柵氧化層經(jīng)時(shí)擊穿的非平衡統(tǒng)計(jì)理論分析方法

趙文靜 丁夢(mèng)光 楊曉麗 胡海云

(北京理工大學(xué)物理學(xué)院, 北京 100081)(2020年1月15日收到; 2020年2月26日收到修改稿)

柵氧化層的經(jīng)時(shí)擊穿作為影響互補(bǔ)型金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路可靠性的一個(gè)重要因素, 一直是國(guó)內(nèi)外學(xué)者研究的重點(diǎn). 為了對(duì)其進(jìn)一步研究, 首先從柵氧化層在電應(yīng)力下經(jīng)時(shí)擊穿的微觀機(jī)理出發(fā), 基于柵氧化層中電子陷阱密度累積達(dá)到臨界值時(shí)發(fā)生擊穿的原理和電子陷阱生成過(guò)程的隨機(jī)性, 提出了柵氧化層經(jīng)時(shí)擊穿的非平衡統(tǒng)計(jì)理論分析方法, 然后分別給出了恒定電流應(yīng)力和恒定電壓應(yīng)力下電子陷阱生成速率方程, 導(dǎo)出了電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù). 最后以具體器件為例進(jìn)行分析, 得到了柵氧化層的最概然壽命隨電流應(yīng)力、電壓應(yīng)力及其厚度的變化規(guī)律, 并類比固體斷裂現(xiàn)象中“疲勞極限”的概念定義“擊穿極限”概念. 計(jì)算出了累積失效率隨電流應(yīng)力、電壓應(yīng)力和時(shí)間的變化規(guī)律, 引入特征值來(lái)描述累積失效率達(dá)到0.63 所用的時(shí)間. 結(jié)果表明: 電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)滿足對(duì)數(shù)正態(tài)分布, 且理論結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符.

1 引 言

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(metal oxide semiconductor, MOS)晶體管是微處理器、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件等超大規(guī)模集成電路的核心器件, 隨著大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路的發(fā)展, MOS 晶體管的可靠性也成為人們研究的重點(diǎn)之一. MOS 晶體管中柵氧化層的完整性直接與集成電路的性能、可靠性以及成品率相關(guān), 因此研究柵氧化層的可靠性非常有必要[1?3].

經(jīng)時(shí) 擊 穿(time-dependent dielectric breakdown, TDDB)是指施加的場(chǎng)強(qiáng)低于發(fā)生本征擊穿時(shí)的場(chǎng)強(qiáng), 在持續(xù)作用一段時(shí)間后發(fā)生的擊穿. 人們常通過(guò)TDDB 來(lái)評(píng)估柵氧化層的本征可靠性,測(cè)試柵氧化層的質(zhì)量[4]. 由于二氧化硅具有禁帶寬度較大、介電強(qiáng)度較高、絕緣性好等優(yōu)點(diǎn), 一直是MOS 器件柵氧化層的主要材料. 本文以二氧化硅為例, 研究了電應(yīng)力下柵氧化層的TDDB.

多年來(lái), 人們?yōu)榱肆私鈻叛趸瘜拥膿舸C(jī)理,建立了許多模型, 其中包括電子俘獲擊穿模型[5]、空穴擊穿模型[6]、感生共振隧穿模型[7]、陷阱產(chǎn)生相關(guān)模型[8]等. 而針對(duì)擊穿過(guò)程的隨機(jī)性, 也有一些模型, 如馬仲發(fā)等[9]提出的逾滲模型, 其認(rèn)為柵氧化層中深能級(jí)缺陷產(chǎn)生與積累, 形成電導(dǎo)逾滲通路, 造成擊穿. Lee 等[10]的統(tǒng)計(jì)模擬模型把柵氧化層中缺陷的存在看作其減薄, 并認(rèn)為柵氧化物層的壽命與空穴通量達(dá)到某一特征值所需的時(shí)間有關(guān).Su?é等[11]將MOS 電容器分成若干個(gè)柱狀“小元胞”, 并將其定義為“擊穿前退化點(diǎn)的區(qū)域”, 用泊松分布描述一個(gè)元胞中電子陷阱出現(xiàn)的概率, 假設(shè)當(dāng)其中產(chǎn)生一定數(shù)量的電子陷阱時(shí), 該元胞發(fā)生擊穿. 但到目前為止, 柵氧化層經(jīng)時(shí)擊穿的物理機(jī)理依然沒(méi)有完全定論, 一般認(rèn)為其與柵氧化層中產(chǎn)生的電子陷阱有關(guān). 本文以動(dòng)態(tài)平衡模型[12]為基礎(chǔ),提出了柵氧化層經(jīng)時(shí)擊穿的非平衡統(tǒng)計(jì)理論分析方法, 為計(jì)算MOS 器件中柵氧化層的累計(jì)失效率、定量的分析其退化程度提供了一個(gè)新方法.

2 柵氧化層經(jīng)時(shí)擊穿的微觀機(jī)理

在電應(yīng)力作用下, 柵氧化層的TDDB 過(guò)程通?？煞譃閮蓚€(gè)階段: 損傷建立階段和突變失控階段. 在損傷建立階段, 因電子與二氧化硅晶格發(fā)生碰撞, 注入電子的部分動(dòng)能被耗散, 被耗散的動(dòng)能可能造成二氧化硅中Si-O 鍵的斷裂, 而產(chǎn)生電子陷阱. 當(dāng)局部電子陷阱密度達(dá)到臨界值Nbd時(shí), 在電極之間產(chǎn)生歐姆通道, 進(jìn)入突變失控階段, 其中電或熱的正反饋?zhàn)饔脤?dǎo)致?lián)舸? 二氧化硅單位體積中Si-O 鍵的數(shù)量是一定的, 即可以產(chǎn)生的陷阱數(shù)量是一定的, 所以臨界陷阱密度Nbd與測(cè)試所用應(yīng)力條件無(wú)關(guān), 與制作工藝、面積、厚度有關(guān)[13?15].由于突變失控階段經(jīng)歷時(shí)間較短, 所以一般將損傷建立階段的時(shí)間就看作柵氧化層的壽命[6,16]. 本文只研究損傷建立階段.

隨著MOS 器件尺寸的縮小, 柵氧化層逐漸變薄, 而工作電壓卻不能隨之減小, 所以此時(shí)的隧穿電流主要是Flower-Nordheim 隧穿電流. 人們一般采用恒定電流應(yīng)力和恒定電壓應(yīng)力方法[17]研究柵氧化層的TDDB 特性.

設(shè)恒流應(yīng)力下t時(shí)刻二氧化硅中產(chǎn)生的電子陷阱密度為Nj(t) , 恒壓應(yīng)力下t時(shí)刻二氧化硅中產(chǎn)生 的電子陷阱密度為Nu(t) . 它們可分別表示為[14]

其中N0為初始陷阱密度,e為元電荷量,l為柵氧化層厚度,ε為柵氧化層的介電常量,U0為恒流應(yīng)力下的初始電壓,τu為電壓的馳豫特征時(shí)間, 與新電子陷阱的產(chǎn)生有關(guān),K2為與電子的有效質(zhì)量和勢(shì)壘高度有關(guān)的常量,E0為外加電場(chǎng)強(qiáng)度,τj為測(cè)試中電流密度的馳豫特征時(shí)間, 且

3 非平衡統(tǒng)計(jì)理論分析方法

由于材料結(jié)構(gòu)本身等的不均勻性, 在電應(yīng)力作用下, 柵氧化層中產(chǎn)生電子陷阱的位置和速率具有隨機(jī)性. 隨著時(shí)間的增加, 在電應(yīng)力作用下, 柵氧化層中產(chǎn)生的電子陷阱數(shù)不斷增多, 對(duì)柵氧化層造成損傷. 當(dāng)兩個(gè)電子陷阱接觸時(shí), 就可合并成一個(gè)較大的電子陷阱. 如果產(chǎn)生的電子陷阱形成了連接兩個(gè)電極的歐姆通道, 就會(huì)造成柵氧化層擊穿, 此擊穿過(guò)程是不可逆的. 由于電子陷阱的生成過(guò)程的隨機(jī)性和不可逆性, 故電子陷阱的生成速率可用廣義的Langevin 方程來(lái)描述[18,19]:

假設(shè)電子陷阱的生成速率與達(dá)到的退化程度無(wú)關(guān), 只與當(dāng)時(shí)及稍早施加的電應(yīng)力和柵氧化層的微觀結(jié)構(gòu)有關(guān)[11], 故可將電子陷阱的生成過(guò)程看作一個(gè)馬爾可夫過(guò)程, 漲落函數(shù)f(t) 服從如下高斯分布:

其中D為漲落長(zhǎng)大系數(shù),d為Dirac 函數(shù).

根據(jù)隨機(jī)理論[20], 與Langevin 方程(4)等價(jià)的Fokker-Plank 方程, 即電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)P(N0,N,t) 隨時(shí)間的演化方程為

其中P(N0,N,t)dN表示在電應(yīng)力下, 柵氧化層中的電子陷阱密度由初始 (t=0 s)時(shí)的N0 在t時(shí)刻增長(zhǎng)到N～N+dN之間的概率. 根據(jù)局部電應(yīng)力漲落和結(jié)構(gòu)背景漲落的特點(diǎn),k(N),β(N) 和D的關(guān) 系為[18]

其中A為一個(gè)與電子陷阱密度N無(wú)關(guān)的常量,h為總的相對(duì)偏差,tbd為柵氧化層的最概然壽命.將(7)和(8)式代入(6)式, 采用路徑積分法可得電 子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)P(N0,N,t) 為[18]

4 恒流應(yīng)力下的經(jīng)時(shí)擊穿研究

對(duì)(1)式求導(dǎo)可得, 恒流應(yīng)力下柵氧化層中電子陷阱的平均生成速率k(Nj) 為

對(duì)比(10)與(7)式可得

將(11)式代入(9)式可得, 電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)P(N0,Nj,t) 為

從(12)式可以看出, 當(dāng)指數(shù)項(xiàng)為1時(shí), 電子陷阱概率密度函數(shù)值最大, 即此時(shí)為電子陷阱密度的最概然值. 所以恒流應(yīng)力下柵氧化層中電子陷阱密度從初始值N0累計(jì)到Nbd的最概然時(shí)間, 即最概然壽命為

根據(jù)(13)式, 并結(jié)合他人[21,22]實(shí)驗(yàn)中MOS 器件兩種樣品的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析, 得到柵氧化層的最概然壽命tbdj隨其厚度l和初始電壓U0的變化規(guī)律如圖1 所示. 其中, 樣品1[21]和樣品2[22]的厚度分別為l1= 10 nm,l2= 11 nm; 初始電子陷阱密度為N0=1.5×1016cm?3[23]; 臨界電子陷阱密度分別為Nbd1=4.3×1018cm?3,Nbd2=6.5×1018cm?3; 初始電壓分別為U01=13V ,U02=12V .

從圖1 可以看出, 恒流應(yīng)力下, 如果不考慮臨界電子陷阱密度Nbd隨柵氧化層厚度l的變化, 則柵氧化層的最概然壽命tbdj隨其厚度l的增大而增大, 隨其初始電壓U0的增大而減小. 這可能是由于柵氧化層厚度l的減薄和初始電壓U0的增大會(huì)導(dǎo)致其上電場(chǎng)強(qiáng)度增大, 使其更容易被擊穿, 造成其壽命tbdj減小.

圖1 不同厚度柵氧化層的最概然壽命(a)樣品1[21],J =1 A/cm2 ; (b) 樣品2[22], J =0.8 A/cm2Fig. 1. The most probable lifetime of gate oxide with different thickness: (a) Sample 1[21] at J =1 A/cm2 ; (b) sample 2[22] at J =0.8 A/cm2 .

當(dāng)柵氧化層的材料、厚度、制作工藝、所處溫度一定時(shí), 電壓的馳豫特征時(shí)間τu和電流密度J的乘 積為一個(gè)常量, 即[14]

由(13)和(14)式可得柵氧化層的最概然壽命tbdj與電流密度J的關(guān)系曲線, 并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比, 如圖2 所示. 類比固體斷裂現(xiàn)象中“疲勞極限”的概念定義“擊穿極限”, 其表示當(dāng)電流應(yīng)力低于某一值時(shí), 很難發(fā)生TDDB. 由圖2 可以看出, 樣品1的“擊穿極限”大約在 0.05 A/cm2, 樣品2 的“擊穿極限”大約在 0.1 A/cm2, 在此電流應(yīng)力下, MOS器件基本可以安全使用; 理論結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果[21,22]趨勢(shì)一致, 即柵氧化層的最概然壽命tbdj隨所加電流密度J的增大而減小. 但理論上推出二者是非線性關(guān)系, 與實(shí)驗(yàn)定量上有差別, 這或許是由于所能獲得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)較少, 或許是源于理論在微觀機(jī)理上考慮的因素不夠全面.

圖2 不同電流密度對(duì)應(yīng)的柵氧化層的最概然壽命 (a) 樣品1; (b) 樣品2Fig. 2. The most probable lifetime of gate oxide under different electric current density: (a) Sample 1; (b) sample 2.

根據(jù)(12)式可得, 在電流密度J不變(即電壓的馳豫特征時(shí)間τu不變)的情況下, 不同時(shí)刻電子陷阱密度的概率密度分布如圖3 所示. 顯而易見(jiàn),電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)服從對(duì)數(shù)正態(tài)分布. 概率密度函數(shù)曲線的峰值代表某一時(shí)刻電子陷阱密度Nj(t) 的最概然值. 樣品1 在電流密度J=1 A/cm2(樣品2 在電流密度J=0.8 A/cm2)的情況下, 不同時(shí)刻, 柵氧化層中電子陷阱密度Nj(t)的最概然值不同; 隨著恒流應(yīng)力作用時(shí)間的增加, 概率密度函數(shù)曲線的峰值向右移, 說(shuō)明電子陷阱密度Nj(t) 隨時(shí)間t的增加而增加; 峰高越來(lái)越小, 半峰寬越來(lái)越大, 說(shuō)明隨時(shí)間的增加電子陷阱數(shù)量增加, 電子陷阱密度的概率密度分布趨向于均勻化.

圖3 不同時(shí)刻的P-N 圖 (a) 樣品1, J =1 A/cm2 ; (b)樣品2, J =0.8 A/cm2Fig. 3. The probability density varies with electron trap density at different time: (a) Sample 1 at J =1 A/cm2 ;(b) sample 2 at J =0.8 A/cm2 .

在時(shí)間t不變的情況下, 不同電流密度J下電子陷阱密度的概率密度分布如圖4 所示. 從圖4 中可以看出, 在時(shí)間t=20 s時(shí), 隨著電流密度J的增大, 概率密度函數(shù)曲線的峰值向右移動(dòng), 說(shuō)明電子陷阱密度Nj(t) 隨著電流密度J的增大而增加.因?yàn)楫?dāng)電流密度增大時(shí), 相應(yīng)的就需要更大的柵極電壓, 在柵氧化層厚度不變的情況下, 電壓越大,其中的電場(chǎng)強(qiáng)度越大. 注入的電子被加速到更大的速度, 因而獲得了更大的能量. 使得電子與二氧化硅中的晶格碰撞時(shí)被散射的那部分能量也成比例增加. 因此產(chǎn)生的電子陷阱數(shù)也隨之增加. 所以在同一時(shí)刻, 被施加電流應(yīng)力大的二氧化硅中產(chǎn)生的電子陷阱數(shù)量更多. 隨著電流的增大, 概率密度函數(shù)曲線的峰高越來(lái)越小, 半峰寬越來(lái)越大. 說(shuō)明隨著電流的增大, 概率密度分布趨向于均勻化.

圖4 不同電流密度下的P-N 圖( t =20 s ) (a) 樣品1;(b) 樣品2Fig. 4. The probability density varies with electron trap density under different electric current density( t =20 s ):(a) Sample 1; (b) sample 2.

將某一電應(yīng)力下, 概率密度分布函數(shù)P(N0,Nj,t) 從臨界電子陷阱密度Nbdj積分到無(wú)窮大 , 即可得到MOS 器件的累積失效率F為

結(jié)合(15)和(12)式, 并代入數(shù)據(jù)計(jì)算可得某一恒流應(yīng)力下的累積失效率.

圖5 和圖6 分別是樣品1 和樣品2 在不同恒流應(yīng)力下, 累積失效率F隨時(shí)間t的變化曲線.

其中,C0為t=0時(shí)刻歐式看漲期權(quán)價(jià)格;S0為t=0時(shí)刻基礎(chǔ)資產(chǎn)(股票)價(jià)格;X為敲定價(jià)格;r為無(wú)風(fēng)險(xiǎn)利率;q為股息收益率;τ為期權(quán)到期時(shí)間;Πj(j=1,2)的定義如下[14]:

圖5 樣品1 中兩種不同電流密度的累積失效率 (a) J =0.1 A/ cm2; (b) J =1 A/cm2Fig. 5. Breakdown cumulative distributions for two different electric current densities in sample 1: (a) J =0.1 A/cm2 ; (b) J =1 A/cm2 .

圖6 樣品2 中三種不同電流密度的累積失效率 (注: 實(shí)心五角星代表實(shí)驗(yàn)值, 線段代表理論值.)Fig. 6. Breakdown cumulative distributions for three electric current densities in sample 2. (Note: solid five-pointed star represents experimental value and line segment represents theoretical value.).

當(dāng)累積失效率F達(dá)到0.63時(shí), 大部分器件發(fā)生擊穿失效, 且此時(shí)測(cè)試參數(shù)不受前期失效的影響, 與累計(jì)失效率為1時(shí)的測(cè)試參數(shù)接近[17], 所以取累積失效率F達(dá)到0.63 所用的時(shí)間τ作為特征值, 即

τ可看做擊穿過(guò)程的“時(shí)間尺度”,τ越大則累積失效率F達(dá)到0.63 所需時(shí)間越長(zhǎng), 柵氧化層的壽命越長(zhǎng).

從圖5和圖6中可以看出, 當(dāng)樣品1 在電流密度J為0.1 A/cm2和1.0 A/cm2時(shí),τ分別為249.8 s 和24.9 s; 樣品2 在電流密度J為 0.4 A/cm2,0.6 A/cm2和0.8 A/cm2時(shí),τ分別為58.7 s, 39.4 s和 28.1 s. 累積失效率F隨時(shí)間t的增大逐漸增大,在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到1, 且電流密度J越大, 累積失效率F達(dá)到1 所用的時(shí)間越短, 這個(gè)結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果[21,22]一致.

5 恒壓應(yīng)力下的經(jīng)時(shí)擊穿研究

同理可得, 在恒壓應(yīng)力下, 電子陷阱的平均生產(chǎn)速率k(Nu) 為

對(duì)比(17)與(7)式可得

電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)P(N0,Nu,t) 為

在恒壓應(yīng)力下, 柵氧化層中陷阱密度Nu(t) 達(dá)到臨界值Nbd的最概然時(shí)間, 即最概然壽命tbdu為

由(20)式可知, 不考慮臨界電子陷阱密度Nbd隨柵氧化層厚度l的變化, 最概然壽命tbdu隨樣品厚度l的增大而增大, 隨電場(chǎng)強(qiáng)度E0的增大而減小.

圖7 不同厚度的柵氧化層的最概然壽命Fig. 7. The most probable lifetime of gate oxide with different thickness.

圖8 不同電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的柵氧化層的最概然壽命Fig. 8. The most probable lifetime of gate oxide under different electric field.

根據(jù)樣品2 的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析, 不同厚度的柵氧化層的最概然壽命tbdu如圖7 所示；不同恒定電場(chǎng)E0下, 柵氧化層的最概然壽命tbdu如圖8 所示. 從圖8 中可以看出, 柵氧化層的壽命tbdu隨電場(chǎng)強(qiáng)度E0的增大而減小, 其“擊穿極限”大約為 5 MV/cm ,且與實(shí)驗(yàn)結(jié)果[22]趨勢(shì)一致.

根據(jù)(19)式得到相同電場(chǎng)下, 不同時(shí)刻?hào)叛趸瘜又须娮酉葳迕芏鹊母怕拭芏惹€如圖9 所示;以及同一時(shí)刻, 不同電場(chǎng)下的概率密度曲線如圖10所示. 由圖9 和圖10 可以看出, 隨電場(chǎng)強(qiáng)度E0和時(shí)間t的增大, 電子陷阱密度的概率密度的最概然值逐漸增大, 且電子陷阱密度的概率密度分布趨于均勻.

圖9 E 0 =13.75 MV·cm?1時(shí), 不同時(shí)刻的P-N 圖Fig. 9. The probability density varies with electron trap density at different time under E 0 =13.75 MV·cm?1 .

圖10 t =30 s時(shí), 不同電場(chǎng)強(qiáng)度下的P-N 圖Fig. 10. The probability density varies with electron trap density at t =30 s under the different electric field.

根據(jù)(15)式可得某一恒定電場(chǎng)強(qiáng)度E0下的累積失效率F隨時(shí)間t變化的圖像, 并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果[22]進(jìn)行了對(duì)比, 如圖11 所示. 當(dāng)K2= 100 MV/cm時(shí), 理論結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果擬合較好, 但實(shí)驗(yàn)得到K2的值一般在200 MV/cm 左右[24]. 可以看出, 當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度E0為13.7 MV/cm, 14.00 MV/cm和14.25 MV/cm時(shí),τ分別為71.8 s, 46.8 s 和30.7 s, 即隨電場(chǎng)強(qiáng)度E0增大柵氧化層的壽命變短; 隨時(shí)間t和電場(chǎng)強(qiáng)度E0的增大, 累積失效率F逐漸增大, 且理論結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符.

圖11 三種不同電壓下的累積失效率Fig. 11. Breakdown cumulative distributions for three different electric field.

6 結(jié) 論

本文基于柵氧化層中電子陷阱生成過(guò)程的隨機(jī)性, 在動(dòng)態(tài)平衡模型的基礎(chǔ)上提出了柵氧化層經(jīng)時(shí)擊穿的非平衡統(tǒng)計(jì)理論分析方法, 并以具體的MOS 器件為例, 分別研究了在恒流應(yīng)力、恒壓應(yīng)力情況下柵氧化層的壽命、電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)、累積失效率. 所得結(jié)論如下:

1) 分別對(duì)不同電應(yīng)力下、不同厚度的柵氧化層進(jìn)行了壽命預(yù)測(cè); 得到在相同電流應(yīng)力、電壓應(yīng)力下, 柵氧化層中電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)隨時(shí)間的變化曲線; 同一時(shí)刻下, 柵氧化層中電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)隨所加電流、電壓的變化曲線, 以及累積失效率隨時(shí)間、電流應(yīng)力、電壓應(yīng)力的變化曲線.

2) 類比“疲勞極限”概念提出了“擊穿極限”概念, 引入特征值作為擊穿過(guò)程的時(shí)間尺度, 描述累積失效率達(dá)到 0.63 的時(shí)間.

3) 發(fā)現(xiàn)柵氧化層中電子陷阱密度的概率密度分布函數(shù)服從對(duì)數(shù)正態(tài)分布, 得到的累積失效率雖與Weibull 分布所得的累積失效率形狀相似, 但Weibull 分布是基于簡(jiǎn)單的統(tǒng)計(jì)假設(shè), 而非平衡理論方法是從微觀機(jī)理出發(fā)嚴(yán)格導(dǎo)出的.

隨著MOS 器件的變小, 柵氧化層逐漸減薄,其在電應(yīng)力下TDDB 的微觀機(jī)理發(fā)生了變化, 動(dòng)態(tài)平衡模型可能不再適用, 但我們依然可以使用非平衡統(tǒng)計(jì)理論方法來(lái)描述其退化程度、計(jì)算累計(jì)失效率、預(yù)測(cè)其壽命.