陳沭璇 賈麗華*, 郭祥峰 趙振龍 楊 瑞 王 欣
(1齊齊哈爾大學化學與化學工程學院,精細化工黑龍江省省屬高校重點實驗室,齊齊哈爾 161006)
(2廣東石油化工學院化學學院,茂名 525000)
二氧化氮(NO2)主要產(chǎn)生于煤和礦物油等化石燃料的高溫燃燒以及工業(yè)生產(chǎn)過程,是主要的大氣污染物[1];當其濃度達到5 mL·m-3時,就可能對人的眼睛和肺部有刺激,使其機體抵抗力降低,甚至死亡[2];它還與其他污染物或水形成光化學煙霧或酸雨等,造成環(huán)境污染[3]。因此,大氣中的NO2檢測具有重要意義和廣泛需求?;诎雽w金屬氧化物的氣體傳感器具有靈敏度高、成本低、響應/恢復快等優(yōu)點,受到了研究者的普遍關(guān)注[4]。以SnO2、ZnO、WO3和Co3O4等半導體金屬氧化物為主的氮氧化物傳感器取得了較好的效果[5-8]。其中ZnO是一種寬禁帶的N型半導體材料,具有熱穩(wěn)定性和環(huán)境相容性好等優(yōu)點[9-10]。Sonker等[11]制備了納米ZnO薄膜,室溫下對20 mL·m-3NO2響應值為119,響應/恢復時間為85/103 s。Rai等[12]制備了花狀ZnO納米材料,300 ℃下對100 mL·m-3NO2響應值為12.27,檢出限為5 mL·m-3。
金屬有機框架(MOFs)是由金屬離子和有機配體通過配位形成的多孔晶體材料[13]。采用MOFs自犧牲模板法制備金屬氧化物成型工藝簡單、比表面積大、反應位點多;近年來基于該方法制備的CuO、Co3O4、In2O3、TiO2等已被用于構(gòu)筑氣體傳感器[14-17]。Li等[18]報道了由MOF-5模板衍生的多孔ZnO納米材料,對0.5 mL·m-3丙酮的響應值為6.36。Zhang等[19]利用ZIF-8制備了中空籠型ZnO納米材料,對100 mL·m-3乙醇的響應值為 139.41,響應/恢復時間為2.8/56.4 s,檢出限為0.25 mL·m-3。目前采用該方法制備ZnO用于氮氧化物氣體傳感器的研究工作鮮有報道。因此,我們希望采用MOFs自犧牲模板法合成ZnO,并進一步用于NO2氣體傳感器制備。
我們以硝酸鋅和2,5-二羥基對苯二甲酸為原料,制備了Zn-MOF-74。通過煅燒Zn-MOF-74制備了介孔ZnO,進一步研究了其對不同氣體的響應性能。結(jié)果表明,450℃煅燒后的材料對100 mL·m-3NO2響應值高達 77.40,檢出限為 0.10 mL·m-3,穩(wěn)定性好;特別是當有SO2等氣體存在時,其對NO2響應值基本不變,抗干擾能力強。該傳感器的制備過程如圖1所示。
圖1 ZnO450合成過程示意圖及其對NO2的響應性能Fig.1 Synthesis process of ZnO450and the response to NO2
實驗所用試劑均為未經(jīng)進一步純化的分析純化學試劑。參考文獻[20]方法合成了Zn-MOF-74。將Zn(NO3)2·6H2O和2,5-二羥基對苯二甲酸在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中攪拌溶解后,轉(zhuǎn)移至帶有聚四氟乙烯內(nèi)襯的不銹鋼高壓反應釜中,105℃保溫反應36 h。然后自然冷卻至室溫,離心得到黃色粉末,再用DMF洗滌及二氯甲烷浸泡,沉淀經(jīng)干燥得到前驅(qū)體 Zn-MOF-74(Zn2(DHBDC)(DMF)2·(H2O)2)。
分別稱取0.30 g Zn-MOF-74,在350、450、550 ℃下,空氣氣氛中煅燒2 h,得到ZnOT(T為煅燒溫度)。其中,ZnO350為黃色粉末,ZnO450和 ZnO550為白色粉末。
使用熱重分析儀(Netzsch STA F3)對樣品進行熱重-差示掃描量熱法(TG-DSC)測量,在N2氣氛中以10℃·min-1的加熱速率記錄TG-DSC曲線,溫度范圍為30~980℃。采用X射線衍射儀(XRD;Bruker D8 Advance)測定樣品的晶體結(jié)構(gòu),測試條件為Cu靶Kα線(λ=0.154 18 nm),電壓為40 kV,電流為50 mA,掃描范圍為5°~80°。通過Avatar 370 FT-IR光譜儀測試樣品的傅里葉變換紅外(FT-IR)光譜。通過X射線光電子能譜(XPS;ESCALAB 250Xi)測定表面化學組成,X射線源為AlKα射線單色源,能量為1 486 eV。使用N2吸附-脫附等溫線(Autosorb iQ),通過Brunauer-Emmett-Teller(BET)和Barrett-Joyner-Halenda(BJH)方法測量分析樣品的比表面積和孔徑分布。通過掃描電子顯微鏡(SEM;Zeiss supra55)觀察樣品形貌,測試電壓5 kV。利用透射電子顯微鏡(HRTEM;JEM-2100F)獲得其晶格條紋,測試電壓200 kV。采用氣體傳感器表征系統(tǒng)(WS-30A)測試傳感器的性能。
取適量ZnO置于瑪瑙研缽中,加入無水乙醇研磨至黏稠,均勻涂在鍍有金電極的陶瓷管表面,并將其在真空干燥箱中60℃干燥1 h,之后在管內(nèi)插入鎳鉻加熱絲,并焊接到底座上,將制備的傳感器老化后備用。然后,用氣體傳感器表征系統(tǒng)評估傳感器的氣敏性能。氣敏元件的響應值根據(jù)公式Response=(Rg-Ra)/Ra[21]計算得到,其中Rg和Ra分別表示氣敏元件在目標氣體和空氣中的電阻,響應/恢復時間為元件電阻值達到或恢復到之前電阻的90%時所需時間[22]。另外,將暴露于100 mL·m-3NO2后的傳感材料用ZnOT/e表示。
圖2為前驅(qū)體Zn-MOF-74以及有機配體測試的TG-DSC曲線圖。通過前驅(qū)體與有機配體的對比可以看出,Zn-MOF-74主要有3個失重階段(圖2a),對應DSC曲線中的6個吸熱峰(圖2b)。其中30~180℃失重6.48%,主要是前驅(qū)體中的溶劑和水分子的蒸發(fā)[23]。180~590℃失重41.73%,主要是MOFs中有機配體分解引起的失重。590~980℃的失重量為28.76%,可能是由于配體分解產(chǎn)生的積碳在高溫下導致ZnO還原,釋放CO2和CO所致[24-25]。因此,分別在350、450和550℃下煅燒前驅(qū)體制備ZnO,以研究煅燒溫度對材料氣敏性能的影響。
利用XRD測定了前驅(qū)體Zn-MOF-74及ZnO的晶體結(jié)構(gòu)(圖3)。前驅(qū)體在2θ=6.8°和11.6°處的衍射峰,分別歸屬于Zn-MOF-74的(110)和(300)晶面,與文獻[26]報道一致,且峰形光滑尖銳,說明形成了Zn-MOF-74晶體。ZnO在2θ=31.76°、34.42°、36.25°、47.53°、56.60°、62.86°和67.97°處的衍射峰,分別對應于纖鋅礦結(jié)構(gòu)的六方相ZnO[27](PDF No.36-1451)的(100)、(102)、(101)、(102)、(110)、(103)和(112)晶面,且ZnO450和ZnO550呈現(xiàn)規(guī)整的ZnO[28]晶形。
圖2 有機配體及前驅(qū)體Zn-MOF-74的TG(a)-DSC(b)曲線Fig.2 TG(a)-DSC(b)curves of the organic ligand and as-prepared precursor Zn-MOF-74
圖3 前驅(qū)體Zn-MOF-74與ZnOT的XRD圖Fig.3 XRD patterns of as-prepared precursor Zn-MOF-74 and ZnOT
有機配體、前驅(qū)體Zn-MOF-74和樣品ZnOT的FT-IR光譜如圖4所示。Zn-MOF-74的FT-IR光譜中,在3 500 cm-1附近出現(xiàn)的寬峰為酚和羧基中的-OH伸縮振動峰,1 654 cm-1處的峰為C=O伸縮振動峰[29],1 548和1 415 cm-1處的峰對應C=C伸縮振動峰[30],且在Zn-MOF-74中484 cm-1處出現(xiàn)了Zn-O的特征峰,與文獻一致[31],進一步證明了Zn-MOF-74的形成。在ZnO350的FT-IR光譜中,位于3 500 cm-1處的峰為酚和羧基中-OH的伸縮振動峰,1 654 cm-1處的C=O伸縮振動峰和1 548、1415 cm-1處的C=C伸縮振動峰仍然存在,說明ZnO350中還存在一定數(shù)量的有機官能團。與上述情況相比,ZnO450的FT-IR光譜表明,ZnO中仍殘留有機物,460 cm-1處出現(xiàn)了ZnO的特征峰[32]。ZnO550的FT-IR光譜中在460 cm-1處出現(xiàn)了ZnO的特征峰,有機物的特征峰不明顯。
圖4 有機配體、前驅(qū)體Zn-MOF-74和ZnOT的FT-IR圖Fig.4 FT-IR spectra of the organic ligand,as-prepared precursor Zn-MOF-74 and ZnOT
圖5為ZnOT和ZnOT/e的XPS譜圖。圖5a中3個樣品分別在1 021.68、1 021.48和1 021.58 eV處出現(xiàn)的峰對應于Zn2p3/2的特征峰,10 44.78、1 044.48、1 044.58 eV處的峰歸屬于Zn2p1/2的特征峰,峰間距均為23 eV[33],說明了Zn2+的存在。圖5b中530.40、531.68和532.15 eV處的峰分別對應于O1s的晶格氧(Olat)、表面吸附氧(Oads)和表面吸附的水分子中的氧(OH2O)[34]。根據(jù)曲線擬合結(jié)果,可知ZnO450的化學吸附氧含量為30.96%,高于ZnO350的22.39%和ZnO550的26.29%。圖5c中ZnO350在284.88、285.88和288.88 eV處的峰分別對應C-C、C-O和C=O鍵,ZnO450在284.88、285.88和288.48 eV處的峰分別對應C-C、C-O和C=O鍵,ZnO550在284.88、285.88和288.78 eV處的峰分別對應C-C、C-O和C=O鍵[35-36],證明材料中殘留有機官能團,這與FT-IR光譜分析的結(jié)果一致。
為了深入了解樣品的結(jié)構(gòu),測試了ZnOT的N2吸附-脫附等溫線(圖6a)及相應的BJH孔徑分布(圖6b)。由圖6a可知,3種材料的吸附-脫附等溫線均為Ⅳ型等溫線[37]。ZnO350、ZnO550為H3型滯后環(huán),而ZnO450為H1型滯后環(huán)。從圖6b的孔徑分布曲線可以看出,ZnOT的平均孔徑分別為3.7、16.0和3.0 nm,BET比表面積分別為27、35和6 m2·g-1(表1)。綜上,ZnO450材料具有較大的比表面積(可以提供更多活性位點),相對較大的平均孔徑(有利于提高氣體的擴散速率)。
表1 ZnOT樣品的理化性質(zhì)Table 1 Physicochemical properties of ZnOTsamples
圖5 ZnOT的XPS譜圖Zn2p(a);O1s(b);C1s(c);ZnOT/e的O1s XPS光譜 (d)Fig.5 Zn2p(a);O1s(b);C1s(c)XPS spectra of ZnOT;O1s XPS spectra of ZnOT/e(d)
圖6 ZnOT的氮氣吸附-脫附等溫線(a)和孔徑分布圖(b)Fig.6 N2adsorption-desorption isotherms for ZnOT(a)and the pore size distribution(b)
圖7 ZnO350(a、b)、ZnO450(d、e)和ZnO550(g、h)的SEM圖和ZnO350(c)、ZnO450(f)和ZnO550(i)的HRTEM圖Fig.7 SEM images of ZnO350(a,b),ZnO450(d,e)and ZnO550(g,h)and HRTEM images of ZnO350(c),ZnO450(f)and ZnO550(i)
從圖1可以看出,Zn-MOF-74為表面光滑的六方柱狀結(jié)構(gòu),其六邊形的邊長約為10 μm,與已報道的MOF-74結(jié)構(gòu)基本一致[38]。從圖7a和7b可以看出,ZnO350是由大小不均一的納米塊(>200 nm)形成的直徑約為7 μm的柱狀結(jié)構(gòu)。從圖7d和7e可以看出,ZnO450是由晶粒大小約20 nm的均勻納米粒子組成,且保留了前驅(qū)體Zn-MOF-74的六方柱狀形貌;表面粗糙,且六邊形的邊長縮小為3 μm,可觀察到明顯的分層結(jié)構(gòu)。由于焙燒過程中,Zn-MOF-74表面吸附水失去及有機配體分解后,產(chǎn)生的CO2和H2O分子從體系中逸出[39],導致Zn-MOF-74收縮,雖然其外形保持了六方柱狀形貌,但邊長由10 μm收縮到3 μm,柱體皸裂出現(xiàn)層狀縫隙。從圖7g和7h可以看出,ZnO550由晶粒大小不均勻的納米球堆疊形成直徑大于15 μm的塊狀結(jié)構(gòu)。ZnO450的納米粒子粒徑較小且均勻?qū)е铝吮缺砻娣e的增加,這與N2吸附-脫附分析的結(jié)果一致。從圖7c、7f和7i可以看出,ZnOT相鄰晶格面間距均為0.28 nm,與ZnO(100)晶面的面間距相匹配[40]。
圖8a為在相同條件下,基于ZnOT的傳感器對濃度為100 mL·m-3的不同氣體的響應值??梢钥闯觯訸nO450為傳感材料制備的傳感器對100 mL·m-3NO2的響應值為77.40,遠高于對其他氣體的響應值,如對 CO、SO2、NH3和 CO2的響應值分別僅為0.94、0.99、1.62和1.24。這是由于作為電子受體的NO2吸附于ZnO表面時捕獲電子,在ZnO450表面形成電子耗盡層,增大傳感器電阻;而CO、SO2、NH3和CO2等氣體作為電子供體,捕獲ZnO450表面的活性氧,導致傳感器電阻降低[41-42]。另外,ZnO450傳感器對 100 mL·m-3NO2的響應值比 ZnO350和 ZnO550制備的傳感器的響應值分別高47和2倍。這歸因于ZnO450的吸附氧含量明顯高于ZnO350和ZnO550,且比表面積大。從圖8b可以看出,ZnO450傳感器對100 mL·m-3NO2的響應/恢復時間為 18/30 s,明顯優(yōu)于ZnO350和ZnO550。ZnO450較短的響應/恢復時間是由于該材料的平均孔徑較大,有利于快速的分子擴散。
圖8 ZnOT傳感器對不同氣體的響應值(a)以及對NO2的動態(tài)電阻響應曲線(b)Fig.8 Response of ZnOTsensor towards different gases(a)and dynamic resistance response curve towards NO2(b)
眾所周知,工作溫度影響氣體傳感器的氣敏性能,因此我們改變工作溫度測試了ZnOT對100 mL·m-3NO2的響應曲線,如圖 9 所示。ZnO350、ZnO450和ZnO550對100 mL·m-3的NO2的最佳檢測溫度分別為255、245和245℃,對應的響應值分別為3.22、77.40和40.11。由此可知,基于ZnO450的氣體傳感器對NO2響應值最大并具有適中的工作溫度。
圖10a為ZnO450在245℃下對不同濃度NO2的動態(tài)響應恢復曲線。由圖可知,該傳感器能夠快速響應0.1~20 mL·m-3的NO2。即使在0.1 mL·m-3的低濃度下,ZnO450仍然顯示出較高的響應值,達到了1.08[43-44]。從圖 10b可知,在 0.1~20 mL·m-3范圍內(nèi),NO2的濃度與ZnO450的響應值之間表現(xiàn)出良好的線性關(guān)系,其線性相關(guān)系數(shù)為0.998 0。
圖9 ZnOT氣體傳感器在不同工作溫度下對100 mL·m-3NO2的動態(tài)響應恢復曲線Fig.9 Dynamic response recovery curves of ZnOTsensors upon exposure to NO2of 100 mL·m-3at different working temperatures
圖10 245℃時ZnO450傳感器對不同濃度NO2的動態(tài)響應恢復曲線(a)和線性擬合曲線(b)Fig.10 Dynamic response recovery curve(a)and the linear relation fitting curve(b)of ZnO450based sensor to different concentrations of NO2at 245℃
圖11 245℃時ZnO450傳感器對100 mL·m-3NO2的循環(huán)測試曲線(a)及對100和0.1 mL·m-3NO2的長期穩(wěn)定性(b)Fig.11 Cyclical of the ZnO450gas sensor to 100 mL·m-3of NO2at 245 ℃ (a),and long-term stability to 100 and 0.1 mL·m-3of NO2(b)
圖11a為245℃下ZnO450傳感器對100 mL·m-3NO2響應值的循環(huán)測試圖。在100 mL·m-3NO2每次進氣和出氣循環(huán)后,ZnO450傳感器的靈敏度幾乎保持初始值,表明其具有良好的可重復性。圖11b為ZnO450傳感器對100和0.1 mL·m-3NO2的穩(wěn)定性測試結(jié)果。在測試時間范圍內(nèi),其響應值基本保持不變。因此,ZnO450傳感器檢測NO2具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。
圖12 245℃時ZnO450對含有其他氣體的NO2的響應圖(每種氣體濃度均為100 mL·m-3)Fig.12 Response of ZnO450upon exposure to different NO2gas mixture at 245℃ (100 mL·m-3for each gas)
在此基礎上,為了解其他氣體(CO、SO2、NH3、CO2等)與NO2共存對ZnO450氣體傳感器檢測NO2的干擾,我們進行了抗干擾性的研究。由圖12可知,當含有100 mL·m-3NO2的氣體中存在相同濃度的其他干擾氣體時,ZnO450氣體傳感器對混合氣體的響應值與對NO2的響應值基本一致,表明ZnO450氣體傳感器具有優(yōu)異的抗干擾能力。當ZnO450暴露于混合氣中時,由于NO2吸電子能力遠強于CO和NH3等氣體[41,45],其捕獲ZnO450表面電子,導致表面電子密度降低,傳感器電阻顯著增加,響應值增大。另外,ZnO450對 100 mL·m-3單一氣體如 CO、SO2、NH3、CO2的響應值均小于2.0,說明這些氣體對ZnO450的表面電阻影響很小。
ZnO450是N型半導體[46],當材料暴露在空氣中,氧分子吸附在ZnO450表面,奪取ZnO導帶中的電子,形成化學吸附氧。當傳感器暴露于NO2氣體時,NO2作為電子受體吸附在ZnO表面,捕獲電子轉(zhuǎn)化為,進而與吸附氧 O-和電子 e-反應,形成了NO[41-42],這導致了ZnO表面形成電子耗盡層,電子濃度降低,電阻增大[47]。反應機理如下:
這里(g)和(ad)分別表示氣態(tài)和吸附態(tài)。圖5d顯示以ZnOT為基底的傳感器在吸附100 mL·m-3NO2后,材料中Oads含量均增多,說明表面吸附氧的存在是影響NO2傳感過程的主導因素,其中ZnO450的Oads含量增多24.12%,遠大于ZnO350(0.24%)和ZnO550(13.51%)的Oads含量的增大值。這說明ZnO450與NO2相互作用時,吸附氧Oads表現(xiàn)活躍,與目標氣體分子接觸時的吸附-脫附作用增強,改善了元件的氣敏特性。
圖13 響應NO2氣體傳感機理示意圖Fig.13 Schematic diagram of NO2gas sensing mechanism
NO2響應過程的示意圖如圖13所示。由于N型半導體是以電子作為載流子,因此自由電子的數(shù)量減少,導致電導率下降,隨之ZnO450材料的電阻值增加。在NO2氣氛下,氣體與表面吸附氧發(fā)生氧化還原反應,電子濃度降低,從而使ZnO450材料的電阻值增大。由圖可知,耗盡層隨著載流子濃度的降低而變厚。損耗層越厚,則意味著電阻的增大或電流的減小,表現(xiàn)為響應值的增大[48]。
通過自犧牲模板法煅燒Zn-MOF-74制備了介孔ZnO450材料。在245℃下,該材料對100 mL·m-3NO2響應值達77.40,響應/恢復時間為18/30 s,最小檢出濃度低至0.1 mL·m-3。在目標氣體NO2與CO、SO2、NH3、CO2共存時,該傳感器對 NO2的檢測具有高抗干擾性。該材料制備過程簡單,具有靈敏度高、選擇性好、對NO2響應迅速、檢出限低、穩(wěn)定性好且抗干擾能力強等優(yōu)點,具有廣泛的潛在實用前景。