhì)結(jié)處有很強(qiáng)的極化效應(yīng), 所以器件工作方式主要是耗盡模式. 當(dāng)在肖特基柵極上加一個負(fù)的偏壓時, 器件溝道內(nèi)的二維電子氣將會被耗盡, 這一電壓就是晶體管的閾值電壓, 它是HEMT器件中最重要的電學(xué)參數(shù)之一, 表示為[12]

其中Vth是閾值電壓,dd是摻雜的AlGaN層厚度,Nd是AlGaN層的摻雜濃度,?B(x) 是肖特基勢壘高度, ?Ec(x) 是導(dǎo)帶不連續(xù),ε(x) 是 AlGaN 的介電常數(shù),x是 AlGaN 中鋁的摩爾組分,σ(x) 為異質(zhì)結(jié)界面感生的極化電荷密度. 器件中的二維電子氣主要是由極化電荷引起的,σ(x) 可表示為[13]:

從而, 二維電子氣中的總電荷可以根據(jù)泊松方程(Poisson equation)和 薛 定 諤 方 程 (Schr?dinger equation)求出來, 設(shè)只有兩種初始的量子態(tài)E0和E1, 則二維電子氣的總電荷數(shù)ns表示為[14]

其中D=4πm?/h2是導(dǎo)帶密度,m?=0.20m0是電子有效質(zhì)量,EF是二維勢阱的費(fèi)米能級,k是玻耳茲曼常數(shù),T是溫度. 則在耗盡近似的情況下, 二維電子氣中的總電荷ns可以表示為[14]:

其中,d是薄層電荷和柵極之間的距離,VGS是柵極電壓,EF是二維勢阱的費(fèi)米能級. 根據(jù)上述公式,可以知道閾值電壓與載流子密度緊密相關(guān), 載流子密度減小造成閾值電壓增大, 這是由于中子輻照后在器件內(nèi)產(chǎn)生類受主型缺陷, 俘獲電子后導(dǎo)致載流子密度減小引起的. 根據(jù)電流密度方程, 器件溝道內(nèi)的源漏電流(IDS) 和跨導(dǎo)(Gm)分別表示為[15]:

其中,W是柵寬,v(x) 是電子速度, 達(dá)到最大時為飽和電子速度vs. 當(dāng)溝道電場達(dá)到臨界電場時, 電子速度就達(dá)到了飽和電子速度vs, 但當(dāng)溝道電場小于臨界電場時, 溝道遷移率就決定了溝道電子速度, 當(dāng)溝道電場沒有達(dá)到臨界電場時, 電流表示為[15]:

其中,Vch是溝道x處的電勢,μ是溝道載流子遷移率,由于在柵源和柵漏之間存在著寄生電阻RS和RD,則柵極下方溝道內(nèi)的電勢邊界條件分別表示為[15]:

根據(jù)HEMT器件溝道長短, 使VGT表示長溝道器件的飽和電壓,VL表示短溝道器件的飽和電壓,VDS表示漏極電壓, 故而當(dāng)器件在線性區(qū)域工作時,電流表示為[15,16]:

其中β為跨導(dǎo)系數(shù), 表示為

當(dāng)器件在飽和區(qū)工作時, 電子速度達(dá)到最大,即達(dá)到溝道電流飽和值IDast[15,16]:

根據(jù)上述公式可以推斷出影響器件敏感參數(shù)退化的主要因素. 中子輻照器件后, 會在器件內(nèi)造成深能級缺陷以及一些電子陷阱, 從而產(chǎn)生載流子去除效應(yīng)且增加陷阱隧穿. 根據(jù)實驗結(jié)果的轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出, 中子輻照后, 器件的跨導(dǎo)和閾值電壓都變化很小, 經(jīng)過計算發(fā)現(xiàn), 最高跨導(dǎo)僅僅降低了3%, 閾值電壓有輕微正漂, 這主要是因為中子輻照器件后在GaN層中引入了受主型陷阱[17],使得異質(zhì)結(jié)界面的電場增大, 閾值電壓正漂. 對比輸出特性曲線發(fā)現(xiàn), 輸出飽和漏電流的退化較大,聯(lián)系(7)式可以看出, 這主要是因為溝道載流子遷移率的退化. 中子輻照器件后, 會在HEMT器件內(nèi)產(chǎn)生不同種類的缺陷和缺陷簇, 部分缺陷會形成散射中心, 發(fā)生庫侖散射, 使得二維電子氣的遷移率退化. AlGaN/GaN HEMT器件的柵特性一直備受關(guān)注, 本次實驗器件在中子輻照后, 柵極泄漏電流有所增加, 如圖 4所示. 分析可得, 中子輻照器件后, 在AlGaN層中引入輻照缺陷作為隧穿中心, 加大了柵極電流的隧穿幾率, 肖特基勢壘高度也隨之降低.

圖 4 中子輻照前后 AlGaN/GaN HEMT 器件柵特性曲線Fig. 4. Gate characteristic curve of AlGaN/GaN HEMT device before and after irradiation.

3.2 AlGaN/GaN HEMT器件 1/f 噪聲特性變化

使用西安電子科技大學(xué)提供的低頻噪聲測試儀對中子輻照前后的AlGaN/GaN HEMT器件進(jìn)行低頻噪聲測試, 測試參數(shù)如表1所示. 測試過程中選取了多個不同的柵壓, 經(jīng)過數(shù)據(jù)處理發(fā)現(xiàn), 在輻照前后的各個器件溝道電流歸一化噪聲功率譜密度變化一致, 如圖5所示.

由圖5可以看出, 器件在經(jīng)過中子注量1 ×1014n/cm2的輻照后, 溝道電流的歸一化噪聲功率譜密度有明顯提高. 對于AlGaN/GaN HEMT器件, 可以通過測量不同柵壓下的低頻噪聲功率譜密度, 計算分析溝道內(nèi)的陷阱以及陷阱俘獲現(xiàn)象. 在漏極偏壓固定時, 可以測得電流功率譜密度SID,基于 Mc Whorter’s數(shù)量波動模型可得, 歸一化噪聲功率譜密度與柵極平帶電壓噪聲功率譜密度SVfb有很好的關(guān)聯(lián)性, 二者之間關(guān)系表示為[18]:

其中,SVfb只與器件界面附近的陷阱電荷、結(jié)構(gòu)尺寸等參數(shù)有關(guān),Gm是器件跨導(dǎo). 取頻率為 25 Hz時的實驗數(shù)據(jù), 擬合出如圖6所示的歸一化溝道電流噪聲功率譜密度隨輸出電流的變化曲線.

圖 5 AlGaN/GaN HEMT 器件輻照前與輻照后溝道電流歸一化噪聲功率譜密度 (a) 輻照前; (b) 輻照后Fig. 5. Normalized noise power spectral density of channel current in AlGaN/GaN HEMT devices before and after irradiation: (a) Before irradiation; (b) after irradiation.

根據(jù)(13)式和圖6可以看出, 輻照后的擬合曲線高于輻照前, 說明溝道界面附近的缺陷電荷俘獲以及缺陷陷阱引起的載流子數(shù)量波動會產(chǎn)生溝道噪聲. 而且輻照后的平帶電壓噪聲功率譜密度SVfb高于輻照前, 而柵極平帶電壓噪聲功率譜密度SVfb與器件內(nèi)的缺陷密度Nit關(guān)系為[19]:

其中λ為 AlGaN/GaN HEMT 器件的導(dǎo)帶因子,λ=0.5 nm;W和L分別為器件的柵寬和柵長;Cb是器件中AlGaN勢壘層的電容. 利用(14)式可以計算得到實驗前后器件內(nèi)部缺陷的變化如表2所示.

表2的計算結(jié)果表明, 中子輻照會在器件內(nèi)部引入新的缺陷, 使得器件內(nèi)缺陷密度增大. 圖7展示了典型結(jié)構(gòu)的AlGaN/GaN HEMT器件中噪聲缺陷可能產(chǎn)生的位置以及噪聲種類[20,21].

圖 6 輻照前后歸一化溝道電流噪聲功率譜密度與輸出電流的關(guān)系Fig. 6. Normalized channel current noise power spectral density versus channel in the AlGaN/GaN HEMT devices before and after irradiation.

表 2 輻照前后噪聲參數(shù)變化Table 2. Noise parameter changes before and after irradiation.

圖 7 典型結(jié)構(gòu)的 AlGaN/GaN HEMT 器件中噪聲-缺陷源位置[20,21]Fig. 7. Location of noise-defect sources in AlGaN/GaN HEMT devices with typical structure[20,21].

從圖7中可以看出, 1/f噪聲主要是在AlGaN/GaN界面以及AlGaN勢壘層與柵極界面處產(chǎn)生.中子輻照AlGaN/GaN HEMT器件后, 歸一化溝道電流功率譜密度增大, 結(jié)合中子輻照器件引發(fā)位移損傷缺陷的物理過程進(jìn)行分析. 中子不帶電, 其入射到半導(dǎo)體材料內(nèi)能夠足夠接近并撞擊晶格原子, 使得晶格原子偏離原來的點陣位置而產(chǎn)生空位缺陷, 這些缺陷分布在AlGaN勢壘層以及器件溝道內(nèi), 使得溝道內(nèi)歸一化電流功率譜密度增大. 此外, 中子輻照在肖特基接觸的柵極以及柵極下方的AlGaN勢壘層中產(chǎn)生了新的缺陷, 這些缺陷充當(dāng)俘獲中心和散射中心來俘獲溝道載流子和散射電子, 使得載流子數(shù)量減小、遷移率降低, 造成閾值電壓的正向漂移、飽和漏電流下降, 而在柵極誘發(fā)的缺陷又會作為隧穿中心輔助隧穿, 使得柵泄漏電流增大, 這與3.1節(jié)測得的電學(xué)特性相符合.

3.3 AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的中子輻照效應(yīng)

根據(jù)以上實驗結(jié)果可知, 中子輻照器件后引入的體缺陷會使得載流子數(shù)量減少, 遷移率降低, 然而這些體缺陷產(chǎn)生的位置仍然值得探討, 所以同時針對體缺陷主要產(chǎn)生的位置開展了中子的輻照實驗, 并利用C-V測試的手段計算出輻照前后載流子濃度的變化. 實驗采用的樣品器件是針對AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)制作的一個肖特基二極管, 生長工藝與3.1節(jié)中的HEMT器件相同, 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)簡圖如圖8所示, 實驗條件與器件實驗相同, 實驗設(shè)置參數(shù)如表3所示.

對實驗樣品進(jìn)行輻照前后的C-V測試, 提取輻照前后不同頻率下的C-V數(shù)據(jù)作圖, 圖9展示了中子輻照前后的肖特基二極管在1 MHz時電容隨偏置電壓的變化曲線.

圖 8 肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)圖 (a)剖面圖; (b)俯視圖Fig. 8. Schottky diode device structure diagram: (a) Crosssectional view; (b) top view.

表 3 實驗參數(shù)設(shè)置Table 3. Experimental parameters.

圖 9 中子輻照前后的肖特基二極管在 1 MHz 時電容隨偏置電壓的變化Fig. 9. Variation curves of capacitance with bias voltage of Schottky diode before and after neutron irradiation at 1 MHz.

從C-V結(jié)果圖可以看出, 輻照前, 器件的開啟電壓大約在–3.5 V 左右. 在中子輻照以后, 平帶電壓 ?Vfb有一個正向的漂移, 漂移值約0.2 V左右.這是由于中子輻照在異質(zhì)結(jié)處引入了體缺陷, 這些缺陷會形成俘獲陷阱中心來俘獲電子, 從而造成平帶電壓的正向漂移. 為了更進(jìn)一步地分辨出這些缺陷所在的位置, 就需要知道中子輻照前后的載流子濃度變化, 載流子濃度NCV可以通過(15)式[22]得到,

其中,x是載流子距 AlGaN 層的距離,C是在VGS下每單位面積的肖特基勢壘層電容,A是肖特基接觸的面積,εr和ε0分別是勢壘層中材料的相對介電常數(shù)和真空介電常數(shù). 基于圖9和(15)式可以得到圖10載流子濃度隨深度的變化.

從圖10可以很明顯看出中子輻照后載流子濃度峰值明顯下降, 這說明在中子輻照后有更多的電子被俘獲. 推斷這是由于二維電子氣溝道內(nèi)的部分電子被轉(zhuǎn)移到了AlGaN層的體缺陷內(nèi), 如圖11所示. 這些被俘獲的電子就引起了平帶電壓的正向漂移, 也就是發(fā)生了所謂的載流子去除效應(yīng).

圖 10 載流子濃度隨深度的波動函數(shù)Fig. 10. Fluctuation function of carrier concentration with depth.

圖 11 二維電子氣溝道內(nèi)電子轉(zhuǎn)移到體缺陷示意圖Fig. 11. Schematic diagram of electron transfer to bulk defects in the two-dimensional electron gas channel.

為了證實這一點, 就需要對載流子重分布對平帶電壓轉(zhuǎn)移的影響進(jìn)行定量評估, 利用(16)式[23]進(jìn)行定量評估, 此時只考慮AlGaN層中被俘獲的電子對平帶電壓轉(zhuǎn)移的影響,

其中,C0是肖特基區(qū)域AlGaN層中單位面積的電容值,d0是 AlGaN 層厚度,NCV(x) 和分別是輻照前后AlGaN層中深度x時的電子濃度. 通過(16)式計算出 ?Vfb=0.19V≈0.2V . 該結(jié)果表明平帶電壓的漂移主要是由于AlGaN層中的缺陷陷阱進(jìn)行了電子俘獲, 根據(jù)這些可以推斷出在中子輻照后, AlGaN層中產(chǎn)生的體缺陷引發(fā)了載流子去除效應(yīng). 本次實驗工作提供了一個直接的實驗結(jié)果, 證明中子輻照后的體缺陷分布狀況. 根據(jù)以上可以得出結(jié)論, 二維電子氣溝道內(nèi)的部分電子在中子輻照后會轉(zhuǎn)移到AlGaN層的體缺陷中, 同時,轉(zhuǎn)移的這部分電子對二維電子氣溝道也有一個耗盡作用, 這就使得電子濃度降低, 在HEMT器件中, 它能引起輸出飽和漏電流減少.

4 結(jié) 論

本文實驗工作針對AlGaN/GaN HEMT器件開展了中子位移損傷效應(yīng)研究, 通過電學(xué)特性和1/f噪聲特性表征方法對器件輻照前后的性能進(jìn)行了測試表征, 實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)中子輻照在器件溝道內(nèi)引入的體缺陷會導(dǎo)致器件電學(xué)性能退化, 并且輻照前后器件溝道內(nèi)的缺陷密度由 1.78 × 1012cm–3·eV–1增大到了 1.66 × 1014cm–3·eV–1. 同時針對 AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)也進(jìn)行了中子輻照實驗, 利用CV測試的方法得到了輻照前后器件內(nèi)載流子濃度的變化, 并且推斷出中子引入的體缺陷主要分布在AlGaN層. 本實驗研究結(jié)果可用于AlGaN/GaN HEMT器件抗輻照加固設(shè)計方面.

在實驗過程中, 得到了西安脈沖堆運(yùn)行操作人員熱情周到的服務(wù), 他們精準(zhǔn)可靠的輻照控制對項目順利實施幫助良多, 在此深表感謝！