楊靜靜,孫杰明
(中航富士達(dá)科技股份有限公司泰斯特實驗室,西安 710077)
接觸電阻是電連接器電性能參數(shù)的重要指標(biāo),通過測試接觸電阻,不僅可以反映各種電接觸形式的穩(wěn)定性,而且還可以反映微型電子元器件在復(fù)雜環(huán)境條件下使用時的形變情況等[1,2],但由于其阻值的特殊性,在進行接觸電阻測試時產(chǎn)生的誤差往往會對最后的結(jié)果產(chǎn)生較大的影響,只有明確誤差的來源,才可在試驗中有效的避免或使誤差最小化,這樣最終的測試數(shù)據(jù)才更具真實性[3,4]。
由于接觸電阻阻值的數(shù)量級較小,所以在進行測試時,首先要保證的是,測試設(shè)備可以有效的消除自身帶有的誤差,例如,對于射頻同軸連接器而言其接觸電阻阻值可以是10-2~10-4數(shù)量級,因此如果不消除設(shè)備自身的測試誤差,那么對于小電阻測量而言,是無法保證測試結(jié)果的真實性的,那么對于小電阻測試而言,其測試原理可用圖1表示:
圖1 接觸電阻測試原理圖Fig.1 Principle of Contact Resistance Testing
其實開爾文電橋是惠斯通電橋的升級和變形,其中R1、R2、R3、R4均為可變電阻,RX為被測低電阻,Rn為低值標(biāo)準(zhǔn)電阻與惠斯通單電橋?qū)Ρ?,開爾文電橋做了兩點重要改進:
(1)增加了一個由R2、R4組成的橋臂。
(2)RX和Rn由兩端接法改為四端接法。其中P1P2構(gòu)成被測低電組RX,P3P4是標(biāo)準(zhǔn)低電阻Rn,P1P2、P3P4為電壓接點,C1C2、C3C4稱為電流接點。從圖中可以看出,采用卡爾文四線橋法時,將RX電流端電阻和Rn電流端的電阻RX與,接入電源回路,從而消除了這兩端的電阻對電橋電路的影響[2],其次在RX和Rn電壓端的電阻又分別于先對大電阻R1、R2、R3、R4串聯(lián)后,在RX和Rn電壓端的電阻幾乎沒有分壓作用,因此消除了電壓端電阻對電橋電路測量結(jié)果的影響,而RX和Rn端的連線電阻則r可以通過對R1、R2、R3、R4,的調(diào)節(jié)消除r對測量結(jié)果的影響,當(dāng)當(dāng)電橋電路中檢流計實數(shù)為零時則有以下RX為:調(diào)節(jié)R1、R2、R3、R4使電橋平衡。此時,Ig=0,I1=I3,I2=I4,I5=I6,VB=VD,且有
I3R3=I4R4+I5Rx
(1)
I1R1=I2R2+I6Rn
(2)
I2R2+I4R4=(I5-I4)R′
(3)
三式聯(lián)立求解得
(4)
如果平衡等式中滿足如下條件;
(5)
則以上等式則可化簡為:
(6)
在實際的測量中,如(5)式中所表示的關(guān)系受到設(shè)備或者人為操作的影響難以達(dá)到,只能近似相等,所以在測試過程中RX和Rn的引線電阻R要盡可能的小,所以在RX和Rn直接的連接導(dǎo)線盡可能采用橫截面積較大且較短的導(dǎo)線連接而:R1R4=R2R3和R′≈0的設(shè)定,消除了附加電阻的影響,從而保證了測量低電阻時的準(zhǔn)確度。
由于在實際的測試過程中,影響接觸電阻測試的因素很多,本文中以測試時的正壓力為例,采用最小二乘法對接觸電阻的測試進行分析[5],由于不同的接觸形式對小電阻的測試也會帶來較大的影響,因此提出以下猜想;如壓力增大,接觸面的接觸點和接觸面積也會增大,最終接觸點從彈性變形轉(zhuǎn)化為塑性變形[3],這種塑性變形會使集中電阻減小,從而接觸電阻降低[4],證明如下:
首先采用圖2的方式測得以下數(shù)據(jù)。
圖2 接觸關(guān)系圖Fig.2 Contact Relationship
從表1的數(shù)據(jù)可知,在正壓力增大時,接觸電阻阻值在不斷減小,因此將這種變化表示為以下關(guān)系如圖3所示。
表1 接觸電阻與正壓力的關(guān)系Table 1 The Relationship Between Force and Resistance
圖3 正壓力與接觸電阻的變化趨勢Fig.3 Trends in Pressure and Resistance
從圖3可觀察到,正壓力與接觸電阻的變化趨勢類似于一條直線,因此假設(shè)接觸電阻與正壓力的關(guān)系為:
f(x)=ax+b
(7)
將表1的數(shù)據(jù)帶入上述表達(dá)式可得:以下方程組(8)
10a+b-1.164=0
11a+b-1.160=0
12a+b-1.153=0
13a+b-1.154=0
14a+b-1.150=0
16a+b-1.144=0
15a+b-1.146=0
(8)
根據(jù)上述方程組,試圖找到一個a,b;使得上述7個等式分別成立,但是根據(jù)一元一次方程的概念,這是不可能的,任何a,b帶入上面都會產(chǎn)生一定的誤差[5],但是,可以找到一個a,b帶入上式使得各等式之間誤差最小,因為純代數(shù)運算的關(guān)系,只需要使各等式的平方誤差最小即可,因此可將上述的具體問題轉(zhuǎn)化為下列方程組:
(9)
(10)
(11)
則所求的最小二乘解可以表示為求:向量|Y-B|2最小值,即要求向量Y-B的膜最小,在歐式空間中一個固定向量到子空間的向量的距離也是以“垂線最短”所以將上述矩陣寫為:
(12)
令A(yù)的各列向量為(a1,a2,a3…as),由列向量生成的子空間為L(a1,a2,a3…as),那么就是A中向量,則Y也是子空間L(a1,a2,a3…as)的向量。因此向量到子空間的距離可以表示為在子空間L(a1,a2,a3…as)中找一個向量Y,使得向量B到它的距離比其到子空間中L(a1,a2,a3…as)其他向量的距離都短,則猜想可以得到證明,由上式可知
Y=AX=a1x1+a2x2+…asxs
是所求的向量,則距離可表示為:
C=B-Y即C=B-AX
由于向量B垂直于子空間L(a1,a2,a3…as),則必然有以下聯(lián)系:
Ca1+Ca2+Ca3…Cas…Cas=0,
即(C,a1)=0,(C,a2)=0,…(C,as)=0
然后用矩陣數(shù)乘關(guān)系可以得出為:
AT(B-AX)=0?ATB-ATAX=0
即:ATB=ATAX、(13)
由此X的解析式,可以看出ATB為常數(shù)項而ATA為系數(shù)矩陣,所以式中的X總是有解的,到此,最小二乘法有解的充要條件得到證明,所以帶入之前的所提出的問題中則有:
(14)
(15)
得
即,a=-0.00325,b=1.1952
由此可以得出一個關(guān)于正壓力與接觸電阻阻值的關(guān)系式如下:
R=-0.00235X+1.1952
(17)
將測試與計算的結(jié)果進行擬合,曲線見下圖4所示:
圖4 擬合曲線圖Fig.4 Fitting Curve
根據(jù)擬合曲線的確定,證明最初的假設(shè)成立。
綜上所述,影響電連接器接觸電阻測試的原因很多,如果仔細(xì)分析每一種因素對測試結(jié)果的影響是不現(xiàn)實的,但是如果將這些因素進行整理和歸納,無外乎二種因素,一是測試原理的不同,二是接觸方式的不同,究其原理而言,測試方法不同但是基礎(chǔ)并沒有什么區(qū)別,其根本就是為了盡可能的降低系統(tǒng)測試帶來的誤差,在進行RF連接器接觸電阻測試時,接觸壓力的不同,究其本質(zhì)也是改變了產(chǎn)品原有自然狀態(tài)下得接觸方式,進而對最后的測試結(jié)果產(chǎn)生較大的誤差。并且這種誤差會隨著接觸部位壓力的增大而呈現(xiàn)正比例變化,因此在進行工程毫歐級接觸電阻測試時,應(yīng)采用自然插合的接觸方式進行測量,同時應(yīng)避免人為產(chǎn)生的接觸壓力,導(dǎo)致自然插合狀態(tài)的改變。才可能真正做到消除或者減小試驗誤差,從而保證試驗結(jié)論的真實有效。