半導體塑料中可進行離子交換

離子交換廣泛應用于凈水、蛋白質分離純化和工業(yè)污水處理等，是生活中不可或缺的化學現(xiàn)象。日本東京大學研究發(fā)現(xiàn)一個創(chuàng)新性原理，即利用這種極為普遍的離子交換，可以控制半導體塑料的電子狀態(tài)。利用該原理，研究小組精確控制了半導體塑料的電子狀態(tài)，成功實現(xiàn)了具有金屬性質的塑料。

此次發(fā)現(xiàn)的方法在大面積、室溫附近溶液工序中都很容易實現(xiàn)，能顯著提高半導體塑料的摻雜量、結晶性、熱耐久性和傳導特性。通過選擇各種離子性化合物，今后還可以進一步控制傳導特性和物理化學特性，有望促進離子電子器件的實現(xiàn)。（科技日報）

麻省理工學院研發(fā)基于鉆石的量子傳感器

麻省理工學院研究人員率先在硅芯片上創(chuàng)建了基于鉆石的量子傳感器。該團隊認為，這種技術在未來將低成本制造可擴展硬件，這些硬件將用于量子計算，傳感和通信。該技術突破利用了所謂的“氮空位（NV）中心”。

鉆石的NV中心是帶電子的缺陷，可以被光和微波操縱。作為對這種操控的回應，它們發(fā)出彩色圖像，這些圖像攜帶關于周圍磁場和電場的量子信息。這些數(shù)據(jù)可以用于生物傳感、神經(jīng)成像、目標檢測和其他傳感應用。

研究小組指出，傳統(tǒng)的NV傳感器大小相當于廚房桌子，并且還需要其它大型組件，從而限制了傳感器的實用性和靈活性。麻省理工學院團隊已經(jīng)研究出如何使用傳統(tǒng)半導體制造技術，將包括微波發(fā)生器，濾光器和光電探測器等組件集成到毫米級封裝中。

該傳感器在室溫下工作，可以感應方向和磁場強度。該團隊能夠使用這種傳感器來測量原子尺度的頻率變化。該數(shù)據(jù)可能包含有關環(huán)境的信息。（中國半導體行業(yè)協(xié)會）

SK Siltron擬收購DuPont碳化硅晶圓業(yè)務

SK Siltron董事會通過決議，將收購杜邦（DuPont）碳化硅（SiC）晶圓事業(yè)，收購額為4.5億美元，計劃在2019年內完成收購。

SK Siltron負責人表示，此舉是呼應韓國政府推動的材料技術自立化政策，且也是為了確保全球競爭力。SK Siltron認為，在硅晶圓領域要追上日本難度很大，因此將會在次世代技術上尋求機會。目前能量產(chǎn)SiC晶圓的廠商除了杜邦之外，還有日本昭和電工、Denso、住友等。SK Siltrons年營收規(guī)模約1.3萬億韓元，而此次收購額超過其年營收的1/3。（中國半導體行業(yè)協(xié)會）

歐司朗正在研發(fā)第2代EVIYOS，將突破25 600個像素點

日前，歐司朗表示，歐司朗正在研發(fā)第2代Eviyos，正在單個LED芯片上開發(fā)突破性的25 600個像素點，面積僅為40 mm2。各個光像素聚集在一起的像素間距僅為40μm，從而節(jié)省了空間。

歐司朗光電半導體副總裁兼汽車業(yè)務總經(jīng)理WolfgangLex表示說：“第2代Eviyos具有25 600個以上可單獨控制的像素，將高清質量的燈光投射到路上。將來，汽車能夠向駕駛員或其他道路使用者顯示警告或符號”，“有了這款產(chǎn)品，在靠近車輛時，車主也會收到各種的歡迎場景?！?/p>

此外，汽車照明Eviyos系列的一大基本功能是在特定情況下僅點亮所需的像素，這意味著僅消耗必要的能源。第2代Eviyos可以以前所未有的精度逐漸熄滅某個區(qū)域，而其他區(qū)域則在全光照下發(fā)光。根據(jù)應用的不同，用戶還可將多個Eviyos彼此組合或與其他常規(guī)LED組合。（中國半導體行業(yè)協(xié)會）

意法半導體推出低失真高壓LED驅動器

近日，意法半導體發(fā)布HVLED007AC/DCLED驅動器，采用新的失真抑制輸入電流整形（ICS）電路，使節(jié)能型固態(tài)燈具符合日益嚴格的照明規(guī)定。

HVLED007是一個峰值電流模式PFC控制器，為隔離式高功率因數(shù)準諧振反激式轉換器專門設計，ICS電路確保電網(wǎng)輸入電流是真正的正弦交變電流，在整個負載和輸入電壓范圍內，輸入電流總諧波失真（THD）極低，在滿負荷時低于5%。功率因數(shù)接近1，最高能效高于90%，HVLED007允許設計人員僅用一個控制IC驅動多個高達80W的中高功率LED照明燈具。

HVLED007完善了意法半導體的HVLED系列直接用電網(wǎng)整流電源驅動LED燈具的數(shù)字IC產(chǎn)品。HVLED驅動器集成先進的功能，支持經(jīng)濟的原邊穩(wěn)壓功能，可降低材料成本和電路尺寸，同時提高系統(tǒng)可靠性和照明性能。

HVLED007的最低工作溫度為-40℃，可用于路燈等室外照明以及室內照明。圖騰柱輸出級源出電流600mA，灌入電流800mA，除了照明應用外，HVLED007還可用于高達100W的EN61000—3—2標準開關式電源。芯片內置保護功能包括短路保護、過載保護和過壓保護。（中國半導體行業(yè)協(xié)會）

日亞化與英飛凌合作開發(fā)車用高清Micro LED矩陣燈

日前，日亞化（NichiaCorporation）和英飛凌（Infineon）開展合作，目前正共同開發(fā)一種高清（HD）光引擎，其中有超過16 000個MicroLED用于前照燈應用。與目前的高清解決方案不同，新設備將為駕駛員提供高分辨率光。

日亞化高級研發(fā)中心負責人KanjiBando表示：“我們的新型LED矩陣燈的分辨率將達到目前道路上同類解決方案的180倍”，“這將為全新的和改進的安全功能鋪平道路并提高駕駛舒適性?！崩?，高清燈可用于通過突出路邊的人或物體來警告駕駛員；它也可以在道路上投射標記——例如，幫助駕駛員在建筑工地中進行駕駛；此外，無眩光遠光燈或彎曲燈等可以更精確、更平穩(wěn)地運行。（中國半導體行業(yè)協(xié)會）

全球第3代半導體產(chǎn)業(yè)專利總量近9萬項

在第3代半導體領域，美國早期領銜全球專利增長，而2010年前后我國的申請量首次超過美國。截止到2018年9月30日，第3代半導體產(chǎn)業(yè)專利總量約為87510項。其中，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、其他金屬氧化物3種主要材料申請數(shù)量較為接近。而SiC在功率半導體和器件工藝方面較為熱門，GaN在外延生長和光電子方面較為突出。

在氮化物同質襯底技術方面，三菱公司提出改進品質和厚度的GaN單晶制造法和具有低位錯密度的GaN族晶體基底部及用途，LG公司則優(yōu)化快速形成單晶GaN半導體襯底方法；住友公司利用磨削將在表面上具有C面的氮化物半導體襯底的表面加工為面粗糙度Rms5 nm～200 nm。涉及藍寶石襯底技術，索尼公司改進藍寶石襯底蝕刻方法。

在GaN外延生長方面，基于同質襯底生長，三星公司提出一種以高生長速率生長高質量GaN膜的方法；住友公司提出氣相成長的成長表面不是平面狀態(tài)而形成具有三維的小面結構單晶體GaN的結晶成長方法；住友公司提出一種可以收取氧作為n型摻雜劑的GaN單晶的成長方法；法國國家科學研究中心提出通過在犧牲層上的異質外延制造包含Ⅲ氮化物的自承基材的方法。（中國半導體行業(yè)協(xié)會）

航天科工203所表貼溫補晶體實現(xiàn)小型化封裝 填補國內空白

日前，航天科工203所研發(fā)成功一款表貼溫補晶體振蕩器產(chǎn)品，具有體積?。ㄏ鄬σ酝惍a(chǎn)品體積縮小50%）、工作溫度范圍寬（最低工作溫度從-40℃降低至-55℃，比普通溫補晶振擴展了15℃）、可靠性高（可經(jīng)受10kg沖擊能力）的特點，填補了國內該領域空白。溫補晶體振蕩器作為頻率源的“心臟”器件，為電子設備提供高穩(wěn)定的頻率和時鐘信號，對整機性能起著舉足輕重的作用。該溫補晶體振蕩器采用石英諧振器小型化設計、寬溫頻率穩(wěn)定性設計技術實現(xiàn)了小型化和更寬溫度范圍下的高精度指標。

該產(chǎn)品可應用于航天飛船、火箭、衛(wèi)星及航空機載等領域的通信和控制系統(tǒng)，為整機提供穩(wěn)定的頻率基準信號，具有廣闊市場前景。（中國電子元件行業(yè)協(xié)會）

中科院深圳先進院在可自展開智能柔性神經(jīng)電極研發(fā)方面取得進展

近日，中國科學院深圳先進技術研究院納米調控與生物力學研究中心副研究員杜學敏團隊和微納系統(tǒng)與仿生醫(yī)學研究中心研究員吳天準團隊合作研發(fā)出新型可自適應形變的高密度寬幅柔性神經(jīng)電極，在近人體體溫條件下可由微管狀態(tài)轉變?yōu)榫哂刑囟A設曲率的展開狀態(tài)，從而有效貼合曲面組織，有望提升神經(jīng)電極的刺激效率。

研究發(fā)現(xiàn)，具有形狀記憶高分子涂層的高密度寬幅神經(jīng)電極可在室溫下塑形為直徑約為2mm的微管臨時形狀，從而適用于眼球內的微創(chuàng)植入；在近人體體溫的溫度條件下，該電極可在類似人體眼球高黏度環(huán)境的硅油中自展開成具有預設曲率的永久形狀，從而有效貼合視網(wǎng)膜。這種神經(jīng)電極由于有著較高密度的電極位點和較傳統(tǒng)電極更大的尺寸，有望獲得高分辨、寬可視角的刺激視野。并且，由于基底材料間合適的力學性能匹配度，這種高精度的神經(jīng)電極在反復的卷曲和展開過程中依然可以保持較好的電極連接有效性。（中國科學院）

中科院化學所在高效單組份有機發(fā)光場效應晶體管方面取得進展

最近，在前期研究的基礎上，科研人員利用課題組發(fā)展的高遷移率發(fā)光有機半導體材料2，6—diphenylanthracene（DPA）和2，6—di（2—naphthyl） anthracene（dNaAnt）作為活性層構筑了單組分有機發(fā)光場效應晶體管?；诓粚ΨQ器件結構和界面能級調控策略實現(xiàn)了OLET器件中高效平衡的雙極性注入和傳輸。研究表明，所構筑DPA—和dNaAnt—OLET器件均展現(xiàn)了穩(wěn)定且較強的溝道發(fā)光特性，在柵壓調控下，其電子和空穴復合發(fā)光位置在p型溝道和n型溝道中均可得到很好的調控，證實其典型的雙極性發(fā)光特性。并且，所構筑DPA—和dNaAnt—OLET器件最大外量子效率（EQE）分別達到1.61%和1.75%，為目前報道的單組份OLET器件的最高值。同時，DPA—和dNaAnt—OLET器件分別展現(xiàn)了高的發(fā)光亮度（1 210 cd/m2和3 180 cd/m2）和大的電流密度（1.3 kA/cm2和8.4 kA/cm2）。（中國科學院）

中科院上海硅酸鹽所在碳化硅單晶基光導開關研究中取得進展

近期，中國科學院上海硅酸鹽研究所碳化硅晶體項目部在開展碳化硅晶錠制備和晶圓片加工的同時，與相關應用單位緊密合作，持續(xù)開展碳化硅基光導開關原理研究和器件制備實驗，研制成功多款器件并完成了應用驗證。

進一步降低器件導通電阻是碳化硅基光導開關實現(xiàn)規(guī)模應用的技術關鍵，器件導通電阻與基底材料的結晶質量、電極的結構設計、材料選取及其制作工藝等諸多要素密切相關。2019年，為檢測器件接近真實應用條件的導通電阻，團隊開發(fā)了精確測量碳化硅單晶基光導開關納秒量級瞬態(tài)光電導的新方法，在此基礎上，實現(xiàn)了不改變器件結構、僅改變光源參數(shù)連續(xù)調控碳化硅單晶基光導開關導通電阻。（中國科學院）

我國首片自主研發(fā)的8.5代TFT—LCD玻璃基板下線

9月18日，我國首片8.5代TFT—LCD玻璃基板在安徽蚌埠下線。我國成為全球第3個掌握高世代TFT—LCD玻璃基板生產(chǎn)技術的國家。

TFT—LCD玻璃基板是液晶顯示面板的核心部件，是電子信息顯示產(chǎn)業(yè)的關鍵戰(zhàn)略材料，其核心技術長期被少數(shù)幾家國外企業(yè)所壟斷。

為推動我國信息顯示產(chǎn)業(yè)的高質量發(fā)展，在國家重點研發(fā)計劃“重點基礎材料技術提升與產(chǎn)業(yè)化”專項支持下，中建材蚌埠玻璃工業(yè)設計研究院牽頭承擔了“高世代電子玻璃基板和蓋板核心技術開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化示范”項目。經(jīng)過3年多的持續(xù)攻關，該項目取得了一系列階段性重大成果，先后攻克了能夠同時滿足理化和工藝性能的玻璃基板化學組成與配方。（經(jīng)濟日報）

首條高世代OLED生產(chǎn)線投產(chǎn)

近日，我國首條高世代OLED面板線——LG Display廣州OLED項目正式投產(chǎn)，成為全球最大尺寸和最先進的8.5代OLED生產(chǎn)線。該項目總投資約460億元，預計到2021年底實現(xiàn)產(chǎn)能9萬片/月，年產(chǎn)值約200億元。屆時，以LG Display為龍頭的平板顯示產(chǎn)業(yè)集群年產(chǎn)值將達1200億元，廣州將一躍成為全球OLED戰(zhàn)略基地。

LG Display廣州OLED項目主要產(chǎn)品為4K超高清55英寸、65英寸、77英寸等大尺寸電視用OLED面板。該項目占地面積19萬m2，布局全球領先的智能生產(chǎn)線。（經(jīng)濟日報）